【課題】装置の大型化を抑制し、インダクタンスの増大を抑制できるパワー半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるパワー半導体装置は、パワー半導体素子４と、パワー半導体素子４上面に選択的に形成された第１上面電極パターンとしての上面電極パターン１００を介してパワー半導体素子４と接続された、第１金属ブロックとしての金属ブロック７と、パワー半導体素子４と金属ブロック７とを覆って充填されたモールド樹脂９とを備え、金属ブロック７は、その上面がモールド樹脂９表面から露出する。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィルの収縮が半導体チップの電気特性に及ぼす影響を低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ２とベース材３との積層構造を有する。半導体チップ２の表面上に電極２１が形成されており、ベース材３の表面上に電極３１が形成されている。半導体チップ２の前記表面とベース材３の前記表面とが対向すると共に電極２１と電極３１とが突起電極４を介して電気的に接続されている。半導体チップ２の前記表面とベース材３の前記表面とに挟まれた領域のうち、電極配置領域Ｂ以外の他の領域に位置する部分のアンダーフィル５に分断領域６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを材料とする半導体素子に適した構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置２は、ＳｉＣを材料とする半導体素子２０と、半導体素子２０の外周を被覆する第１モールド樹脂５０と、第１モールド樹脂５０よりも耐熱性が低く、第１モールド樹脂５０の外周を被覆する第２モールド樹脂７０と、第２モールド樹脂７０内に配置される温度センサ６０と、を備える。温度センサ６０は、第２モールド樹脂７０内であって、第１モールド樹脂５０と接する位置に配置され、半導体素子２０の表面と対向している。 （もっと読む）

【課題】インサート成形時の樹脂材料の圧力による半導体素子モジュールの不具合を防止することが可能な電装ユニットを提供する。
【解決手段】半導体スイッチング素子２２を第１モールド樹脂部２６で封止した半導体素子モジュール２１を金型５０内に配し、金型５０に設けられた流入口５４Ａから第２樹脂材料を金型５０内に流入させて行うインサート成形により第２モールド樹脂部３３が第１モールド樹脂部２６を包囲するように形成される電装ユニット１０であって、半導体素子モジュール２１は、半導体スイッチング素子２２と電気的に接続される複数の端子２３Ｂ，２４Ｂ，２５Ｂを備え、第１モールド樹脂部２６は、端子の並び方向に沿った扁平な形状をなし、第１モールド樹脂部２６のうち端子の並び方向における端部には、当該端部を先細とする先細部２８Ａが形成されており、この先細部２８Ａは、金型５０における流入口５４Ａに対応する位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電子装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品１４ａ〜１４ｃを埋め込む樹脂層１８の一方の面側に、電子部品に電気的に接続されたバンプ４２が形成され、樹脂層の他方の面側に、樹脂層より弾性率の高い部材４４が密着した構造物２を形成する工程と、基板４６上に形成された電極４８とバンプとを接触させた状態で、部材を介して超音波振動を印加することにより、バンプと電極とを接合する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】多層構成を有する半導体装置の更なる薄型化を可能にするとともに、半導体装置製造の工程数を減らす。
【解決手段】露光及び現像によってパターニングされた後に被着体に対する接着性を有し、アルカリ現像が可能な感光性接着剤であって、半導体チップ２０の回路面上に設けられた感光性接着剤１を露光及び現像によってパターニングする工程と、パターニングされた感光性接着剤１に他の半導体チップ２１を直接接着する工程と、を備える半導体装置１００の製造方法に用いるための、感光性接着剤。 （もっと読む）

【課題】 耐熱性及びガラス転移温度が向上し、かつ絶縁特性に優れたナノコンポジット樹脂硬化物の製造方法を提供する。
【解決手段】 熱硬化性樹脂主剤３と、表面にアミノ基を有する無機ナノフィラー５とを含んでなる混合物を調製する工程と、前記混合物を、前記熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度で熱処理する工程と、前記熱処理した混合物に、硬化剤４を含んでなる硬化成分を添加する工程と、前記硬化成分を添加した混合物を加熱硬化させる工程とを含む、ナノコンポジット樹脂硬化物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】塩害に対する信頼性が向上された、半導体素子を被覆する封止材から外部電極が露出する半導体装置を提供する。
【解決手段】アノード電極とカソード電極を有する半導体素子と、半導体素子を被覆する封止材と、カソード電極と電気的に接続され、少なくとも一部が封止材の外部に露出する第１の外部電極と、アノード電極と電気的に接続され、少なくとも一部が封止材の外部に露出する第２の外部電極と、第１の外部電極と直接に接触して、又は第１の外部電極と塩水により電気的に接続され得るようにして封止材の外部に配置された、第１の外部電極を構成するいずれの金属よりもイオン化傾向の大きい金属が含まれる犠牲金属体とを備える。 （もっと読む）

