【課題】温度差が生じても従来よりは絶縁部材の剥離を抑止することができる半導体モジュールを提供することである。
【解決手段】複数の半導体素子１６と、各半導体素子１６で生じる熱を放出する放熱部１５と、少なくとも半導体素子１６を覆う絶縁部材１４とを備える半導体モジュール１０において、絶縁部材１４は、半導体モジュール１０の全表面を覆うか、または、複数面を周回して覆うことを特徴とする構成である。この構成によれば、絶縁部材１４は半導体モジュール１０の全表面を覆うか、または、複数面を周回して覆う。放熱部１５と絶縁部材１４との間に生じる温度差に基づく線膨張係数差による応力が発生しても、従来よりは絶縁部材１４の剥離を抑止することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子で発生した熱を、簡易な構成で更に効率良く外部に放散させることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体装置１０は、一方の主面１２ｐが大気に露出している金属板１２と、金属板１２の他方の主面１２ｑ上に形成され、高熱伝導絶縁樹脂で構成される絶縁層１４と、絶縁層１４上に形成された導体パターン１６と、導体パターン１６に実装された半導体素子２０と、導体パターン１６に接合されたリードピン２２と、金属板１２の他方の主面１２ｑ側を覆う樹脂部２４と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤパッケージの放熱性能の向上を小型化や低コスト化と両立させながら実現する。
【解決手段】搭載部材１１に搭載したＬＥＤ素子１２の全周を取り囲むように高熱伝導性絶縁材料１４がインクジェット、ディスペンサ等により設けられている。高熱伝導性絶縁材料１４は、封止材料１８よりも熱伝導率が高い絶縁材料で形成され、ＬＥＤ素子１２全周の側面と搭載部材１１とに密着して、ＬＥＤ素子１２全周の側面から熱を搭載部材１１へ効率良く伝達する放熱経路の構成材として機能すると共に、ＬＥＤ素子１２の側面上端から搭載部材１の上面に向けて傾斜するスロープ状に形成されている。高熱伝導性絶縁材料１４の上面に、インクジェット、ディスペンサ等の液滴吐出法により配線１７が形成され、この配線１７によってＬＥＤ素子１２の電極部１３と搭載部材１１の電極部１６とが接続されている。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂の成形性と放熱性を高いレベルで両立させた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、アイランド１２と、アイランド１２の上面に実装された半導体素子２０と、外部接続端子として機能するリード１４と、これらを一体的に被覆して機械的に支持する封止樹脂１５とを主要に備えた構成となっている。更に、封止樹脂１５は、半導体素子２０等を直に樹脂封止する第１封止樹脂１６と、この第１封止樹脂１６を更に封止する第２封止樹脂１８から構成される。 （もっと読む）

【課題】放熱板に半導体素子が実装された半導体装置において、半導体素子と半導体素子及び放熱板を封止する封止樹脂との密着性を確保するとともに、封止樹脂により封止された半導体装置の逆反りを低減することを目的とする。
【解決手段】銅を主成分とする金属または銅からなる放熱板３の一方の面に半導体素子１が実装され、半導体素子１が封止樹脂８で樹脂封止され、封止樹脂８は、第１の封止樹脂８ａと、第１の封止樹脂８ａよりも大きな熱膨張係数を有する第２の封止樹脂８ｂとを含み、第１の封止樹脂８ａは半導体素子１を覆うように形成され、第２の封止樹脂８ｂは第１の封止樹脂８ａの外側に形成された。 （もっと読む）

【課題】半導体装置内部で発生する熱を効率的に外部へ放熱する。
【解決手段】半導体装置１は、リードフレーム２に実装された半導体素子３、半導体素子３内に設けられた第１伝熱層４、第１伝熱層４に接続された第２伝熱層５、第２伝熱層５に接続された第３伝熱層６、及び樹脂層７を含む。樹脂層７は、半導体素子３、第１伝熱層４、第２伝熱層５を封止し、樹脂層７からは第３伝熱層６が表出する。半導体素子３で発生した熱は、第１伝熱層４、第２伝熱層５、第３伝熱層６へと効率的に伝熱され、樹脂層７から表出する第３伝熱層６から外部へと放熱される。 （もっと読む）

【課題】 信頼性を向上可能な半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体パッケージ１は、パッケージ基板８０、およびパッケージ基板８０の上に実装されるチップ積層体１０を備える。チップ積層体１０とパッケージ基板８０とは、チップ積層体１０の第１半導体チップ１００とパッケージ基板８０との間に配置されるソルダボール１１０を介して電気的に連結される。第１半導体チップ１００の上には第２半導体チップ２００が積層される。第２半導体チップ２００の上面２００ｓは、平坦化されたモールディング膜３５０に覆われることなく露出し、放熱膜４０１と直接接触する。これにより、第１半導体チップ１００および第２半導体チップ２００で発生する熱は、放熱膜４０１を通じて容易に放出することができる。 （もっと読む）

