【課題】検出精度の高く生産性の高い加速度センサ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を加工して、基板の一主面側に比べて他主面側で水平方向における断面積が小さくなるように支持部に対向する内壁面が傾斜する傾斜領域を有する傾斜壁部を有する固定部を形成するＡ工程と、錘部材を傾斜壁部の傾斜領域に当接させた状態で支持部に固定するＢ工程と、傾斜壁部の傾斜領域の表面をエッチングにより除去して、錘部材と傾斜壁部との間に間隙を設けるＣ工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 小型化可能で、特性のばらつきが少ない高精度なＭＥＭＳを製造する。
【解決手段】 単結晶シリコンからなる基板の第一の主面の環状領域に複数の凹部を形成し、前記基板を非酸化性雰囲気中で熱処理することによって、前記複数の凹部から前記基板内に環状の空洞を形成するとともに、前記空洞によって隔てられた薄肉部と厚肉部と、前記空洞に囲まれ前記薄肉部と前記厚肉部とを連結している支柱部とを形成し、前記第一の主面の裏面に相当する前記基板の第二の主面から、前記空洞に到達する環状溝を形成することによって、前記環状溝の外側に位置し前記薄肉部と結合する枠部と前記環状溝の内側に位置し前記支柱部に結合する錘部とに前記厚肉部を分割する、ことを含む。 （もっと読む）

【課題】加速度の検出精度が高く、生産性に優れた加速度センサおよび加速度センサの製造方法を提供する。
【解決手段】固定部１３と、固定部１３に対し変位可能な重り部１１と、一端が固定部１３に、他端が重り部１１にそれぞれ連結され、重り部１１の変位に伴って撓む梁部１２と、梁部１２に設けられ、梁部１２の撓みに伴って抵抗値が変化する抵抗素子１５と、を有するセンサ素子２０と、センサ素子２０が載置される基板１と、を備え、基板１のセンサ素子２０が載置される側の面に、段差部３を設けるとともにセンサ素子２０の固定部１３に段差部３と嵌合する切り欠き１６を設ける。 （もっと読む）

【課題】 小型化に適した電気的および機械的に安定なピエゾ抵抗素子型加速度センサー
を提供する。
【解決手段】 枠部と、可撓部と、該可撓部を介して枠部に保持される錘部と、可撓部に
設けられたピエゾ抵抗素子と枠部に設けられたチップ端子とを接続する金属配線および高
濃度拡散層を構成要素に持ち、直交する３つの加速度検出軸毎に前記ピエゾ抵抗素子と金
属配線と高濃度拡散層で構成されるブリッジ回路を有する加速度センサー素子を有するピ
エゾ抵抗素子型３軸加速度センサーあって、ピエゾ抵抗素子上に第２の絶縁膜を介してシ
ールド配線が配置されており、該シールド配線は前記金属配線の一部としてブリッジ回路
の一部を構成している。 （もっと読む）

【課題】３軸方向の加速度を検出することが可能でかつ容易に製造可能であるとともに小型化、低コスト化および周波数応答性の向上が可能な加速度センサを提供する。
【解決手段】 加速度センサ３００は、複数のセンサ素子２０１，２０２，２０３，２０４により構成されるセンサ素子群２００を含む。センサ素子２０１，２０２，２０３，２０４は共通の基板１０１上に異なる向きに形成される。センサ素子２０１，２０２，２０３，２０４はピエゾ抵抗素子を有するカンチレバーＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３，ＣＬ４を含む。カンチレバーＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３，ＣＬ４は基板１０１の一面から斜め上方に湾曲する。基板１０１は基台１１０上に取り付けられる。基板１０１上に空間が確保されるように基台１１０にケーシング１２０が取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】ベース材の表面に接着されて加速度等の物理量を検出する半導体センサチップの特性変化を抑制し、ベース材に対する半導体センサチップの共振周波数が物理量の検出を阻害しないようにする。
【解決手段】平面視矩形環状に形成された板状の支持枠部２１と、その内縁２１ａに連結されて物理量を検出するセンサ部２２とを備える半導体センサチップ３において、支持枠部２１の一辺３１の幅寸法を他の辺３２〜３４の幅寸法ｗ１よりも大きく設定して一辺３１のうちその内縁２１ａから他の辺３２〜３４の幅寸法ｗ１分だけ差し引いた部分を延長部３５とし、延長部３５には支持枠部２１の外縁から支持枠部２１の面方向に窪む切欠部３７を形成する。半導体センサチップ３とベース材Ｐとは、その表面Ｐ１に対向する延長部３５の主面うち切欠部３７よりも一辺３１の内縁２１ａから離れた外側領域Ｓ１において、接着剤Ｇにより複数個所で点接着する。 （もっと読む）

