【課題】配線の欠陥の低減を図った加速度センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】加速度センサが，拡散層から構成されるピエゾ抵抗素子と，拡散層を被覆する第１の絶縁層と，第１の絶縁層を貫通して前記拡散層に接続される層間接続導体と，絶縁層上に配置されて層間接続導体に接続される配線と，を有し，かつＡｌとＮｄとを含む導体部と，導体部を被覆する第２の絶縁層と，を具備する。 （もっと読む）

【課題】加速度センサの小型化、薄型化を維持して、加速度の検出感度を高めることを可能とする。
【解決手段】支持部２１に一端が支持された複数の弾性支持部２２と、前記各弾性支持部２２の他端側に支持された質量部２３と、前記質量部２３の変位検出手段２５とを備えた加速度センサ１であって、前記各弾性支持部２２に支持される側の前記質量部２３に凹部２４が形成され、前記弾性支持部２２は前記凹部２４内で前記質量部２３から離間させた状態で延長形成されて前記質量部２３を支持しているものである。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性を劣化させずに感度を向上させる。
【解決手段】錘３０と、台座２０と、梁４０と、ピエゾ抵抗素子５０とを備えている。錘は、加速度を受けて変位する。台座は、錘の周囲に、錘と離間して配置されている。梁は、一端が錘に接続され、及び他端が台座に接続されている。ここで、梁は、厚膜部４２と、厚膜部よりも厚みが薄い薄膜部４４とを備えている。ピエゾ抵抗素子は、厚膜部と薄膜部とに渡って形成されている。 （もっと読む）

【課題】センサチップの平面形状が小型化されても各軸力間の検知バランスを良好に保持し、印加外力が連結部に応力集中するのを防止してチップ破損を防止し、また各歪み検出素子のひずみ検出量の設計誤差を生じにくくできる力覚センサ用チップを提供する。
【解決手段】力覚センサ用チップ１は、多軸力センサ機能を有する力覚センサ用チップであって、外力作用領域部４Ａを有する作用部４、この作用部を支持する支持部３、作用部と支持部を連結する連結部５Ａ〜５Ｄを備えるベース部材２と、連結部内、または連結部と作用部との境界に設けられた歪み抵抗素子Ｓxa1〜Ｓxa3，Ｓxb1〜Ｓxb3，Ｓya1〜Ｓya3，Ｓyb1〜Ｓyb3とを備え、さらに、ベース部材は、薄く形成された薄化領域２０を有し、薄化領域の境界は支持部および作用部に配されるように構成される。 （もっと読む）

【課題】信頼性と精度の高い加速度センサの製造方法を提供する。
【解決手段】２枚のシリコン基板１０，２０を絶縁層３０で貼り合わせたＳＯ
Ｉウェハをエッチングし、第１のシリコン基板１０に開口部１１を設けることに
よって、周辺固定部１２、錘固定部１３、梁部１４、ストッパ部１５の各領域を
形成する。一方、第２のシリコン基板２０には、台座部２１とこの台座部よりも
若干薄い錘部２３を形成する。そして、周辺固定部１２と台座部２１、及び錘固
定部１３と錘部２３の接続箇所以外の絶縁層３０をエッチングで除去する。錘部
２３とストッパ部１５が重なるような寸法に形成することにより、この錘部２３
の加速度による変位は、ストッパ部１５と台座部２１が固定された容器の底面で
制限される。これにより、過大な加速度による破壊を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】センシング部と回路部とを形成したセンサ基板に関する電気的特性の検査を容易かつ詳細に行うことを可能としたセンサパッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】センサウェハ１０に、センシング部および回路部を有するセンサ基板１を形成する。また、パッケージウェハ２０に、センサ基板１に設けた端子と電気的に接続される貫通孔配線を有した電極形成基板２を形成する。センサウェハ１０とパッケージウェハ２０とを接合した後、センサウェハ１０に形成されているセンサ基板１におけるセンシング部と回路部との電気的特性を総合的に検査する。検査を行った後にセンサ基板１および電極形成基板２の積層体を個別に切断分離する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面に形成された絶縁膜の応力によってセンサ部の特性が悪化するのを抑制したセンサ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】センサ装置のセンサ本体１は、枠状のフレーム部１１を備え、フレーム部１１の内側に配置される重り部１２が、センサ本体１の主表面側において可撓性を有する撓み部１３を介してフレーム部１１に揺動自在に支持されている。重り部１２と撓み部１３とからなる可動部１５には可動部１５の撓みを検出するセンシング部が、フレーム部１１にはセンシング部と協働するＩＣ部Ｅ２がそれぞれ形成されている。ここで、センサ本体１の主表面に、表面絶縁膜１６と多層構造部４１とからなる表面保護層４４を全面に形成した後、可動部１５に形成された表面保護層４４は一部（多層構造部４１）をエッチングにより除去し、表面絶縁膜１６のみとして、膜厚を薄くしてある。 （もっと読む）

