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Fターム[4M109CA02]の内容

半導体又は固体装置の封緘、被覆構造と材料 (27,768) | 封止方法 (3,703) | ケース内へ樹脂等の液状体注入 (258)

Fターム[4M109CA02]に分類される特許

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【課題】主剤成分の保存安定性および作業性を改善し、かつ、硬化時の成分の沈降も十分に抑制する。
【解決手段】(A)エポキシ樹脂と、(B)(B1)平均粒径9〜13μmの結晶シリカ、(B2)平均粒径6〜8μmの結晶シリカおよび(B3)平均粒径0.5〜1.5μmの水酸化アルミニウムを含む無機充填剤と、(C)不飽和ポリアミノアミドと酸性ポリエステルとの塩とを含有する主剤成分と、(D)酸無水物硬化剤と、(E)硬化促進剤とを含有する硬化剤成分と、からなる注形用エポキシ樹脂組成物であって、(B1)成分:(B2)成分(質量比)が、40:60〜60:40、(B1)および(B2)成分が(B)成分全体の80〜95質量%、(B3)成分が(B)成分全体の5〜20質量%、(C)成分が(B)成分全体に対し0.3〜2.0質量%である注形用エポキシ樹脂組成物、およびそのような組成物によって注形されてなる電気・電子部品装置である。 (もっと読む)


【解決手段】光電子デバイスの光透過表面を被覆するシリコーン樹脂組成物と方法を開示する。本方法は、光透過表面にシリコーン樹脂を塗布し、シリコーン樹脂を硬化させ、光透過表面上に光透過性保護皮膜を形成する工程を含み、シリコーン樹脂は分子量約1,000以下であるオルガノシロキサンの割合が十分に低く、保護皮膜の分子量約1,000以下であるオルガノシロキサンの含有量が約10%未満となる。
【効果】本発明によれば、光電子デバイス用の優れた保護皮膜を形成できる。 (もっと読む)


【課題】外部振動による配線部の断線や端子接合部の破損を防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】IPMは、パワー回路21を覆う充填剤が、樹脂プレート40により押えられ、外部振動を受けたときの変位が防止されるため、外部振動によるパワー回路21に接続されるボンディングワイヤ等の配線部の断線を防止することができる。また、制御回路基板30が制御端子ブロック50と樹脂プレート40との間に挟まれるように固定されるため、これらのねじ接合時における制御回路基板30の変形を防止することができ、その結果、制御回路31と中継端子13との半田接合部の破損を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】耐候性に富む発光装置、すなわち気密性が高くライフ特性に優れた発光装置及びこれの製造方法を提供する。
【解決手段】光を反射可能な反射層14と、記反射層14に固定された発光素子11と、反射層14および発光素子11を覆う透光性樹脂16とを有する発光装置であって、反射層14と透光性樹脂16との間にはガラス体15が介在している。また、ガラス体15は、前記透光性樹脂側の疎な上部層15aと、前記反射層14側の密な下部層15bとを有する。 (もっと読む)


【課題】透明性、耐熱性、耐光性、ハウジング材への密着性に優れるとともに、特に優れた耐クラック性を有する光半導体素子用封止剤、及び、これを用いてなる光半導体素子。
【解決手段】分子内に環状エーテル含有基及び下記一般式(1)で表される構造単位を有するシリコーン樹脂、分子中にグリシジル含有基を1個以上有するシリコーン樹脂(B)、並びに、前記環状エーテル含有基及びグリシジル含有基と反応する熱硬化剤を含有する光半導体用封止剤であって、厚さ1mmの硬化物とした時に、前記硬化物は、JIS K 6911に準拠した方法により測定した引張強度が1.5MPa以上、かつ、引張破断伸度が10%以上である光半導体用封止剤。


は、環状エーテル含有基又は炭素数1〜8の炭化水素若しくはそのフッ素化物を表し、シリコーン樹脂骨格中の繰り返し構造において、それぞれ異なる複数種のRを含有していてもよい。 (もっと読む)


【課題】ケース体内に充填した充填材が蓋部から漏れ出さないような封止処理を比較的安価で簡単に行うことが可能な電気機器を提供する。
【解決手段】電気機器としての放電灯点灯装置は、筒状に形成され、少なくとも一端側に開口部を有するとともに、軸方向に沿って一対の保持部が形成されたケース体と、板状に形成され、ケース体の内部の一対の保持部に側部が保持された状態でケース体に収容される基板と、この基板に実装された電子部品と、開口部からケース体内に充填された状態で硬化される充填材である合成樹脂と、ケース体の開口部に取付けられた平板状の蓋部18と、蓋部の挿通孔に端子孔53が対向するように蓋部の外面側に取付けられた端子台51と、端子孔53の周囲に環状に配設され、端子台を蓋部の外面側に取付けたときに蓋部の外面側と端子台との間で挟着される発砲材料で形成された弾性封止部材54とを具備している。 (もっと読む)