【課題】小さい電圧で自己診断を行う加速度検出装置を提供する。
【解決手段】加速度検出装置１は、可撓部を有する基板５と、基板５に接続され、金属からなる導電部を有する重り部７と、を有し、可撓部の撓みに応じて加速度を検出する加速度検出素子３と、重り部７と所定の間隔を隔てて設けられた固定電極２０と、を備え、
貫通導体６を介して重り部７に電圧を印加することにより、重り部７と固定電極２０との間に静電引力が働くようにして自己診断をおこなう。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性能が高く薄いＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】枠形の支持部Ｓの内側に位置する錘部Ｍと、支持部と錘部に連結され錘部の運動に伴って変形する可撓部Ｆと、前記錘部の運動範囲を制限するストッパ部とを備えるＭＥＭＳセンサの製造方法であって、ＳＯＩウエハのベース層をエッチングし、ベース層を前記支持部と錘部とに分断する溝Ｔを形成する工程と、該溝の内外にかかる位置において前記ＳＯＩ層を貫通し、かつ前記溝の外側において上昇ストッパ部３０ａが形成されるように、ＳＯＩウエハのＳＯＩ層および絶縁層をエッチングする工程と、前記上昇ストッパ部内にストッパ層を形成する工程と、前記ストッパ層と錘部との間に空隙Ｇ２が形成されるとともに、それにより前記錘部の運動範囲を制限する上昇ストッパ部としての機能が前記ストッパ層に顕在化するように前記絶縁層を等方性エッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】加速度と角加速度のうち少なくとも一方を検出でき、高感度で共振周波数の最適化を図ることができる慣性センサを提供する。
【解決手段】重り部１を支持梁５によって両側から支持して固定部３に固定する。支持梁５は互いに一直線上に形成し、重り部１よりも肉薄に形成する。支持梁５の少なくとも一方を間隔を介して挟む両側に、重り部１と固定部３とを連結する検出梁６を設ける。検出梁６は、重り部１よりも肉薄で、支持梁５よりも幅狭に形成する。重り部１の周りと上下には重り部１の可動空間を形成し、重り部１の重心と支持梁５の重心とは厚み方向の位置がずれるようにする。支持梁５の伸長方向と交わる水平方向から加えられる加速度に応じて、重り部１が支持梁５を軸として変位し、検出梁６が変位するものとし、検出梁６の変位に伴って検出梁６に生じる応力を検知し、その検知応力に基づいて前記加速度を検知する。 （もっと読む）

【課題】 構造が単純で小型かつ温度安定性に優れた半導体センサ装置を、より具体的に
は加速度センサ装置を低コストで提供する。
【解決手段】 配線基板上に回路チップとＭＥＭＳ組立体を積み重ね、これらを接続する
金属ワイヤと共に低弾性率のシリコン系樹脂で封止し、好ましくは配線基板をガラスエポ
キシ樹脂基板もしくはアルミナ基板、ＬＴＣＣ基板とすることで、構造が単純で小型かつ
温度安定性に優れた加速度センサ装置を、中空型セラミックパッケージを用いた構造と比
較して低コストで提供することができる。 （もっと読む）