【課題】放熱性を確保しつつ、ＩＣチップにノイズが侵入することを抑制できるＩＣパッケージ、ＩＣパッケージが配線基板に実装された回路基板、及び回路基板を備えた電子装置を提供すること。
【解決手段】電子装置１００は、ＩＣパッケージ１０と、配線基板３０と、ＩＣパッケージ１０及び配線基板３０が収納される金属製のケース４０とを備える。配線基板３０は、絶縁基材３１に設けられたグランド層３２に電気的に接続されたグランド用パターン３３及び迂回用パターン３５を備える。ＩＣパッケージ１０は、ＩＣチップ１１と、ＩＣチップ１１とケース４０とに熱的に接続された金属製の放熱板１７と、グランド用パターン３３とＩＣチップ１１とに電気的に接続されたグランド端子１５と、グランド用パターン３３と放熱板１７とに電気的に接続された迂回端子１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】封止する樹脂における半導体素子及び導電部材に至るクラックの発生を防止するとともに導電部材及び放熱部材の間の絶縁を確実に行うことを可能にする放熱部材付き半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】放熱部材付き半導体装置１０１は、半導体チップ１と、ダイパッド部２ａと、ヒートシンク３と、ダイパッド部２ａ及びヒートシンク３の間に間隙ｇ１を形成し且つ同様の構成を有する第一樹脂ブロック１０及び第二樹脂ブロック２０とを備える。第一樹脂ブロック１０は、第一樹脂材料からなる第一樹脂層１１、第三樹脂層１３と、第二樹脂材料からなる第二樹脂層１２とを有し、第一樹脂層１１はダイパッド部２ａと接触し、第二樹脂層１２はダイパッド部２ａと接触しない。なお、第一樹脂材料は、第二樹脂材料より低い融点を有している。さらに、放熱部材付き半導体装置１０１は、第一樹脂材料からなる封止用樹脂４で樹脂封止されている。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、半導体素子と導電パターンとの隙間が確保され難く、アンダーフィル材にて充填していたため、放熱性が悪く、量産性に適さないという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、半導体素子２と導電パターン９Ａ〜９Ｃとの間にはスペーサー１１Ａ〜１１Ｄが配置され、半導体素子２と導電パターン９Ａ〜９Ｃとの間隙間の幅Ｗ１は、スペーサー１１Ａ〜１１Ｄの膜厚となる。この構造により、半導体素子２下面の隙間の幅Ｗ１が一定に保たれ、その隙間への樹脂の充填性が向上される。そして、トランスファーモールドを用いることが可能となり、量産性に適した構造となる。 （もっと読む）

【課題】優れた放熱性を有し、かつ、電子部品（回路部品）を回路基板に強固に固定できる回路モジュールを提供する。
【解決手段】回路基板１２には、主面Ｓ２に凹部Ｇが設けられている。ＩＣチップ１４は、凹部Ｇ内に実装されている。絶縁性樹脂１６は、凹部Ｇを埋めるように充填されている。ビアホール導体Ｖ１〜Ｖ５は、絶縁性樹脂１６に設けられている。グランド電極１８は、絶縁性樹脂１６が充填された凹部Ｇを覆っている。ビアホール導体Ｖ１〜Ｖ５の一端は、グランド電極１８に接触している。ビアホール導体Ｖ１〜Ｖ５の他端は、ＩＣチップ１４に接触している。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂を含む半導体装置の放熱特性を良好に制御するとともに、品質を向上させる。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１０２と、基板１０２上に搭載された半導体チップ１０４と、半導体チップ１０４を封止する封止樹脂１１０と、半導体チップ１０４上に配置されるとともに、封止樹脂１１０と接触して設けられた放熱材料（１３０）と、を含み、封止樹脂１１０は、第１の樹脂組成物により構成された第１の樹脂領域１１２、第２の樹脂組成物により構成された第２の樹脂領域１１６と、第１の樹脂領域１１２および第２の樹脂領域１１６の間に形成されるとともに第１の樹脂組成物および第２の樹脂組成物が混合された混合層１１４とを含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁信頼性の低下を抑制しつつ放熱性の向上が図られた半導体モジュールと、絶縁信頼性の低下を抑制しつつ放熱性に優れた半導体モジュールを製造しうる半導体モジュールの製造方法の提供を課題としている。
【解決手段】上面側に半導体素子が搭載されているヒートスプレッダを有し、該ヒートスプレッダの下面に樹脂組成物によって形成されている絶縁層が接着されており、該絶縁層の下面に金属シートによって形成されている金属シート層が接着され、該金属シート層の下面を露出させて前記半導体素子及び前記ヒートスプレッダを覆う樹脂モールドが施されている半導体モジュールであって、前記金属シート層は、前記絶縁層が前記ヒートスプレッダの下面を覆う面積よりも小面積となるように形成されて前記ヒートスプレッダの下面中央部に配されており、前記樹脂モールドが、前記金属シート層の外側において前記絶縁層の下面に接着し、前記ヒートスプレッダを下面側から被覆していることを特徴とする半導体モジュールなどを提供する。 （もっと読む）

