【課題】 センサチップの一方側に高精度でシリコンチップを貼合でき、さらに、貼合されたシリコンチップに対して、センサチップの他方側に貼合される封止チップを高精度に位置合わせすることのできる加速度センサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 センサチップ２の一方側にシリコンチップ３が接合されてなる加速度センサ１において、物理量の変化に応じて動作する可動部を有するセンサチップ２に、厚さ方向に貫通し、センサチップ２の上側から下側を視認可能な貫通溝１４を形成する。一方、シリコンチップ３には、センサチップ２の貫通溝１４に対向する部分に、アライメントマーク１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの良い小型のセンサモジュールを効率的に製造できる、センサモジュールの構造及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】センサ部１０と、ＩＣ部２０とを別々にウェハレベルパッケージングして形成した後に、センサ部１０とＩＣ部２０とをフリップチップ接続により電気的に接続する。これにより、センサ部１０とＩＣ部２０とを別々に検査することが可能となるので歩留まりが向上し、かつ、センサ部１０のサイズとＩＣ部２０のサイズを別々に選択できるのでウェハ１枚当たりからの個々の取り数を最大化することができて効率化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳの可撓部の撓み検出精度を高める。
【解決手段】ｘ軸、ｙ軸およびｚ軸を直交座標系の３軸とするとき、支持部と、前記支持部からｘ方向に突出しｚ方向に薄い膜状の可撓部と、前記可撓部の突端に結合している錘部Ｗと、前記可撓部と前記支持部との境界に対して近傍のｘ区間である検出区間にあるｘｙ領域であってｙ方向において前記可撓部の中心に対して近傍のｘｙ領域である検出領域に設けられ前記可撓部の突端のｚ方向の変位に応じた歪みを検出するための歪み検出手段と、を備え、前記検出区間にあって前記検出領域より外側の両方にある領域における前記可撓部のｙｚ断面は、それぞれ、前記検出領域から相対的に遠い方の半分の部分の断面積が残部の断面積よりも広い形態である、ＭＥＭＳ。 （もっと読む）

【課題】経時による特性の変化が生じ難く、熱や電源電圧などの外部環境の変化による特性の変化が生じ難い、半導体センサ装置を提供する。
【解決手段】可動部を有する半導体センサが形成されている半導体基板２の片面にケース板３が積層されており、半導体基板２の上面に外部接続用電極７１〜７８が形成されており、ケース板３において、上面に複数の突起３ｂと、突起３ｂの外側に設けられた複数の貫通孔３ｅが形成されており、突起３ｂに設けられた端子電極５１〜５８が、外部接続用電極７１〜７８に、突起３ｂの側面から貫通孔３ｅ内に至る接続電極により電気的に接続されており、外部接続用電極７１〜７８の外側端部が半導体センサ装置１の側面に至らず、ケース板３により被覆されている、半導体センサ装置。 （もっと読む）

【課題】微小な可動部を有する微小構造体を簡易に精度よく検査できる微小構造体の検査装置および微小構造体の検査方法を提供する。
【解決手段】ウェハ検査装置のプローブカードは、プローブ針７と近接電極８と、それらを固定するプローブ板６と、を備える。近接電極８は、測定対象物のＭＥＭＳ可動部１４ａに近接し、かつ接触しない高さとする。電極パッド１３にプローブ針７を接触させ、電気的に接続するとともに、ウェハとプローブカードの位置合わせを行う。近接電極８からＭＥＭＳ可動部１４ａへ向けて、インパルス電圧を印加する。ＭＥＭＳ可動部１４ａは、近接電極８に発生する静電引力に引き寄せられ、強制的に変位を与えられた後は、振動しながら減衰し、静止する。プローブ針７を介して、静電容量の変化やピエゾ抵抗の変化などにより電気信号を検出し、可動部の周波数特性（Ｑ値、減衰特性）などを評価する。 （もっと読む）

