【課題】電気的な接続不良が生じることが抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】モールドＩＣ（１０）と、筐体（２０）と、ターミナル（３０）と、ポッティング剤（４０）と、を有し、モールドＩＣ（１０）が筐体（２０）の底部（２１）内面に固定され、モールドＩＣ（１０）のリード（１１）と、ターミナル（３０）における筐体（２０）の収納空間内に突出した突出部位（３１）との電気的な接続部位（３１ａ）が、収納空間内の一部を充填するポッティング剤（４０）によって被覆された半導体装置であって、底部（２１）と突出部位（３１）との間に、ポッティング剤（４０）よりも線膨張係数及びヤング率の少なくとも一方が低い材料から成る低応力部（５０）が設けられている。 （もっと読む）

【課題】電気部品を収容ケース内に収容した上で、収容ケース内にポッティング樹脂を充填して電気部品を封止する構成の電気機器を製造する効率の低下を招くことなく、収容ケース内に入り込んだ水分を効率よく外部に排水でき、かつ、製造時には収容ケースから溢れ出るポッティング樹脂を容易に回収できるようにする。
【解決手段】底壁部２１と、その上面２１ａの周縁に立設される筒状の周壁部２２とを有して上方に開口する箱状に形成され、周壁部２２の周方向の一部には、周壁部２２の突出方向先端２２ｃから底壁部２１側に向けて窪む切欠２３が形成され、切欠２３の底部２３ａの高さ位置が、底壁部２１の上面２１ａよりも高く設定されている収容ケース２を提供する。 （もっと読む）

【課題】ケースの薄型化に寄与しうる半導体パワーモジュールを提供する。
【解決手段】この発明の半導体パワーモジュール１は、半導体チップ５、ケース２、ボルト１０、端子板７およびナット１１を有する。ケース２は、半導体チップ５を覆うように配置される。ボルト１０は、頭部がケース２に埋設され、軸部１０Ａがケース２外面から突出する。端子板７は、半導体チップ５および外部導体９に接続される。ナット１１は、ボルト１０の軸部１０Ａに螺合され、外部導体９を端子と共にケース２外面に固定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体装置のケースに損傷を与えることなく、当該半導体装置と本体装置との締結時の締結トルクを増加させることができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１００は、半導体素子１と、半導体素子１と接続される主電極８１，８２と、半導体素子１を封止する、ケース１１とを備えている。主電極８１，８２は、ケース１１内部からケース１１外部に延設されており、ケース１１外部へ延設されている主電極８１，８２の延設部分８１Ａにおいて、外部端子と締結する雄ねじまたは雌ねじが、一体的に設けられている。 （もっと読む）

【課題】腐食性ガスに対して高いガスバリア性を有し、更に脱泡性にも優れた光半導体装置用封止剤を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用封止剤は、下記式（１Ａ）で表され、アリール基及びアルケニル基を有し、かつ実質的にアルコキシ基を有さない第１のシリコーン樹脂（但し、珪素原子に結合した水素原子を有するシリコーン樹脂を除く）と、下記式（５１Ａ）で表され、アリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有し、かつ実質的にアルコキシ基を有さない第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒とを含む。上記第１，第２のシリコーン樹脂におけるアリール基の含有比率はそれぞれ、３０モル％以上、７０モル％以下である。
【化１】
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【課題】 本発明は、シリコーン樹脂を用いて、変色しにくく高い反射率を保持して高い輝度を実現し、また封止材やリードフレームと剥離しにくく長期使用時の信頼性の高い、半導体発光装置用樹脂成形体を提供することを課題とする。
【解決手段】 （Ａ）ポリオルガノシロキサン、（Ｂ）白色顔料、及び（Ｃ）硬化触媒を含有するシリコーン樹脂組成物から得られた半導体発光装置用樹脂成形体であって、
前記樹脂成形体は、アビエチン酸蒸気を発生している２００℃に加熱されたアビエチン酸の上方３ｃｍの距離で２０分間アビエチン酸蒸気に曝した後、波長２５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下のＵＶまたは可視光（強度：１９００ｍＷ／ｃｍ²（３６５ｎｍ受光素子で測定））を１５分間照射したときの、照射前後における樹脂成形体の白色度（ＷＩ（ＣＩＥ））の減少率が４０％以下であることを特徴とする、半導体発光装置用樹脂成形体。 （もっと読む）

