半導体装置
【課題】本発明は、半導体装置のケースに損傷を与えることなく、当該半導体装置と本体装置との締結時の締結トルクを増加させることができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１００は、半導体素子１と、半導体素子１と接続される主電極８１，８２と、半導体素子１を封止する、ケース１１とを備えている。主電極８１，８２は、ケース１１内部からケース１１外部に延設されており、ケース１１外部へ延設されている主電極８１，８２の延設部分８１Ａにおいて、外部端子と締結する雄ねじまたは雌ねじが、一体的に設けられている。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１００は、半導体素子１と、半導体素子１と接続される主電極８１，８２と、半導体素子１を封止する、ケース１１とを備えている。主電極８１，８２は、ケース１１内部からケース１１外部に延設されており、ケース１１外部へ延設されている主電極８１，８２の延設部分８１Ａにおいて、外部端子と締結する雄ねじまたは雌ねじが、一体的に設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大電力用などの半導体装置に関するものであり、特に当該半導体装置のケース部分に関するものでる。
【背景技術】
【０００２】
インバータ装置などでは、本体装置（外部アプリケーション）と独立して、大電力用の半導体素子を搭載した半導体装置が使用される。当該半導体装置は、半導体素子がケース内部に封止されている。
【０００３】
また、当該半導体装置では、半導体素子と電気的に接続された主電極が、ケース外部へと延設されている。一方、ケース内部にはナットが配設されており、インバータ側の電極と電気的に接続されたボルトは、主電極を介して、当該ナットと締結する。これにより、本体装置と半導体装置とが接続される。
【０００４】
なお、上記締結を可能せしめる半導体装置側の構造を示す先行文献として、たとえば特許文献１が存在する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−９８０３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体装置と本体装置との締結は、上記の通り、ケースにアウトサートされたナットで行われている。半導体装置の締結耐力は、ナットとケースで保持しており、従来では、締結の限界はケースが破損する耐力であった。
【０００７】
一方近年、当該締結のトルクアップの要求が生じている。しかしながら、ケースは、ＰＰＳ樹脂などで形成されており、当該ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂の締結耐力は大きくない。したがって、締結によるケースの亀裂・破損を防止するため、締結トルクの設定には限界があった。
【０００８】
そこで、本発明は、半導体装置のケースに損傷を与えることなく、当該半導体装置と本体装置との締結時の締結トルクを増加させることができる、半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明に係る半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子と接続される主電極と、前記半導体素子を封止する、ケースとを備えており、前記主電極は、前記ケース内部から前記ケース外部に延設されており、前記ケース外部へ延設されている前記主電極の延設部分において、外部端子と締結する雄ねじまたは雌ねじが、一体的に設けられている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る半導体装置では、ケース外部へ延設されている主電極の延設部分において、外部端子と締結する雄ねじまたは雌ねじが、一体的に設けられている。
【００１１】
したがって、半導体装置と本体装置との締結の際にかかる力は、ケースでなく、金属製である主電極に印加される。これにより、半導体装置のケースに損傷を与えることなく、当該半導体装置と本体装置との締結時の締結トルクを増加させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】半導体装置の全体構成を示す断面図である。
【図２】実施の形態１に係る半導体装置の要部構成（主電極の延設部分付近領域）を示す拡大断面図である。
【図３】主電極の延設部分を折り曲げる前の状態を示す拡大断面図である。
【図４】実施の形態２に係る半導体装置の要部構成（主電極の延設部分付近領域）を示す拡大断面図である。
【図５】実施の形態３に係る半導体装置の要部構成（主電極の延設部分付近領域）を示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、この発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。
【００１４】
＜実施の形態１＞
まず、半導体装置全体の概略構成について説明する。図１は、半導体装置１００の全体構成を例示する断面図である。
【００１５】
半導体素子１は、基板３に対して、はんだ２によって接合される。基板３は、表面電極４１，４２と、絶縁板３１と、裏面電極３２とから構成されている。
【００１６】
具体的に、絶縁板３１の第一の主面に、表面電極４１，４２が接合され、絶縁板３１の第二の主面に、裏面電極３２が接合されている。そして、図１の例では、表面電極４１上に、はんだ２を介して半導体素子１が接合されている。また、基板３は、裏面電極３２を介して、はんだ５によってベース板６に接合されている。
【００１７】
また、半導体素子１および基板３は、絶縁性のケース１１によって覆われている。
【００１８】
ケース１１には、例えば、ＰＰＳ等のプラスチック材料の成型品（つまり、樹脂製品）を用いることができる。ケース１１には開口部１１ａが形成されており、ケース１１内の電気絶縁性を向上するために、開口部１１ａを介して、ゲル９がケース１１内に充填される。さらに、ケース１１内の耐湿性を向上させるために、開口部１１ａを介して、エポキシ樹脂１０が充填される。当該エポキシ樹脂１０により、ケース１１の上面が封止される。