【課題】隣り合う端子電極間の導電性接合剤による所望でない短絡が生じ難く、製造が容易である、半導体センサ装置を提供する。
【解決手段】可動部を有する半導体センサが形成されている半導体基板２の片面にケース板３が積層されており、半導体基板２の上面に外部接続用電極７１〜７８が形成されており、ケース板３において、上面に複数の突起３ｂが形成されており、突起３ｂに設けられた端子電極５１〜５８が、外部接続用電極７１〜７８に、接続電極により電気的に接続されており、隣り合う突起３ｂ，３ｂ間に溝３ｃが形成されている、半導体センサ装置。 （もっと読む）

【課題】微小な可動部を有する微小構造体を簡易に精度よく検査できる微小構造体の検査装置および微小構造体の検査方法を提供する。
【解決手段】可動部を有する微小構造体を備えたウェハＷの検査を行う。まず、プローブカード５とウェハＷの位置合わせをし、プローブ針６と電極パッドＰの電気的接続を行う。テスタ２の制御部Ｔ２の指示で、駆動部Ｔ３はホルダー１１を上下に駆動させ、ホルダー１１に支持されたインカー１０でウェハＷを叩く。微小構造体周辺のウェハＷ上をインカー１０で直接叩打することで、ウェハＷが振動し、微小構造体の可動部は加振して自由振動する。これが可動部のステップ入力になり、自由振動特性を計測することができる。 （もっと読む）

【課題】良好な耐衝撃性を有し、小型化が可能なセンサ装置を提供する。
【解決手段】支持部２４の枠部１０上面と対向する面３６、枠部１０の支持部２４底面と対向する面３８、及び第１絶縁層１４の錘部１２側の側面２０により区画された第１凹部３０と、質量部２６の錘部１２上面と対向する面４０、錘部１２の質量部２６底面と対向する面４２、及び第２絶縁層１８の枠部１０側の側面２２により区画された第２凹部３２と、梁部１６の支持部２４と質量部２６との接続方向上に位置する第１絶縁層１４の錘部１２側の側面又は第２絶縁層１８の枠部１０側の側面に形成された第３凹部７０と、を有し、第１凹部３０の深さ３４及び第２凹部３２の深さ３５が枠部１０の幅の３．３％以上５．０％以下である。 （もっと読む）

【課題】十分な強度を具備したストッパ部を有し、過度な加速度が加わっても破壊が防止される加速度センサと、このような加速度センサを簡便に製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン層（活性層シリコン）／酸化シリコン層／シリコン層（基板シリコン）の３層構造を有するＳＯＩ基板からなる枠部２３と、シリコン層（活性層シリコン）からなり、枠部の各辺から内側方向に突出する４本の梁２２と、梁により支持される錘接合部２１と、シリコン層（基板シリコン）からなり、錘接合部に酸化シリコン層を介して接合された基部２５Ａと、４本の梁と枠部で囲まれた４箇所の窓部２４へ基部から突出した４個の突出部２５Ｂと、各突出部から突出するとともに突出部の平面と段差を有する係合用凸部２８とで構成される錘２５と、シリコン層（活性層シリコン）からなり枠部の角部を挟む２辺に架設された板状の４個のストッパ部２９と、を備え、係合用凸部２８は先端側がストッパ部２９下方に突出するように構成する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ状態で精密なリーク電流検査を行うことができ、製品形態でのロスを低減させたピエゾ式センサ装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板５上にピエゾ抵抗１１の両端に接続された少なくとも一対の拡散配線１２を実素子として備え、ピエゾ抵抗１１の出力値に応じて物理量を計測するピエゾ式センサ装置１であって、実素子の拡散配線１２とは別に拡散配線１２の最短配線間寸法Ｌ１と同一の最短配線間寸法Ｌ２を有し、相互に接続されない一対の検査用拡散配線１３と、各検査用拡散配線１３に電気接続された電極パッド１４と、を半導体基板５上に備える。 （もっと読む）

