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Fターム[4M112CA27]の内容

圧力センサ (26,807) | 素子の構造 (8,535) | ビーム(梁)型、重錘型素子 (4,892) | 抵抗 (420)

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【課題】 オフセット電圧補正後に過度の衝撃が加わっても新たなオフセット電圧の発生
が起こらない、小型で薄型の3軸加速度センサーを提供する。
【解決手段】 ピエゾ抵抗型加速度センサー素子の、可撓部のピエゾ抵抗素子形成面側に
、枠部から錘部に至る溝と溝底面上に金属配線を形成し、金属配線上面をピエゾ抵抗素子
上の電気絶縁層上面より凹ませることで、加速度センサーに過度な衝撃が加わり可撓部が
規制板に衝突しても金属配線の変形が起こらず、新たなオフセット電圧の発生を防げる。
溝底面の端部は20度から80度の仰角もしくは俯角を持つ傾斜面で、ピエゾ抵抗素子面
と電気絶縁層上面に繋がっている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、レベルが大きく異なる加速度を検出することができるとともに、小型かつ汎用性の高い加速度センサを提供する。
【解決手段】支持枠と、可撓性を有する第1の梁部を介して前記支持枠に保持される第1の錘部と、可撓性を有する第2の梁部を介して前記第1の錘部に保持される第2の錘部とを有し、前記第1の錘部は前記支持枠の内側に配置されるとともに前記第2の錘部は前記第1の錘部の内側に配置され、前記第1の梁部および第2の梁部に、それぞれ第1の加速度センサ部および第2の加速度センサ部が設けられた加速度センサことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 単純な構造を採りながら、静的・動的な加速度と角速度とを検出する。
【解決手段】 加速度検出部100は、重錘体110と、周囲の台座130と、可撓性をもった板状橋梁部121,123と、その表面に埋め込まれたピエゾ抵抗素子Pとによって構成され、角速度検出部200は、重錘体210と、周囲の台座230と、可撓性をもった板状橋梁部221,223と、その上面に固着された圧電素子D,Eとによって構成される。台座130,230は装置筐体400に固定される。加速度により重錘体110が変位すると、板状橋梁部121,123が撓み、ピエゾ抵抗素子Pの電気抵抗の変化として加速度検出がなされる。圧電素子Eに交流信号を供給して重錘体210を振動させた状態で、角速度に基づくコリオリ力により重錘体210が変位すると、板状橋梁部221,223が撓み、圧電素子Dに生じる電荷により角速度検出がなされる。 (もっと読む)


【課題】キャップとセンサ基板との接合部位に作用する応力に起因してセンシング部に歪みが生じることを抑制するとともに、キャップ内への異物の侵入を抑制することが可能な半導体加速度センサを提供すること。
【解決手段】上部ガラスキャップ12をカンチレバー16が接続されたフレーム14の一辺以外の辺に形成された金属薄膜23を介してフレーム14に陽極接合し、金属薄膜23を介した陽極接合部以外における上部ガラスキャップ12とフレーム14との間に、上部ガラスキャップ12とフレーム14との間に形成される隙間を低減するための凸部24を設ける。 (もっと読む)


【課題】 MEMSチップとシリコン製キャップチップを接合したMEMS組立体を樹脂
モールドすると、樹脂モールド時にワイヤーが動きシリコン製キャップチップの側面と接
触して、ノイズの発生や線間短絡の不具合がある。
【解決手段】 シリコン製キャップチップの側面をウェットエッチングで形成し、ウェッ
トエッチング面に絶縁性保護膜を形成することで、密着力の高い絶縁性保護膜が形成でき
、樹脂モールド時にワイヤーが動いてキャップチップ側面に接触しても、ノイズの発生や
線間短絡を防止できる。 (もっと読む)


【課題】共振による梁の損傷の低減及び全体の小型化を可能にする一軸半導体加速度センサを提供する。
【解決手段】半導体材料からなる枠部と、前記半導体材料からなり、前記枠部内に配置され、第1の方向の加速度を受けて前記枠部に対して変位する変位部と、前記半導体材料からなり、前記枠部と前記変位部とをそれぞれ接続し、かつ前記第1の方向に並んで配置される複数の接続部であって、前記第1の方向での幅より前記第1の方向に垂直な第2の方向での厚さが大きい断面形状を有する複数の接続部と、前記複数の接続部に配置される複数の歪検出素子と、を具備し、前記変位部が、前記第1、第2の方向と直交する第3の方向に配置される一端及び他端を有し、この一端に第1の凸部とこの第1の凸部に並んで配置される第1の凹部とを有し、前記枠部が、前記第1の凸部に対応する第2の凹部と、前記第1の凹部に対応する第2の凸部とを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】外力検知センサの外力検出に対する信頼性を高める。
【解決手段】半導体から成る支持層39と絶縁層40と半導体から成る活性層41とが積層一体化されているSOI基板38の少なくとも周端縁部により構成される固定部32と、固定部32によって囲まれているSOI基板38の領域にSOI基板38を加工して形成され検知対象の外力によって可動する可動部31,33と、可動部31,33に加えられた外力の大きさが大きくなるにつれて大きくなる可動部の可動量を検出して外力の大きさを検知するための検知部34とを有し、検知部34は、SOI基板38における可動部形成領域の活性層41に形成されている構成を備えた外力検知センサであって、SOI基板38における固定部形成領域の活性層41には、SOI基板38の表面側から絶縁層40に至る溝部2を、可動部形成領域を全周に渡って囲む形態で形成する。 (もっと読む)