【００１９】
また、図１の例では、半導体素子１のエミッタ電極は、表面電極４１およびはんだ７を介して、主電極８１と接続されている。また、半導体素子１のコレクタ電極は、アルミワイヤ１４、表面電極４２およびはんだ７を介して、主電極８２と接続されている。各主電極８１，８２は、ケース１１内からケース１１外へと引出されている（延設されている）。ここで、各種電極４１，４２，３２，８１，８２は、銅などの金属成型品を採用できる。
【００２０】
また、本実施の形態に係る半導体装置１００では、インバータ等の本体装置の電極（より具体的には、当該電極と電気的に接続したボルト）は、主電極８１，８２を介して、ナット１２によって接続される。これにより、半導体装置１００の半導体素子１と、本体装置の外部回路とは、電気的に接続される。
【００２１】
なお、図示していない放熱器は、取り付け穴１３を用いてベース板６にねじ止めされる。
【００２２】
以下、図１に示す丸で囲まれた領域付近の具体的な構成について説明する。なお、以下、本実施の形態を含め、他の実施の形態においても、主電極８１側の丸で囲まれた領域付近の構成について説明するが、主電極８２側の丸で囲まれた領域付近の構成についても同様の説明が適用される。
【００２３】
図２は、本実施の形態に係るケース１１外に延設された主電極８１の部分付近の構成を示す拡大断面図である。
【００２４】
図２に示すように、主電極８１は、ケース１１内からケース１１外にかけて延設されている。ここで、ケース１１外に配設されている主電極８１の部分を、延設部分８１Ａと称することとする。主電極８１の延設部分８１Ａは、ケース１１の上面部と面するように配設されている。また、延設部分８１Ａには、穴８１Ｂが形成されている。
【００２５】
これに対して、延設部分８１Ａと面するケース１１の上面には、図２に示すように、凹部１１Ｈが形成されている。そして、当該ケース１１の凹部１１Ｈ内部には、アウトサートにより、ナット１２が配設（埋設）されている。ここで、ナット１２に設けられた穴（図示省略）の中心と、延設部分８１Ａに設けられた穴８１Ｂの中心とは、略一致している。
【００２６】
さらに、本実施の形態では、延設部分８１Ａの下面とナット１２の上面とが、溶接されている。図２において当該溶接の箇所、溶接部分２０として図示されている。ここで、延設分８１Ａの穴８１Ｂの部分と、ナット１２の穴の部分とが面する領域には、溶接部分２０は存在しない。
【００２７】
次に、図２に示す構成の製造方法について説明する。
【００２８】
まず、予め、所望の形状の樹脂製のケース１１を製造する。ここで、当該製造されたケース１１には、ナット１２が配設される凹部１１Ｈ、主電極８１，８２が貫通可能な穴および開口部１１ａ等が形成されている。
【００２９】
一方で、図１に示す構成の基板３の表面電極４１上に、はんだ２により半導体素子１を接合し、基板３の裏面電極３２に、はんだ５によりベース板６を接合する。また、表面電極４１と主電極８１とをはんだ７により接合することにより、半導体素子１のエミッタ電極は、主電極８１と接続される。また、半導体素子１と表面電極４２とをアルミワイヤ１４により接続し、表面電極４２と主電極８２とをはんだ７により接合することにより、半導体素子１のコレクタ電極は、主電極８２と接続される。ここまで工程で作製された部材を、半導体素子構成体と称する。
【００３０】
次に、半導体素子構成体を覆うようにケース１１を配置させ、ケース１１とベース板６とを接着する。ここで、前記半導体素子構成体では、各主電極８１，８２の延設部分８１Ａは、図１の下から上方向に立ち上がっている。したがって、前記のようにケース１１を配置させる際に、ケース１１に設けられた穴に、各主電極８１，８２の延設部分８１Ａを貫通させる。ケース１１とベース板６とを接着した状態おいて、当該延設部分８１Ａは、ケース１１の上面から突出して、立ち上がった状態となっている。
【００３１】
次に、ケース１１に形成された開口部１１ａから、ゲル９をケース１１内に充填し、その後、当該開口部１１ａから、エポキシ樹脂１０をケース１１内に充填する。ここまでの工程により、半導体素子構成体は、ケース１１、エポキシ樹脂１０およびベース板６により封止される。当該封止後の半導体装置における、主電極８１の延設部分８１Ａ付近の拡大構成を、図３の断面図に示す。
【００３２】
図３に示すように、延設部分８１Ａは、ケース１１の上面から突出している。なお、当該延設部分８１Ａには、穴８１Ｂが形成されている。
【００３３】
次に、図３において、延設部分８１Ａにナット１２を溶接する。具体的に、図３において、延設部分８１Ａと右側にナット１２の上面となる部分とを重ねる。ここで、延設部分８１Ａの穴８１Ｂの中心とナット１２の穴の中心とは、略一致している。前記両穴が重なる部分に、インバータなどに設けられたボルトが挿入される。前記延設部分８１Ａとナット１２とを重ねた後、両者を溶接する。これにより、延設部分８１Ａとナット１２とは固着される。
【００３４】
その後、ナット１２が溶接された延設部分８１Ａを、ケース１１に設けられた凹部１１Ｈに向けて、折り曲げる。これにより、延設部分８１Ａはケース１１の上面と面することとなり、また延設部分８１Ａに溶接されたナット１２は、ケース１１の凹部１１Ｈ内に収納される。なお、図２の構成と異なり、延設部分８１Ａがケース１１の上面と密着していても当然良い。
【００３５】
以上のように、本実施の形態では、主電極８１の延設部分８１Ａが、ケース１１の凹部１１Ｈ内に配設されるナット１２と溶接されている。
【００３６】
したがって、本体装置の電極に接続されたボルトとナット１２とを締結する際に、当該締結の耐力は、ナット１２に溶接された金属である主電極８１で保持される。つまり、締結の際にかかる力は、樹脂製であるケース１１でなく、金属製である主電極８１に印加される。これにより、半導体装置１００のケース１１に損傷を与えることなく、当該半導体装置１００と本体装置との締結時の締結トルクを増加させることができる。
【００３７】
＜実施の形態２＞
図４は、本実施の形態に係るケース１１外に延設された主電極８１の部分付近の構成を示す拡大断面図である。
