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Fターム[4M109CA21]の内容

半導体又は固体装置の封緘、被覆構造と材料 (27,768) | 封止方法 (3,703) | 射出、トランスファ成形 (1,568)

Fターム[4M109CA21]に分類される特許

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電子部品を製造する方法は、半導体デバイスをオーバーモールドするための液体射出成形方法を含む。液体射出成形方法は、i)開いたモールド内に半導体デバイスを置くこと、ii)モールドを閉じて、モールドキャビティを形成すること、iii)モールドキャビティを加熱すること、iv)モールドキャビティ内に硬化性液体を射出成形して、基板上に半導体ダイをオーバーモールドすること、v)モールドを開け、且つステップiv)の製造物を取り除くこと、及び任意に、vi)ステップv)の製造物をポストキュアさせることを含む。半導体デバイスは、ダイ装着接着剤によって基板に装着される集積回路を有し得る。

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【課題】ロウ材16を介して実装される回路装置10に於いて、ロウ材16の良否判定を視覚的に行う。
【解決手段】絶縁性樹脂16の側面に形成された凹部15から、導電パターン11を露出させることにより、露出した導電パターン11にロウ材16を付着して実装を行い、ロウ材16の良否判定を視覚的に行う。凹部15は、周辺部の導電パターン11に段差を設けることにより形成され、凹部15の側面および上面には、ロウ材16の濡れ性に優れた導電パターン11が露出する。従って、凹部15の側面および上面にロウ材16は付着するので、ロウ材16は回路装置10の実装領域の外部に延在する。このことから、ロウ材16の視覚的な良否判定を更に確実に行うことができる。 (もっと読む)


【課題】ハロゲン系難燃剤、及びアンチモン化合物を含まず、成形性、難燃性、高温保管特性、耐湿信頼性及び半田クラック性に半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を提供すること。
【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)硬化促進剤、(D)無機充填材、(E)水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、モリブデン酸亜鉛、金属水酸化物固溶体又はほう酸亜鉛から選ばれる1種以上を、チタネート系カップリング剤又はアルミニウム系カップリング剤により表面処理し、該カップリング剤表面処理物を前記エポキシ樹脂及び/又はフェノール樹脂の全部又は一部と予め溶融混練した後、前記残余の成分と混合して溶融混練することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 水分の浸入や汚染物質の侵入を防止し、長期間の使用に対する電気的信頼性を向上することができ、更に外部応力に対する半導体素子の損傷を防止し、半導体素子の電気的特性の変化を防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 樹脂封止型半導体装置において、支持基板1上にベベル端面を有する半導体素子4、例えばダイオードが取り付けられ、この半導体素子4上に中間接続導体6が取り付けられている。中間接続導体6の幅寸法(直径寸法)L3は半導体素子4の第2の主電極44の幅寸法(直径寸法)L2以上に設定されている。中間接続導体6の周縁部分を第2の主電極44の周縁部分よりも突出させたことによって、半導体素子4のベベル端面45上には、中間接続導体6の表面上の一部に渡る広範囲で保護樹脂10を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】 半導体素子を安定保持できるとともに外郭の機械的強度も十分な樹脂封止構造を持つ半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体発光素子2とこれを駆動するIC素子3とを低ガラス転移点の内皮樹脂5で被膜封止するとともに、内皮樹脂5周りを高ガラス転移点の外皮樹脂6で被膜封止し、内皮樹脂5の軟らかさを利用して半導体発光素子2及びIC素子3の電極やボンディング位置を含めて密に封止し、外皮樹脂6の硬さによって機械的強度を保つ。また、内皮樹脂5と外皮樹脂6とを同じ組成材質のエポキシ樹脂とすることで、線膨張係数の差をなくし内皮及び外皮の樹脂5,6の界面の接合度を高く維持する。 (もっと読む)


【課題】 難燃性、耐水性および熱伝導性が優れた半導体封止用樹脂組成物および成形品を提供する。
【解決手段】 合成樹脂100重量部に対し、酸化マグネシウム粒子50〜1500重量部を配合した樹脂組成物であって、該酸化マグネシウム粒子は、下記(i)〜(v)の要件(i)平均2次粒子径が0.1〜130μm(ii)BET法比表面積が0.1〜5m2/g(iii)Fe化合物およびMn化合物の含有量の合計量が金属として0.01重量%以下(iv)Na含有量が0.001重量%以下かつ(v)Cl含有量が0.005重量%以下を満足することを特徴とする半導体封止用樹脂組成物並びにそれから形成された成形品。 (もっと読む)


【課題】 高融点半田浴浸漬後の耐湿性、半田耐熱性に優れ、封止樹脂と半導体チップあるいはリードフレームとの剥がれや内部樹脂クラックの発生がなく、長期信頼性を保証できるエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置を提供する。
【解決手段】 (A)軟化温度が60〜90℃、重量平均分子量が1000以上で、メチロール基を有するフェノール樹脂であって、該フェノール樹脂単独で硬化させた成形品の抽出水電導度が100μs/cm以下である高純度フェノール樹脂、(B)エポキシ樹脂、(C)硬化促進剤および(D)無機充填剤を必須成分とし、樹脂組成物全体に対して前記(D)無機質充填剤を25〜93重量%の割合で含有してなるエポキシ樹脂組成物であり、その樹脂組成物の硬化物によって半導体チップが封止された半導体封止装置である。 (もっと読む)


【解決手段】 硬化促進剤として下記一般式(1)で表されるホスフィンオキシド化合物を必須の成分とし、フェノール−ジシクロペンタジエン樹脂類から得られるエポキシ樹脂と、硬化剤として水酸基の10モル%〜100モル%が芳香族アシル基によりエステル化された2官能以上のエステル含有化合物またはエステル含有樹脂とを含有してなるエポキシ樹脂組成物。


(式中、R1 〜R6 は水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、あるいは炭素数6〜10のアリール基またはアラルキル基を示す。)
【効果】 従来にない低吸湿性を実現し、特に半導体封止材用途において、従来の硬化物に比べ、極めて優れた耐クラック性を有するパッケージを与えるエポキシ樹脂組成物を提供する。 (もっと読む)


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