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Fターム[4M109CA02]の内容

半導体又は固体装置の封緘、被覆構造と材料 (27,768) | 封止方法 (3,703) | ケース内へ樹脂等の液状体注入 (258)

Fターム[4M109CA02]に分類される特許

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【課題】半導体装置の耐ヒートサイクル特性を向上する。
【解決手段】
支持電極(1)の載置部(2)を包囲して周辺部(3)上に配置される筒体(10)は、封止樹脂(11)よりガラス転移点の低い物質により構成され、載置部(2)の上方に空洞部(9)を形成して、高温時に膨張する筒体(10)の増大する内径により、封止樹脂(11)の熱膨張を吸収する。また、筒体(10)の空洞部(9)内に配置される封止樹脂(11)と半導体チップ(5)の側面(5c)、半導体チップ(5)に隣接するリード電極(6)の一部及び半導体チップ(5)に隣接する載置部(2)の一部に保護樹脂膜(8)を連続的に且つ大きな接着面積で強固に付着するので、保護樹脂膜(8)の接着面での剥離が発生しない。 (もっと読む)


【課題】電子部品の素子を金属製や樹脂製のケースに収納し、充填樹脂が充填された構造の電子部品において、充填樹脂に発生するクラックによって電子部品の信頼性が低下するという問題を解決する。
【解決手段】上記課題を解決するために本発明の電子部品は、屈曲部7、8、9、10を有するリード端子5、6が接続された素子2を収納部13に収納し、この素子13を埋めるように第一の樹脂17を収納部13に充填し、リード端子5、6の屈曲部7、8、9、10の周囲には第一の樹脂17より軟らかい第二の樹脂18を備えた構造とする。 (もっと読む)


【課題】透明性、耐熱性、耐光性、及び、ハウジング材への密着性に優れ、高輝度が要求される用途に用いた場合にも光半導体の輝度低下を効果的に防止することができる光半導体用熱硬化性組成物を提供する。
【解決手段】分子内に環状エーテル含有基を有するシリコーン樹脂と、前記環状エーテル含有基と反応する熱硬化剤と、下記一般式で表されるフェノール化合物とを含有する光半導体用熱硬化性組成物。


は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキル基、Rは任意の置換基、Rは水素又は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表わす。 (もっと読む)


【課題】基板における電気電子部品の配置位置の自由度に優れ、容易に且つ低コストで耐湿性、防水性を確保することができる制御基板および電気機器を得ること。
【解決手段】基材と、前記基材の一面側に該一面側と所定の隙間を有して実装された第1の電子部品と、前記基材の一面側の面内において所定の間隔を有して設けられ、前記隙間の前記第1の電子部品の外周縁部において前記第1の電子部品の前記基材との対向面に当接する複数の凸部と、前記凸部により前記基材の一面側の面内において前記第1の電子部品の実装領域と区分された領域に実装された第2の電子部品と、少なくとも前記隙間を埋め込むように前記基材の一面側および他面側を覆って設けられた樹脂部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】耐半田リフロー性に優れ、難燃性を確保した、封止用エポキシ樹脂成形材料及び、これにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)シラン化合物、(D)硬化促進剤、(E)無機充填剤を含有し、(C)シラン化合物が特定の化学式で表されるシラン化合物(C1)及び特定の化学式で表されるシラン化合物(C2)を含有し、(C1)及び(C2)が(C2)/(C1)=0.4〜4.7の重量比で配合される封止用エポキシ樹脂成形材料。 (もっと読む)


【課題】粘度の高い保護部材を充填する場合でも、保護部材の充填量が低減される樹脂パッケージを提供する。
【解決手段】凹凸部34は、樹脂パッケージ11の第一底部14と第二底部15との間の段差部33に形成されている。充填された第一保護部材31は、粘度が高い場合でも、凹凸部34の毛細管現象によって速やかに樹脂パッケージ11の内部の全体に広がる。これにより、第一保護部材31の充填時間を短縮でき、第一保護部材31の充填量を低減することができる。第一保護部材31の充填量を低減することにより、回路チップ21とセンサチップ22とを接続するボンディングワイヤ25の下方に存在する第一保護部材31の厚さが減少する。そのため、例えば第一保護部材31の膨張または収縮によって、ボンディングワイヤ25に加わる応力は低減される。 (もっと読む)


【課題】信頼性および生産性が良く安価な高周波モジュールおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】高周波モジュール1は、回路部品12が搭載されたプリント配線板11と、回路部品12を被覆する被覆樹脂14と、回路部品12を覆ってプリント配線板11上に配設された金属筐体13とを備える。金属筐体13は、回路部品12を被覆する被覆樹脂14が注入された注入口としての樹脂注入穴13bを備える。樹脂注入穴13bは、プリント配線板11に対向する平面13fで回路部品12に対応する位置に配置してある。金属筐体13は、被覆樹脂14の状態を視認するための視認用穴13cをプリント配線板11に対向する平面13fに有し、被覆樹脂14の状態を視認するための視認用切り欠き13dをプリント配線板11に当接する側面13sに有する。 (もっと読む)


