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Fターム[4M109ED10]の内容

Fターム[4M109ED10]に分類される特許

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【課題】電子部品をプリント配線板などにはんだ接続する際に、溶融したはんだによる電極間のショートの発生を防ぐことができるはんだペースト、電子部品、該電子部品を用いた電子機器の提供。
【解決手段】電極パッドを有する配線基板と、前記配線基板に実装され、複数の電極を有する部品と、前記部品を覆う封止樹脂と、前記配線基板内の配線を、外部の基板と接続する複数の端子とを有し、前記複数の電極が、前記電極パッドとはんだにより接続されており、前記はんだと前記封止樹脂との間に、前記はんだ側から、第1のヤング率を有する第1の樹脂層と、前記第1のヤング率よりも大きな値の第2のヤング率を有する第2の樹脂層とが順に形成されている電子部品である。 (もっと読む)


【課題】耐熱性及び耐熱着色性に優れたウレタン樹脂組成物、硬化体及び光半導体装置を提供すること。
【解決手段】(A)ポリオール成分と、(B)ポリイソシアネート成分と、を含むウレタン樹脂組成物であって、(B)ポリイソシアネート成分は、第二級炭素原子に結合したイソシアネート基を少なくとも1つ有する2官能又は3官能の脂環式ポリイソシアネート、及び、上記脂環式ポリイソシアネートのイソシアネート基残存プレポリマーのいずれか一方又は両方を、(B)ポリイソシアネート成分の全量を基準として30質量%以上含有し、(B)ポリイソシアネート成分のイソシアネート基当量と、(A)ポリオール成分の水酸基当量との比(イソシアネート基当量/水酸基当量)が、1.0より大きく1.4以下である、ウレタン樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】可撓性を有する保護材料が表面に形成された半導体装置を作製するにあたり、保護材料設置の際や接着処理の際に保護材料に位置ズレが生じても、端子部上に保護材料が接着される部分が発生することがなく、高い歩留まりを維持することが可能な半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板100上に設けられた端子部104の長さが5mm以下である場合において、端子部104の長さをXとすると、素子部上に厚さ0.38X以上2mm以下の段差層を設けることにより、段差層上に素子部を覆う状態に設置された保護材料110が端子部104上に重畳しても、端子部104表面と保護材料110の間に空間が設けられる。この状態で、表面硬度50以上100以下の弾性材料を備えた貼り合わせ部材116を用いて、保護材料110と基板100を貼り合わせればよい。 (もっと読む)


【課題】透明性が高く、半導体チップボンディング時のパターン又は位置表示の認識を容易なものとする半導体接合用接着剤を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂と、無機フィラーと、硬化剤とを含有する半導体接合用接着剤であって、前記エポキシ樹脂と前記無機フィラーとの屈折率の差が0.1以下である半導体接合用接着剤。 (もっと読む)


【課題】 300℃以上の高温で半導体チップと基板又は半導体チップ間を半導体封止用接着剤を介して接続する場合のボイドの発生を十分に抑制できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 バンプ又は金属配線を有する半導体チップとバンプ又は金属配線を有する基板とを、半導体封止用接着剤を介して300℃以上の温度で接続するとともに、上記半導体チップと上記基板との間の空隙を上記半導体封止用接着剤で封止充てんする工程を有しており、上記半導体封止用接着剤として、(a)熱重量減少量が350℃で50%以下であるエポキシ樹脂と、(b)熱重量減少量が350℃で50%以下である硬化剤と、を含有する半導体封止用接着剤を用いる、半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】表面に空間を必要とする素子のパッケージングを感光性耐熱樹脂を用いて行う際
に、感光性耐熱樹脂から成るパッケージ材料と基板の接着強度が小さいという課題がある

【解決手段】上記課題を解決するため本発明ではパッケージング材として用いる感光性耐
熱樹脂と基板の間に感光性ポリイミドを用いて接着層を形成する。この感光性ポリイミド
を用いた接着層は、立体配線用絶縁材を兼用して形成することで、工程を省略することが
可能となる。 (もっと読む)


