【課題】高周波特性の悪化を防ぎ、耐湿性を向上させる。
【解決手段】半導体基板１の主表面上の素子領域内に、ドレイン電極２が設けられている。一端がドレイン電極２に接続されたドレイン配線５が主表面上に設けられている。主表面上の素子領域外に、ドレイン配線５とは離間したドレイン電極パッド１２が設けられている。Ａｕメッキ層９が主表面上に設けられ、主表面との間に空隙１０が形成されている。空隙１０はドレイン配線５の一端とドレイン電極２を内包する。硬化されたポリイミド膜１４が空隙１０の開口部１１を閉塞し、ドレイン電極パッド１２を覆うことなく、ドレイン配線５の他端を覆っている。空隙１０の内面に撥液膜１５が設けられている。硬化されたポリイミド膜１４に設けられた開口１６を介してＡｕメッキ層１８により、ドレイン配線５の他端とドレイン電極パッド１２が接続されている。ドレイン配線５の他端はポリイミド膜１４から出ていない。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、スタックド構造のＭＣＰ製造時における作業性の欠点である接着剤の塗布などの工程を改善し接着剤を使用することなく半導体チップを積層することができ、かつ各種の信頼性に優れた半導体装置を提供するものである。
【解決手段】 エポキシ基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）と光酸発生剤（Ｂ）を含む感光性樹脂組成物の樹脂層を半導体チップの回路素子形成面上に有し、かつ該半導体チップ上に積層する別の半導体チップの裏面が該樹脂層に直接接触していることを特徴とするスタックド構造のＭＣＰの樹脂封止型半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 バイト工具の切刃の過度の磨耗を防止するとともに金属ポストの引き伸ばしを防止可能な被加工物の加工方法を提供することである。
【解決手段】 それぞれ電極を有する複数のデバイスと、該デバイスの該電極に接続する複数の金属ポストとが封止剤で封止された被加工物の加工方法であって、少なくとも被加工物の該封止剤を研削砥石を有する研削手段で研削する粗加工ステップと、該粗加工ステップを実施した後、該金属ポストを該封止剤とともにダイアモンドからなる切刃を備えたバイト加工手段で切削して、該金属ポストの端面を該封止剤から露出させる仕上げ加工ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基材の上に熱分解性の樹脂層を形成する工程と、熱分解性の樹脂層上に、主面から裏面まで貫通する貫通プラグが設けられた複数の基板を配置し、熱分解性の樹脂層を介して、基板と基材とを固定する工程と、基板の裏面上に、貫通プラグに電気的に接続するように第１の半導体素子を設けて、基板および第１の半導体素子を含む構造体を形成する工程と、半導体封止用樹脂組成物を用いて、熱分解性の樹脂層上の複数の前記構造体を封止する封止材層を形成する工程と、加熱処理により熱分解性の樹脂層を分解して、封止材層から基材を分離することにより、構造体の基板の主面を露出させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】外部端子がパッケージ底面に配置されている半導体装置を実装する際に、半田不良の有無を外観上で確認できるようにし、それによって、実装信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置１０は、ダイパッド４と、ダイパッド４の上面に搭載された半導体素子５と、ダイパッド４の周囲に配置され且つ半導体素子５と電気的に接続された外部端子３と、外部端子３の上に形成された保護層２とを備えている。外部端子３には第１の貫通穴１１Ａが形成されていると共に、保護層２には、第１の貫通穴１１Ａと少なくとも一部が重なる第２の貫通穴１１Ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ワイヤを被覆していた樹脂に起因して半導体装置の不良が発生することを抑制する。
【解決手段】半導体チップ１０を配線基板２０の上に配置する。次いで、半導体チップ１０と配線基板２０とをボンディングワイヤ３０で接続する。次いで、ボンディングワイヤ３０の少なくとも一部に絶縁膜３２をコーティングする。次いで、半導体チップ１０及び絶縁膜３２を封止用樹脂で封止する。このように、絶縁膜３２は、半導体チップ１０と配線基板２０とをボンディングワイヤ３０で接続した後に形成される。従って、絶縁膜３２が異物となってボンディング不良を生じさせることを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】電子部品をプリント配線板などにはんだ接続する際に、溶融したはんだによる電極間のショートの発生を防ぐことができるはんだペースト、電子部品、該電子部品を用いた電子機器の提供。
【解決手段】電極パッドを有する配線基板と、前記配線基板に実装され、複数の電極を有する部品と、前記部品を覆う封止樹脂と、前記配線基板内の配線を、外部の基板と接続する複数の端子とを有し、前記複数の電極が、前記電極パッドとはんだにより接続されており、前記はんだと前記封止樹脂との間に、前記はんだ側から、第１のヤング率を有する第１の樹脂層と、前記第１のヤング率よりも大きな値の第２のヤング率を有する第２の樹脂層とが順に形成されている電子部品である。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、耐湿熱性、低吸水性、機械特性、電気特性に優れるとともに、応力を緩和した樹脂層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１０は、半導体素子が配された半導体領域１２を一面１１ａに有する半導体基板１１と、半導体領域１２を少なくとも覆うように半導体基板１１の一面１１ａ側に配された保護層１５とを備え、保護層１５は第一の絶縁体層１３と第二の絶縁体層１４の積層体からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低誘電率特性、低リーク電流特性、および高絶縁破壊電圧特性に優れ、しかも、透明性が高い樹脂膜を備える半導体素子基板を提供すること。
【解決手段】バインダー樹脂（Ａ）、酸性基を有する化合物（Ｂ）、架橋剤（Ｃ）を含有してなる樹脂組成物からなる樹脂膜を有する半導体素子基板であって、前記架橋剤（Ｃ）は、分子量が１００〜５００であり、かつ、前記架橋剤（Ｃ）のＳＰ値をＳＰ_１とし、ＳＰ値が１９６２０（Ｊ／ＣＵＭ）^１／２であるアリルグリシジルエーテルのＳＰ値をＳＰ_２とした場合に、ＳＰ_１−ＳＰ_２＝−１９００〜５４００（Ｊ／ＣＵＭ）^１／２の関係にあるＳＰ値を有し、前記バインダー樹脂（Ａ）１００重量部に対する、前記架橋剤（Ｃ）の含有量が１〜５００重量部であり、前記樹脂膜は、前記半導体素子基板に実装されている半導体素子表面、または前記半導体素子に含まれる半導体層と接触して形成されており、該樹脂膜中の無機イオン含有量が１〜１０００ｐｐｂであることを特徴とする半導体素子基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】封止用の樹脂材料と基板表面との親和性や密着性の不足に起因する、発光効率のバラツキや、樹脂硬化物層の剥離等の問題が解消されたＬＥＤパッケージを提供する。
【解決手段】基板１４０上にＬＥＤチップ１１０を実装し、更に蛍光体１５０を含有する樹脂材料１６０で封止するＬＥＤパッケージにおいて、前記基板の前記樹脂材料と接触する表面に、アルコキシル基、エポキシ基、フェニル基、アルキル基、および（メタ）アクリル基からなる群から選択される少なくとも一種類以上の官能基を含む層を予め設ける。 （もっと読む）