【課題】少なくとも、半導体基板の主表面側にセンシング部およびセンシング部と協働するＩＣ部を形成したセンサ基板と、センシング部に電気的に接続される複数の貫通孔配線を形成したパッケージ用基板とを用いて製造するセンサ装置の製造歩留まりの向上を図れるセンサ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板であるＳＯＩ基板１０の主表面側に形成された表面絶縁膜１６と多層構造部４１とからなる多層絶縁膜のうち接合用領域部Ｅ３に形成されている部位をエッチバックし、表面絶縁膜１６上に封止用金属層１８および電気接続用金属層１９を形成する。センサ部Ｅ１の重り部１２、撓み部１３などを形成してから、センサ基板１と第２のパッケージ用基板３とを常温接合し、センサ基板１と第１のパッケージ用基板２との封止用金属層１８，２８同士および電気接続用金属層１９，２９同士を直接接合する。 （もっと読む）

【課題】パッケージで可動部の移動を規制しかつフリップチップ実装を行うことにより、低背化が可能なセンサ装置を提供する。
【解決手段】センサチップ１は半導体基板により形成され、センシング部Ｄｓを備えるとともに電極１９を備える。センシング部Ｄｓはセンサチップ１の厚み方向への変位が許容された質量体１２と撓み部１３とを備える。センサチップ１は、電極形成基板２とカバー基板３とからなるパッケージに収納され、パッケージの内側面であってセンサチップ１と対向する一面にはバンプ２１が形成される。バンプ２１は、センサチップ１のフリップチップ実装に用いられ、バンプ２１の突出寸法は、質量体１２の変位を許容し、かつ質量体１２の変位量を規制するように設定される。したがって、電極形成基板２が質量体１２の移動を規制するストッパとして機能する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて低背化を図れるセンサ装置を提供する。
【解決手段】センサ装置１は、シリコン基板からなる支持基板１０ａ上の絶縁層１０ｂ上にシリコン層１０ｃを有するＳＯＩ基板１０を用いて形成されており、重り部１２と４つの撓み部１３とで構成される可動部を有し当該可動部にピエゾ抵抗Ｒｘ１〜Ｒｘ４，Ｒｙ１〜Ｒｙ４，Ｒｚ１〜Ｒｚ４が形成されたセンサ部（３軸加速度センサ部）Ｅ１と、センサ部Ｅ１と協働するＩＣ部Ｅ２とを備えている。各ピエゾ抵抗Ｒｘ１〜Ｒｘ４，Ｒｙ１〜Ｒｙ４，Ｒｚ１〜Ｒｚ４およびＩＣ部Ｅ２をＳＯＩ基板１０のシリコン層１０ｃに形成してある。 （もっと読む）

【課題】センシング部と協働する回路部を備えながらも実装面積を小さくすることが可能なセンサモジュールを提供する。
【解決手段】センサ基板１はセンシング部Ｄｓを備える。センサ基板１は、外部回路に接続するパッド電極２５を形成した電極形成基板２と、集積回路からなる回路部Ｄｃを形成した回路形成基板３との間に積層される。センサ基板１と電極形成基板２と回路形成基板３とはそれぞれ周部に形成した封止用金属層１８，２８，３８，４８を接合することにより封着される。センサ基板１および電極形成基板２には貫通孔配線２４，４４が形成され、センサ基板１のセンシング部Ｄｓと回路形成基板３の回路部Ｄｃと電極形成基板２のパッド電極２５とが、貫通孔配線２４，４４を通して電気的に接続される。回路部Ｄｃとセンシング部Ｄｓと貫通孔配線２４，４４とは封止される。 （もっと読む）