【課題】封止性能に優れるとともに光透過率の向上した封止層を形成できる塗料および該塗料を用いた発光ダイオードを提供する。
【解決手段】平均粒子径が５〜５０ｎｍの範囲にある疎水性酸化ジルコニウム粒子および／または平均粒子径が５〜２００ｎｍの範囲にある疎水性シリカ系中空粒子とマトリックス樹脂成分とを含み、該粒子の含有量が１０〜９０重量％の範囲にあることを特徴とする封止材用塗料。前記疎水性粒子が、表面にトリアルキルシリル基を含有し、該トリアルキルシリル基を、酸化ジルコニウム粒子およびシリカ系中空粒子に対して固形分（Ｒ₃−ＳｉＯ_1/2）として、１０〜１００重量％の範囲で含有する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ発光素子搭載用のリードフレームとリフレクターの密着性が高く、高信頼性のパッケージを製造する。
【解決手段】ＬＥＤチップを搭載するための１乃至複数箇所のパッド部と、前記ＬＥＤチップと電気的接続を行うための電気接続エリアを有し、前記パッド部と前記リード部の側面は金属板をエッチングして形成されており、前記金属板の上面と裏面の両面に垂直な断面において前記パッド部とリード部の幅が中間部分で上面側及び裏面側の幅よりも狭く前記パッド部と前記リード部の側面が凹状に形成され、該凹状の側面が、前記パッド部と前記リード部の間に充填する絶縁樹脂と嵌め合わされて強固に保持されることを特徴とするＬＥＤ発光素子用リードフレームを製造する。 （もっと読む）

【課題】接着性に優れ、硬化物が変色しにくい、加熱硬化型光半導体封止用シリコーン組成物の提供。
【解決手段】（Ａ）成分；１分子中にケイ素原子結合アルコキシ基を２個以上有する、シランおよび／またはポリシロキサンと、（Ｃ）成分；ジルコニウム化合物と、（Ｄ）成分；スズ化合物と、（Ｅ）１分子中にケイ素原子結合アルコキシ基を１個以上およびエポキシ基を１個以上を有し、エポキシ当量が１４０〜１０００ｇ／ｍｏｌであり、２５℃における粘度が５〜５００ｍＰａ・ｓである、オリゴマー型シランカップリング剤とを含有する、加熱硬化型光半導体封止用シリコーン組成物、ならびに当該加熱硬化型光半導体封止用シリコーン組成物によって封止された光半導体パッケージ。 （もっと読む）

【課題】硬化性、透過率及び加熱クラック耐性に優れ、かつ泡の発生（泡不良）がない硬化物の製造方法、半導体発光デバイスの製造方法、硬化物製造用キット、及び半導体発光デバイス封止物の製造用キットの提供。
【解決手段】シラノール基及びアルコキシシリル基の少なくともいずれかを有するポリオルガノシロキサンと、アルキルシリケートとを少なくとも含むＡ液と、０．２５ｍｏｌ／ｋｇ以上のジルコニウム錯体化合物及びアルミニウム錯体化合物の少なくともいずれかと、溶媒とを少なくとも含むＢ液とを混合することを特徴とする硬化物の製造方法、半導体発光デバイスの製造方法、硬化物製造用キット、及び半導体発光デバイス封止物の製造用キット。 （もっと読む）

