【課題】光半導体装置のパッケージ表面に形成され、リフロー工程（特に、吸湿処理後のリフロー工程）での加熱による封止材へのクラック発生や封止材の剥離等の不具合を抑制するプライマー層を形成するためのプライマー組成物を提供する。
【解決手段】光半導体装置のパッケージ表面にプライマー層を設けるために用いられるプライマー組成物であって、シランカップリング剤の縮合物と、表面調整剤と、溶剤とを必須成分として含むことを特徴とするプライマー組成物。 （もっと読む）

【課題】応力の緩和に優れた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】リードフレーム１と、リードフレーム１のダイパッド部１Ｂ上に実装された半導体素子３と、半導体素子３の少なくとも一部を被覆する保護膜５と、半導体素子３及び保護膜５を封止している封止樹脂６とを備え、保護膜５と封止樹脂６との間に、保護膜５と封止樹脂６が密着していない空隙層７が少なくとも１箇所存在する、半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】機能素子が保護基板により封止されたパッケージを簡便に製造することができ、かつ接合状態の信頼性が高い半導体パッケージを提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体パッケージ１は、機能素子１２が一方の面に配された半導体基板１１と、該一方の面上に接着層１４を介して接合された保護基板１６とを少なくとも備える半導体パッケージであって、前記接着層１４は、前記機能素子１２と重ならない領域αに複数の第一空間１３ａ（１３）を有し、該第一空間１３は互いに独立して、かつ、外部空間から孤立していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム系配線自体が優れた耐食性を有する半導体デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体デバイスは、アルミニウム系配線を有する半導体デバイスであって、前記アルミニウム系配線の表面には、単分子膜が形成されていることを特徴とする。本発明の半導体デバイスは、樹脂等の封止前にアルミニウム系配線の表面を水酸基と共有結合可能な有機シラン化合物の蒸気に曝すことにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２で作製された表面保護膜とポリシロキサンを主成分とする熱硬化性樹脂で作製されている被覆部との間に不均一な電荷分布が発生するのを回避して耐電圧性の低下を防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、ＳｉＣ ｐｎ接合ダイオード１０の表面を被覆すると共にＳｉＯ_２で作製された表面保護膜１６の膜厚を２μｍにすることによって、ＳｉＯ_２表面保護膜１６の静電容量を下げてＳｉＯ_２表面保護膜１６とシリコン樹脂で作製された被覆部２３との境界面に溜る電荷を低減できる。また、ＳｉＯ_２表面保護膜１６と被覆部２３との境界面を高電界がかかる表面保護膜(ＳｉＯ_２膜)１６とワイドギャップ半導体(ＳｉＣ等)との界面から離すことにより、表面保護膜(ＳｉＯ_２膜)１６と被覆部２３との境界面の電界を低減できる。これにより、表面保護膜１６と被覆部２３との境界面での絶縁破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】硬化性、及び紫外部での透明性に優れる硬化物、並びに耐熱性を保持したまま、ボイドの発生を抑制でき、光学特性に優れる半導体発光デバイス及びその製造方法の提供。
【解決手段】半導体発光デバイスは、基体上の発光素子を封止する封止層と、前記封止層を覆う被覆層とを有する半導体発光デバイスであって、前記封止層及び被覆層が、シラノール基又はアルコキシシリル基を有するポリオルガノシロキサンと、アルキルシリケートとの硬化物からなり、前記封止層及び被覆層の触媒として、それぞれ異なる有機金属化合物を用い、前記封止層の平均厚みが、前記被覆層の平均厚みよりも厚い。 （もっと読む）