【課題】耐硫化性に優れる加熱硬化性シリコーン樹脂組成物の提供。
【解決手段】（Ａ）シラノール基を有するオルガノポリシロキサン、（Ｂ）アルコキシリル基を有するオルガノポリシロキサン、（Ｃ）縮合触媒、並びに（Ｄ）チアゾール化合物及び／又はトリアジン化合物を含有する加熱硬化性シリコーン樹脂組成物、並びに当該加熱硬化性シリコーン樹脂組成物が光半導体を封止してなる光半導体封止体。 （もっと読む）

【課題】ボイドが低減され、研削後の反りを小さくすることができる接着剤層付き半導体ウェハの製造方法、並びに、接着剤層付き半導体ウェハを用いる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】金属バンプ１２が形成された回路面を有する半導体ウェハ１０の回路面上に、２種類以上の液状感光性接着剤６，７の塗布及び塗膜の光照射によって、２層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するＢステージ化された接着剤層を設けて接着剤層付き半導体ウェハ４０を得る工程と、接着剤層付き半導体ウェハ４０と、他の半導体ウエハ５０とを、接着剤層付き半導体ウェハ４０の接着剤層を挟んで圧着する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージを傷つけることなく安定した状態で確実に持ち上げて搬送でき、また、半導体パッケージを搬送する搬送装置の製造コストや維持費も低く抑えることができるようにする。
【解決手段】半導体チップ４を含む板状のパッケージ本体２を備え、当該パッケージ本体２の側部に、パッケージ本体２の板厚方向に段差が形成されることで、搬送用の治具１００をパッケージ本体２の板厚方向の一方側から当接させる支持用段差部８が画成され、この支持用段差部８が、少なくとも平面視したパッケージ本体２を側部から挟み込むような位置に形成された半導体パッケージ１を提供する。 （もっと読む）

【課題】めっき層を有する金属板を用いて樹脂封止後に金属板を除去するようにした半導体装置用基板について、金属板の除去後にめっき層が封止樹脂と密着し、封止樹脂からめっき層が浮いた状態や剥離する事態が生じないようにした半導体装置用基板を提供する。
【解決手段】金属板上にパッド部や端子部となるめっき層が形成され半導体素子を搭載して樹脂封止体で封止した後めっき層を樹脂封止体に残して金属板だけが除去されることになる半導体装置用基板であって、前記端子部は、前記金属板上に最初に金めっき層が形成され、その上に最上層が貴金属めっき層である複数層のめっき層を有し、０．０１〜０．１ｍｍの厚さで形成され、また前記端子部の輪郭形状は凹部を含む多角形状であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子回路モジュール製造工程の歩留まり向上する事ができる基板を提供する。
【解決手段】基板部２と、基板部２の表面に形成された凹部５と、を有する基板１において、基板部２の表面上に、基板部２の表面から凹部５に向かって形成された突起部１０を設けたこと、を特徴とする基板１としたので、電子回路モジュールの製造工程のおける凹部５への樹脂の充填工程後に、樹脂部の樹脂が凹５部内部から外部へ漏れ出すことを防止することができ、電子部品と基板との電気的接続不良を防止することができるので、その基板１を用いた電子回路モジュールの製造工程の歩留まり向上する事ができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、大口径、薄膜ウエハに対して良好な転写性能を有し、成形後（モールド後）において低反り性及び良好なウエハ保護性能を有し、ウエハーレベルパッケージに好適に用いられる樹脂積層体を提供することを目的とする。
【解決手段】 樹脂積層体であって、前記第一剥離フィルムの剥離力が１００〜２５０ｍＮ／５０ｍｍであり、前記第二剥離フィルムの剥離力が３５〜１００ｍＮ／５０ｍｍであり、前記第一剥離フィルムの剥離力と前記第二剥離フィルムの剥離力の差が５０ｍＮ／５０ｍｍ以上であって、前記第一樹脂層はシリコーン骨格含有高分子化合物、架橋剤およびフィラーを含有し、前記第二樹脂層はシリコーン骨格含有高分子化合物、架橋剤を含有し、さらに、前記第一樹脂層に含まれるフィラーの含有率を１００とした場合に、含有率が０以上１００未満となるようにフィラーを含有するものであることを特徴とする樹脂積層体。 （もっと読む）

