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Fターム[4M109CA02]の内容

半導体又は固体装置の封緘、被覆構造と材料 (27,768) | 封止方法 (3,703) | ケース内へ樹脂等の液状体注入 (258)

Fターム[4M109CA02]に分類される特許

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【課題】無色透明であり、耐紫外線性及び耐熱黄変性に優れるエポキシ樹脂系組成物及び薄膜を提供する。
【解決手段】(a)脂環式エポキシ樹脂、(b)非芳香族系酸無水物系硬化剤及び(c)下記一般式(1)


[式中、R〜Rは同一又は異なって、それぞれアルキル基、アルケニル基、アリール基又はアラルキル基を示す。]で表されるホスホニウムと有機スルホン酸の硬化促進剤。 (もっと読む)


【課題】ケース側壁部材とケース基体との嵌合部及び外部接続用の端子を挿通するための貫通孔からの樹脂漏れを確実に防止できる樹脂封止電気部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ケース側壁部材2とケース基体3との嵌合部7に沿って形成された樹脂注入溝部9と、外部接続用の端子6との間に隙間Sを有するように配置された突出部14と、貫通孔10に沿って外部接続用の端子6の下方に延設された樹脂受け部14aとを備え、樹脂注入溝部9内に注入した隙間閉鎖用樹脂8を、毛細管現象によって嵌合部7の隙間内に浸入させるとともに、樹脂受け部14aと外部接続用の端子6との隙間に通した隙間閉鎖用樹脂8を、毛細管現象によって貫通孔10と端子6との隙間に浸入させて、微小な隙間を塞ぐことで、樹脂漏れを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】AgやAuのような貴金属との接着性が良好で、耐リフロー性が良好となり、かつ成形性や耐湿性、高温放置特性等の信頼性を低下させずに難燃性が良好な封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤を含有し、(B)硬化剤が下記一般式(I)で示される化合物を含有する封止用エポキシ樹脂組成物。


(ここで、R、Rは水素原子、炭素数1〜6のアルキル基及び炭素数1〜2のアルコキシ基から選ばれ、互いに同一であっても異なってもよい。nは0〜10の整数を示す。) (もっと読む)


【課題】 製造工程を短縮することができ、しかも電子部品の高温動作を行なうことが可能な信頼性の高い電子部品モジュールを提供する。
【解決手段】 放熱板6と、放熱板6により凹部4aが塞がれて内側空間Sを形成している蓋体4と、内側空間Sから蓋体4を貫通して外部へ導出された接続端子3と、内側空間Sに放熱板6と間隔をあけて収納され、電子部品1が実装されているとともに接続端子3に接続された配線基板5と、内側空間Sに一様に充填された樹脂7とを備えた電子部品モジュールである。従来の電子部品モジュールの構成において存在した、配線基板の放熱板への接着に用いられる樹脂と収納容器内の封止に使用される樹脂との界面が形成されないので、電子部品1の発熱による熱膨張と熱収縮のサイクルによる界面での亀裂の発生を防ぐことができ、信頼性の高い電子部品モジュール10を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】液状樹脂がケース10とカバー20に垂れることを防止することが可能な超音波センサ装置100を提供すること。
【解決手段】ケース10とカバー20にて囲まれる空間70に電子回路30(回路基板31、電子部品32a、電子部品32bなど)が収納されて、封止剤40にて封止された超音波センサ装置100であって、カバー20は、ケース10の側壁111〜114の内側であり、側壁111〜114の端面111a,111b,112a,112b,113a,114aと同一もしくは、側壁111〜114の端面111a,111b,112a,112b,113a,114aよりも底面117側に配置された状態でケース10の開口を塞ぐ。 (もっと読む)


【課題】ホルダと封止樹脂との界面の剥離を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】ベース板と、前記ベース板の上に設けられた半導体素子と、前記半導体素子の前記ベース板とは反対の側に設けられ、前記半導体素子と電気的に接続された端子を保持するホルダと、前記半導体素子を取り囲み、前記ホルダの側面に対向するケースと、前記ベース板と、前記ケースと、前記ホルダと、の間に充填された封止樹脂と、を備え、前記ホルダの前記側面には、前記ホルダの前記ベース板の側とは反対の側の主面の端部よりも前記ケースの側に突出した第1突出部が設けられ、前記第1突出部の前記ベース板とは反対の側の面の少なくとも一部は、前記封止樹脂で埋め込まれていることを特徴とする半導体装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の外形を大きくすることなく、樹脂パッケージが硬化する時の放熱板の反りを抑制することができる半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】この発明に係る半導体装置は、放熱板6と、放熱板6の上面に固着された絶縁層12と、絶縁層12の上面に形成された配線パターン層9と、配線パターン層9上に実装された半導体素子4、5と、放熱板6上面の外周部に設けられた樹脂枠13とを備えている。更に、放熱板6の少なくとも一部、絶縁層12、配線パターン層9、半導体素子4、5、及び樹脂枠13は、熱可塑性樹脂により成形された樹脂パッケージ1で包囲されている。 (もっと読む)


