【課題】パッケージを用いることなく、半導体集積回路の耐湿性も含めた信頼性が確保されて実装できるようにする。
【解決手段】化合物半導体からなる第１基板１０１の主表面に形成された集積回路を備える集積回路層１０２と、集積回路層１０２を覆って第１基板１０１の上に形成された絶縁膜１０３と、絶縁膜１０３の上に貼り付けられた第２基板１０４とを備える。絶縁膜１０３は、例えば、窒化シリコンなど耐湿性に優れた絶縁材料から構成するとよく、膜厚は０．２〜０．３μｍ程度に形成されていればよい。また、第２基板１０４は、例えば、シリコン基板であればよい。シリコン化合物からなる絶縁膜１０３と、シリコン基板からなる第２基板１０４であれば、例えば、１０^-5Ｐａ程度の高真空状態で、適宜に加圧することで、直接接合により貼り合わせることができる。 （もっと読む）

【課題】可視光から近紫外光領域において高い反射率を有する高放熱性の光反射用熱硬化性樹脂組成物及びその樹脂組成物を用いた光半導体搭載用基板及び光半導体搭載用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】光反射用熱硬化性樹脂組成物が（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化触媒、（Ｄ）充填剤（Ｅ）カップリング剤を含有する樹脂組成物であって、熱硬化後の、波長８００ｎｍ〜３５０ｎｍにおける光反射率が８０％以上であり、かつ熱伝導率が１〜１０Ｗ／ｍＫの範囲であり、熱硬化前には室温において加圧成形可能である、ことを特徴とする光反射用熱硬化性樹脂組成物を提供することにより高光反射率、高放熱性の光半導体搭載用基板を作製することが可能となった。 （もっと読む）

【課題】 光反射性能、耐熱性（熱安定性）、特に耐熱変色性に優れ、従来に比べてより高い光反射率を得ることができる硬化物を与える白色熱硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 （Ａ）（ａ）Ｓｉ−Ｈを１分子中に２個有する化合物と、（ｂ）付加反応性Ｃ＝Ｃを１分子中に２個有する多環式炭化水素との付加反応生成物であり、付加反応性Ｃ＝Ｃを１分子中に少なくとも２個有する付加反応生成物、（Ｂ）Ｓｉ−Ｈを１分子中に２個以上有する付加反応生成物、（Ｃ）ヒドロシリル化反応触媒、（Ｄ）予め表面改質された白色無機酸化物粉体を含有し、（Ｄ）予め表面改質された白色無機酸化物粉体を少なくとも６０体積％含有するものであることを特徴とする白色熱硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】塗布技術により無機バリア層を無機材料で貼合した有機電子パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】基材１１上に少なくとも一層の無機バリア層１２を有するバリア性フィルム２０を用いて有機電子デバイス１０を封止する有機電子パネル３０の製造方法であって、該無機バリア層を無機接着剤層１５を介して貼合し、該無機接着剤層が塗布により形成されたことを特徴とする有機電子パネルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 小型化・薄型化という市場要求に応えつつ、外観的なクラックの発生を防止できる信頼性を向上させた半導体装置を得ること。
【解決手段】 外部接続用の配線部４が設けられた絶縁基体１と、前記絶縁基体１の主面上に固着された半導体素子６と、前記半導体素子６上に固着された保護体９と、前記絶縁基体１の前記主面上の周縁部に設けられた枠体２と、前記配線部４と前記半導体素子６とを電気的に接続する金属細線７を覆う封止樹脂１０とを備え、前記絶縁基体１はセラミックで形成され、前記枠体２は樹脂材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハからの取出個数を多くできるとともに、電子部品の電極間を容易に電気的に接続することが可能な電子部品パッケージを提供する。
【解決手段】電極が形成された電子部品４と、電子部品を覆うように複数の構成部材を接合して形成されたケーシング９と、を有する電子部品パッケージ１において、ケーシング９には、電子部品４に形成された電極をパッケージ１の外部に取り出すための電気配線が形成されている （もっと読む）

