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Fターム[4M109DB15]の内容

半導体又は固体装置の封緘、被覆構造と材料 (27,768) | 構造 (1,232) | 封止構造(上記構造を除く) (561) | モールド又はコーティング部 (177)

Fターム[4M109DB15]に分類される特許

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【課題】低コスト化を図れるフォースセンサパッケージ及びその製造方法を得る。
【解決手段】基板表面に突設した受圧部を介して荷重を受けたときに変位し、該変位量を電気的に検出する複数のピエゾ抵抗素子が形成されたセンサ基板と、複数のピエゾ抵抗素子と電気的に接続する電気配線部が形成されたベース基板とを備え、センサ基板と接合したベース基板をパッケージ基板に接着固定してなるフォースセンサパッケージにおいて、パッケージ基板上のセンサ基板及びベース基板を封止樹脂で覆い、かつ、該封止樹脂表面をセンサ基板表面より低く設けた。 (もっと読む)


【課題】ガスバリア性に優れる加熱硬化性光半導体封止用シリコーン樹脂組成物を提供する。
【解決手段】加熱硬化性光半導体封止用シリコーン樹脂組成物は、(A)成分:下記式(1)で表されるケイ素化合物100質量部と、(B)成分:縮合触媒0.001〜10質量部と、を含有する。(RSiO3/2((RSiO2/2((RSiO1/2(SiO4/2(XO1/2・・・(1)(式中、R、R、およびRは同一または異なる1価の有機基であり、Xは水素原子または1価の有機基であり、aは正数であり、bは0または正数であり、cは0または正数であり、dは0または正数であり、eは0または正数である(ただし、a〜eは以下の条件を満たす:b/aは0〜10の数であり、c/aは0〜0.5の数であり、d/(a+b+c+d)は0〜0.3の数であり、e/(a+b+c+d)は0.01〜1.5の数である。) (もっと読む)


【課題】電解めっき法を用いて形成される外部端子を有する半導体装置の製造において、半導体チップの裏面から絶縁性樹脂層が剥がれ難くすることのできる技術を提供する。
【解決手段】母基板8の上面のチップ搭載領域DIAにスプレー法または塗布法により0.1〜1μmの厚さの剥離層11を形成し、この剥離層11を介して、裏面に硬化した第1樹脂シート3および完全に硬化していない第2樹脂シート6が貼り付けられた半導体チップ7を、半導体チップ7の裏面と母基板8の上面とが対向するように、母基板8の上面のチップ搭載領域DIAに半導体チップ7を接着する。 (もっと読む)


【課題】回路モジュールの絶縁樹脂の表面をシールド層で被覆したものにおいて、絶縁樹脂に浸入した水分を抜けやすくするとともに、回路部品やこれを用いた回路の特性変動を抑制すること。
【解決手段】回路モジュール1は、回路部品2が実装される基板3と、回路部品2を覆う絶縁樹脂4と、絶縁樹脂4の表面を被覆するシールド層5とを含む。シールド層5は、基板3に実装される回路部品2のうち、インダクタンス成分又はキャパシタンス成分を有する回路部品(例えば、コイル2F)の反基板実装側における絶縁樹脂4の厚さが200μm以下の部分には、少なくとも絶縁樹脂4が露出する開口部Hを有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、架橋反応を誘発する有機過酸化物を含有していないため、樹脂封止シートの流通段階で有機過酸化物の分解の恐れがなく、本発明の樹脂封止シートを太陽電池に使用した場合、従来の樹脂封止シートの特徴である透明性、接着性、耐クリープ性を維持したまま、架橋反応を誘発する有機過酸化物やその分解による太陽電池セル等の他の部材に対する悪影響を排除し、従来難しかった従来の架橋工程の排除による工程の高速化を実現し、太陽電池用ガラスや配線や発電セルの厚さ等の凹凸を樹脂封止シートで確実に隙間なく封止することができる樹脂封止シートの製造方法を提供する。
【解決手段】(a)有機過酸化物を含有しない電離性放射線架橋樹脂を成形して、樹脂封止シートを得る工程、
(b)前記 (a)工程によって得られた樹脂封止シートに電離性放射線を照射してゲル分率を2〜60wt%に調整する工程、及び
(c)前記 (b)工程によって得られた照射済み樹脂封止シートを用いて太陽電池モジュールを作製する工程、を含む太陽電池モジュールの製造方法であって、前記(c)工程時に架橋工程を行わない、前記製造方法。 (もっと読む)


【課題】封止樹脂層に求められる物理的な保護機能を損なうことなく、半導体チップに設けられたインダクタと外部のインダクタの距離を小さくする。
【解決手段】半導体チップ10は能動面を上に向けて実装基板100の第1面上に配置されている。インダクタ20は能動面すなわち半導体チップ10のうち実装基板と対向しない面側に設けられており、半導体チップ10と外部との間の通信を行う。封止樹脂層300は実装基板100の第1面に形成され、半導体チップ10を封止している。また封止樹脂層300には凹部又は開口(本実施形態では凹部310)が設けられている。凹部310は平面視でインダクタ20を内側に含んでいる。 (もっと読む)