【課題】加速度等の検出に用いる半導体センサにおいて、これをベース材の表面に固定しても、半導体センサに備える錘部とベース材の表面との間隔を高精度に設定できるようにする。
【解決手段】環状の枠体部Ｓと、その内側に間隔をあけて配される錘部Ｍと、可撓性を有して枠体部Ｓと錘部Ｍとを一体に連結する可撓部Ｆと、可撓部Ｆの変形又は変位を検出する検出手段１２１と、一部が枠体部Ｓ内に埋設されると共に平面視環状に形成された枠体部Ｓの一端面１１３から突出するスペーサ突起部１３とを備え、スペーサ突起部１３が枠体部Ｓと異なる材料からなり、スペーサ突起部１３の先端をベース材の表面に当接させた状態でベース材に固定する半導体センサ１を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体層に対して良好にトレンチエッチングを行うことができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層に複数の方向のパターン１，２のトレンチが交差して形成されている半導体素子を製造する際に、複数の方向のパターン１，２のうち少なくとも１つの方向のパターン１に角度の変化点を１つ以上設けて、少なくとも１つの方向のパターン１を延長した箇所から複数の方向のパターン１，２の交差部をずらす（パターン３，４）ように、半導体層上にマスクパターンを形成する工程と、このマスクパターンを使用して、エッチングにより半導体層にトレンチを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】可動部とストッパとの間のギャップを精度良く確実に設定でき製造歩留まりが高いＭＥＭＳを提供する。
【解決手段】支持部と、前記支持部に対して相対的に運動する可動部と、を有するダイと、前記可動部の運動範囲を制限する位置において前記可動部に対向するストッパと、前記可動部の運動範囲が制限される方向において前記ストッパと前記支持部とに挟まれている樹脂であって封止樹脂よりも硬質の硬質樹脂からなるスペーサと、前記スペーサより前記可動部とは反対側において前記支持部と前記ストッパとを結合している接着層と、を備え、前記スペーサは前記接着層と前記可動部との間において前記接着層と前記可動部との間を遮る方向に延びている、ＭＥＭＳ。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性能が高く薄いＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】枠形の支持部と、前記支持部に結合している梁形の可撓部と、前記可撓部に結合し前記支持部に対して運動することによって前記可撓部を変形させる錘部と、前記錘部の運動範囲を制限するストッパ部とを備えるＭＥＭＳセンサの製造方法であって、単結晶シリコンからなるベース層の表面に導電型が前記ベース層と異なるエピタキシャル結晶層からなる犠牲層を形成し、前記犠牲層をエッチングすることによって前記犠牲層から前記ベース層を一部露出させ、前記犠牲層と前記ベース層の表面に導電型が前記ベース層と一致するエピタキシャル結晶層からなる非平坦層を形成し、前記ストッパ部と前記錘部との間に空隙を形成し、前記空隙を形成することによって、前記錘部の運動範囲を制限する前記ストッパ部としての機能を前記非平坦層に顕在化する、ことを含むＭＥＭＳセンサの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサの可撓部の厚さを均一化する。
【解決手段】支持部と、錘部と、前記支持部と前記錘部とを連結し前記錘部の運動にともなって変形する可撓部と、が形成されている積層構造体を備え、前記積層構造体は、前記可撓部を構成し下面が平坦である単結晶シリコン層１０と、前記単結晶シリコン層上に積層され前記単結晶シリコン層と異質のＣＭＰストッパ層３０と、を含み、前記ストッパ層の下面と前記単結晶シリコン層の下面とは同一平面に含まれるか、前記ストッパ層の下面は前記単結晶シリコン層の下面から突出している、ＭＥＭＳセンサ。 （もっと読む）

【課題】新たな原理の加速度センサ素子を提供する。
【解決手段】加速度センサ素子３は、固定部９と、一端部が固定部９に連結された梁部７と、梁部７の他端部に連結され、梁部７の延びる方向に見て、重心Ｇが梁部７に対して偏心している重り部５とを有する。また、加速度センサ素子３は、梁部７に設けられ、梁部７の捩り変形に伴って比抵抗が変化するピエゾ抵抗部１１を有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で加圧点の位置を検出できる接触センサを提供する。
【解決手段】梁部と、前記梁部の両端を支持する支持部と、前記梁部の両端近傍に設けられた一対の抵抗素子と、前記抵抗素子を可変抵抗とするブリッジ回路を有し、前記ブリッジ回路の出力電圧に相関する信号を前記梁部の加圧点の位置に対応する信号として出力する。 （もっと読む）

【課題】可動部とストッパとの間のギャップを確実に設定でき製造歩留まりが高いＭＥＭＳを提供する。
【解決手段】支持部と、前記支持部に対して相対的に運動する可動部と、を有するダイと、前記可動部の運動範囲を制限する位置において前記可動部に対向する制限板と、前記可動部の運動範囲が制限される方向において前記制限板と前記支持部とに挟まれているボンディング用ワイヤからなるワイヤ構造体と、前記ワイヤ構造体より前記可動部とは反対側において前記支持部と前記制限板とを結合している接着層と、を備え、前記ワイヤ構造体は前記接着層と前記可動部との間において前記接着層と前記可動部との間を遮る方向に延びている、ＭＥＭＳ。 （もっと読む）

【課題】可動部の運動範囲を規制するストッパ基板部と可動部との空隙の幅を精度よく調整することができなかった。
【解決手段】支持部と、前記支持部に支持され前記支持部に対して運動する可動部と、を有する構造体と、前記構造体の前記支持部の底面が接合される平坦な接合面と、前記可動部と対向する領域において底部が前記接合面より後退している凹部と、を有するストッパ基板部と、前記ストッパ基板部の材料に対してエッチング選択性を有する材料からなり、前記凹部を前記接合面よりも後退した位置まで満たすことによって前記可動部の底面と予め決められた所定距離で対向する距離調整部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】感度を維持しつつ小型化が可能な加速度センサ素子を提供する。
【解決手段】下方に開口した凹部２１を有する重り部１１と、重り部１１を囲繞する枠状の固定部１３と、一方端が固定部１３に連結され、且つ他方端が重り部１１に連結される梁部１２と、梁部１２に設けられ、梁部１２の撓みに伴い抵抗値が変わる抵抗素子１５と、重り部１１の材料より比重の大きい材料からなり、且つ凹部２１に埋入される重り部材１１と、凹部２１の開口部を塞いだ状態で重り部１１に固着される蓋部材１６と、を有したセンサ素子２０とする。 （もっと読む）