【課題】 小型で温度安定性に優れた加速度センサー装置を提供する。
【解決手段】 可動部を有するＭＥＭＳチップとＭＥＭＳチップの少なくとも可動部を密
封するキャップチップとで形成されたＭＥＭＳ組立体を有し、配線基板と回路基板と前記
ＭＥＭＳ組立体を積層し、前記配線基板と前記回路基板の間を第１のダイアタッチフィル
ムで接続し、前記回路基板と前記ＭＥＭＳ組立体の間を第２のダイアタッチフィルムで接
続し、前記ＭＥＭＳチップと前記回路基板、前記回路基板と前記配線基板は、おのおの配
線で接続され、前記配線基板上において、前記回路基板、前記配線および前記ＭＥＭＳ組
立体が樹脂部材で封止されていることを特徴とする半導体センサー装置。 （もっと読む）

【課題】 小型で温度安定性に優れた加速度センサー装置を提供する。
【解決手段】 可動部を有するＭＥＭＳチップとＭＥＭＳチップの少なくとも可動部を密
封するキャップチップとで形成されたＭＥＭＳ組立体を有し、配線基板と回路基板と前記
ＭＥＭＳ組立体を積層し、前記配線基板は前記ＭＥＭＳ組立体の幅方向および長さ方向に
おいて対称な構造であり、前記ＭＥＭＳチップと前記回路基板、前記回路基板と前記配線
基板はおのおの配線で接続され、前記配線基板上において、前記回路基板、前記配線およ
び前記ＭＥＭＳ組立体が樹脂部材で封止されていることを特徴とする半導体センサー装置
。 （もっと読む）

【課題】パッケージへの実装時や実装後の温度変化に起因したセンサ素子への応力を低減することが可能で、且つ、センサ素子の厚み方向の両側それぞれに所望のギャップ長を確保することが可能で、且つ、接着剤がセンサ素子の性能に影響を及ぼすことを抑制可能なセンサモジュールを提供する。
【解決手段】センサ素子１は、第１の仮想三角形の３つの頂点に対応する３箇所において、球状の第１のスペーサを混合した第１のダイボンド材５１からなる第１の接着部によりパッケージの内底面に固着され、半導体素子は、第２の仮想三角形の３つの頂点に対応する３箇所において、球状の第２のスペーサを混合した第２のダイボンド材６ａからなる第２の接着部によりセンサ素子１に固着されている。センサ素子１の半導体素子側表面には、素子領域１２方向にダイボンド材６ａが流れ出すことを抑制する溝部４１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】３次元のベクトルを測定するためのＭＥＭＳを小型化し製造コストを低減する。
【解決手段】ｘ軸、ｙ軸およびｚ軸を直交座標系の３軸とするとき、ｙ方向長さがｘ方向長さより短い支持部と、ｙ方向に並び互いに平行に前記支持部に対してｘ方向に架設されｙ方向長さがｘ方向長さより短い膜状の２つの梁部と、２つの前記梁部のそれぞれの中央に架設されている一体の錘部と、２つの前記梁部のそれぞれに複数設けられ、前記梁部の変形に応じた歪みを検出することにより前記錘部に作用する力に対応するベクトルのｘｙｚ成分を測定するための歪み検出手段と、を備え、前記錘部は、２つの前記梁部に架設されている結合部と、２つの前記梁部の間において前記結合部から互いに逆向きに突出する２つの凸部とを有するとともにｙ方向長さがｘ方向長さより短い、ＭＥＭＳ。 （もっと読む）