【課題】発光素子パッケージ及びその製造方法が提供される。
【解決手段】本発明による発光素子パッケージはLEDチップと、上記LEDチップを実装する本体部と、上記LEDチップを介し互いに向かい合うように 上記本体部から延長されて夫々具備され、上記LEDチップから放出される光を反射させる一対の反射部と、上記LEDチップを封止するように上記一対の反射部の間に形成され、中央領域が凹んだ上部面を具備するモールディング部と、を含む。 (もっと読む)


【課題】少ない工程数で樹脂コア及び樹脂保護膜を精度良く形成する。
【解決手段】電極パッド2が形成された基板(半導体基板1)上に、電極パッド2を露出させる開口3aを有する保護絶縁膜3を形成した後、感光性樹脂膜4を形成する。感光性樹脂膜4を多階調マスク5を用いて露光した後で現像する。この現像により、感光性樹脂膜4により構成される樹脂保護膜7と、樹脂保護膜7よりも厚膜の感光性樹脂膜4のパターンにより構成される樹脂コア6と、を一度に形成する。次に、樹脂コア6上から電極パッド2上に亘って配線8を形成する。 (もっと読む)


【課題】モールド樹脂の剥離を防止しつつ、アンダーフィル樹脂層中のボイド発生の抑止および積層する半導体チップ間のギャップの測定精度の低下を防止することのできる積層型半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロバンプ3による接続により上段側半導体チップ2が積層され、上段側半導体チップ2との間のギャップにアンダーフィル樹脂6が充填され、モールド樹脂7により封止される下段側半導体チップ1は、ボンディングパッド4の開口部を除く周辺領域のチップ表面にポリイミド膜5が形成されている。 (もっと読む)


【課題】半導体チップが樹脂部から抜け落ちることを防止でき、かつ、強度の向上が可能な半導体パッケージ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体パッケージは、半導体チップ20と、前記半導体チップの側面を覆う樹脂部30と、前記半導体チップの回路形成面上及び前記樹脂部の前記回路形成面と同一側の面上に形成され、前記半導体チップと電気的に接続された配線構造40と、を有し、前記樹脂部は、前記半導体チップの前記回路形成面と反対側の面の一部を覆うように形成されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ウエハーレベルパッケージとしても、信頼性に優れた液状封止樹脂組成物、およびこれを用いて作製した半導体パッケージを提供するものである。
【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B)酸無水物、(C)無機充填材、および(D)硬化促進剤を必須成分とし、前記(D)硬化促進剤がホスホニウム塩型硬化促進剤であり、前記(C)無機充填材が全液状封止用樹脂組成物に対して80重量%以上95重量%以下含まれる液状封止用樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】パッケージと外部との熱的な接続を行うための絶縁物を別途準備することなく、リードフレームの反り及び封止樹脂の剥離が抑制可能な半導体パッケージを提供する。
【解決手段】リードフレーム10の一面11に半導体素子20を搭載し、リードフレーム10の他面12を露出させつつ、これらリードフレーム10および半導体素子20を封止樹脂30で封止してなる半導体パッケージS1において、リードフレーム10の表面11〜13のうち封止樹脂30にて被覆される部位に、リードフレーム10よりも封止樹脂30との密着力が大きくセラミックよりなる電気絶縁性の絶縁膜50を、当該部位を被覆するように設け、当該部位は絶縁膜50を介して封止樹脂30に接触して封止樹脂30に被覆されるようにし、絶縁膜50を、リードフレーム10の他面12にも設けて当該他面12を被覆し、当該他面12を被覆する絶縁膜50を封止樹脂30より露出させた。 (もっと読む)


【課題】イメージセンサパッケージ構造を提供する。
【解決手段】基板110と、チップ120と、透光板130と、第1殻体140と、シール体150とから構成し、感光領域124を形成したチップを基板上に結合し、透光板130でチップの感光領域を覆ってチップ上に接着し、さらに、感光領域に対する開口を設けた第1殻体140を透光板上に接着する。
シール体150は、チップ及び透光板の周囲及び透光板及びチップ間の接着層160、180を覆って封止するので、水分が感光領域に侵入する経路を延長し、イメージセンサパッケージ構造の信頼性を向上する。 (もっと読む)