【課題】従来技術は、感度を上げるために、梁部を長くし錘を大きくすると、落下衝撃等で平面方向からみて回転する力を受けた場合、錘部が梁部に容易に接触して梁部を破損するという問題があった。
【解決手段】平面からみたとき、錘部と梁部とを接続する接合箇所を除いて、錘部は、梁部または枠部と離間しており、その離間する距離は一定ではなく、梁部と錘部とが平面的に対向する部分の間隔は、その接合箇所から枠部の方向に向かって徐々に広くなっている。このような構成とすることで、梁部と錘部とが接触しないため梁部を破損することがない。 (もっと読む)


【課題】加速度強度が異なる加速度を検出する素子をひとつのチップに備えることで、一つの慣性センサで2つ以上の加速度範囲に対応した加速度検出を可能にする。
【解決手段】同一基板(SOI基板20)に加速度強度が異なる加速度を検出する慣性センサ素子31を少なくとも2つ以上有することを特徴とする。その製造方法は、同一基板(SOI基板20)に慣性センサ素子31を少なくとも2つ以上形成する慣性センサ1の製造方法であって、前記各慣性センサ素子31を加速度強度が異なる加速度を検出するもので弾性支持体42に変位自在に支持された質量部43を有する慣性センサ素子31で形成し、前記各慣性センサ素子31を同一工程で形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】センシング部の厚み程度の寸法で回路部も設けることにより小型かつ低背化することを可能にしたセンサ装置を提供する。
【解決手段】センサ基板1は、支持部11に対して相対的に可動である可動部12を備える。可動部12は変位方向の一面側において撓み部13を介して支持部11と連結され、センサ基板1には可動部12の変位を電気量に変換するセンシング部Dsが設けられる。また、可動部12の変位方向の他面側にはセンシング部Dsと協働する回路部Dcが集積回路として形成される。可動部12には変位方向の両面間で貫通する貫通孔配線15が形成され、貫通孔配線15の一部が回路部Dcに電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】非常に大きな衝撃が検出素子に加わっても、検出素子の破壊を抑制したセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】この検出素子24は、第1アーム26を第2アーム28に略直交方向に連結して形成した2つの直交アームと、2つの第1アーム26の一端を支持する支持部30とを有し、第1アーム26はメアンダ形状であって弾性を有し、支持部30に対して対称形状としており、第1アーム26には歪抵抗素子を設けた構成である。 (もっと読む)


【課題】電気ノイズや温度などの外乱の影響を抑制でき高精度化が可能なセンサ装置を提供する。
【解決手段】SOIウェハ(第1の半導体基板)を用いて形成され重り部12と各撓み部13とで構成される可動部を具備したセンサ部Dsを有するセンサチップ1と、シリコンウェハ(第2の半導体基板)を用いて形成されセンサ部Dsと電気的に接続される貫通孔配線24を有しセンサチップ1が一表面側に実装された第1のパッケージ用基板2と、他のシリコンウェハ(第3の半導体基板)を用いて形成され第1のパッケージ用基板2の上記一表面側にセンサチップ1を囲む形で封着された第2のパッケージ用基板3とを備える。センサ部Dsの出力信号を信号処理する回路部Dcが、センサチップ1に形成されている。回路部Dcは、温度検出部、温度補償回路を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】 静電気放電が生じてもピエゾ抵抗を保護することができ、故障頻度を低下させることができるセンサ装置を提供する。
【解決手段】 センサ本体2には、ピエゾ抵抗R1〜R4からなる検出回路7を設け、ピエゾ抵抗R1〜R4と電極9〜12との間をp型低抵抗部からなる配線部13によって接続する。また、センサ本体2には、配線部13に接触してn型低抵抗部15を設け、これらのpn接合部分にツェナーダイオードD1〜D4を形成すると共に、質量部5にもツェナーダイオードD5を形成する。そして、ツェナーダイオードD1〜D5をピエゾ抵抗R1〜R4に並列に接続して保護回路14を構成する。これにより、ピエゾ抵抗R1〜R4に高電圧が作用したときには、高電圧による電荷をツェナーダイオードD1〜D5を用いて逃すことができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は破壊やクラックの発生を抑制した分離可能な素子の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】枠形状の固定部32と、この固定部32に連結した十字形状のアーム34と、このアーム34の中心部に連結した4つの錘部36とを有し、係止部54を介して係止された検出素子30を形成する素子形成工程を備え、レーザを係止部54に照射することによって、係止部54の材質を検出素子30の材質よりも脆弱な材質に改質させて、係止部54に改質部56を形成する改質部形成工程と、改質部56に応力を加えて改質部56を検出素子30から分離させ、検出素子30の係止を解除する構成である。 (もっと読む)