【課題】小型化しながらも外部回路と接続するためのパッド電極のレイアウトの自由度を高めることができるセンサ装置を提供する。
【解決手段】センサ基板１はセンシング部Ｄｓを備え接続用金属層１９が配列される。センサ基板１には電極形成基板２が積層される。電極形成基板２においてセンサ基板１と対向する一面にはセンシング部Ｄｓの可動部の変位を許容する変位用凹所２１が形成される。また、電極形成基板２において変位用凹所２１の周部には接続用金属層１９に接合される接続用金属層２９が配置され、電極形成基板２の他面には外部回路に接続されるパッド電極２５が配置される。各パッド電極２５に対応する部位にはそれぞれ貫通孔配線２４が形成される。少なくとも一部の貫通孔配線２４の一端は、変位用凹所２１の内底面に位置し、当該一端と接続用金属層２９との間は中間配線２６により接続される。 （もっと読む）

【課題】センサ基板とパッケージ用基板との接合工程の歩留まりの向上を図れ、且つ、センサ基板においてＩＣ部のパッドと電気接続用金属層とを電気的に接続する引き出し配線の断線を防止できるセンサ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサ基板１と第１のパッケージ用基板２とは、封止用金属層１８，２８同士および電気接続用金属層１９，２９同士が直接接合されている。センサ基板１は、保護絶縁層４０においてＩＣ部Ｅ２のパッド４２が形成された第１の領域と第１の電気接続用金属層１９および第１の封止用金属層１８が形成された第２の領域との間に段差が形成されている。ＩＣ部Ｅ２のパッド４２と第１の電気接続用金属層１９とを電気的に接続するように保護絶縁層４０の表面に沿って形成された引き出し配線４３の膜厚と第１の封止用金属層１８および第１の電気接続用金属層１９の膜厚とが独立して設定されている。 （もっと読む）

【課題】センシング部を回路部の形成領域として利用することにより小型化が可能なセンサ装置を提供する。
【解決手段】センサ基板１は半導体基板であり、外部回路との接続部となる接続用金属層１９を配列した支持部１１を備える。支持部１１はセンシング部Ｄｓを囲繞する枠状に形成される。センシング部Ｄｓは、加速度の作用によって変位する質量体１２を備え、質量体１２は可撓性を有した撓み部１３を介して支持部１１に連続一体に繋がれる。質量体１２が変位すれば、撓み部１３に設けたピエゾ抵抗の抵抗値が変化し、質量体１２に作用した加速度を求めることができる。ピエゾ抵抗の抵抗値の変化を検出するために用いる回路部Ｄｃの一部は、質量体１２に形成される。 （もっと読む）

【課題】質量体の変位を規制するために質量体に付設した部材と支持部とを利用し、ストッパを別途に設けることなく低背化したセンサ装置を提供する。
【解決手段】センシング部Ｄｓは、半導体基板により形成された支持部１１および質量体１２を有し、支持部１１と質量体１２とは半導体基板の厚み方向に可撓性を有した撓み部１３により繋がれる。支持部１１には脚部となるバンプ２５によって実装基板２１に実装され、支持部１１の下面と実装基板２１の内底面とはバンプ２５により所定の距離が保たれる。質量体１２の下面には支持部１１と実装基板２１との間に挿入されるストッパ片１５が付設される。ストッパ片１５が支持部１１の下面である係止部に当接する位置と、ストッパ片１５が実装基板２１に当接する位置との間で、質量体１２の変位の範囲が規制される。 （もっと読む）

