【課題】
樹脂封止される素子やボンディングワイヤなどに印加される応力を緩和した樹脂封止半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
リードフレーム１１ａに発光素子１２を固着し、リードフレーム１１ｂに受光素子１３を固着し、各素子とリードフレームはボンディングワイヤ１２ｂ、１３ｂで接続され、各素子とボンディングワイヤはそれぞれ低硬度の第１エンキャップ１２ｃ、１３ｃで被覆され、これら第１エンキャップ樹脂１２ｃ、１３ｃ並びにリードフレーム１１ａ、１１ｂの周囲は高硬度の第２エンキャップ樹脂で被覆され、その周囲はモールド樹脂１５で成形される。 （もっと読む）

【課題】低誘電率絶縁膜を含む積層膜を有する半導体素子の実装構造に起因するチップエッジからの膜剥がれを抑制する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板６上に形成され、低誘電率絶縁膜を含む積層膜７と、少なくとも低誘電率絶縁膜を切断するように設けられたレーザ加工溝２０とを備える半導体素子２を具備する。半導体素子２は配線基板３に対してフリップチップ接続されており、半導体素子２と配線基板３との間にはアンダーフィル材５が充填される。このような構造を有する半導体装置１において、レーザ加工溝２０の幅Ｘ(μm)とアンダーフィル材５のフィレット長さＹ(mm)とが、Ｙ＞-0.233Ｘ＋3.5（ただし、Ｘ＞０、Ｙ＞０である）の条件を満足する構造並びに製造工程を適用する。 （もっと読む）

【課題】エアベントバリの形成範囲を抑え、樹脂封止部の剥離や配線基板の欠け等の不良を防止する。
【解決手段】配線基板１上に搭載した半導体チップ２を封止する樹脂封止部３を形成するための樹脂封止金型を、上キャビティ21と、上キャビティ21に樹脂を送り込むためのランナーと、上キャビティ21から空気を逃がすためのエアベント24とを有したものとする。上キャビティ21は角柱状あるいは角錐台状であってその深さ方向に沿うコーナー部を平坦化した面取り形成部26を有し、エアベント24は前記面取り形成部26から外側へ延び、前記コーナー部に相応する三角領域内で入口部よりも出口部の幅が狭い構造とする。上キャビティ21から流出する樹脂はエアベント24によって幅狭められるので、それより形成されるバリ６は前記の三角領域内に抑えられる。 （もっと読む）

【課題】 端面において基板とシールド層との境界に隙間が生じない回路モジュールの提供。
【解決手段】 基板１１上に複数の部品１３を配置する工程と、各部品を被覆する絶縁層１５を形成する工程と、絶縁層を被覆する導電性樹脂からなるシールド層１７を形成する工程と、シールド層が形成された基板を分割する工程と、を備え、シールド層１７を形成する前に予め深さ方向の基端部１６ｂの幅Ｗ１に比べて先端部１６ａの幅Ｗ２が小さい切り溝１６を少なくとも絶縁層１５に形成し、少なくとも切り溝内に充填されるように導電性樹脂を塗布してシールド層を形成した後、切り溝の先端部に沿って先端部の幅より大きく基端部の幅より小さい幅Ｗ３で切削して基板を分割する。これにより、回路モジュールの端面において、絶縁層を覆うシールド層の縁部の下端とこれに対向する切り溝の内面とが密着して、外部からの電磁界や静電気の影響を受け難い回路モジュールを提供することができる。 （もっと読む）

第１の無機バリアコーティングと第２の無機バリアコーティングとの間に、シリコーン樹脂の硬化生成物を含む界面コーティングを含む電子パッケージ、及び電子パッケージを製造する方法。
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【課題】 基板の一面に搭載された複数の半導体チップを個別にモールドすることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１００の表面に複数の半導体素子１０２を配置するステップと、基板１０２の裏面側を下部金型１３０上に固定するステップと、各半導体素子１０２の少なくとも１部を覆うように各半導体素子のそれぞれに液状樹脂１１４をノズル１１２から供給するステップと、一面に複数のキャビティ１４４が形成された上部金型を下部金型に対して押圧し、所定の温度下において複数のキャビティ１４４により液状樹脂１１４をモールドするステップと、上部金型１４０のキャビティ１４４を基板から離脱し、基板上に一括して、かつ個別に複数のモールド樹脂を形成する。 （もっと読む）

【課題】予めセラミック基板の作製時に形成した分割用の溝のみで、封止樹脂部には分割用の溝を設けていない場合でも、分割した時の亀裂の進展方向のばらつきを抑制して高い位置精度で分割することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】セラミック基板７、表面実装部品（受動部品１、半導体素子３）、封止樹脂６を有する、個片に分割した半導体装置１１０において、製造過程では、セラミック基板は、表面及び裏面の両方に予め分割溝が設けられた多数個取り基板からなり、この基板上に表面実装部品が複数個搭載されて封止樹脂により一括封止され、その後、分割溝で分割されてセラミック基板の寸法の各個片に製造され、セラミック基板の表面側の端から表面実装部品の端までの最短距離をａ、セラミック基板の厚さをｂ、セラミック基板の表面及び裏面の分割溝の深さの合計をｃとした場合に、ａ≧２６９×ｃ／ｂ＋１５１、の関係が成り立つ構造である。 （もっと読む）

