本発明は、（Ａ）式（１）で表されるビスフェノール型エポキシ樹脂であって、該樹脂全体に対して、ｎ＝０、１または２である低分子量体の合計含有割合が１０重量％以上であるビスフェノール型エポキシ樹脂、（Ｂ）環状テルペン化合物１分子にフェノール類を２分子付加させてなるテルペン骨格含有多価フェノール硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）上記成分（Ａ）以外のエポキシ樹脂及び硬化剤としてのノボラック樹脂からなる群から選ばれる少なくとも一種の樹脂を含む光半導体封止用エポキシ樹脂組成物、該組成物の硬化物で封止された光半導体素子に関するものであり、該組成物は作業性に優れ、封止光半導体の生産性に優れ、該組成物の硬化物で封止された光半導体は吸湿後の耐半田リフロー性、ＨＣ向け耐熱性においても優れている。 （もっと読む）

【課題】硬化物の吸湿が抑制され、かつ、硬化物の常温での線熱膨張係数が所定の線熱膨張係数であり、半田耐熱性、熱サイクル信頼性に優れた電子部品封止装置を製造することが可能な封止用樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂および（Ｃ）無機充填材を必須成分とする封止用樹脂組成物であって、前記封止用樹脂組成物全体に対する前記（Ｃ）無機充填材の含有量が８５重量％以上であり、前記（Ｃ）無機充填材が水酸化アルミニウムおよび水酸化マグネシウムの中から選ばれる少なくとも１種の金属水酸化物と溶融シリカとの混合物であり、かつ、前記封止用樹脂組成物の硬化物の常温での線熱膨張係数が１．１×１０^−５／℃以上１．５×１０^−５／℃以下であるもの。 （もっと読む）

【課題】 薄く加工された半導体チップの裏面とはんだ間に金属膜が設けられ、半導体チップと金属膜が強固に結合された半導体装置及びその製造方法を実現する。
【解決手段】 薄く加工された半導体チップ３０を樹脂封止した樹脂封止半導体装置４０では、ベッド３２の表面にはんだ３４が設けられ、はんだ３４の表面にＮｉ膜１０が設けられ、Ｎｉ膜１０の表面にＡｕＳｎ膜９が設けられ、Ｎｉ膜１０の表面に半導体チップ３０が設けられている。半導体チップ３０の表面に設けられた端子３１とリード端子３３は、ボンディングワイヤ３６で電気的に接続されている。そして、ベッド３２、半導体チップ３０、はんだ３４、Ｎｉ膜１０、Ｎｉ膜１０、及びボンディングワイヤ３６は、エポキシ樹脂などからなるモールド樹脂３６で樹脂封止されている。 （もっと読む）

【解決手段】 （Ａ）液状エポキシ樹脂、
（Ｂ）下記式（１）で表されるビスフェノール型エピスルフィド変性樹脂、
【化１】


（式中、Ｒ¹、Ｒ²は水素原子又はメチル基である。）
（Ｃ）マイクロカプセル型硬化促進剤
を必須成分とすることを特徴とする液状エポキシ樹脂組成物。
【効果】 本発明の液状エポキシ樹脂組成物は、保存性を維持しつつ硬化時間を短縮することができる。また、シリコンチップの表面やソルダーレジストとの密着性に優れた硬化物を与え、１２５℃以下での硬化温度で硬化させても吸湿後、半田特性に優れ、更にＰＣＴ（１２０℃／２．１ａｔｍ）などの高温多湿の条件下でも劣化せず、−６５℃／１５０℃の温度サイクルにおいて数百サイクルを超えても剥離、クラックが起こらない半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 Ag、Pd、Pd-Auとの接着性が高く、吸湿リフロー後の剥離の少ない新しい半導体封止用樹脂組成物と、このような半導体封止用樹脂組成物を用いて封止した半導体装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも、エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機充填材と、次式（Ｉ）
【化１】