【課題】低温硬化が可能であり、かつ耐熱性と封止性に優れた一液性エポキシ樹脂組成物およびその利用を提供する。
【解決手段】本発明に係る一液性エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、ジシアンジアミド、エポキシ樹脂アダクト化合物、および非潜在性イミダゾール化合物を含有する。 (もっと読む)


【解決手段】(A)一分子中に2個以上の脂肪族不飽和結合を有すると共に、芳香族炭化水素基を含有しないオルガノポリシロキサン、
(B)一分子中に2個以上のケイ素原子に結合する水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
(C)白金族金属系触媒、
(D)光劣化防止剤
を含有することを特徴とするシリコーン樹脂組成物。
【効果】本発明のシリコーン樹脂組成物は、耐熱、耐光性に優れ、この硬化物にて封止された発光半導体装置は、有機樹脂製パッケージの変色、劣化を防止し得るため、LEDの寿命を長くすることができる。 (もっと読む)


【課題】電子回路部を収納するケース体とカバー部材との接触部から封止部材となる液状樹脂が漏れてケース体の外表面に垂れることを防止することが可能な電子回路装置を提供すること。
【解決手段】カバー30の外面に、ケース20とカバー30との接触部50の外側端部502から上方に延び、接触部50を通過して外部に漏れる液状樹脂41を上方に向かって誘導して捕集する捕集溝34を形成している。 (もっと読む)


【課題】透明性が高く、発光素子の発熱や発光による変色が無く耐熱性及び耐光性に優れるとともに、ハウジング材や金属電極材料への密着性に優れ、リフロー条件下や温度サイクルでのクラックの発生を防止できる光半導体用熱硬化性組成物等を提供する。
【解決手段】環状エーテル含有基を有するシリコーン樹脂と、環状エーテル含有基と反応可能な熱硬化剤と、特定のSH基含有機ケイ素化合物及び/又は特定の酸素複素環含有有機ケイ素化合物とを含有する光半導体用熱硬化性組成物であって、シリコーン樹脂は、一般式(3)と一般式(4)で表される構造単位とを主成分し、環状エーテル含有基の含有量が5〜40モル%である光半導体用熱硬化性組成物。〔化3〕


〔化4〕
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【課題】発光素子を封止する第1樹脂と第1樹脂を被覆する第2樹脂との剥離を的確に抑制することのできる発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂主剤及び硬化剤を調合して第1調合物を作製する第1調合工程(S30)と、蛍光体及びシランカップリング剤を調合して第2調合物を作製する第2調合工程(S40)と、第1調合物及び第2調合物を調合して第1樹脂を作製する樹脂作製工程(S50)と、第1樹脂によりLED素子を封止する封止工程(S60,S70)と、LED素子を封止した第1樹脂を第2樹脂により被覆する被覆工程(S80)と、含み、シランカップリング剤が蛍光体と予め調合されることで、シランカップリング剤の反応性が向上する。 (もっと読む)


【課題】金属電極の腐食を防止することが可能な光半導体封止用シリコーン組成物およびそれを用いた高信頼性の光半導体装置を提供する。
【解決手段】(A)下記(A1)を含むアルケニル基含有ポリオルガノシロキサン:100重量部(但し、(A1)の配合量が(A)成分全体の5重量%以上となる量) (A1)1分子中にアルケニル基を平均1個以上有し、SiO単位を10%以上含むポリオルガノシロキサン、(B)25℃における粘度が1000mPa・s以下であり、1分子中にSi−H基を2個以上有するポリオルガノシロキサンまたはオルガノシロキサンオリゴマー:前記(A)成分のアルケニル基に対して、Si−H基が0.3〜4.0となる量、(C)接着性付与剤:0.1〜20重量部および(D)白金系触媒:触媒量を含有し、硬化後の透湿度が100g/m・24時間以下である。 (もっと読む)


【課題】透明部材の上面を光学的な基準面とすることが可能で且つ封止樹脂のはみ出し等が生じにくい光学半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】光学半導体装置は、底部10A及び側壁部10Bを有するパッケージ10と、一の面に光学素子12が形成され、一の面と反対側の面がパッケージ10の底部10Bに固着された半導体チップ11と、光学素子12を覆うように半導体チップ11に固着された透明部材13と、パッケージ10と半導体チップ11との間に充填された封止樹脂14とを備えている。側壁部10Bは、その上部にパッケージ10の内側方向に庇状に張り出した庇部10Cを有し、透明部材13は、庇部10Cにより形成された窓部から露出している。 (もっと読む)