【００３８】
図４に示すように、主電極８１は、ケース１１内からケース１１外にかけて延設されている。ここで、ケース１１外に配設されている主電極８１の部分を、延設部分８１Ｄと称することとする。主電極８１の延設部分８１Ｄは、ケース１１の上面部と面するように配設されている。また、延設部分８１Ｄと面するケース１１の上面には、図４に示すように、凹部１１Ｈが形成されている。
【００３９】
さらに、本実施の形態では、延設部分８１Ｄの一部は、ケース１１の凹部１１Ｈ内部に落ち込んで形成されている。つまり、ケース１１外から引出された延設部分８１Ｄは、まずケース１１の上面上に配設され、凹部１１Ｈの側面を経由して、ケース１１の他の上面上にかけて配設されている。前記のように、凹部１１Ｈの側面上には延設部分８１Ｄが配設されているが、当該凹部１１Ｈの側面に配設された延設部分８１Ｄの露出面には、ねじ山（雌ねじ）８１Ｆが形成されている。また、以下に示す製造方法を採用する場合には、図４に示すように、凹部１１Ｈの底面には、延設部分８１Ｄは形成されない。
【００４０】
なお、本実施の形態では、ケース１１の凹部１１Ｈ内にはナットは配設されておらず、当該凹部１１Ｈ内に配設された延設部分８１Ｄが、実施の形態１で説明したナット１２の機能も兼用する（つまり、本体装置の電極に接続されたボルトは、凹部１１Ｈ内の延設部分８１Ｄと締結する。
【００４１】
主電極８１の延設部分８１Ｄの形態およびケース１１の凹部１１Ｈ内にナット１２が配設されない以外、本実施の形態に係る半導体装置と実施の形態１に係る半導体装置とで、構成は、同じである。したがって、図４以外の本実施の形態に係る半導体装置の構成の説明は、ここでは省略する。
【００４２】
次に、図４に示す構成の製造方法について説明する。
【００４３】
まず、予め、所望の形状の樹脂製のケース１１を製造する。ここで、当該製造されたケース１１には、主電極８１の延設部分８１Ｄが配設される凹部１１Ｈ、主電極８１，８２が貫通可能な穴および開口部１１ａ等が形成されている。
【００４４】
一方で、図１に示す構成の基板３の表面電極４１上に、はんだ２により半導体素子１を接合し、基板３の裏面電極３２に、はんだ５によりベース板６を接合する。また、表面電極４１と主電極８１とをはんだ７により接合することにより、半導体素子１のエミッタ電極は、主電極８１と接続される。また、半導体素子１と表面電極４２とをアルミワイヤ１４により接続し、表面電極４２と主電極８２とをはんだ７により接合することにより、半導体素子１のコレクタ電極は、主電極８２と接続される。ここまで工程で作製された部材を、半導体素子構成体と称する。
【００４５】
次に、半導体素子構成体を覆うようにケース１１を配置させ、ケース１１とベース板６とを接着する。ここで、前記半導体素子構成体では、各主電極８１，８２の延設部分８１Ｄは、図１の下から上方向に立ち上がっている。したがって、前記のようにケース１１を配置させる際に、ケース１１に設けられた穴に、各主電極８１，８２の延設部分８１Ｄを貫通させる。ケース１１とベース板６とを接着した状態おいて、当該延設部分８１Ｄは、ケース１１の上面から突出して、立ち上がった状態となっている。
【００４６】
次に、ケース１１に形成された開口部１１ａから、ゲル９をケース１１内に充填し、その後、当該開口部１１ａから、エポキシ樹脂１０をケース１１内に充填する。ここまでの工程により、半導体素子構成体は、ケース１１、エポキシ樹脂１０およびベース板６により封止される。当該封止後の半導体装置における、主電極８１の延設部分８１Ｄ付近の拡大構成は、図３の断面図と同様である。
【００４７】
図３での説明と同様に、本実施の形態においても、延設部分８１Ｄは、ケース１１の上面から突出している。なお、当該延設部分８１Ｄには、バーリング加工時の下穴となる穴が形成されている。
【００４８】
次に、延設部分８１Ｄを、ケース１１に設けられた凹部１１Ｈに向けて、折り曲げる。これにより、延設部分８１Ｄはケース１１の上面と面することとなる。ここで、当該折り曲げられた延設部分８１Ｄにおいて、上記下穴となる穴の中心と凹部１１Ｈの中心とが略一致している。
【００４９】
その後、バーリング加工で使用されるツールの先端を、延設部分８１Ｄの前記下穴となる穴に当接し、凹部１１Ｈの内部に向けて、当該ツールを押し下げる（バーリング加工）。これにより、図４に示すように、延設部分８１Ｄの前記下穴となる穴は押し広げられ、凹部１１Ｈ内の側面に沿って下方向に（つまり、凹部１１Ｈ内へ立下がって）配設され、当該凹部１１Ｈ上の延設部分８１Ｄの前記立下がった部分の露出面には、ねじ山８１Ｆが形成される。このように、バーリング加工により、延設部分８１Ｄに設けられた前記下穴となる穴は拡がり、かつ当該下穴となる穴の周辺は下方向立下げられ、図４に示すように、凹部１１Ｈの底面が露出するような円筒状の開口部が、延設部分８１Ｄには形成される。
【００５０】
以上のように、本実施の形態では、主電極８１の延設部分８１Ｄが、ケース１１の凹部１１Ｈ内に落ち込むように配設され、当該凹部１１Ｈ内において延設部分８１Ｄにはねじ山８１Ｆが形成されている。
【００５１】
したがって、本体装置の電極に接続されたボルトと延設部分８１Ｄとを締結する際に、当該締結の耐力は、金属である主電極８１で保持される。つまり、締結の際にかかる力は、樹脂製であるケース１１でなく、金属製である主電極８１に印加される。これにより、半導体装置１００のケース１１に損傷を与えることなく、当該半導体装置１００と本体装置との締結時の締結トルクを増加させることができる。
【００５２】
＜実施の形態３＞
図５は、本実施の形態に係るケース１１外に延設された主電極８１の部分付近の構成を示す拡大断面図である。
【００５３】
図５に示すように、主電極８１は、ケース１１内からケース１１外にかけて延設されている。ここで、ケース１１外に配設されている主電極８１の部分を、延設部分８１Ｌと称することとする。主電極８１の延設部分８１Ｌは、ケース１１の上面部と面するように配設されている。
【００５４】