【課題】実装基板との線膨張率差に起因して機能素子に生じる応力をより緩和することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の半導体基板１０を用いて形成され機能素子（センサ部Ｅ１、ＩＣ部Ｅ２）が集積化されたセンサ基板１と、第２の半導体基板２０を用いて形成されセンサ基板１の一表面側に封着された貫通孔配線形成基板２と、第３の半導体基板３０を用いて形成されセンサ基板１の他表面側に封着されたカバー基板３とを備え、貫通孔配線形成基板２におけるセンサ基板１側とは反対側の表面（第２の半導体基板２０の実装面側）に機能素子に電気的に接続された複数のパッド２５が形成されている。全てのパッド２５を内包する仮想円ＶＣの中心Ｍに対して相対的に近いパッド２５である内側パッド２５ａに比べて相対的に遠いパッド２５である外側パッド２５ｂの剛性を低くしてある。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳの製造歩留まりを高める。
【解決手段】深さが均等でない複数の溝を第一の板形部品に形成し、前記第一の板形部品と第二の板形部品とを接合し、相対的に浅い前記溝に沿って前記第一の板形部品を切削した後に相対的に深い前記溝に沿って前記第一の板形部品を切削することにより、前記第二の板形部品が接合された構造要素を分断された前記第一の板形部品の一部から形成する、ことを含むＭＥＭＳ製造方法。 （もっと読む）

【課題】小型であり、測定分解能が高いＭＥＭＳ加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】ＭＥＭＳ加速度センサ１０は加速度の測定対象物に固定される。測定対象物の動きは可動錘２０に伝えられ、可動錘２０は測定対象物の動きに応じて変位する。これによって、下側容量電極２４と上側容量電極２６との間の静電容量が変化するため、静電容量またはそれに応じた電気物理量を測定することにより測定対象物の加速度を測定することができる。可動錘２０には、上側円板面から下側円板面へと可動錘２０を貫く高密度部材穴３６を円板面の中心に設ける。高密度部材穴３６には、高密度部材穴３６以外の部分を形成する基本部材よりも密度が高い高密度部材３４が充填される。 （もっと読む）

【課題】 高い耐衝撃性を具備し、過度な加速度が加わっても破壊を生じることなく安定してセンサ機能を発現する加速度センサを提供する。
【解決手段】 加速度センサを、シリコン層１２（活性層シリコン）／酸化シリコン層１３／シリコン層１４（基板シリコン）の３層構造を有するＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板１１からなり、枠部２３，２７と、この枠部から内側方向に突出する複数の梁部２２と、梁部２２により支持される錘部２１と、梁部２２に配設された歪検出部２９と、を備えたものとし、梁部２２の幅Ｗ、梁部２２の長さＩ、枠部２３の内枠長Ｌを、下記の式（１）、式（２）の関係とする。
２＜Ｌ／Ｉ≦２．８２ … 式（１）
Ｉ／Ｗ≦３．６８ … 式（２） （もっと読む）

【課題】電子部品パッケージの接合する２つの基板間のギャップを精度よく制御し、電子部品パッケージおよびそれを形成するための接合方法を提供する。
【解決手段】電極が形成された第１の基板１と加速度センサの機能素子が形成された第２の基板２とが、基板の辺に近づくにつれて高くなるように高さを変えた複数のスペーサ３、およびスペーサ３同士の間およびスペーサ３と基板の辺との間に配置されて、基板の辺に近づくにつれて高くなるように高さを変えた接合部材４とによって対向して接合される。このスペーサ３と接合部材４とによる接合によって、第１の基板１と第２の基板２の間には精度よく制御されたギャップ５が形成される。また、このギャップ５により第２の基板２は反った状態で第１の基板１に接合される。 （もっと読む）

【課題】可撓部と錘部とを備えるＭＥＭＳの感度と強度を高いレベルで両立させる。
【解決手段】可撓部と、前記可撓部の少なくとも一部の層を構成している薄肉部と前記薄肉部から前記薄肉部の厚さ方向に突出している凸部とを備えバルク材料からなるバルク部と、前記凸部の側面と結合し前記可撓部とともに運動し金属材料からなる錘部と、前記可撓部の変形または変位を検出する検出手段と、を備えるＭＥＭＳ。 （もっと読む）