【課題】長期にわたって透明性及び耐熱性に優れる硬化物を得ることができる成形材料及び該成形材料を用いてなる封止材、並びに光素子封止体の提供。
【解決手段】ラダー型構造のポリシルセスキオキサン化合物を主成分とする成形材料及び該成形材料を用いてなる封止材、並びに該封止材の硬化物により光素子が封止されてなる光素子封止体。 (もっと読む)


【課題】硬化させた硬化物が優れた硬度を有し、トップビュー型光半導体素子の発光素子の封止に用いた場合、その製造過程で硬化物が損傷せず、熱サイクルでクラックや剥離が発生しにくい光半導体用封止剤、及び、これを用いてなるトップビュー型光半導体素子を提供する。
【解決手段】トップビュー型光半導体素子の発光素子の封止に用いられる光半導体用封止剤であって、分子内に環状エーテル含有基を有するシリコーン樹脂と、前記環状エーテル含有基と反応する熱硬化剤と、酸化ケイ素微粒子とを含有し、2mm厚の硬化物としたときに、該硬化物は、JIS K7215に準拠したタイプDで測定した硬度が20〜70であり、かつ、前記分子内に環状エーテル含有基を有するシリコーン樹脂と前記環状エーテル含有基と反応する熱硬化剤との混合物を硬化させて2mm厚の硬化物としたときに、該混合物の硬化物のJIS K7215に準拠したタイプDで測定した硬度が20未満である光半導体用封止剤。 (もっと読む)


【課題】平行平板電極の上に搭載した半導体素子と平行平板電極との接合の信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、所定の隙間を形成するよう平行に離間する2枚の平板からなる平行平板電極と、上記隙間に配置されるとともに上記2枚の平板に実装される半導体素子と、上記隙間を埋めるとともに第1の硬化温度で硬化される第1の絶縁性樹脂と、上記平行平板電極の外周を包むとともに上記第1の硬化温度未満の第2の硬化温度で硬化される第2の絶縁性樹脂と、を有し、使用温度範囲において上記隙間が狭くなるよう上記2枚の平板に上記第1の絶縁性樹脂に発生する熱応力と上記第2の絶縁性樹脂に発生する熱応力との和が加わる。 (もっと読む)


【課題】素子としてのICチップが容器に強く接続され、さらに、ICチップの下部及び周辺に充填、硬化され、形成された樹脂がその後の工程にて、加熱冷却される際にICにかかる応力を低減し、動作異常並びに接続不良を削減した電子部品を提供する。
【解決手段】容器のキャビティ内に、該キャビティの底面に素子と該素子の周囲に配置される熱硬化性樹脂とを収容した電子部品であって、前記キャビティは、その開口部よりも下方位置であって且つ前記素子の下面の高さ位置よりも高い位置に前記底面と対向する対向面を有しており、前記キャビティ内の残部空間であって、前記対向面の高さ位置よりも高い位置から前記底面の間に前記熱硬化性樹脂が充填されていることを特徴とする電子部品。 (もっと読む)


【課題】光透過性はもちろん、低吸湿で内部応力が小さく、機械的なストレスに対する樹脂クラック性に優れた光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の(A)〜(D)成分を含有する光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物である。
(A)下記の構造式(1)で表される脂環式エポキシ樹脂を必須成分とするエポキシ樹脂成分。


(B)硬化剤。
(C)硬化促進剤。
(D)チオール。 (もっと読む)


【課題】防水型の電子制御装置において、基板を収納した状態でケース内に充填する樹脂の耐量を向上させるとともに、多機種の電子制御装置に用いることができる汎用性の高いケースを得る。
【解決手段】ケース1の内壁面に、ケース開口部1aからケース1の奥行き方向に伸びるガイドレールを設けておき、そのガイドレールに嵌合部20aを嵌合させて、隔壁となる仕切り部材20をケース1の本体側に固定する。ケース1内に電子部品を実装した基板(
電子回路基板)3を収納した状態で樹脂6を充填することで、ケース1内において、樹脂充填領域を仕切り部材20によって大きく二つに分断した状態とする。仕切り部材20の壁面部の高さは、実装する基板3および電子部品に干渉しないように調整する。 (もっと読む)


【課題】硬化性、耐熱クラック性に優れ、耐熱着色安定性に優れる硬化物となりうる光半導体素子封止用組成物の提供。
【解決手段】1分子中に2個のシラノール基を有する直鎖状オルガノポリシロキサン化合物と、1分子中に3個以上のアルコキシ基またはシラノール基を有するシロキサン化合物と、縮合触媒とを含有する光半導体素子封止用組成物、当該光半導体素子封止用組成物を硬化させることによって得られる硬化物、およびLEDチップが当該硬化物で封止されている光半導体素子封止体。 (もっと読む)