（ただし、Ｒ¹およびＲ²は、同一または別異に、水素原子、または、アルキル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、およびアミノ基からなる群より選択される置換基であり、Ｒ¹およびＲ²のうち少なくとも１つはヒドロキシル基、カルボキシル基、または、アミノ基である）
で表されるジフェニルジスルフィド誘導体を含有するリードフレーム型半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物であって、ジフェニルジスルフィド誘導体の含有量が、樹脂組成物の全体量に対して0.01〜1重量％であることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物とする。 （もっと読む）

【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）硬化剤、
（Ｃ）無機質充填剤、
（Ｄ）平均粒子径が１０〜１，０００ｎｍである超微粒子熱可塑性樹脂、
（Ｅ）硬化促進剤
を必須成分とすることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
【効果】 本発明のエポキシ樹脂組成物は、接着性、強靭性に優れる硬化物を得ることができ、また該エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置は、耐クラック性に優れた硬化物を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 流動性が良好で、反りが小さく、耐半田クラック性に優れた、エリア実装型半導体封止用に適したエポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）結晶性エポキシ樹脂、（Ｂ）ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、（Ｃ）トリアリールホスホニオフェノラート、及び（Ｄ）全エポキシ樹脂組成物中に対し８５〜９５重量％の無機充填剤を必須成分とすることを特徴とするエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び基板の片面に半導体素子が搭載されこの半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが前記エポキシ樹脂組成物を用いて封止されてなることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】流動性や硬化性等の成形性、難燃性、耐熱性や耐冷熱サイクル性に優れた封止用エポキシ樹脂成形材料、及びこの封止用エポキシ樹脂成形材料で封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）ヒドロキシナフタレン及びジヒドロキシナフタレンの少なくともいずれかの２量体をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂、（Ｂ）下記一般式（I）で表される化合物を含む硬化剤、（Ｃ）リン系硬化促進剤、及び（Ｄ）無機充填剤を含有し、（Ｃ）成分のリン含有率が成形材料全体の２００〜５００ｐｐｍである封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化１】


（一般式（I）で、ｎは０、又は正の整数を表し、A及びB中のベンゼン環及びナフタレン環上の水素原子は炭化水素基で置換されていてもよい。） （もっと読む）

【課題】 接着性を損なうことなく、離型性に優れ、パッケージ外観も良好な封止用エポキシ樹脂成形材料、及びこれを用いて半導体素子を封止してなる耐半田性に優れた半導体装置を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機質充填材、（Ｅ）ワックス及び（Ｆ）グルシジル基を２個有する化合物を必須成分とし、上記グルシジル基を２個有する化合物が全エポキシ樹脂組成物中に対して０．１〜５重量％含まれることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【解決手段】 （Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）式（１）の化合物を５質量％以上含有する芳香族アミン系硬化剤、（Ｃ）無機充填剤を含有する組成物において、無機充填剤として、粒子径１０μｍ以上の粒子の含有率が５，０００ｐｐｍ以下、かつ平均粒子径が１〜５μｍであり、０．２μｍ以下の粒子の割合が０．２〜２０質量％である高流動性球状シリカ粉末粒子を使用すると共に、このシリカ粉末粒子の組成物中の含有率が６０〜８５質量％である半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
【化１】


（Ｒ¹〜Ｒ³は一価炭化水素基、ＣＨ₃Ｓ−又はＣ₂Ｈ₅Ｓ−）
【効果】 本発明の組成物は、粘度が低く、作業性に優れ、シリコンチップの表面との密着性に優れた硬化物を与え、吸湿後のリフロー温度が上昇しても不良が発生せず、更に高温多湿の条件下でも劣化せず、温度サイクルにおいても剥離、クラックが起こらない半導体装置を提供できる。 （もっと読む）