【課題】効果的に部分放電を抑止できる絶縁膜を被覆することで、動作信頼性を向上させるとともに、小型化が可能になるパワーモジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】パワーモジュールは絶縁基板１と、絶縁基板１上に形成された導体パターン２と、導体パターン２と接合部材により接続された半導体チップより構成される。半導体チップ上面には電極５が形成されており、パワーモジュールは電極５と、前記半導体チップ外周端面と、前記半導体チップ外周端面と連続する前記接合部材と、導体パターン２と、絶縁基板１の表面とを被覆し、無機材料からなる絶縁膜６とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子が繰り返し高温で動作してヒートサイクルを受ける場合も、接合材のクラックや配線の劣化による動作不良を起こし難い信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板上１に設けられた電極パターン２上面に接合材７，７０を介して半導体素子５，６が固着された半導体素子基板４を金属のベース板１０上に配置し、少なくとも絶縁基板および半導体素子を封止樹脂１２により被覆した半導体装置において、半導体素子の電極パターンに接合された面とは逆の面の一部と接触するように、封止樹脂よりも線膨張率が大きい膨張押圧部材９を封止樹脂で被覆されるように設けた。 （もっと読む）

【課題】安価で、透明性、耐熱性（はんだ耐熱性）、耐光性、耐湿熱性、リフレクター表面への接着性等の特性に優れるとともに、高い耐ヒートサイクル性を有するＬＥＤ封止材を得ることが可能なＬＥＤ封止材用組成物を提供する。
【解決手段】エポキシ化合物及びカチオン硬化触媒を必須成分とするＬＥＤ封止材用組成物であって、該エポキシ化合物は、特定の脂環式エポキシ化合物からなる成分（Ａ）と、特定の多官能水添エポキシ化合物及び／又は多官能脂環式エポキシ化合物からなる成分（Ｂ）とを含み、該エポキシ化合物における成分（Ａ）と成分（Ｂ）との質量比は、４０／６０〜９０／１０であるＬＥＤ封止材用組成物。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体モジュールを高い歩留まりで容易に製造する。
【解決手段】金属ベース１１の中央部付近には２つのダイオードチップ１２、１３が搭載されている。ダイオードチップ１２の上面にはリード１４が、ダイオードチップ１３の上面にはリード１５がそれぞれ接続されており、リード１４、１５の上部はモールド層２０の上面から突出している。リード１４は絶縁部１６を介して図１中におけるダイオードチップ１２の右側で、リード１５は絶縁部１７を介して図１中におけるダイオードチップ１３の右側でそれぞれ金属ベース１１上に固定されている。この金属ベース１１には、これに搭載されるダイオードチップ１２、１３に対応して２つの凸部１１１、１１２が形成されている。凸部１１１、１１２の上面には、それぞれ凹部１１３、１１４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成により、ケース内の防水性を高めると共に、動作時に相対的に大きな熱量を発生する電子部品から残余の電子部品に対して不要な熱を伝えることを抑制できる電子制御装置を提供する。
【解決手段】複数の電子部品１０、１２と、複数の電子部品を実装した基板２０と、複数の電子部品を実装した基板を収容するケース３０と、複数の電子部品及び基板を外部から封止すると共に、ケースに伝熱自在なように、ケースの内部に充填された充填樹脂４０と、を備え、ケースの熱伝導率が、充填樹脂の熱伝導率よりも大きく設定される。 （もっと読む）

【課題】耐熱性に優れ、且つ高温下においても剥離や亀裂を生じない硬化物を与えるオルガノポリシロキサン組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）二官能性シロキサン単位（Ｄ単位）及び三官能性シロキサン単位（Ｔ単位）を有し、且つ重量平均分子量が３７，０００以上１４０，０００以下のオルガノポリシロキサンであって、Ｄ単位とＴ単位とのモル比（Ｔ／Ｄ）が０．３以上０．８以下のオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）二官能性シロキサン単位（Ｄ単位）及び三官能性シロキサン単位（Ｔ単位）を有し、且つ重量平均分子量が１，０００以上６０，０００以下のオルガノポリシロキサンであって、Ｄ単位とＴ単位とのモル比（Ｔ／Ｄ）が０．１５以下のオルガノポリシロキサンとを含み、前記（Ａ）オルガノポリシロキサンと前記（Ｂ）オルガノポリシロキサンとのモル比（Ｂ／Ａ）が１．５以上６．５以下であることを特徴とするオルガノポリシロキサン組成物とする。 （もっと読む）