ここで、本実施の形態では、延設部分８１Ｌと面するケース１１の上面には、実施の形態１，２と異なり、凹部１１Ｈは形成されていない（当該凹部１１Ｈが形成されないので、本実施の形態では当然、実施の形態１で説明したナット１２も配設されない）。また、本実施の形態では、延設部分８１Ｄには、実施の形態１で説明した穴８１Ｂや実施の形態２で説明したバーリング加工時の下穴などは、形成されていない。
【００５５】
また、本実施の形態では、延設部分８１Ｌの上面に、ボルト２７が図面上方向に向けて配設されている。そして、延設部分８１Ｌとボルト２７との接触部分は、溶接されている。つまり、本実施の形態では、延設部分８１Ｌとボルト２７との間に、溶接部分２３が形成されている。
【００５６】
本実施の形態に係る半導体装置では、延設部分８１Ｌに溶接されたボルト２７が、本体装置の電極に接続されたナットと締結する。なお、図５では省略されているが、ボルト２７には、ねじ山（雄ねじ）が形成されている。
【００５７】
上記以外の構成は、本実施の形態に係る半導体装置と実施の形態１に係る半導体装置とで、同じである。したがって、図５以外の本実施の形態に係る半導体装置の構成の説明は、ここでは省略する。
【００５８】
次に、図５に示す構成の製造方法について説明する。
【００５９】
まず、予め、所望の形状の樹脂製のケース１１を製造する。ここで、当該製造されたケース１１には、主電極８１，８２が貫通可能な穴および開口部１１ａ等が形成されている。
【００６０】
一方で、図１に示す構成の基板３の表面電極４１上に、はんだ２により半導体素子１を接合し、基板３の裏面電極３２に、はんだ５によりベース板６を接合する。また、表面電極４１と主電極８１とをはんだ７により接合することにより、半導体素子１のエミッタ電極は、主電極８１と接続される。また、半導体素子１と表面電極４２とをアルミワイヤ１４により接続し、表面電極４２と主電極８２とをはんだ７により接合することにより、半導体素子１のコレクタ電極は、主電極８２と接続される。ここまで工程で作製された部材を、半導体素子構成体と称する。
【００６１】
次に、半導体素子構成体を覆うようにケース１１を配置させ、ケース１１とベース板６とを接着する。ここで、前記半導体素子構成体では、各主電極８１，８２の延設部分８１Ｌは、図１の下から上方向に立ち上がっている。したがって、前記のようにケース１１を配置させる際に、ケース１１に設けられた穴に、各主電極８１，８２の延設部分８１Ｌを貫通させる。ケース１１とベース板６とを接着した状態おいて、当該延設部分８１Ｌは、ケース１１の上面から突出して、立ち上がった状態となっている。
【００６２】
次に、ケース１１に形成された開口部１１ａから、ゲル９をケース１１内に充填し、その後、当該開口部１１ａから、エポキシ樹脂１０をケース１１内に充填する。ここまでの工程により、半導体素子構成体は、ケース１１、エポキシ樹脂１０およびベース板６により封止される。当該封止後の半導体装置における、主電極８１の延設部分８１Ｌ付近の拡大構成は、図３の断面図と同様である。
【００６３】
図３での説明と同様に、本実施の形態においても、延設部分８１Ｌは、ケース１１の上面から突出している。ただし、本実施の形態では、延設部分８１Ｌには、穴は形成されていない。
【００６４】
次に、延設部分８１Ｌを、ケース１１上面に向けて、折り曲げる。これにより、延設部分８１Ｌはケース１１の上面と面することとなる。なお、図５の構成とことなり、延設部分８１Ｌとケース１１の上面とが密着していても当然良い。
【００６５】
その後、折り曲げられた延設部分８１Ｌ上に、ボルト２７を起立状態で配置させる。そして、延設部分８１Ｌとボルト２７との接触部を溶接する。これにより、延設部分８１Ｌとボルト２７との間に、溶接部分２３が形成され、延設部分８１Ｌにおいてボルト２７が固着される。
【００６６】
以上のように、本実施の形態では、主電極８１の延設部分８１Ｌに、ボルト２７が溶接されている。
【００６７】
したがって、本体装置の電極に接続されたナットと延設部分８１Ｌに溶接されたボルト２７とを締結する際に、当該締結の耐力は、金属である主電極８１で保持される。つまり、締結の際にかかる力は、樹脂製であるケース１１でなく、金属製である主電極８１に印加される。これにより、半導体装置１００のケース１１に損傷を与えることなく、当該半導体装置１００と本体装置との締結時の締結トルクを増加させることができる。
【符号の説明】
【００６８】
１ 半導体素子、２，５，７ はんだ、３ 基板、６ ベース板、９ ゲル、１０ エポキシ樹脂、１１ ケース、１１ａ 開口部、１１Ｈ 凹部、１２ ナット、１３ 取り付け穴、１４ アルミワイヤ、２０，２３ 溶接部分、２７ ボルト、３１ 絶縁板、３２ 裏面電極、４１，４２ 表面電極、８１，８２ 主電極、８１Ａ，８１Ｄ，８１Ｌ 延設部分、８１Ｂ 穴、８１Ｆ ねじ山（雌ねじ）。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大電力用などの半導体装置に関するものであり、特に当該半導体装置のケース部分に関するものでる。
【背景技術】
【０００２】
インバータ装置などでは、本体装置（外部アプリケーション）と独立して、大電力用の半導体素子を搭載した半導体装置が使用される。当該半導体装置は、半導体素子がケース内部に封止されている。
【０００３】
また、当該半導体装置では、半導体素子と電気的に接続された主電極が、ケース外部へと延設されている。一方、ケース内部にはナットが配設されており、インバータ側の電極と電気的に接続されたボルトは、主電極を介して、当該ナットと締結する。これにより、本体装置と半導体装置とが接続される。
【０００４】
なお、上記締結を可能せしめる半導体装置側の構造を示す先行文献として、たとえば特許文献１が存在する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−９８０３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体装置と本体装置との締結は、上記の通り、ケースにアウトサートされたナットで行われている。半導体装置の締結耐力は、ナットとケースで保持しており、従来では、締結の限界はケースが破損する耐力であった。
【０００７】