【課題】ディスペンサーにより容易に塗布可能である粘度範囲において、塗布・乾燥後に十分な防湿性能を発現する厚みが確保できる固形分濃度であり、かつ、ガラス基材への密着性および長期絶縁信頼性に優れた防湿絶縁塗料、および該防湿絶縁塗料によって絶縁処理された電子部品を提供すること。
【解決手段】前記防湿絶縁塗料は、（ａ）熱可塑性ポリマー、（ｂ）シランカップリング剤および／または粘着付与剤、および（ｃ）酢酸ｎ−プロピルを必須成分とする。 （もっと読む）

【課題】洗浄の必要がなく、環境負荷を低減するとともに、電極表面に選択的に開口部を形成することや特定の表面を保護可能な選択的に硬化皮膜を形成する工程を含む電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面と、該表面に概略直交し、該表面とは異なる表面状態の端面とを有し、かつ端面のみに硬化皮膜を有する電子装置の製造方法であって、電子装置の端面に対する接触角が端面に連なる表面との接触角よりも小さい固化成形可能な液体を、端面の少なくとも一部に接するように塗布することにより、端面のみに該液体の塗膜を形成する工程、及び前記の塗膜を硬化させて硬化皮膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】現像、低温硬化が可能で、常温における保存性に優れており、かつ硬化後の皮膜特性として優れた接着性を有する感光性樹脂組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】環状オレフィン系樹脂（Ａ）、および有機ケイ素化合物（Ｂ）を含む感光性樹脂組成物であって、前記有機ケイ素化合物（Ｂ）が、一般式（１）で示される有機ケイ素化合物（Ｂ１）と硫黄を含有する有機ケイ素化合物（Ｂ２）とを含むことを特徴とする感光性樹脂組成物。
【化１】


（式（１）中、Ｒ₁は、炭素数５〜３０のアルキレン基、または芳香環を少なくとも１つ
以上含む有機基であり、Ｒ₂は炭素数１〜１０のアルキル基である。） （もっと読む）

