【課題】本発明は、外部回路に設けられた接続端子の機能や配置に応じて、センサ内部の配線パターンの設計や製造工程を変更せずに、配線パターンを容易に変更可能にするセンサデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施の形態に係るセンサデバイスは、基板の素子形成領域に形成された複数のセンサ素子と、素子配置領域を除く基板上に形成された複数の接続パッドと、基板上に形成され複数のセンサ素子と電気的に接続された複数の第１配線と、基板上に形成され複数の接続パッドと電気的に接続された複数の第２配線と、第１配線及び第２配線が形成された層と異なる層に複数の第１配線及び複数の第２配線と交差するように形成された複数の第３配線と、複数の第１配線及び複数の第２配線と複数の第３配線との間に形成され、複数の第１配線及び複数の第２配線と複数の第３配線とが交差する位置に複数の貫通孔が形成された絶縁層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】簡単な製造工程によりクラックなどの形状不良が生じない微小デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】一表面側に凹所２２が形成された半導体基板１と、この半導体基板１の一表面側に固着され前記凹所２２を閉塞するベース３とを備え、半導体基板１の凹所２２の底面と一表面側と反対側の他表面側との間の部位は薄肉部２３であり、薄肉部２３は梁部形成予定領域２４と、エッチング予定領域２５と、を備え、エッチング予定領域２５にエッチングを施し、梁部形成予定領域２４に梁部１４が形成される微小デバイスの製造方法であって、エッチング予定領域２５内に全体に亘って薄肉部２３を貫通させてなる貫通孔２７を複数形成することにより、網目状部２６を薄肉部２３に形成する工程と、前記工程の後、エッチング予定領域２５にエッチングを施し、網目状部２６を除去し、梁部１４を形成する工程と、を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】簡単な製造工程によりクラックなどの形状不良が生じない微小デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】一表面側に凹所２２を形成することにより凹所２２に囲まれる機能部と凹所２２の外側にフレーム部１１とが設けられた半導体基板１とこの半導体基板１の一表面側に固着され凹所２２を閉塞するベース３とを備え、半導体基板１の凹所２２の底面と前記一表面側と反対側の他表面側との間の部位は薄肉部２３であり、薄肉部２３は梁部形成予定領域２４とエッチング予定領域２５とを備え、エッチング予定領域２５にエッチングを施し梁部形成予定領域２４に梁部１４が形成される微小デバイスの製造方法であって、エッチング予定領域２５の前記他表面側には凹部２１が形成されエッチング予定領域２５にエッチングを施すことにより凹部２１の底部をエッチングにより貫通させた後にエッチング予定領域２５を除去し、梁部１４を形成する工程を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性を向上させた加速度センサ装置を提供する。
【解決手段】固定部１３と、固定部１３に対し変位可能な重り部１１と、一方端が固定部１３に連結され、且つ他方端が重り部１１に連結され、重り部１１の変位に伴って撓む梁部１２と、を有する加速度センサ素子２０と、加速度センサ素子２０が実装されるとともに、固定部１３を囲繞する枠状部５を有する実装基体１と、固定部１３の外側面１７と実装基体１の枠状部５の内側面１８との間に介在し、加速度センサ素子２０と実装基体１とを接合する第１の接着材８を有する。 （もっと読む）

【課題】 生産性が高く、信頼性の高い加速度センサを提供する。
【解決手段】
固定部と、前記固定部に対して変位可能な錘部と、一方端が前記錘部に、他方端が前記固定部に接続された梁部と、前記錘部の変位に応じた信号を出力する変位検出手段と、を有する加速度センサ素子と、平面視で、前記加速度センサ素子の前記錘部が配置される第１領域と、前記第１領域に隣接し、前記加速度センサ素子を外部回路に接続するための配線層を有する第２領域と、を有する基板と、前記加速度センサ素子を空隙を介して封止するように、前記基板の上面に固定されたキャップ型の封止部材と、有する加速度センサである。 （もっと読む）

【課題】配線導体による起伏の影響を抑えつつ、小型化に対応した加速度センサおよび加速度センサの製造方法を提供する
【解決手段】固定部３と、加速度が加わったときに固定部３に対し変位する重り部１と、一端が固定部３に、他端が重り部１にそれぞれ連結され、重り部１の変位に伴って撓む梁部２と、を有するセンサ素子２０と、センサ素子２０が実装される平板状の第１の基板３０と、第１の基板３０が実装される基体４０であって、内部または第１の基板３０が実装される面４０Ｓに配線導体４１が配置されている基体４０と、第１の基板３０と基体４０との間に介在され、第１の基板３０を基体４０に固定するための第１の接着材１０と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】 生産性が高く小型な加速度センサ素子及び加速度センサを提供する。
【解決手段】
錘部と、平面視で外形が矩形状であり、前記錘部を囲繞する枠状の固定部と、一方端が前記錘部に、他方端が前記固定部に接続された梁部と、前記梁部に設けられ、前記梁部の撓みに応じて抵抗値が変化する抵抗素子と、平面視で前記錘部に重なるように配置され、前記固定部の一主面側の辺上に固定された規制板と、を有する加速度センサ素子。 （もっと読む）

【課題】微小デバイスチップの半導体基板表面における付着物による不良をチップレベルで検知できるようにする。
【解決手段】半導体基板１の一表面側にカバーガラス２が接着され、前記半導体基板の前記一表面側とは反対側の他表面側にベースガラス３が接着されてなる積層構造状のウェハレベルパッケージ構造体であって、前記積層構造状の複数の微小デバイスチップが集合してなり、複数の微小デバイスチップのうちの少なくとも一つの微小デバイスチップは、半導体基板の前記一表面側に接着されたカバーガラス２を分離し得る構造を備え、半導体基板１の前記一表面側が検査対象とされる検査対象用微小デバイスチップＴであるようにした。 （もっと読む）