少なくとも１つの集積回路デバイス３４を格納するパッケージ４４の製造方法、及びそれによって製造されたパッケージ４４である。この方法は、１ダイ・パッド１４と、リード２０と、ダイ・パッド１４を囲み、ダイ・パッド１４とリード２０との間に配置された少なくとも１つのリング１６、１８と、少なくとも１つのリング１６、１８から外側に突出する複数のタイ・バーと、ダイ・パッド１４をリング１６、１８と電気的に相互接続してこれを機械的に支持する少なくとも１つの接続バーとを有するリードフレームを準備するステップと、２少なくとも１つの集積回路デバイス３４をダイ・パッド１４の第１の面に固着し、少なくとも１つの集積回路デバイス３４をリード２０及び少なくとも１つのリング１６、１８と電気的に相互接続する３６、３８、４０ステップと、３リングの反対側の第２の面を成形樹脂の外側に保持しつつ、少なくとも１つの集積回路デバイス３４と、ダイ・パッド１４の第１の面とリング１６、１８の第１の面とを前記成形樹脂内に封入するステップと、４ダイ・パッド１４をリング１６、１８から電気的に絶縁するため、少なくとも１つの接続バーを切断するステップと、を含んでいる。
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【課題】 熱放散性及び実装信頼性に優れた発光素子用配線基板並びに発光装置を提供する。
【解決手段】 絶縁基体１と、該絶縁基体１を貫通するとともに端部が前記絶縁基体１の一方の主面から突起した突起部８ａを備え、前記突起部８ａの側方に張出部８ｂを備えた金属体８と、前記絶縁基体１の一方の主面１ａまたは前記金属体８の前記絶縁基体１の一方の主面１ａ側の端面に配置された、発光素子２１を搭載する搭載面９とを具備し、該搭載面９と前記突起部８ａとが封止樹脂３１で被覆されて封止されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低熱抵抗を実現するリードフレームタイプの光半導体パッケージを提供する。
【解決手段】主面の実装領域に光半導体素子２２を載置するとともに導電性接着剤２４により光半導体素子２２と電気的に接続された金属片１１と、金属ワイヤ２６により光半導体素子２２と電気的に接続された金属片１２でなるリードフレーム１３と、透光性樹脂により形成され、光半導体素子２２を覆うように配設された透光性部材１６と、遮光性樹脂により形成され、リードフレーム１３のインナーリード部を支持する底部と透光性部材１６を支持する側部とを有する遮光性樹脂成型体１４とを備えた光半導体パッケージ１において、金属片１２について、光半導体素子２２を搭載する実装領域に対応する裏面領域を遮光性樹脂成型体１４の底部を貫通して外部に露出させて第１の放熱領域とする。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクにおいて露出面へのモールド樹脂の回り込み防止用の窪み部を設けることなく、露出面上の樹脂バリを除去できるようにする。
【解決手段】ヒートシンク１０に電子部品２０を搭載したものを、金型内に設置し、モールド樹脂６０により封止するとともに、ヒートシンク１０の一面１１をモールド樹脂６０から露出させてなる電子装置の製造方法において、ヒートシンク１０におけるモールド樹脂６０から露出する一面１１を、樹脂バリ防止材２００により被覆した後、モールド樹脂６０による封止を行い、しかる後、ヒートシンク１０の一面１１から樹脂バリ防止材２００を除去する。 （もっと読む）

【課題】高信頼性のモールド型半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】モールド型半導体装置におけるモールド樹脂の熱膨張係数に異方性を持たせることで半導体素子のモジュールの構成要素間の熱膨張係数の不整合を緩和ものである。つまり、モールド樹脂の絶縁基板面に平行な方向の熱膨張係数と絶縁基板面に垂直な方向の熱膨張係数が異なるように構成する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体チップを含む電子部品を薄い配線基板に実装しても、その反りを大幅に抑制できるシート状電子回路モジュールおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の主面に配線導体２が形成され、一方の主面に対向する他方の主面に配線導体２に接続される外部接続端子３が形成された配線基板１と、一方の主面に実装される半導体チップ５、６と、半導体チップ５、６の電極パッドと配線導体２に設けられた電極端子２ａとを電気的に接続するとともに半導体チップ５、６と配線基板１とを接着固定する第１の絶縁性樹脂層８と、半導体チップ５、６を包含する領域に対応する他方の主面の領域上に形成された第２の絶縁性樹脂層９とを備え、第１の絶縁性樹脂層８は半導体チップ５、６を包含する領域の全体にわたり形成され、かつ第２の絶縁性樹脂層９は第１の絶縁性樹脂層８と同一量である構成からなる。 （もっと読む）