【課題】半導体基板上に配置される光透過性保護部材にキズやクラック等が生じることを抑制することによって、半導体装置の受光特性や製造歩留り等を向上させる。
【解決手段】半導体装置1は、第1の主面2aに受光部3と電極4とが設けられた半導体基板2を具備する。半導体基板2は第1の主面2aと第2の主面2bとを繋ぐ貫通配線層6を有する。半導体基板2上には第1の主面2aを覆うように光透過性保護部材9が配置されている。受光部3上には所定の間隙11が形成される。光透過性保護部材9の表面9aには保護膜12が形成されている。保護膜12は受光部3に対応する領域に設けられた開口12aを有する。 (もっと読む)


【課題】MEMSデバイスと半導体デバイスとを接続する配線に、段差による断線が生じるのを可及的に防止することができるとともに、製造コストの安い半導体装置およびその製造方法を提供することを可能にする。
【解決手段】内部に中空構造のMEMSデバイス2を含み、MEMSデバイスと電気的に接続される第1パッド5が上面に形成された第1チップ1と、内部に半導体デバイスを含み、半導体デバイスと電気的に接続される第2パッド11、12が上面に形成された第2チップ10A、10Bと、第1チップの側面と第2チップの側面とを接着する接着部25と、第1および第2チップの上面ならびに接着部の上面を覆い、上面が実質的に平坦であってかつ第1および第2パッドに接続するコンタクト孔が開口された絶縁膜20と、絶縁膜上に形成され、第1および第2パッドに接続する配線40と、を備え、絶縁膜は、MEMSデバイスを封止していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体発光素子との熱膨張率の差が小さく、ガラス転移点が低く抑えられたガラスによって被覆されたガラス被覆発光素子及びガラス被覆発光装置を提供する。
【解決手段】ガラス被覆発光素子は、酸化物基準のモル%表示で、P 27〜35%、ZnO 25〜45%、SnO 25〜40%、B及びCaOから選ばれる少なくとも1種0.1〜10%から本質的になり、結晶化ピーク温度とガラス転移温度との差が150℃以上である。 (もっと読む)


光感受性プリンテッドエレクトロニクス基板のための保護用フォトクロミックバリア層が提供される。絶縁基板10上の光感受性半導体デバイス12は、導電体によって電気的に接続されている。フォトクロミック染料22を含むバリア層20は、光感受性半導体デバイス12の一部又は全てを覆う。可視光、赤外線光、又は紫外線光に晒されたとき、フォトクロミック染料22はその化学的構造を変化させると共に、光感受性半導体デバイスに衝突する可視又は不可視光線の選択された波長の量を減少させる。可視光、赤外線光、又は紫外線光が除去されたとき、フォトクロミック染料22は初期の化学構造に戻るか、或いは変化した状態のまま維持される。
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【課題】従来のチップパッケージ構造の光透過率が低いという課題を解決することができるパッケージ用保護部材を提供する。
【解決手段】接着層330を備えるチップパッケージ構造物300は、チップ310、パッケージ用保護部材320、接着層330を備える。チップ310は動作面312を有する。画像検出装置314は、動作面312上に配置され、複数のコンタクトパッド316は、画像検出装置314の周囲に配置される。パッケージ用保護部材320は、動作面312上に配置される。パッケージ用保護部材320は基板322を有し、基板322上に支持部324を有する。それにより、支持部324は、基板322上の空洞Sを区切る。支持部324は、動作面312上の画像検出装置314が空洞Sの内部に位置するように、動作面312と接触させてもよい。接着層330は、支持部324と動作面312との間に配置されている。 (もっと読む)


【課題】簡易に形成され、且つ防汚性に優れた皮膜を備える光学半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
光学半導体装置10は、基板15と、光学素子11が形成されダイパッド14を介して基板15上に設置されたベアチップ13と、ベアチップ13上に形成された電極パッド12と、基板15上に形成され電極パッド12とワイヤ17によって電気的に接続された電極端子16とを備え、半導体装置全体が透光性の封止膜18で封止される。更に、光学半導体装置10は封止膜18上に、活性エネルギー線硬化性のシリコーン系化合物および/または活性エネルギー線硬化性のフッ素系化合物樹脂から形成された防汚膜19を備える。 (もっと読む)


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