【課題】外装樹脂にクラックや剥離が生じることもなく、表面実装部品の導通不良を抑止することができる信頼性の優れた電子装置、及び該電子装置を容易に製造することができ、量産性に優れ、かつパッケージングの低背化が容易な電子装置の製造方法を実現する。
【解決手段】チップ型電子部品１ａ〜１ｃを回路基板３に表面実装した後（ａ）、電子部品１ａ〜１ｃの上面に、高粘性かつチキソトロピー性を有するシート状樹脂材料９を載置し（ｂ）、次いで、枠型熱板プレス１０で樹脂材料９の周縁部を加圧・加熱して樹脂材料９を変形させる。そして中空部６ａ〜６ｄが形成されるように該樹脂材料９を回路基板３に熱圧着し、その後硬化処理を施して被覆樹脂５を形成する（ｃ）。
（もっと読む）

向上した接着力と耐クラッキング性とを有するアンダーフィル組成物は、エポキシ樹脂を、二官能性シロキサン無水物エポキシ硬化剤及び任意の試薬と組み合わせて含んでいる。幾つかの実施形態では、エポキシ樹脂は、粒径約１〜約５００ｎｍの官能化コロイダルシリカ充填材を含んでいる。二官能性シロキサン無水物エポキシ硬化剤は、場合により、液状無水物エポキシ硬化剤と組み合わせることができる。硬化触媒、ヒドロキシル含有モノマー、接着力促進剤、難燃剤及び消泡剤を組成物に添加してもよい。本発明の別の実施形態は本発明のアンダーフィル組成物を含んでなるパッケージされ固体素子を含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子を安定保持できるとともに外郭の機械的強度も十分な樹脂封止構造を持つ半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体発光素子２とこれを駆動するＩＣ素子３とを低ガラス転移点の内皮樹脂５で被膜封止するとともに、内皮樹脂５周りを高ガラス転移点の外皮樹脂６で被膜封止し、内皮樹脂５の軟らかさを利用して半導体発光素子２及びＩＣ素子３の電極やボンディング位置を含めて密に封止し、外皮樹脂６の硬さによって機械的強度を保つ。また、内皮樹脂５と外皮樹脂６とを同じ組成材質のエポキシ樹脂とすることで、線膨張係数の差をなくし内皮及び外皮の樹脂５，６の界面の接合度を高く維持する。 （もっと読む）

【課題】 高融点半田浴浸漬後の耐湿性、半田耐熱性に優れ、封止樹脂と半導体チップあるいはリードフレームとの剥がれや内部樹脂クラックの発生がなく、長期信頼性を保証できるエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置を提供する。
【解決手段】 （Ａ）軟化温度が６０〜９０℃、重量平均分子量が１０００以上で、メチロール基を有するフェノール樹脂であって、該フェノール樹脂単独で硬化させた成形品の抽出水電導度が１００μｓ／ｃｍ以下である高純度フェノール樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）硬化促進剤および（Ｄ）無機充填剤を必須成分とし、樹脂組成物全体に対して前記（Ｄ）無機質充填剤を２５〜９３重量％の割合で含有してなるエポキシ樹脂組成物であり、その樹脂組成物の硬化物によって半導体チップが封止された半導体封止装置である。 （もっと読む）

【解決手段】 硬化促進剤として下記一般式（１）で表されるホスフィンオキシド化合物を必須の成分とし、フェノール−ジシクロペンタジエン樹脂類から得られるエポキシ樹脂と、硬化剤として水酸基の１０モル％〜１００モル％が芳香族アシル基によりエステル化された２官能以上のエステル含有化合物またはエステル含有樹脂とを含有してなるエポキシ樹脂組成物。


（式中、Ｒ₁ 〜Ｒ₆ は水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、あるいは炭素数６〜１０のアリール基またはアラルキル基を示す。）
【効果】 従来にない低吸湿性を実現し、特に半導体封止材用途において、従来の硬化物に比べ、極めて優れた耐クラック性を有するパッケージを与えるエポキシ樹脂組成物を提供する。 （もっと読む）