【課題】ソケットへの挿入時に接点電極が削られるのを抑制し、接触不良を防止することが可能な半導体メモリカードを提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体メモリカード１００は、外部装置のソケットの接点電極と接続するためのコンタクト端子１が上面の先端側に形成された回路基板２と、この回路基板２の下面に載置され、コンタクト端子１とボンディングワイヤ３で接続された半導体メモリチップ４と、回路基板２表面上で半導体メモリチップ３を封止する第１の樹脂からなる第１の樹脂層５と、コンタクト端子１が形成された部分より少なくとも回路基板２の先端側に設けられ、第１の樹脂のよりも硬度が低い第２の樹脂からなる第２の樹脂層６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 耐久性を向上させつつ製造効率の向上及び製造コストの削減を図ることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ダイヤフラム５ｄが形成された半導体センサチップ５を備える半導体装置Ａを、リードフレームを用いて製造する。半導体センサチップ５が固着されるステージ部１に貫通孔１ｃと側端側から垂下する垂下部１ｄを設け、リード３と吊りリード２とともに第１封止樹脂層４で封止する。このとき、貫通孔１ｃと連通する凹部４ｃを金型により画成してダイヤフラム５ｄ直下に第２の空間８を形成する。第１封止樹脂層４の上面４ｂ側に半導体センサチップ５を納める蓋体９を設置して第１の空間１２を画成する。そして、第１封止樹脂層４と蓋体９とを第２封止樹脂層１０で封止する。 （もっと読む）

【課題】 前記回路基板上に実装した半導体装置を封止を膜厚を抑えるとともに、安価で確実に封止する半導体装置の実装構造、及びその実装方法を提供する。
【解決手段】 回路基板１１上に半導体装置１２を実装する半導体装置１２の実装方法である。回路基板１１上に半導体装置１２を設け、半導体装置１２に設けられた第１導電部２５と回路基板１１に設けられた第２導電部２２とを配線１４により電気的に接続する。そして、半導体装置１２の周辺部となる回路基板１１上の少なくとも一部にハンダ層１６を配設し、ハンダ層１６を配設した後、半導体装置１２とハンダ層１６との間に、半導体装置１２及び配線１４を覆うようにして、封止樹脂１５の前駆体液１５ａを配設する。そして、前駆体液１５ａを硬化処理して封止樹脂１５とする。 （もっと読む）

【課題】 製造コストの低減を図ることが可能な半導体メモリカードを提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体メモリカード１００は、所定の信号を入出力するための入出力端子１が上面側に形成された配線基板２と、配線基板２の下面側に形成されたパッド３と接続された半導体メモリ４と、配線基板２上に形成され配線基板２の側端部５で切断された、電解メッキに必要な電力を供給するためのメッキ配線６と、配線基板２上で半導体メモリ４を封止するとともに、配線基板２の側端部５および少なくとも１つのメッキ配線６の端部６ａを封止する封止樹脂７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 封止樹脂の裏面ではなく側面が実装基板に面するよう半導体装置を実装基板上に実装することを可能とするリードの構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、チップ１と、互いに隣接する第１の側面６−３と第２の側面６−４とを有し、該チップ１を封止する封止樹脂６と、該第１の側面６−３上の位置であって、該第２の側面６−４からの距離が異なる位置から突出すると共に、該第１の側面６−３からの突出距離が該２の側面６−４に近い位置のものほど長い第１の複数のリード５−１、５−２と、を少なくとも含む。該半導体装置を該封止樹脂６の該第２の側面６−４を介して実装基板８上に実装する。 （もっと読む）

【課題】 封止樹脂のリードフレームの背面への回込みや、使用環境下での経年変化による締付けネジの緩みを防いで、リードフレームと装置の筐体とを確実に密着させることにより、放熱効率の低下及び高周波特性の悪化を抑える。
【解決手段】 リードフレーム１２の表面１２ａ側を封止樹脂２１で封止するときに、封止樹脂２１の背面２１ｂをリードフレーム１２の背面１２ｂと面一となる位置よりもリードフレーム１２の表面１２ａ側に下げて両者の間にギャップＡを設けることにより、封止樹脂２１がリードフレーム１２の側面１２ｃの露出部分に流れても、リードフレーム１２の背面１２ｂには回り込まなくなって、リードフレーム１２の背面１２ｂに封止樹脂２１のバリが形成されなくなるため、リードフレーム１２の背面１２ｂの平坦性が保持できて、リードフレーム１２の背面１２ｂと筐体３１の表面とを確実に密着させることができる。 （もっと読む）

【課題】
半導体装置の実装不良を抑制する。半導体装置の生産性向上を図る。
【解決手段】
前記樹脂封止体は、前記各製品形成領域において、前記半導体チップ及び前記複数のボンディングワイヤを覆う第１の部分と、前記第１の部分に連なり、かつ前記第１の部分よりも厚さが薄い第２の部分とを有し、
前記第１の部分は、前記製品形成領域の角部から離間し、
前記第２の部分は、前記製品形成領域の角部に配置されている。 （もっと読む）