【課題】半導体発光デバイスを搭載するように構成された基板を作製する工程を含む、半導体発光デバイスをパッケージする方法を提供すること。
【解決手段】半導体発光デバイスをパッケージングする方法は半導体発光デバイスを搭載するように構成された基板を作製するステップを含む。該基板は中に半導体発光デバイスを搭載するように構成された空洞を含んでもよい。該半導体発光デバイスは該基板上に搭載されて基板の接続部分に電気的に接続される。該基板は該半導体発光デバイス上に、該基板に接着された光素子を形成するために液体注入モールドされる。液体注入モールドのステップに先行して空洞の中の電気的に接続された半導体発光デバイス上に軟樹脂を塗布するステップがある。半導体発光デバイスの基板リボンも提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、チップ積層体を構成する複数の半導体チップ間、及びチップ積層体と配線基板と間の電気的接続信頼性を向上させることの可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】配線基板１１の主面１１ａに積層され、貫通電極３７を有した複数の半導体チップ３１，３２よりなり、かつ貫通電極３７を介して、複数の半導体チップ３１，３２及び配線基板１１が電気的に接続されたチップ積層体１２と、少なくとも複数の半導体チップ３１，３２の間、及びチップ積層体１２と配線基板１１の主面１１ａとの間に設けられ、チップ積層体１２を封止する第１の封止体１４と、配線基板１１の主面１１ａに設けられ、第１の封止体１４を覆う第２の封止体１５と、を有し、第１の封止体１４の弾性力を第２の封止体１５の弾性力よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】硫化水素のようなガス状硫黄化合物に対してほぼ不透過性である組成物を与え、様々な製品、特に電子部品用の保護コーティング、並びにかかるガス状硫黄化合物の作用から様々な製品を保護する方法を提供する。
【解決手段】ポリオレフィンとシロキサン又はポリシロキサンとを含み、硬化による二成分網目構造の反応生成物を生成し、５０℃における硫化水素の拡散係数又はメチルメルカプタンの拡散係数又はこれら両者の拡散係数が低いコーティング用の組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】配置板の主面に固定された半導体チップと接続端子とをワイヤで電気接続した上で、配置板の主面、半導体チップ及びワイヤを樹脂封止してなる半導体装置において、その安全性を確保しながらも、半導体チップと配置板とを接合する接合剤にクラックが発生することを抑制し、信頼性向上を図る半導体装置を提供する。
【解決手段】配置板１２の主面１２ａ、半導体チップ１３及びワイヤ１５を封止する硬質樹脂層２１と、流動性を有すると共に硬質樹脂層２１よりも柔らかい軟質樹脂層２２とを、配置板１２の主面１２ａに順次積層し、硬質樹脂層２１内に位置するワイヤ１５から軟質樹脂層２２までの距離を、ワイヤ１５の断線時に発生するエネルギーに基づいて硬質樹脂層２１に生じる亀裂が軟質樹脂層２２まで到達するように設定する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンディングが施された電子部品を合成樹脂によって被覆した構成において、ワイヤーを合成樹脂によって確実に被覆する。
【解決手段】ワイヤー１９が接合されたボンディング面２１、２２をシリコーン樹脂３０にて被覆してなるスイッチング装置１の製造方法であって、樹脂受け部４１を備えたケース１０内にシリコーン樹脂３０を注入する注入工程と、注入工程でシリコーン樹脂３０が注入されたケースを減圧下に置き、減圧によりシリコーン樹脂３０の液面を上昇させ、注入工程でシリコーン樹脂３０よりも上に露出していたワイヤー１９をシリコーン樹脂３０で被覆する減圧工程と、減圧工程でシリコーン樹脂３０の液面が上昇したことにより樹脂受け部４１に流入したシリコーン樹脂３０を検出する検出工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】熱可塑性と熱硬化性を呈し、かつ、耐光性及び耐熱性に優れるシリコーン樹脂を提供できるシリコーン樹脂用組成物、該組成物を反応させて得られる樹脂組成物、該組成物を含む光半導体素子封止材料、及び該封止材料により封止されている光半導体装置を提供すること。
【解決手段】イソシアネート基の反応とヒドロシリル化反応の２種類の反応に関する成分を含有するものであって、両末端アミノ型シリコーン樹脂、オルガノハイドロジェンシロキサン、ジイソシアネート、及びヒドロシリル化触媒を含有してなるシリコーン樹脂用組成物。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップを被覆する封止樹脂層(透光性樹脂層)と、蛍光体を含有する樹脂層(蛍光体含有樹脂層)とを含むシート状封止材において、ＬＥＤ点灯時に蛍光体含有樹脂層の温度上昇を抑制するシート状光半導体封止材、前記各樹脂層のシート状成形体を含む光半導体封止用キット、ならびに該封止材及びシートで封止している光半導体装置を提供すること。
【解決手段】無機粒子を含有する第一樹脂層と、その上に直接又は間接的に積層されてなる、蛍光体を含有する第二樹脂層を含んでなる、シート状光半導体封止材。 （もっと読む）