本発明は、前面側（１２）と呼称されるチップの１つの面に接続パッド（１１）を有するチップ（１０）を含む再構成ウエハ（１）の製造方法に関する。この方法は、次のステップ、すなわち、
−チップ（１０）を、接着支持体（２０）の上の所定位置に、前面側を下にして載せるステップと、
−チップを封止するために支持体（２０）上に樹脂（５０）を堆積させるステップと、
−その樹脂（５０）を硬化させるステップと、
を含む。さらに、この方法は、樹脂堆積ステップの前に、チップの上に、チップを位置決めするための支持ウエハ（４０）であって、チップの１つの面上（１２、１３）に載せられる部分を有する支持ウエハ（４０）を接合するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れた実装構造を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の回路基板３の側端面に配線電極７が露出するように配設される。第１の回路基板３にＩＣチップを含む半導体部品１並びに電子部品２Ａおよび２Ｂが実装される。半導体部品１並びに電子部品の少なくとも一部を覆うように樹脂からなるモールド体５が形成される。モールド体５の表面を、導電性材料からなる被覆部６が多い、その被覆部６が、配線電極７と接触するように形成される。 （もっと読む）

【課題】高熱伝導性の樹脂により被覆された半導体素子を備えた半導体装置、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、搭載領域と、この搭載領域に隣接する周辺領域とを有する回路基板２を準備する工程と、前記搭載領域上に半導体素子１を搭載する工程と、半導体素子１の側面および前記周辺領域上を第１の樹脂３ｂにより被覆する工程と、第１の樹脂３ｂから露出した半導体素子１の表面および第１の樹脂３ｂ上を第２の樹脂３ａにより被覆する工程とを備え、第１の樹脂３ｂは第２の樹脂３ａより高い流動性を有し、第２の樹脂３ａは第１の樹脂３ｂより高い熱伝導率を有する。 （もっと読む）

【課題】放熱性を確保するために、高放熱樹脂と低応力樹脂を使用して樹脂封止するように構成しながら、２種類の樹脂の密着性を十分に確保する。
【解決手段】本発明の電子回路装置１は、発熱部品６、８が装着されたリードフレーム２を備え、リードフレーム２の放熱する側の面を覆うようにモールドされた高放熱樹脂１３を備え、発熱部品６、８、リードフレーム２および高放熱樹脂１３を覆うと共に、高放熱樹脂１３の放熱面が露出するようにモールドされた低応力樹脂１４を備え、更に、低応力樹脂１４でモールドする際に、高放熱樹脂１３を半硬化状態に保つように構成したものである。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの裏面が樹脂部から露出した半導体装置において、樹脂部と半導体チップとの熱膨張係数の違いによる反りを抑制すること。
【解決手段】本発明は、半導体チップ１０と、半導体チップ１０と電気的に接続された接続端子３０と、半導体チップ１０の回路１２が形成された面と反対の面である下面が露出するように、半導体チップ１０と接続端子３０とを封止する樹脂部４０と、半導体チップ１０上に設けられ、上面が樹脂部４０から露出し、熱膨張係数が樹脂部４０より小さい第１チップ２０と、を具備する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造可能な信頼性の高いパワーモジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】金属ベースと、絶縁基板と、パワー半導体素子、制御回路及び外部電極端子を少なくとも含む電子部品とが接着性樹脂で封止され、且つ前記接着性樹脂の表面が熱可塑性樹脂で被覆されていることを特徴とするパワーモジュールとする。また、金属ベース、絶縁基板、並びにパワー半導体素子、制御回路及び外部電極端子を少なくとも含む電子部品の表面に接着性樹脂をポッティングすることにより、前記金属ベース、前記絶縁基板及び前記電子部品を前記接着性樹脂で封止する工程と、前記接着性樹脂の表面に熱可塑性樹脂を射出成形することにより、前記接着性樹脂の表面を前記熱可塑性樹脂で被覆する工程とを含むことを特徴とするパワーモジュールの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】薄型の半導体パッケージの成形に際して、無機質充填剤の高充填においても高い流動性を有し、成形時のワイヤー流れ等の発生が抑制され、優れた成形性を有する半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】熱硬化性樹脂、硬化剤および無機質充填剤を含有してなる半導体封止用樹脂組成物であって、上記無機質充填剤が下記に示す無機粉末（Ａ）を主成分とする。
（Ａ）下記の（ａ１）および（ａ２）からなる無機粉末であって、その割合が、重量比で、〔（ａ１）／（ａ２）〕＝９９／１〜７０／３０の範囲に設定されている無機粉末。
（ａ１）体積頻度粒度分布における２．０〜１００．０μｍの領域内に２つの極大頻度値を有する無機粉末であって、空間率εが４０％未満である無機粉末。
（ａ２）体積頻度粒度分布における０．１μｍ以上２．０μｍ未満の領域に１つの極大頻度値を有する無機粉末。 （もっと読む）