一方近年、当該締結のトルクアップの要求が生じている。しかしながら、ケースは、ＰＰＳ樹脂などで形成されており、当該ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂の締結耐力は大きくない。したがって、締結によるケースの亀裂・破損を防止するため、締結トルクの設定には限界があった。
【０００８】
そこで、本発明は、半導体装置のケースに損傷を与えることなく、当該半導体装置と本体装置との締結時の締結トルクを増加させることができる、半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明に係る半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子と接続される主電極と、前記半導体素子を封止する、ケースとを備えており、前記主電極は、前記ケース内部から前記ケース外部に延設されており、前記ケース外部へ延設されている前記主電極の延設部分において、外部端子と締結する雄ねじまたは雌ねじが、一体的に設けられている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る半導体装置では、ケース外部へ延設されている主電極の延設部分において、外部端子と締結する雄ねじまたは雌ねじが、一体的に設けられている。
【００１１】
したがって、半導体装置と本体装置との締結の際にかかる力は、ケースでなく、金属製である主電極に印加される。これにより、半導体装置のケースに損傷を与えることなく、当該半導体装置と本体装置との締結時の締結トルクを増加させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】半導体装置の全体構成を示す断面図である。
【図２】実施の形態１に係る半導体装置の要部構成（主電極の延設部分付近領域）を示す拡大断面図である。
【図３】主電極の延設部分を折り曲げる前の状態を示す拡大断面図である。
【図４】実施の形態２に係る半導体装置の要部構成（主電極の延設部分付近領域）を示す拡大断面図である。
【図５】実施の形態３に係る半導体装置の要部構成（主電極の延設部分付近領域）を示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、この発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。
【００１４】
＜実施の形態１＞
まず、半導体装置全体の概略構成について説明する。図１は、半導体装置１００の全体構成を例示する断面図である。
【００１５】
半導体素子１は、基板３に対して、はんだ２によって接合される。基板３は、表面電極４１，４２と、絶縁板３１と、裏面電極３２とから構成されている。
【００１６】
具体的に、絶縁板３１の第一の主面に、表面電極４１，４２が接合され、絶縁板３１の第二の主面に、裏面電極３２が接合されている。そして、図１の例では、表面電極４１上に、はんだ２を介して半導体素子１が接合されている。また、基板３は、裏面電極３２を介して、はんだ５によってベース板６に接合されている。
【００１７】
また、半導体素子１および基板３は、絶縁性のケース１１によって覆われている。
【００１８】
ケース１１には、例えば、ＰＰＳ等のプラスチック材料の成型品（つまり、樹脂製品）を用いることができる。ケース１１には開口部１１ａが形成されており、ケース１１内の電気絶縁性を向上するために、開口部１１ａを介して、ゲル９がケース１１内に充填される。さらに、ケース１１内の耐湿性を向上させるために、開口部１１ａを介して、エポキシ樹脂１０が充填される。当該エポキシ樹脂１０により、ケース１１の上面が封止される。
【００１９】
また、図１の例では、半導体素子１のエミッタ電極は、表面電極４１およびはんだ７を介して、主電極８１と接続されている。また、半導体素子１のコレクタ電極は、アルミワイヤ１４、表面電極４２およびはんだ７を介して、主電極８２と接続されている。各主電極８１，８２は、ケース１１内からケース１１外へと引出されている（延設されている）。ここで、各種電極４１，４２，３２，８１，８２は、銅などの金属成型品を採用できる。
【００２０】
また、本実施の形態に係る半導体装置１００では、インバータ等の本体装置の電極（より具体的には、当該電極と電気的に接続したボルト）は、主電極８１，８２を介して、ナット１２によって接続される。これにより、半導体装置１００の半導体素子１と、本体装置の外部回路とは、電気的に接続される。
【００２１】
なお、図示していない放熱器は、取り付け穴１３を用いてベース板６にねじ止めされる。
【００２２】
以下、図１に示す丸で囲まれた領域付近の具体的な構成について説明する。なお、以下、本実施の形態を含め、他の実施の形態においても、主電極８１側の丸で囲まれた領域付近の構成について説明するが、主電極８２側の丸で囲まれた領域付近の構成についても同様の説明が適用される。
【００２３】
図２は、本実施の形態に係るケース１１外に延設された主電極８１の部分付近の構成を示す拡大断面図である。
【００２４】
図２に示すように、主電極８１は、ケース１１内からケース１１外にかけて延設されている。ここで、ケース１１外に配設されている主電極８１の部分を、延設部分８１Ａと称することとする。主電極８１の延設部分８１Ａは、ケース１１の上面部と面するように配設されている。また、延設部分８１Ａには、穴８１Ｂが形成されている。
【００２５】
これに対して、延設部分８１Ａと面するケース１１の上面には、図２に示すように、凹部１１Ｈが形成されている。そして、当該ケース１１の凹部１１Ｈ内部には、アウトサートにより、ナット１２が配設（埋設）されている。ここで、ナット１２に設けられた穴（図示省略）の中心と、延設部分８１Ａに設けられた穴８１Ｂの中心とは、略一致している。
【００２６】
さらに、本実施の形態では、延設部分８１Ａの下面とナット１２の上面とが、溶接されている。図２において当該溶接の箇所、溶接部分２０として図示されている。ここで、延設分８１Ａの穴８１Ｂの部分と、ナット１２の穴の部分とが面する領域には、溶接部分２０は存在しない。
【００２７】
次に、図２に示す構成の製造方法について説明する。
【００２８】