【課題】溶接不要で小型化を図ることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】金属ターミナルによって構成された入力線３や出力線４に対して制御部品７や半導体スイッチング素子８等の半導体チップをベアチップ実装し、入力線３や出力線４を通じて外部との電気的な接続が図れる構造とする。これにより、従来のようにベアチップを実装したリードを熱可塑性樹脂に備えた金属ターミナルに溶接するような形態とは異なり、溶接が必要なくなる。したがって、溶接を行うためのスペースが必要なくなり、半導体装置１を溶接不要で小型化を図ることができるものとすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子１と絶縁基板４間の接合を長寿命化できる半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の絶縁基板４毎に上面に接合した第１金属回路箔５ｃと、第１金属回路箔５ｃに半田で下面が接合した半導体素子１と、第１金属回路箔５ｃから離れて絶縁基板４毎の上面に接合し、金属ワイヤ３を介して半導体素子１の上面に接続する第２金属回路箔５ａと、金属ワイヤ３と半導体素子１との接続部を被覆する絶縁性の第１樹脂１７ｃと、第１金属回路箔５ｃと第２金属回路箔５ａの側面を被覆する絶縁性の第２樹脂１７ａ、１７ｂとを有し、第１金属回路箔５ｃと、半導体素子１と、金属ワイヤ３と、第２金属回路箔５ａと、第１樹脂１７ｃと、第２樹脂１７ａ、１７ｂを被覆し、第１樹脂１７ｃと第２樹脂１７ａ、１７ｂより硬く、線膨張係数が半田と略等しい絶縁性の第３樹脂１８を有し、第３樹脂１８が、複数の絶縁基板４毎に設けられ、互いに離れている。 （もっと読む）

【課題】低粘度で充填性が良く、硬化性が良好で、硬化して屈折率が大きく、光透過率が高く、基材に対する密着性が高く、耐クラック性に優れ、ガス透過性が低い硬化物を形成する硬化性オルガノポリシロキサン組成物、及び該組成物で被覆された半導体装置の提供。
【解決手段】少なくとも、（Ａ）次式で表されるオルガノポリシロキサン、（ＲＳｉＯ_３／２）_ａ（Ｒ_２ＳｉＯ_２／２）_ｂ（Ｒ_３ＳｉＯ_１／２）_ｃ（ＸＯ_１／２）_ｄ、（Ｂ）一分子中に、少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を有し、ケイ素原子に結合した全置換基の少なくとも１０モル％以上がアリール基である直鎖状のオルガノポリシロキサン：（Ａ）成分に対して５／９５〜９５／５の量比、（Ｃ）水素に結合したケイ素を含む有機ケイ素化合物：（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して１〜２００質量部、（Ｄ）ヒドロシリル化反応用触媒、からなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物。 （もっと読む）

【課題】温度衝撃に強く、樹脂成形体からリードフレームや封止材が剥離しにくいパッケージであって、かつ、物理的衝撃に強く、割れや欠けが生じないパッケージを提供すること。
【解決手段】（Ａ）樹脂と（Ｂ）フィラーとを含有する樹脂成形体を少なくとも備える半導体発光装置用パッケージであって、前記樹脂成形体は、対面角α＝１３６°の正四角錐ダイヤモンドで作られたピラミッド形をしている圧子を材料表面に０．３ｋｇｆの力で１５秒間押しつけることで痕跡を付けて実施されるビッカース硬度測定試験において、ビッカース硬度の逆数の１０００倍で表される傷つき指数が１．０以下であること。 （もっと読む）