【課題】硬化前および硬化直後の流動性が良好で、硬化性および難燃性に優れ、かつ硬化物が各種基材に対する接着性に優れる電子部品封止用の室温硬化性ポリオルガノシロキサン組成物を提供する。
【解決手段】（ａ1）分子鎖両末端が水酸基で封鎖された粘度（２３℃）が０．０５〜５０Ｐａ・ｓのポリオルガノシロキサンと、（ａ2）アルコキシシランおよび／またはその加水分解縮合物と、（ａ3）アミノ基置換アルコキシシランと、（ａ4）硬化触媒とを含有する（ａ）縮合反応型のポリオルガノシロキサン組成物と、（ｂ）平均粒径が１５０〜４００μｍで膨張率が１５０体積％以上である膨張性黒鉛を、ベースポリマーである（ａ1）成分１００質量部に対して０．５〜２０質量部含有する電子部品封止用難燃性ポリオルガノシロキサン組成物である。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス層が形成されたシリコン基板等の半導体基板の積層体において、高い熱伝導率を有する層間充填材組成物により充填された三次元集積回路積層体を提供する。
【解決手段】半導体デバイス層が形成された半導体基板を少なくとも２層以上積層した半導体基板積層体を有し、該半導体基板間に、樹脂（Ａ）及び平均粒径０．１μｍ以上５μｍ以下、且つ、最大粒径１０μｍ以下であり、熱伝導率が２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の無機フィラー（Ｂ）を含有する第１の層間充填材層を有する三次元集積回路積層体。 （もっと読む）

【課題】回路規模またはメモリ容量を確保しつつも、外力、特に押圧に対する信頼性を高めることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】有機化合物または無機化合物の繊維体１０１ａ〜１０１ｃ，１０２ａ〜１０２ｃを複数層、特に３層以上積層したものに有機樹脂１０４を含浸した一対の構造体１０１，１０２と、一対の構造体１０１，１０２の間に設けられた素子層１０３とを有する。素子層１０３と構造体１０１，１０２とは、加熱圧着により固着させることができる。または素子層１０３と構造体１０１，１０２とを固着させるための層を設けても良い。或いは、素子層１０３に繊維体１０１ａ〜１０１ｃ，１０２ａ〜１０２ｃを複数重ねた後、繊維体１０１ａ〜１０１ｃ，１０２ａ〜１０２ｃに有機樹脂１０４を含浸させることで、素子層１０３に固着した構造体１０１，１０２を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】光半導体用途において、耐熱黄変性、耐光性、ガスバリア性及び密着性に優れた、透明な硬化物を形成することが可能な熱硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】式（１）


［Ｒ¹は置換若しくは非置換の炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基、Ｒ^２はアクリロキシ基又はメタアクリロキシ基、Ｘは炭素数３〜１０の二価の炭化水素基、ａは１以上の整数、ｂは０以上の整数、ａ＋ｂは３〜２０の整数）で表される環状オルガノポリシロキサンを含有する熱硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を高温で動作させても封止樹脂の剥離を抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体素子１と、半導体素子１が実装された回路基板２と、回路基板２が実装された放熱性を有するベース板３と、ベース板３に設置され、かつ回路基板２を囲む空間４を有するケース材５と、ベース板３に設置され、空間４を回路基板２の配置された第１の領域Ｒ１とその他の第２の領域とを有するように区画する仕切り板６と、第１の領域Ｒ１においては半導体素子１を覆うように、仕切り板６で区画された第１および第２の領域の各々を封止する封止樹脂７とを備えている。 （もっと読む）