−少なくとも１つの無機層（２４）と少なくとも１つの有機層（２３）とを備えた第１のバリア構造（２０）と、−少なくとも１つの無機層（３１）と少なくとも１つの有機層（３２）とを備えた第２のバリア構造（３０）と、−第１および第２のバリア構造（２０、３０）の間に配置された電子装置（１０）とを備えた封入型電子装置において、第１のバリア構造（２０）の少なくとも１つの無機層（２４）と第２のバリア構造（３０）の少なくとも１つの無機（３１）層とが電子装置（１０）が占める領域（Ａ）の外側で互いに接触することを特徴とする封入型電子装置について説明する。 （もっと読む）

【課題】透光性板材が透光性接着剤を介して光学デバイス素子に接着された光学デバイス装置では、透光性接着剤が電極部に流れて電極部の表面に付着する虞があり、透光性板材と遮光性封止剤または透光性接着剤との界面において剥離が発生する虞があった。
【解決手段】光学デバイス装置では、光学デバイス素子２の上面には、受光部６と電極部７との間に堰部９が設けられている。堰部９は透光性接着剤８が電極部７へ流出することを抑制しており、その上部１９は上へ向かうにつれて幅狭であり、上部１９の先端１９ａは透光性板材３の下面に接している。 （もっと読む）

【課題】小型化を可能とした半導体装置および半導体装置の絶縁方法を提供する。
【解決手段】樹脂枠３０内のバスバーに半導体チップを接合した半導体モジュール３をネジ２により絶縁体４を挟んで冷却器５と結合した半導体装置において、樹脂枠の内外に絶縁物６を充填する。これにより樹脂枠３０絶縁体の間に絶縁物が充填され、半導体モジュールのバスバーの露出面とネジ２との間の沿面放電を抑制される。バスバーとネジとの間の沿面距離を確保することが不要となるため、半導体モジュールの小型化が可能となる。また冷却器に流出防止壁５ａを設けたことにより、絶縁物を半導体モジュール３の内外に封入する際に絶縁物の流出を防止でき、半導体モジュールのバスバーの露出面とネジとの間を隙間なく絶縁物によって充填することができるようになる。よって絶縁物による絶縁性能が半導体モジュールの内外において一定とすることができる。 （もっと読む）