まず、予め、所望の形状の樹脂製のケース１１を製造する。ここで、当該製造されたケース１１には、ナット１２が配設される凹部１１Ｈ、主電極８１，８２が貫通可能な穴および開口部１１ａ等が形成されている。
【００２９】
一方で、図１に示す構成の基板３の表面電極４１上に、はんだ２により半導体素子１を接合し、基板３の裏面電極３２に、はんだ５によりベース板６を接合する。また、表面電極４１と主電極８１とをはんだ７により接合することにより、半導体素子１のエミッタ電極は、主電極８１と接続される。また、半導体素子１と表面電極４２とをアルミワイヤ１４により接続し、表面電極４２と主電極８２とをはんだ７により接合することにより、半導体素子１のコレクタ電極は、主電極８２と接続される。ここまで工程で作製された部材を、半導体素子構成体と称する。
【００３０】
次に、半導体素子構成体を覆うようにケース１１を配置させ、ケース１１とベース板６とを接着する。ここで、前記半導体素子構成体では、各主電極８１，８２の延設部分８１Ａは、図１の下から上方向に立ち上がっている。したがって、前記のようにケース１１を配置させる際に、ケース１１に設けられた穴に、各主電極８１，８２の延設部分８１Ａを貫通させる。ケース１１とベース板６とを接着した状態おいて、当該延設部分８１Ａは、ケース１１の上面から突出して、立ち上がった状態となっている。
【００３１】
次に、ケース１１に形成された開口部１１ａから、ゲル９をケース１１内に充填し、その後、当該開口部１１ａから、エポキシ樹脂１０をケース１１内に充填する。ここまでの工程により、半導体素子構成体は、ケース１１、エポキシ樹脂１０およびベース板６により封止される。当該封止後の半導体装置における、主電極８１の延設部分８１Ａ付近の拡大構成を、図３の断面図に示す。
【００３２】
図３に示すように、延設部分８１Ａは、ケース１１の上面から突出している。なお、当該延設部分８１Ａには、穴８１Ｂが形成されている。
【００３３】
次に、図３において、延設部分８１Ａにナット１２を溶接する。具体的に、図３において、延設部分８１Ａと右側にナット１２の上面となる部分とを重ねる。ここで、延設部分８１Ａの穴８１Ｂの中心とナット１２の穴の中心とは、略一致している。前記両穴が重なる部分に、インバータなどに設けられたボルトが挿入される。前記延設部分８１Ａとナット１２とを重ねた後、両者を溶接する。これにより、延設部分８１Ａとナット１２とは固着される。
【００３４】
その後、ナット１２が溶接された延設部分８１Ａを、ケース１１に設けられた凹部１１Ｈに向けて、折り曲げる。これにより、延設部分８１Ａはケース１１の上面と面することとなり、また延設部分８１Ａに溶接されたナット１２は、ケース１１の凹部１１Ｈ内に収納される。なお、図２の構成と異なり、延設部分８１Ａがケース１１の上面と密着していても当然良い。
【００３５】
以上のように、本実施の形態では、主電極８１の延設部分８１Ａが、ケース１１の凹部１１Ｈ内に配設されるナット１２と溶接されている。
【００３６】
したがって、本体装置の電極に接続されたボルトとナット１２とを締結する際に、当該締結の耐力は、ナット１２に溶接された金属である主電極８１で保持される。つまり、締結の際にかかる力は、樹脂製であるケース１１でなく、金属製である主電極８１に印加される。これにより、半導体装置１００のケース１１に損傷を与えることなく、当該半導体装置１００と本体装置との締結時の締結トルクを増加させることができる。
【００３７】
＜実施の形態２＞
図４は、本実施の形態に係るケース１１外に延設された主電極８１の部分付近の構成を示す拡大断面図である。
【００３８】
図４に示すように、主電極８１は、ケース１１内からケース１１外にかけて延設されている。ここで、ケース１１外に配設されている主電極８１の部分を、延設部分８１Ｄと称することとする。主電極８１の延設部分８１Ｄは、ケース１１の上面部と面するように配設されている。また、延設部分８１Ｄと面するケース１１の上面には、図４に示すように、凹部１１Ｈが形成されている。
【００３９】
さらに、本実施の形態では、延設部分８１Ｄの一部は、ケース１１の凹部１１Ｈ内部に落ち込んで形成されている。つまり、ケース１１外から引出された延設部分８１Ｄは、まずケース１１の上面上に配設され、凹部１１Ｈの側面を経由して、ケース１１の他の上面上にかけて配設されている。前記のように、凹部１１Ｈの側面上には延設部分８１Ｄが配設されているが、当該凹部１１Ｈの側面に配設された延設部分８１Ｄの露出面には、ねじ山（雌ねじ）８１Ｆが形成されている。また、以下に示す製造方法を採用する場合には、図４に示すように、凹部１１Ｈの底面には、延設部分８１Ｄは形成されない。
【００４０】
なお、本実施の形態では、ケース１１の凹部１１Ｈ内にはナットは配設されておらず、当該凹部１１Ｈ内に配設された延設部分８１Ｄが、実施の形態１で説明したナット１２の機能も兼用する（つまり、本体装置の電極に接続されたボルトは、凹部１１Ｈ内の延設部分８１Ｄと締結する。
【００４１】
主電極８１の延設部分８１Ｄの形態およびケース１１の凹部１１Ｈ内にナット１２が配設されない以外、本実施の形態に係る半導体装置と実施の形態１に係る半導体装置とで、構成は、同じである。したがって、図４以外の本実施の形態に係る半導体装置の構成の説明は、ここでは省略する。
【００４２】
次に、図４に示す構成の製造方法について説明する。
【００４３】
まず、予め、所望の形状の樹脂製のケース１１を製造する。ここで、当該製造されたケース１１には、主電極８１の延設部分８１Ｄが配設される凹部１１Ｈ、主電極８１，８２が貫通可能な穴および開口部１１ａ等が形成されている。
【００４４】
一方で、図１に示す構成の基板３の表面電極４１上に、はんだ２により半導体素子１を接合し、基板３の裏面電極３２に、はんだ５によりベース板６を接合する。また、表面電極４１と主電極８１とをはんだ７により接合することにより、半導体素子１のエミッタ電極は、主電極８１と接続される。また、半導体素子１と表面電極４２とをアルミワイヤ１４により接続し、表面電極４２と主電極８２とをはんだ７により接合することにより、半導体素子１のコレクタ電極は、主電極８２と接続される。ここまで工程で作製された部材を、半導体素子構成体と称する。