【課題】光硬化性樹脂によって全体の機械的強度を高めた半導体のパッケージング方法を提供する。
【解決手段】基板20の頂面に配置された少なくとも一つの遮蔽ユニット10により形成された収容空間12内の基板20上にチップ30を配置するステップと、収容空間12に光硬化性樹脂層40を形成することよってチップ30を完全に遮蔽するステップと、露光及び現像処理によって光硬化性樹脂層40の一部分を硬化させ、完全硬化の非犠牲部位42と未硬化の犠牲部位を形成し、前記犠牲部位をチップ30に対応させるステップと、前記犠牲部位を除去することによりチップ30の作用区32を外部に露出させるステップと、を含む。この方法によると、光硬化性樹脂層は、良好な剛性と付着力を有し、パッケージ全体の機械的強度を高めることができる。従って、チップを確実に保護することができる。 (もっと読む)


【課題】電子部品のポッティングに好適する低い粘度を有し、硬化後に低密度で熱伝導率の高いシリコーンゲルを形成する組成物を提供する。
【解決手段】本発明の熱伝導性シリコーンゲル組成物は、(A)1分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を平均0.1個以上有するポリオルガノシロキサン100重量部と、(B)1分子中にケイ素原子に結合した水素原子を2個以上有するポリオルガノハイドロジェンシロキサンを、本成分中の前記水素原子が前記(A)成分のアルケニル基1個当たり0.1〜4.0個となる量と、(C)白金系触媒の触媒量と、(D)平均粒子径20〜180μmの窒化ホウ素を、組成物全体の30〜60重量%となる量をそれぞれ含有する。この組成物は0.5〜10Pa・sの粘度(23℃)を有している。 (もっと読む)


【課題】センサを機器筐体に省スペースで防水装着可能にし、機器の小型、薄型化を可能にするセンサの防水装着構造を得る。
【解決手段】機器筐体にセンサチップを防水装着する構造であって、機器筐体に形成された、センサチップを収容する凹状のキャビティと、機器筐体内部からキャビティ内まで通ったリード配線とを備え、前記キャビティ内にセンサチップを収容し、このキャビティ内のセンサチップの端子と前記リード配線とを接続し、このセンサチップが収容されたキャビティ内にゲル樹脂を充填し、さらにこのキャビティを圧力導入口を有するセンサ保護用蓋によって塞ぐ。 (もっと読む)


【課題】半導体素子を収容したケースに対するカバーの固定強度を確保して騒音の発生を防止する。
【解決手段】ケース10内にゲル状シリコン樹脂Gを充填して半導体素子35を封止し、カバー20は中央部をボルト30でケース10に取り付ける。カバー20の長手方向両端にはケース内方へ突出する段差部24を設けてあり、段差部の下面25をゲル状シリコン樹脂Gに接触させている。ボルト取り付けにより、カバー20のケース10に対する固定強度が確保されるとともに、カバー20の両端がゲル状シリコン樹脂Gと接触しているので、その粘性によって振動が減衰され、カバー20の共振が抑制される。 (もっと読む)


【課題】小型化を可能とした半導体装置および半導体装置の絶縁方法を提供する。
【解決手段】樹脂枠30内のバスバーに半導体チップを接合した半導体モジュール3をネジ2により絶縁体4を挟んで冷却器5と結合した半導体装置において、樹脂枠の内外に絶縁物6を充填する。これにより樹脂枠30絶縁体の間に絶縁物が充填され、半導体モジュールのバスバーの露出面とネジ2との間の沿面放電を抑制される。バスバーとネジとの間の沿面距離を確保することが不要となるため、半導体モジュールの小型化が可能となる。また冷却器に流出防止壁5aを設けたことにより、絶縁物を半導体モジュール3の内外に封入する際に絶縁物の流出を防止でき、半導体モジュールのバスバーの露出面とネジとの間を隙間なく絶縁物によって充填することができるようになる。よって絶縁物による絶縁性能が半導体モジュールの内外において一定とすることができる。 (もっと読む)


【課題】外部基板との電気的接続信頼性が高いスペーサ基板を用いたモジュールを提供する。
【解決手段】本発明のモジュール1は、ベース基板2と、ベース基板2の上に実装された第1の回路部品3と、ベース基板2の上であって第1の回路部品3の周囲に配置された複数の第1スペーサ基板4、第2スペーサ基板5,第3スペーサ基板6,第4スペーサ基板7とを備える。また、これら複数のスペーサ基板4〜7は、互いに隙間部8を持って配置されている。上記構成により本発明のモジュール1は、外部基板に実装後においても、隙間部8を介して樹脂をスペーサ基板4〜7とベース基板2と外部基板に囲まれたキャビティ部に注入できる。 (もっと読む)


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