【課題】機械的衝撃に強く、製品特性の安定した電子部品を提供する。
【解決手段】少なくとも、一平面に外部へ電気的に接続するための接続端子を有する電子部品をマトリックス状に設けたウエハ状の集合体１を準備し、前記電子部品の接続端子のある面をダイシング用シート２に対向させて前記集合体１を貼り付け、個々の電子部品３に分割し、個々に分割された前記電子部品３の接続端子を有する面を除く表面を保護材４で被覆した後、前記保護材４を被覆した電子部品３をダイシング用シート２から取り外す電子部品の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】外部からの局所的押圧による非破壊の信頼性が高い半導体装置を歩留まり高く作製する方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板またはＳＯＩ基板を用いて単結晶基板またはＳＯＩ基板を用いて形成された半導体素子を有する素子基板を形成し、素子基板上に有機化合物または無機化合物の繊維体を設け、素子基板及び繊維体上から有機樹脂を含む組成物を塗布し、加熱することにより、素子基板上に有機化合物または無機化合物の繊維体に有機樹脂が含浸された封止層を形成して半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】ダム用突起の延設長さを抑えつつチップ保持部材のチップ実装面上に配した流動性を有する材料の流出を抑制できる半導体センサを提供する。
【解決手段】有蓋筒状をなすカバー部材の開口部に、開口部を塞ぐように蓋材が配置されている。カバー部材の内部においてチップ保持部材３が蓋材から突設され、チップ保持部材３は上面が平坦なチップ実装面となっている。チップ保持部材３のチップ実装面上にセンシングチップがベアチップ実装されるとともにゲルがセンシングチップを被覆している。チップ保持部材３のチップ実装面において蓋材側での両側の端部にダム用突起２０が設置されている。ダム用突起２０の内壁には凹状の湾曲面２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】シリカアルミナゲルを含有する材料を使用し、防湿及び吸湿機能を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１０１と、前記半導体チップを封止するパッケージ１０４乃至１４４とを備える半導体装置１００であって、前記パッケージ１０４乃至１４４は、シリカアルミナゲルを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光素子（ＯＬＥＤ素子）、薄膜センサ、およびエバネッセント導波路センサなどのデバイスの寿命を延ばすために、デバイス中への酸素および水分の浸透を防ぐ。
【解決手段】リン酸スズ低液相線温度無機材料を、デバイスの少なくとも一部分の上に堆積させて、堆積低液相線温度無機材料を形成する（１３０）。この堆積低液相線温度無機材料を、実質的に酸素と水分を含まない環境中で熱処理して、気密シールを形成する（１４０）。低液相線温度無機材料を堆積させる工程は、タングステンを含む抵抗加熱素子の使用を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体センサチップを囲む電磁シールドを簡便に形成することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】上面３ａに半導体センサチップ５を固定する基板３と、基板３の上方を覆って中空空間Ｓ２を形成する導電性の上部蓋体９と、半導体センサチップ５の下方に配される導電性の下部シールド部１１とを備え、上部蓋体９が前記上面３ａに対向して配される天板部９ａと、天板部９ａの周縁略全体から前記基板３の厚さ方向に延出すると共に基板３の側面３ｃに隣り合って配される側壁部９ｃとを備え、該側壁部９ｃと前記下部シールド部１１とが基板３の側面３ｃにおいて接触し、下部シールド部１１が基板３の外側に突出するシールド用接続端子に接続されていることを特徴とする半導体装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数の集積回路１２が形成されてなる第１の面１５と、第１の面１５とは反対側を向く第２の面１６とを有する半導体基板１０を用意する工程と、第１及び第２の層２１，２２を含む複数の層からなる保持部材２０を用意する工程と、半導体基板１０に、保持部材２０を、第１の層２１における第２の層２２と対向する面とは反対側の面が半導体基板１０の第２の面１６と対向するように貼り付ける工程と、保持部材２０の第２の層２２を切断しないように、半導体基板１０を複数の半導体チップ３０に分割し、かつ、第１の層２１を複数の保護膜３２に分割する工程と、保護膜３２を、半導体チップ３０とともに、第２の層２２から剥離する工程と、を含む。 （もっと読む）

本発明は、パッケージの製造方法に関する。該製造方法は、基板（１）を準備する工程を含み、基板の表面に１つ若しくは複数の構成要素を配置してあり、さらに基板の前記表面上並びに構成要素上に密閉用の保護層を形成する工程を含み、保護層は次の特性を有し、つまりガス不透過性、液密性、電磁波に対する不透過性、耐熱性、電気絶縁性及び耐処理性を有している。
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【課題】はんだ付けの際にも影響を受けず、小型でより効率的に半導体素子から発生する熱を外部に放熱すること。
【解決手段】半導体素子２に電気接続部３を介して電気的に接続された外部接続端子４と、半導体素子２及び電気接続部３の周囲を薄膜状に被膜すると共に、少なくとも電気接続部３近傍の外部接続端子４の周囲を薄膜状に被覆して半導体素子２を内部に封止する絶縁層５と、該絶縁層５を内部に埋没させるように絶縁層５の周囲を覆うと共に、所定の外形形状を有するように設けられた金属層６とを備え、該金属層６が、低融点金属よりも融点が高い高融点金属材料である半導体パッケージ１及び該半導体パケージ１の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】パッシベーション層に亀裂が生じても機能が損なわれない、または、機能が損なわれることを小さく抑える半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子は、半導体基板（１）と上記半導体基板（１）の上側に配置されるとともに、側面に沿ってお互い隣接する複数の金属領域（８_１，８_２，８_３）と絶縁体領域（１０）とを有し、上記金属領域（８_１，８_２，８_３）が、上記半導体本体（１）に電流を供給する役目を果たしている金属／絶縁体構造（２）とを備えている。上記金属／絶縁体構造は、半導体基板（１）の上側に配置されており、複数の金属領域（８_１，８_２，８_３）と側面に沿って相互に隣接する絶縁体領域（１０）とを有している。さらに、半導体素子は、金属／絶縁体構造（２）上に配置されたパッシベーション層（３）を備えている。パッシベーション層（３）は、金属または金属を含む化合物からなっている。 （もっと読む）