【課題】パッケージを含めたセンサ装置の低背化が可能で且つ製造時のＩＣ部の絶縁破壊を防止することが可能なウェハレベルパッケージ構造体およびセンサ装置を提供する。
【解決手段】センシング部およびセンシング部と協働するＩＣ部Ｅ２が設けられたセンサ本体１を複数形成した第１の半導体ウェハからなるセンサウェハ１０と、センサウェハ１０の一表面側で各センサ本体１それぞれに接合される複数の第１のパッケージ用基板部２ごとにＩＣ部Ｅ２と電気的に接続される貫通孔配線２４が形成された第２の半導体ウェハからなる第１のパッケージウェハ２０と、センサウェハ１０の他表面側で各センサ本体１それぞれに接合される複数の第２のパッケージ用基板部３を有する第３の半導体ウェハからなる第２のパッケージウェハ３０とを備え、センサウェハ１０と各パッケージウェハ２０，３０とがウェハレベルで接合されている。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ部側からの外部応力に起因したセンサ部の出力特性の劣化を防止することが可能なセンサ装置を提供する。
【解決手段】センサ装置１は、半導体基板であるＳＯＩウェハを用いて形成されており、センサ装置１のセンサ部Ｅ１は、矩形枠状のフレーム部１１を備え、フレーム部１１の内側に配置される重り部１２が一表面側において可撓性を有する４つの短冊状の撓み部１３を介してフレーム部１１に揺動自在に支持されている。センサ部Ｅ１は、重り部１２と各撓み部１３とで可動部を構成しており、可動部にセンシング部としてのピエゾ抵抗Ｒｘ１〜Ｒｘ４，Ｒｙ１〜Ｒｙ４，Ｒｚ１〜Ｒｚ４が形成されている。センサ装置１は、センサ部Ｅ１と協働するＩＣ部Ｅ２がセンサ部Ｅ１の周りを取り囲んで形成されている。 （もっと読む）

【課題】従来の電気機械変換器は、錘部と可撓部とを有しているが、感度を高くするために可撓部を細く、または薄く構成すると、強い加速度を受けた際に容易に破損するという問題があった。
【解決手段】本発明の電気変換器は、固定部と作用部との間を可撓部で接続する構成であり、作用部には錘部を有している。錘部は、低比重の材料からなる第１の錘と、この第１の錘よりも比重の重い材料からなる第２の錘とを有している。第１の錘は作用部に接して設けており、第２の錘はこの第１の錘に接して設けるとともに作用部とは離間している。このような構成にすることで、錘部の総重量が軽くても、錘部の重心を作用部の回転軸から離間して生じさせることができるため、検出感度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ストッパー構造を有する加速度センサ、特に微細加工プロセスによって製造されるストッパー構造を有する加速度センサにおいて、錘とストッパー部とが接着してしまう不具合を解消することが可能となる加速度センサ及び加速度センサの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、錘固定部と、該錘固定部を離間して囲む台座固定部と、該錘固定部と該台座固定部とを可撓的に接続する梁部と、該錘固定部及び該梁部と離間して該台座固定部に接続されるストッパー部とを有する第１の基板と、前記錘固定部に第１の接続層を介して接続され、前記ストッパー部と離間して重なる錘部と、前記錘部と離間して、前記台座固定部に第２の接続層を介して接続される台座部と、前記ストッパー部と離間して、該ストッパー部と前記錘部との間の該錘部に形成される突起部とを有することを特徴とする加速度センサを提供する。 （もっと読む）

【課題】 厚メッキで形成された錘の剥離等のし難い力学量センサを提供すること。
【解決手段】 角速度センサは、可動部構造体が上部ガラス基板及び下部ガラス基板によって上下方向から挟み込まれた３層構造となっている。可動部構造体は、可撓基板、フレーム及び錘を備えている。フレーム及び錘は、ｘ−ｙ平面方向に沿って形成される可撓基板に設けられた電鋳用電極を用いて電着された金属製の厚メッキからなる。錘は、ｘ−ｙ平面における切断面の面積が一様ではなく、錘を支持する可撓基板との接合面が極力小さくなるように構成されている。そのため、梁の長さを十分に確保しつつ、錘の重量をより大きく構成することができ、検出感度をより向上させることができる。また、錘の電鋳面積を拡大させることなく錘の重量を大きくすることができるため、メッキの剥離等を防止し、梁と錘との密着強度を適切に保つことができる。 （もっと読む）