【００４５】
次に、半導体素子構成体を覆うようにケース１１を配置させ、ケース１１とベース板６とを接着する。ここで、前記半導体素子構成体では、各主電極８１，８２の延設部分８１Ｄは、図１の下から上方向に立ち上がっている。したがって、前記のようにケース１１を配置させる際に、ケース１１に設けられた穴に、各主電極８１，８２の延設部分８１Ｄを貫通させる。ケース１１とベース板６とを接着した状態おいて、当該延設部分８１Ｄは、ケース１１の上面から突出して、立ち上がった状態となっている。
【００４６】
次に、ケース１１に形成された開口部１１ａから、ゲル９をケース１１内に充填し、その後、当該開口部１１ａから、エポキシ樹脂１０をケース１１内に充填する。ここまでの工程により、半導体素子構成体は、ケース１１、エポキシ樹脂１０およびベース板６により封止される。当該封止後の半導体装置における、主電極８１の延設部分８１Ｄ付近の拡大構成は、図３の断面図と同様である。
【００４７】
図３での説明と同様に、本実施の形態においても、延設部分８１Ｄは、ケース１１の上面から突出している。なお、当該延設部分８１Ｄには、バーリング加工時の下穴となる穴が形成されている。
【００４８】
次に、延設部分８１Ｄを、ケース１１に設けられた凹部１１Ｈに向けて、折り曲げる。これにより、延設部分８１Ｄはケース１１の上面と面することとなる。ここで、当該折り曲げられた延設部分８１Ｄにおいて、上記下穴となる穴の中心と凹部１１Ｈの中心とが略一致している。
【００４９】
その後、バーリング加工で使用されるツールの先端を、延設部分８１Ｄの前記下穴となる穴に当接し、凹部１１Ｈの内部に向けて、当該ツールを押し下げる（バーリング加工）。これにより、図４に示すように、延設部分８１Ｄの前記下穴となる穴は押し広げられ、凹部１１Ｈ内の側面に沿って下方向に（つまり、凹部１１Ｈ内へ立下がって）配設され、当該凹部１１Ｈ上の延設部分８１Ｄの前記立下がった部分の露出面には、ねじ山８１Ｆが形成される。このように、バーリング加工により、延設部分８１Ｄに設けられた前記下穴となる穴は拡がり、かつ当該下穴となる穴の周辺は下方向立下げられ、図４に示すように、凹部１１Ｈの底面が露出するような円筒状の開口部が、延設部分８１Ｄには形成される。
【００５０】
以上のように、本実施の形態では、主電極８１の延設部分８１Ｄが、ケース１１の凹部１１Ｈ内に落ち込むように配設され、当該凹部１１Ｈ内において延設部分８１Ｄにはねじ山８１Ｆが形成されている。
【００５１】
したがって、本体装置の電極に接続されたボルトと延設部分８１Ｄとを締結する際に、当該締結の耐力は、金属である主電極８１で保持される。つまり、締結の際にかかる力は、樹脂製であるケース１１でなく、金属製である主電極８１に印加される。これにより、半導体装置１００のケース１１に損傷を与えることなく、当該半導体装置１００と本体装置との締結時の締結トルクを増加させることができる。
【００５２】
＜実施の形態３＞
図５は、本実施の形態に係るケース１１外に延設された主電極８１の部分付近の構成を示す拡大断面図である。
【００５３】
図５に示すように、主電極８１は、ケース１１内からケース１１外にかけて延設されている。ここで、ケース１１外に配設されている主電極８１の部分を、延設部分８１Ｌと称することとする。主電極８１の延設部分８１Ｌは、ケース１１の上面部と面するように配設されている。
【００５４】
ここで、本実施の形態では、延設部分８１Ｌと面するケース１１の上面には、実施の形態１，２と異なり、凹部１１Ｈは形成されていない（当該凹部１１Ｈが形成されないので、本実施の形態では当然、実施の形態１で説明したナット１２も配設されない）。また、本実施の形態では、延設部分８１Ｄには、実施の形態１で説明した穴８１Ｂや実施の形態２で説明したバーリング加工時の下穴などは、形成されていない。
【００５５】
また、本実施の形態では、延設部分８１Ｌの上面に、ボルト２７が図面上方向に向けて配設されている。そして、延設部分８１Ｌとボルト２７との接触部分は、溶接されている。つまり、本実施の形態では、延設部分８１Ｌとボルト２７との間に、溶接部分２３が形成されている。
【００５６】
本実施の形態に係る半導体装置では、延設部分８１Ｌに溶接されたボルト２７が、本体装置の電極に接続されたナットと締結する。なお、図５では省略されているが、ボルト２７には、ねじ山（雄ねじ）が形成されている。
【００５７】
上記以外の構成は、本実施の形態に係る半導体装置と実施の形態１に係る半導体装置とで、同じである。したがって、図５以外の本実施の形態に係る半導体装置の構成の説明は、ここでは省略する。
【００５８】
次に、図５に示す構成の製造方法について説明する。
【００５９】
まず、予め、所望の形状の樹脂製のケース１１を製造する。ここで、当該製造されたケース１１には、主電極８１，８２が貫通可能な穴および開口部１１ａ等が形成されている。
【００６０】
一方で、図１に示す構成の基板３の表面電極４１上に、はんだ２により半導体素子１を接合し、基板３の裏面電極３２に、はんだ５によりベース板６を接合する。また、表面電極４１と主電極８１とをはんだ７により接合することにより、半導体素子１のエミッタ電極は、主電極８１と接続される。また、半導体素子１と表面電極４２とをアルミワイヤ１４により接続し、表面電極４２と主電極８２とをはんだ７により接合することにより、半導体素子１のコレクタ電極は、主電極８２と接続される。ここまで工程で作製された部材を、半導体素子構成体と称する。
【００６１】
次に、半導体素子構成体を覆うようにケース１１を配置させ、ケース１１とベース板６とを接着する。ここで、前記半導体素子構成体では、各主電極８１，８２の延設部分８１Ｌは、図１の下から上方向に立ち上がっている。したがって、前記のようにケース１１を配置させる際に、ケース１１に設けられた穴に、各主電極８１，８２の延設部分８１Ｌを貫通させる。ケース１１とベース板６とを接着した状態おいて、当該延設部分８１Ｌは、ケース１１の上面から突出して、立ち上がった状態となっている。
【００６２】