【課題】ガスや水分によるＬＥＤチップまたはリードの劣化を防ぐことが可能な発光装置及び発光モジュールを提供する。
【解決手段】凹部６１ａを有する樹脂容器６１と、凹部６１ａの内側に露出した状態で配置される導体部と、凹部６１ａの内側に設けられ、導体部と電気的に接続される発光素子６４と、発光素子６４から出力される光に対する透光性を有し、凹部６１ａにおいて発光素子６４を封止する封止樹脂６５と、少なくとも封止樹脂６５上に積層されたバリア層９０と、を含む発光装置６０を採用する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ電子アセンブリの分野の技術、特に、パッケージ基板に装着されたマイクロ電子チップの上に形成される材料を提供する。
【解決手段】デバイスパッケージ化のための保護薄膜コーティング。誘電性薄膜コーティングが、成形複合物を付加する前にダイ表面及びパッケージ基板表面の上に形成される。保護薄膜コーティングは、バルク成形複合物からの又は成形複合物とダイ表面又は基板表面との間の界面からの水分浸透を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】樹脂バリの発生を抑制して良好な電気接続性及び接合強度を有する半導体装置とその製造方法を提供する。シリコーン樹脂と配線リードとの密着性を向上させ、良好な発光特性の発揮が可能なＬＥＤ装置とその製造方法を提供する。比較的短波長領域の発光を行う場合でも、十分な反射率を備え、優れた発光効率が発揮できるＬＥＤ装置とその製造方法を提供する。良好な製造効率を維持し、Ｓｎメッキ工程時の配線パターン層の損傷を回避して、優れたＳｎメッキ層の形成及び機械的強度、接合性を発揮できるフィルムキャリアテープとその製造方法を提供する。
【解決手段】ＱＦＰ１０のアウターリード３０１ａ境界領域の表面に、機能性有機分子１１の自己組織化により有機被膜１１０を形成する。機能性有機分子１１は金属結合性の第一官能基Ａ１、主鎖部Ｂ１、熱硬化性樹脂の硬化作用を呈する第二官能基Ｃ１で構成する。 （もっと読む）

【課題】 樹脂膜とした場合に微細孔が小さいベンゾオキサゾール樹脂前駆体を提供する
。
また、本発明の目的は、微細孔が小さくかつ低誘電率である樹脂膜およびそれを用いた半
導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明のベンゾオキサゾール樹脂前駆体は、活性エステル基又はカルボキ
シル基を有する。また、本発明のポリベンゾオキサゾール樹脂は、上記に記載のベンゾオ
キサゾール樹脂前駆体を反応して得られることを特徴とするものである。また、本発明の
樹脂膜は、上記に記載のポリベンゾオキサゾール樹脂を含む樹脂組成物で構成される。ま
た、本発明の半導体装置は、上記に記載の樹脂膜を有するものである。 （もっと読む）

【課題】導電性接着剤を介して基板と電子部品とを接続したものを、密着寄与剤を介してモールド樹脂で封止してなる電子装置において、導電性接着剤がガラス転移点以上になったとしても、導電性接着剤を介した電子部品と基板との電気的な接続抵抗値の上昇を抑制する。
【解決手段】電子部品２０の周囲に位置する密着寄与剤５０の内部に存在するボイドの径を１０００００μｍ₂以下とするか、もしくは、電子部品２０の周囲に位置する密着寄与剤５０の膜厚を２０ｕｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、厚さ精度、高さ均一性に優れ、かつ、段差埋め込み性に優れた樹脂組成物および該樹脂組成物を用いて作製した平坦性に優れる半導体装置を提供することにある。
【解決手段】（Ａ）環状オレフィンの重合体またはその水素添加物および（Ｂ）オキセタン化合物を含むことを特徴とする樹脂組成物および該該樹脂組成物を用いて作製した半導体装置である。好ましくは、前記オキセタン化合物（Ｂ）が、下記一般式（１）で示される構造を有することを特徴とする樹脂組成物である。
【化１】
（もっと読む）

【課題】スタックド構造のＭＣＰ製造時における作業性の欠点である接着剤の塗布などの工程を改善し接着剤を使用することなく半導体チップを積層することができ、かつ各種の信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）と光酸発生剤（Ｂ）を含む感光性樹脂組成物の樹脂層３を半導体チップ２の回路素子形成面上に有し、かつ半導体チップ上に積層する別の半導体チップ６の裏面が樹脂層に直接接触していることを特徴とするスタックド構造のＭＣＰの樹脂封止型半導体装置。 （もっと読む）