【課題】半導体チップと接続端子とをワイヤ等の接続子により電気接続する構成の半導体装置において、電気的な信頼性の向上を図ることができるようにする。
【解決手段】半導体チップ2と、これを内部に収容する収容ケース4と、当該収容ケース4を構成するモールド樹脂R1に封止されると共に導電性の接続子6を介して前記半導体チップ2に電気接続される接続端子5と、前記収容ケース4の内部に充填されて前記半導体チップ2及び前記接続子6を埋設する埋設樹脂R2とを備え、前記接続端子5は、板状に形成されると共に板厚方向の一端面22aに前記接続子6が接合される内部端子板部22を備え、前記モールド樹脂R1が、前記内部端子板部22の他端面及び側面全体、並びに、前記一端面22aの周縁を一括して覆うことを特徴とする半導体装置1を提供する。 (もっと読む)


【課題】製造が簡単で、製造コストの削減に寄与できる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置1は、基板2に半導体チップ3がバンプ4を介してフリップチップ接続された半導体装置である。半導体装置1は、基板2と半導体チップ3との間の空間に充填された第1封止体61と、半導体チップ3を被覆する第2封止体62と、を備える。第2封止体62は、第1封止体61に比べて、無機フィラーの含有量が多い。基板2と半導体チップ3との間の空間に熱膨張係数の低い部材を別途、配置する必要がないので、半導体装置の製造が簡単で、半導体装置の製造コストの削減に寄与できる。 (もっと読む)


【課題】回路基板に形成されたスルーホールへ別途樹脂を充填することなく、スルーホールにおける樹脂の未充填部分の発生を抑制する。
【解決手段】ゲート46を通して樹脂を成形型44内に流し込むと、回路基板18の表面18Aに沿って流動する樹脂の一部が、スルーホール20の開口部20Aから通路28の終端部28Bへ流動し、終端部28Bの開口28Cに到達する。リードフレーム12の裏面12Bに沿って流動する樹脂も、通路28の終端部28Bの開口28Cに到達する。このように、異なる経路で流動した樹脂が通路28の終端部28Bの開口28Cで合流し、回路基板18、電子部品22等を封止する。このため、通路28を流通する樹脂が終端部28Bの開口28Cに到達する前に、通路28が塞がることが無く、スルーホール20における樹脂の未充填部分の発生を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】半導体チップと配線基板の熱膨張係数の差による応力、外部端子にかかる応力を低減し、半導体装置、及び、二次実装の信頼性を向上させ、半導体装置の反りを低減し、実装精度の悪化や、はんだボールの接続不良の発生を抑える。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、貫通孔8aを有する配線基板1と、基体の一面から突出するチップ支持部が設けられている支持基板を重ね合わせ、前記チップ支持部を前記貫通孔に挿入して、前記チップ支持部の先端を配線基板の一面から突出させる工程と、前記チップ支持部の先端上に半導体チップ9を載置する工程と、前記配線基板の一面上に前記半導体チップを覆う第一の封止樹脂12を形成する工程と、前記支持基板が取り除かれることで開口した前記貫通孔に、第二の封止樹脂13を充填して前記第一の封止樹脂と一体化させる工程と、を採用する。 (もっと読む)


【課題】撮像素子から偽信号が出力されてしまうことを抑制し、自車両周辺の外界を適切に監視する。
【解決手段】車両用撮像装置は、レンズにより集光された光を受光する受光面72aを有する固体撮像素子72と、固体撮像素子72を内部に収容するパッケージ基体71とを備え、受光面72aに積層されるようにしてパッケージ基体71の内部に充填された少なくとも複数の異なる光透過材層(光透過材層74a,74b,74c)を備え、複数の異なる光透過材層は、受光面72aに近い光透過材層ほど、大きな屈折率を有する。 (もっと読む)


【課題】積層された半導体チップ間におけるボイドの発生を防止し、半導体装置の信頼性を高める。
【解決手段】チップ搭載部14を有すると共に、チップ搭載部14の周囲に封止材流出防止体18が設けられた基板12と、複数の半導体チップ22,24が相互に積層されてなると共にチップ搭載部14上に搭載されたチップ積層体20と、複数のチップ22、24の間を埋めるよう形成された第1の封止体34とを備えることを特徴とする半導体装置を採用する。 (もっと読む)


【課題】熱応力により生じる半導体チップのクラック、アンダーフィル形状の不安定化及び支持基板の剥がれを抑制する切断前支持基板、半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】矩形状のチップ搭載部65を囲むように設けられた2以上のライン状の貫通スリット60を有する切断前支持基板181のチップ搭載部65に2以上の半導体チップを積層する積層工程と、半導体チップの側面を覆うとともに、切断前支持基板181上の貫通スリット60以外の部分を覆うように第1の封止体を形成した後、第1の封止体を覆うとともに、貫通スリット60を充填するように第2の封止体を形成する封止工程と、切断前支持基板181を貫通スリット60に沿って切断して支持基板とするダイシング工程と、を有する半導体装置の製造方法を用いる。 (もっと読む)


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