【課題】従来の封止方法では、パッケージの外部の水分が樹脂モールド等の層に浸入して上記チップ型デバイスへ浸入するという課題があり、耐湿性の高いデバイス封止体を提供すること、および耐湿性の高いデバイス封止体を効率よく製造できるデバイス封止体の製造方法を提供することを目的としていた。
【解決手段】本発明のデバイス封止体は、チップ型デバイスが樹脂層で封止されたチップ型デバイス本体と、前記チップ型デバイスが実装された基板と、前記基板上で、接着層を挟んで前記チップ型デバイス本体を囲繞するように設けられた耐湿層と、を備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】高温下においても封止樹脂の酸化劣化を抑制し、封止方法および封止樹脂は従来通りのものを使用することができ、ヒートサイクル試験や高温動作などの信頼性試験でも、絶縁破壊電圧が低下しない、信頼性の高い半導体装置を得る。
【解決手段】半導体装置は、１５０℃以上でも動作する半導体素子、基板、端子、封止樹脂、配線、接合材、ケースを有する半導体装置において、上記封止樹脂よりも熱分解温度の高い被覆樹脂を用いて上記封止樹脂または上記ケースが外気に触れる箇所を被覆する。 （もっと読む）

【課題】易発塵性基板を用いても清浄度の高い雰囲気内で発塵を抑えることができる電子部品パッケージ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の電子部品パッケージは、一対の主面及び端面を有する回路基板１と、前記回路基板１の一方の主面上に実装された容量型湿度センサと、前記易発塵性基板の端面以外の前記一方の主面上において前記容量型湿度センサを封止する封止樹脂２と、前記回路基板１の少なくとも前記端面を覆う端面保護層８と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金型の凹凸形状が良好に転写され、かつ、該凹凸形状が封止加工後にも維持される、光半導体封止用シート、及び該シートで封止してなる光半導体装置を提供すること。
【解決手段】剥離シートの上に封止樹脂層が積層されてなる光半導体封止用シートにおいて、前記剥離シートが封止樹脂層との界面に、凹形状及び／又は凸形状を有する凹凸部形成層を含み、かつ、前記封止樹脂層が剥離シートとの界面に、剥離シートの凹形状に嵌合する凸形状及び／又は剥離シートの凸形状に嵌合する凹形状を有してなる光半導体封止用シートであって、前記剥離シートの150℃における貯蔵弾性率が10MPa〜1000MPaであり、150℃におけるシート伸び率が5.00％以下である、光半導体封止用シート。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置用パッケージとこれを用いた光半導体装置において、シリコーン樹脂等の透明封止樹脂と、キャビティ内の素子搭載部もしくは光反射被膜との密着性を向上させることにより、外部からキャビティ内への水分や酸素ガス等の侵入を防ぎ、素子搭載部もしくは光反射被膜の硫化現象や酸化現象による変色を防止して良好な発光特性を維持する。
【解決手段】キャビティ１０４内の底面１０４ａの素子接続部１０４ｂと、キャビティ１０４の内側面１０４ｃの光反射被膜１０５の各表面に、機能性有機分子１の自己組織化によって形成される有機被膜２を被覆させる。機能性有機分子１の第一官能基を素子接続部１０４ｂ及び光反射被膜１０５に結合させ、第二官能基に防汚性、樹脂硬化性若しくは樹脂硬化促進性を持たせる。この第二官能基を有機被膜２の表面に配向させる。有機被膜２の上に透明封止樹脂１０７を充填する。 （もっと読む）

【課題】柱状電極を有する半導体装置に関し、熱応力に対して優れた耐久性のある半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の電極パッド１２を有する半導体素子１４と、前記複数の電極パッドに接続された複数の柱状電極１６と、半導体素子及び柱状電極を覆う樹脂層１８と、柱状電極に電気的に接続されるように樹脂層の表面に配置された外部端子２０と、半導体素子の電極パッド１２と柱状電極１６との間に設けられる再配線導体部分５０とを備え、前記樹脂層１８はスピンコートされた比較的に軟らかい樹脂からなる。 （もっと読む）

【課題】機械的なストレスを減少させた半導体デバイスを提供する。
【解決手段】キャリア及び集積回路（１０）を有する半導体デバイスにおいて、前記集積回路は、１つ以上の半導体素子と、前記半導体素子が接している１つ以上の接続領域と、前記接続領域を覆うパッシベーションレイヤ（２０）とを有し、エンベロープにより周囲から絶縁され、前記エンベロープは相互境界面を持つ内部レイヤ（２１）及び外部レイヤ（１６）を有し、前記キャリアは、前記接続領域に接続手段により接続される導電部分を有し、前記相互境界面が、前記内部レイヤと前記外部レイヤとが分離した領域である層間剥離エリア（２２）を完全に囲み、その結果、前記層間剥離エリアが前記接続領域から絶縁される。 （もっと読む）