【課題】特殊な半導体プロセスを必要とすることのないより簡素な構成にて、検出対象の運動を検出することのできる半導体センサを提供する。
【解決手段】センサ装置1は、作用する外力の大きさに応じた変形量で弾性変形するダイヤフラム10と、このダイヤフラム10を弾性変形可能に支持する台座20とを有しており、ダイヤフラム10(正確には変形部10b)裏面側の、膜厚が急激に厚くなる箇所に、変形部10bの変形量を検出するための手段として、圧電素子30を有している。さらに、ダイヤフラム10の変形部10bの裏面側略中央に、適宜の形状及び材料にて形成された磁石40を有している。そして、圧電素子30からの出力電圧に基づき、マイクロコンピュータ(検出手段)50を通じて、回転軸(図示略)の回転に伴って回転する歯車の回転を検出するとともに、センサ装置1を取り巻く雰囲気の圧力も検出している。 (もっと読む)


【課題】半導体加速度センサにおいて、ビーム部の破損を防止してセンサの耐衝撃性を向上する。
【解決手段】半導体加速度センサは、固定部2に対して薄肉のビーム部3で錘部4を連結し、錘部4に加速度が印加されると、ビーム部3が撓んで錘部4が加速度印加方向へ移動し、この錘部4の移動を電気的に検知して加速度の発生及びその大きさ等を検出する。固定部2とビーム部3との境界部分13aの外形が滑らかに連続した形状とされているので、衝撃によってビーム部3に応力が生じた際、応力集中が分散されることにより、ビーム部3の破損が防止され、センサの耐衝撃性が向上する。 (もっと読む)


【課題】X軸方向とY軸方向とZ軸方向の三軸方向の加速度をそれぞれ高精度に検出できる加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサ1は、基台2のXY基板面上に浮いた状態で配置される枠状の梁部4と、梁部4を支持部5a,5bを介して基台2に両持ち梁状に支持する梁部支持固定部と、基台2のXY基板面上に浮いた状態で配置される錘部7と、錘部7を梁部4に片持ち梁状に支持する連結部8とを有して構成する。錘部7は、枠状の梁部4の撓み変形によってX軸方向とY軸方向とZ軸方向の三軸方向に変位可能な構成と成す。梁部4には、X軸方向の加速度を検出するためのX軸方向加速度検出部と、Y軸方向の加速度を検出するためのY軸方向加速度検出部と、Z軸方向の加速度を検出するZ軸方向加速度検出部とを設ける。また、梁部4には、加速度検出の感度向上用のスリットを設ける。 (もっと読む)


【課題】半導体からなるトランデューサ構造体とガラス基板との陽極接合の際に、錘部とガラス基板との接合を防止することが可能な力学量検出センサを提供する。
【解決手段】力学量検出センサが、固定部と、変位部と、接続部とを有する第1の構造体と、前記変位部に接合される重量部と、前記重量部を囲んで配置され、かつ前記固定部に接合される台座とを有する第2の構造体と、絶縁性材料から構成され、かつ前記第1の構造体と前記第2の構造体とを接合する接合体と、前記第2の構造体に積層配置され、絶縁性材料から構成され、前記重量部との対向面に配置される導電性部材を有する基体と、前記固定部と前記台座とを電気的に接続する第1の導通部と、前記変位部と前記重量部とを電気的に接続する第2の導通部とを具備し、前記基体が、少なくとも前記基体と前記第2の構造体との接合時に、前記導電性部材と前記台座とを電気的に接続する導電部を有する。 (もっと読む)


【課題】ピエゾ抵抗素子から半導体層へと流れるリーク電流を防止する。
【解決手段】n型の半導体から構成されており、測定すべき外力を受けて変形し、かつ電気的に浮遊した変形部16aと、p型の部分として変形部に形成され、変形部の変形量に応じて電気抵抗の大きさが変化する複数のピエゾ抵抗素子R〜Rと、n型の領域として、ピエゾ抵抗素子の周囲を囲むガードリングG〜Gとを備え、ガードリングを介して変形部に、ピエゾ抵抗素子に対する印加電圧と同符号であり、かつ印加電圧よりも絶対値が大きい電圧が印加されている。 (もっと読む)


【課題】半導体センサにおいて、カバー板を支持部に取り付けるための陽極接合時に静電気力によって錘部とカバー板が貼り付くのを防止し、貼り付いても容易に剥がすことができるようにする。
【解決手段】半導体センサ1は、錘部4と、錘部4の周囲に設けられた支持部6と、錘部4と支持部6の間で支持部6の一表面側に設けられた可撓部8と、可撓部8に設けられたピエゾ抵抗体10と、錘部4上及び可撓部8上に、錘部4及び可撓部8とは間隔をもって設けられたカバー板24と、錘部4のカバー板24が設けられている表面上に設けられた錘側突起部21と、カバー板24の錘部4に対向する内側面に錘側突起部21に対向して設けられたカバー側突起部24bを備えている。 (もっと読む)


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