【課題】 水晶発振器の小型化及び低背化の促進ならびにアンダーフィル時の封止樹脂のキャビティからのはみ出し防止である。
【解決手段】 一方のキャビティ3にLSIチップ5を、また、他方のキャビティ4に水晶振動子7をそれぞれ格納した上下二部屋に区画された水晶発振器1において、前記LSIチップ5を格納するキャビティがその開口3bの内周長よりも大なる内周長を有し、該キャビティ3内に樹脂を塗布して前記LSIチップ5を前記キャビティ3内にアンダーフィルすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】表面タック性に優れるシリコーン樹脂となることができ生産性に優れるシリコーン樹脂組成物の提供。
【解決手段】(A)ケイ素原子に結合したアルケニル基を少なくとも2個有するポリシロキサンと、(B)ケイ素原子に結合した水素基を少なくとも2個有するポリシロキサン架橋剤と、(C)炭素原子数3以上の有機基を有する有機ジルコニル化合物、有機亜鉛化合物、有機マグネシウム化合物および有機カリウム化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の有機金属化合物とを含むシリコーン樹脂組成物、当該シリコーン樹脂組成物を硬化させることによって得られるシリコーン樹脂、ならびにLEDチップが当該シリコーン樹脂で封止されている光半導体素子封止体。 (もっと読む)


【解決手段】(A)熱硬化性オルガノポリシロキサン(B)白色顔料(C)無機充填剤(但し、白色顔料を除く)(D)硬化触媒を必須成分とし、熱伝導率が1〜10W/mKであることを特徴とする光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。
【効果】白色性、耐熱性、耐光性を保持し、均一でかつ黄変が少なく、また熱伝導率が高い硬化物を与える光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び該組成物の硬化物からなるLED用等の光半導体ケースを提供する。 (もっと読む)


【課題】青色LED、紫外LED、白色LEDなどを封止するのに好適である高屈折率で透明性、耐熱性、耐光性、耐ヒートサイクル性および耐吸湿ハンダリフロー性に優れる硬化性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】CH2=CH(CH3)2SiO1/2単位で両末端が封鎖され、1分子中のケイ素原子に結合する全有機基に占めるフェニル基の割合が5モル%〜40モル%である直鎖状ポリオルガノシロキサンと、CH2=CHSiO3/2単位由来のビニル基とCH2=CH(CH3)2SiO1/2単位由来のビニル基が導入され、1分子中に平均して1つ以上のビニル基を有し、且つ分子中のケイ素原子に結合する全有機基に占めるフェニル基の割合が5モル%〜40モル%である分岐状ポリオルガノシロキサンと、1分子中にケイ素原子に結合した水素原子を2個以上有するポリオルガノハイドロジェンポリシロキサンと、付加反応触媒とを含有する硬化性樹脂組成物である。 (もっと読む)


【課題】ビス止めの押圧力が作用する状況でも、封止部材と基板との剥離が防止される回路装置を提供する。
【解決手段】混成集積回路装置10は、導電パターン22および半導体素子24から成る混成集積回路が上面に組み込まれた回路基板18と、額縁状の形状を有して回路基板18に当接することで混成集積回路が封止される領域を形成するケース材12と、ケース材12に囲まれる領域に充填されて混成集積回路を封止する封止樹脂16とを有する構成となっている。更に、混成集積回路装置10では、回路基板18の上面の一部が封止樹脂16により被覆されず、この部分の回路基板18を貫通する貫通孔34を設けている。更に本発明では、ビス止め時の回路基板18とケース材12との分離を防止するために、回路基板18の端部とケース材12とを嵌合させる構造を採用している。 (もっと読む)


【課題】本発明は熱伝導性、耐熱性に優れた樹脂組成物、半導体封止材料、プリプレグ及び硬化物を提供することを目的とする。
【解決手段】一般式(1)
【化1】


(式中、Rはそれぞれ独立して水素原子又はメチル基を示す。R’はそれぞれ独立して水素原子、炭素数1〜8の炭化水素基、トリフルオロメチル基、アリール基、メトキシ基を示す。)で表されるエポキシ樹脂、硬化剤及び熱伝導率20W/m・K以上の無機充填材を含有してなるエポキシ樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】封止樹脂へのボイドの残留が抑制された回路装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】混成集積回路装置10は、導電パターン40およびトランジスタ36等(回路素子)から成る混成集積回路が上面に組み込まれた回路基板14と、額縁状の形状を有して回路基板14に当接することで混成集積回路が封止される空間を形成するケース材12と、ケース材12に囲まれる空間に充填されて混成集積回路を封止する封止樹脂22と、導電パターン40から成るパッドに固着されて外部に延在するリード18、20とを有する構成となっている。更に、ケース材12に設けられる支持部(第1支持部28および第2支持部30)の下面を傾斜面としている。 (もっと読む)