【課題】低コストで製造可能な信頼性の高いパワーモジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】金属ベースと、絶縁基板と、パワー半導体素子、制御回路及び外部電極端子を少なくとも含む電子部品とが接着性樹脂で封止され、且つ前記接着性樹脂の表面が熱可塑性樹脂で被覆されていることを特徴とするパワーモジュールとする。また、金属ベース、絶縁基板、並びにパワー半導体素子、制御回路及び外部電極端子を少なくとも含む電子部品の表面に接着性樹脂をポッティングすることにより、前記金属ベース、前記絶縁基板及び前記電子部品を前記接着性樹脂で封止する工程と、前記接着性樹脂の表面に熱可塑性樹脂を射出成形することにより、前記接着性樹脂の表面を前記熱可塑性樹脂で被覆する工程とを含むことを特徴とするパワーモジュールの製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】十分な難燃性を有するとともに耐湿性に優れ、かつ液状である、ディスペンサーによるポッティングによって半導体の封止を行うことができるエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】(A)液状エポキシ樹脂(B)硬化剤(C)無機質充填剤(D)無機質充填剤に担持されたモリブデン酸亜鉛(E)特定の構造のホスファゼン化合物を含み、(A)および(B)成分の合計100重量部に対して、(C)成分の配合量は400〜800重量部であり、(D)成分の配合量は5〜40重量部であり、(E)成分の配合量は5〜40重量部であり、(D)成分と(E)成分の配合量の合計が10〜40重量部であり、かつ臭素化物及びアンチモン化合物を含まないことを特徴とする、半導体封止用難燃性液状エポキシ樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】温度が上昇したときに半導体素子に加わる歪を小さくすることができるような封止がなされた半導体装置を提供する。
【解決手段】パワーモジュールは、絶縁基板11と、絶縁基板11に貼り付けられた電極板12と、電極板12の取り付け面に取り付けられた半導体素子Qと、取り付け面に、半導体素子Qの周りを囲むように設けられた樹脂枠14〜16及びバスバー17と、取り付け面の、樹脂枠14〜16及びバスバー17で囲まれた包囲領域INに注入された封止樹脂19とを備えている。 (もっと読む)


【課題】封止樹脂に内包する気泡を抑制する。
【解決手段】外部接続用の配線部4が設けられた絶縁基体1と、前記絶縁基体1に接着材料5にて接合され、前記配線部4に金属細線7にて電気的に接続された半導体素子6と、前記半導体素子6に接着材料8にて接合された保護体9と、前記絶縁基体1の周縁部に設けられた枠体2と、前記金属細線7を覆う封止樹脂10とを有する半導体装置13において、前記枠体2の内壁と前記絶縁基体1との接合部11はR加工が施されていることにより封止樹脂に内包する気泡を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】透明で、表面タック性がなく、かつリフロー試験時においても透明性が低下しない発光半導体素子被覆保護材として好適なエポキシ・シリコーン混成樹脂組成物、及びこれを用いた発光半導体装置を提供する
【解決手段】(A)オルガノポリシロキサンとして下記平均組成式(1):
1(OH)aSiO(3-a)/2 (1)
(式中、R1はメチル基又はγ-グリシドキシプロピル基であり、aは0<a<2を満たす数である。)
で表されるポリスチレン換算の重量平均分子量が3×104以上の高分子量体であり、1分子中に少なくとも2個以上のエポキシ基を有するポリメチルグリシドキシシロキサン樹脂、
(B)一分子中に少なくとも2個のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、
(C)硬化剤、及び
(D)硬化触媒として第四級ホスホニウム塩
を含むエポキシ・シリコーン混成樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】耐熱着色安定性に優れ、クラックが生じにくい硬化物となりうる発光素子用封止材組成物の提供。
【解決手段】アルキル基が第二級炭素原子を有するアルキル(メタ)アクリレートと、(メタ)アクリロイル基を有するポリシロキサンと、ラジカル開始剤とを含有する発光素子用封止材組成物。 (もっと読む)


【課題】250℃以下の熱によって硬化し、粘度の制御ができ、紫外線透過性に優れ、飽和吸水率が低く、耐熱性が高く、屈折率が高く、加熱による重量減少率が少ないような透明封止材はなかった。
【解決手段】有機置換基とシロキサン結合を含む物質に硬化剤として有機金属化合物を添加し、硬化することを特徴とする有機無機ハイブリッド透明封止材。硬化前の主剤の粘度は所望の粘度まで上昇できることを特徴とする。硬化後の透明封止材は、波長350〜900nmにおける透過率が厚さ1mmで85%以上であり、飽和吸水率が0.3wt%未満であり、300℃以下で溶融せず、屈折率が1.4以上であり、150℃で24時間以上加熱後の波長350〜900nmにおける透過率が、厚さ1mmで85%以上である特徴をもつ。 (もっと読む)


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