次に、ケース１１に形成された開口部１１ａから、ゲル９をケース１１内に充填し、その後、当該開口部１１ａから、エポキシ樹脂１０をケース１１内に充填する。ここまでの工程により、半導体素子構成体は、ケース１１、エポキシ樹脂１０およびベース板６により封止される。当該封止後の半導体装置における、主電極８１の延設部分８１Ｌ付近の拡大構成は、図３の断面図と同様である。
【００６３】
図３での説明と同様に、本実施の形態においても、延設部分８１Ｌは、ケース１１の上面から突出している。ただし、本実施の形態では、延設部分８１Ｌには、穴は形成されていない。
【００６４】
次に、延設部分８１Ｌを、ケース１１上面に向けて、折り曲げる。これにより、延設部分８１Ｌはケース１１の上面と面することとなる。なお、図５の構成とことなり、延設部分８１Ｌとケース１１の上面とが密着していても当然良い。
【００６５】
その後、折り曲げられた延設部分８１Ｌ上に、ボルト２７を起立状態で配置させる。そして、延設部分８１Ｌとボルト２７との接触部を溶接する。これにより、延設部分８１Ｌとボルト２７との間に、溶接部分２３が形成され、延設部分８１Ｌにおいてボルト２７が固着される。
【００６６】
以上のように、本実施の形態では、主電極８１の延設部分８１Ｌに、ボルト２７が溶接されている。
【００６７】
したがって、本体装置の電極に接続されたナットと延設部分８１Ｌに溶接されたボルト２７とを締結する際に、当該締結の耐力は、金属である主電極８１で保持される。つまり、締結の際にかかる力は、樹脂製であるケース１１でなく、金属製である主電極８１に印加される。これにより、半導体装置１００のケース１１に損傷を与えることなく、当該半導体装置１００と本体装置との締結時の締結トルクを増加させることができる。
【符号の説明】
【００６８】
１ 半導体素子、２，５，７ はんだ、３ 基板、６ ベース板、９ ゲル、１０ エポキシ樹脂、１１ ケース、１１ａ 開口部、１１Ｈ 凹部、１２ ナット、１３ 取り付け穴、１４ アルミワイヤ、２０，２３ 溶接部分、２７ ボルト、３１ 絶縁板、３２ 裏面電極、４１，４２ 表面電極、８１，８２ 主電極、８１Ａ，８１Ｄ，８１Ｌ 延設部分、８１Ｂ 穴、８１Ｆ ねじ山（雌ねじ）。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子と接続される主電極と、
前記半導体素子を封止するケースとを、備えており、
前記主電極は、前記ケース内部から前記ケース外部に延設されており、
前記ケース外部へ延設されている前記主電極の延設部分において、外部端子と締結する雄ねじまたは雌ねじが、一体的に設けられている、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ケース外部へ延設されている前記主電極の延設部分は、前記ケース上面部に面しており、
前記延設部分と面する前記ケースには、凹部が形成されており、
前記ケースの前記凹部内部には、ナットが配設されており、
前記ナットと前記主電極の前記延設部分とは、溶接されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ケースには、凹部が形成されており、
前記ケース外部へ延設されている前記主電極の延設部分は、前記ケースの前記凹部内に落ち込んで配設されており、
前記凹部内部に落ち込んでいる部分の前記延設部分には、ねじ山が形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ケース外部へ延設されている前記主電極の延設部分は、前記ケース上面部に面しており、
前記延設部分上には、ボルトが突出するように配置されており、
前記ボルトと前記延設部分とは、溶接されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子と接続される主電極と、
前記半導体素子を封止するケースとを、備えており、
前記主電極は、前記ケース内部から前記ケース外部に延設されており、
前記ケース外部へ延設されている前記主電極の延設部分において、外部端子と締結する雄ねじまたは雌ねじが、一体的に設けられている、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ケース外部へ延設されている前記主電極の延設部分は、前記ケース上面部に面しており、
前記延設部分と面する前記ケースには、凹部が形成されており、
前記ケースの前記凹部内部には、ナットが配設されており、
前記ナットと前記主電極の前記延設部分とは、溶接されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ケースには、凹部が形成されており、
前記ケース外部へ延設されている前記主電極の延設部分は、前記ケースの前記凹部内に落ち込んで配設されており、
前記凹部内部に落ち込んでいる部分の前記延設部分には、ねじ山が形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ケース外部へ延設されている前記主電極の延設部分は、前記ケース上面部に面しており、
前記延設部分上には、ボルトが突出するように配置されており、
前記ボルトと前記延設部分とは、溶接されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１２−１３４３００（Ｐ２０１２−１３４３００Ａ）
【公開日】平成２４年７月１２日（２０１２．７．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２８４７００（Ｐ２０１０−２８４７００）
【出願日】平成２２年１２月２１日（２０１０．１２．２１）
【出願人】（０００００６０１３）三菱電機株式会社 (33,312)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年７月１２日（２０１２．７．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１２月２１日（２０１０．１２．２１）
【出願人】（０００００６０１３）三菱電機株式会社 (33,312)
【Ｆターム（参考）】
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