【課題】簡素な工程でかつ安価に製造できる樹脂構造体を提供し、また、簡素な工程でかつ安価に樹脂構造体を製造することができる樹脂構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも1つの電子部品130を保持するための保持用樹脂層110と、保持用樹脂層110と少なくとも一部が向かい合うように配置されかつ保持用樹脂層110を支持する樹脂層支持体120と、を含む樹脂構造体100を提供し、この樹脂構造体100の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】生産性に優れており、封止用樹脂に蛍光体粒子を分散させた場合でも封止用樹脂の硬化中における蛍光体粒子の沈降が生じにくく、封止用樹脂を硬化させるための熱処理に起因する部材の着色や、封止用樹脂の硬化時におけるクラックが生じにくく、耐熱性および耐光性に優れた発光素子封止用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】二つ以上の反応性環状エーテルを含有するシロキサン誘導体と、カチオン光重合開始剤とを含有する発光素子封止用樹脂組成物とする。 (もっと読む)


【課題】はんだリフロー工程等の高温条件下でもパッケージ基材からの剥離等が発生しない硬化体を与える光半導体封止用重合体およびその製造方法を提供すること、およびmm単位の膜厚を有する硬化体を形成した場合でも十分な硬化性とクラック耐性とを併せ持つ光半導体封止用重合体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】下記(i)(ii)工程を含む、重量平均分子量が1000〜100000の範囲にある光半導体封止用重合体の製造方法。(i)特定の構造を有するエポキシ基含有アルコキシシラン(A)と、重量平均分子量が1000〜20000の範囲にあるヒドロキシ末端ポリジメチルシロキサン(B)とを塩基性化合物または金属キレート化合物の存在下反応させる工程、(ii)工程(i)で得られた生成物を塩基性化合物または金属キレート化合物の存在下、水と反応させる工程。 (もっと読む)


【課題】樹脂封止型の光学半導体装置において、透明部材とパッケージの側壁部の隙間を縮小して小型化でき、加えて透明部材の上面を光学的な基準面とすることが可能で、且つ、封止樹脂のはみ出し等が生じにくい光学半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】パッケージ10の側壁部10Bの内側面の上部に、下から上に向かって開口が広がる面取り部10Cを形成しておき、加えて面取り部10Cの面粗さを、パッケージ10の側壁部10Bの内側面の面粗さより粗くする。 (もっと読む)


【課題】必要絶縁材量を少なくして、装置の軽量化、耐振動性の向上、生産性の向上、低コスト化を実現可能な電力変換装置の収納構造を得ること。
【解決手段】配線部材がインサート成形された樹脂ケース1の底部に、主回路基板2及び制御回路基板3を横並びに固定配置する。制御回路基板3はその裏面が樹脂ケースの底部に突設した台座11に接着固定。主回路基板2は表面を樹脂ケースの底部面と略同一の位置に位置させて固定。絶縁樹脂4を流入口13から注入すると、制御回路基板3の裏面側を充填しつつ制御回路基板3の表面と主回路基板2の表面とが充填される。制御回路基板3の裏面側でのボイド発生は抑制される。制御回路基板3の裏面側での樹脂流れの高速化と流量増加の措置を講ずることで、充填時間の短縮化が図れる。 (もっと読む)


【課題】チップを一表面側に実装したベース基板と機能基板とを接合する接合工程の歩留まりの向上を図れる構造体の製造方法および発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配光用基板(機能基板)30との接合表面側にLEDチップ(チップ)1を収納する凹部20bを有するベース基板20を形成した後でベース基板20における凹部20b内にLEDチップ1を収納して実装し、その後、ベース基板20と配光用基板30との互いの接合表面が対向するようにベース基板20と配光用基板30とを対向配置して両者の対向方向に直交する方向に配置された1つのビーム照射源100から不活性ガスのイオンビームもしくは不活性ガスの原子ビームをベース基板20と配光用基板30との間の空間に向けて照射することで各接合表面それぞれを清浄・活性化し、その後、ベース基板20と配光用基板30とを互いの接合表面を重ね合わせて接合する。 (もっと読む)


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