【課題】陽極接合の際、錘部がガラスストッパに接着せず、錘部がガラスストッパに接触した場合でも異物が発生しない微小デバイスを提供する。
【解決手段】可動部と、可動部の周囲に設けられ可動部を可動可能に支持するフレーム１１と、を有するシリコン基板１と、可動部との間にギャップ５、６を設けるようにシリコン基板１のフレーム１１に陽極接合されるガラス基板２、３と、を備える微小デバイスであって、フレーム１１に陽極接合されるガラス基板２、３の接合面２２、３２の面粗度はＲａ＝２ｎｍ以下であり、ガラス基板２、３のシリコン基板１側の表面において可動部に対向する対向面２３、３３の面粗度はＲａ＝０．２乃至０．５μｍであるようにした。 （もっと読む）

【課題】簡単な製造工程でセンサ基板を形成し、センサ基板と配線基板とを、半導体同士の常温活性化接合により強固に封着し、信頼性の高いセンサ装置を提供する。
【解決手段】センシング部を備えるセンサ基板１と、センサ基板１の一表面に封着される配線基板２と、を備えるセンサ装置において、センサ基板１の前記一表面の一部を、不純物添加することにより、第１高濃度拡散領域１９とし、当該第１高濃度拡散領域１９はセンシング部に電気的に接続され、配線基板２のセンサ基板１側の表面の一部を、不純物添加することにより、第２高濃度拡散領域２９とし、第２高濃度拡散領域２９は外部に設けられた外部電極２５に電気的に接続され、センサ基板１と配線基板２とは、第１高濃度拡散領域１９と第２高濃度拡散領域２９とが常温活性化接合されたことより封着されるようにした。 （もっと読む）

【課題】アルミ溶断による陽極接合の不良発生を抑制するウェハレベルパッケージ構造体を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ１１と、この半導体ウェハ１１の一表面側に形成される絶縁膜１２と、この絶縁膜１２において前記半導体ウェハ１１と反対側に形成されるアルミ膜１３と、を含む積層構造を備えるセンサウェハ１と、このセンサウェハ１においてアルミ膜１３が形成された一面側に接合されるカバーウェハ２と、を備え、センサウェハ１において、アルミ膜１３の一部は、絶縁膜１２に設けられた貫通孔５内部に突出する凸部６を備えるように形成され、この凸部６と電気的に接触する半導体ウェハ１１の所定箇所をコンタクト部７となし、コンタクト部７を介して電流をアルミ膜１３に流すことによりセンサウェハ１とカバーウェハ２とをアルミ膜１３を介して陽極接合させてなるようにした。 （もっと読む）

【課題】検出感度が高く、小型化可能な力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】
矩形枠状の枠体１１と、枠体１１の内側に配置された変位部１２と、枠体１１の一辺から対向辺に向かって延在する長尺部１５と長尺部１５に連なり、変位部１２の四隅に接続される接続部１６とを有し、枠体１１の四辺と変位部１２とを接続する４つの梁部１３と、枠体１１との接続部分に位置する検出素子１７とを有し、梁部の１３の撓みを検出素子１７によって検出することにより、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の３軸方向の加速度を検出する。 （もっと読む）

【課題】検出感度が高く、梁の破損を防止できる力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】矩形枠状の枠体１１と、枠体１１の内側に配置された変位部１２と、枠体１２と変位部１２との間にそれぞれ位置し、変位部１２を揺動自在に支持する複数の梁部１３と、複数の梁部１３の撓み量に基づいて力学量に応じた信号を出力する複数の検出素子１７とを備え、平面視において、梁部１３の外側面と枠体１１との内側面との間隔が、それぞれ変位部１２と枠体１１との間に位置する梁部１３の揺動時の支点となる位置から離間方向に狭くなるように形成した。 （もっと読む）

【課題】高い感度を示すことができる力学量検出センサの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の力学量検出センサの製造方法は、活性層、ベース層及び前記活性層と前記ベース層との間に挟持された絶縁層で構成されたＳＯＩ基板の前記ベース層を加工して、枠体と、前記枠体の内側に位置する錘と、前記枠体に対し前記錘を揺動可能に支持する梁部と、を形成する工程と、前記梁部の厚さを薄くする工程と、前記活性層上に、前記梁部の撓み量に基づいて力学量に応じた信号を出力する検出素子を形成する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】感度を低下させることなく、多軸方向の感度差を小さくすることができる力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】開口部２３を有する支持部２１と、支持部２１の開口部２３の内側に位置する錘部２２と、錘部２２を揺動自在に支持する梁部１３と、梁部１３に設けられ、梁部１３の撓み量に基づいて多軸方向の力学量に応じた信号を出力する検出素子１５、１６とを備え、梁部１３の延在方向の少なくとも一部分は、他の部分よりも細く形成し、検出素子１５、１６の出力によって検出される多軸方向の力学量に対する感度差が所定の範囲内に収まるようにした。 （もっと読む）

【課題】加工プロセスに起因したセンサ感度のばらつきを抑えて製造時の歩留まりを向上することができる力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】枠体１１の内側に梁部１３により変位部１２を揺動可能に支持する第１の基板２と、開口部２３を有する支持部２１、変位部１２に接続した錘部２２が形成された第２の基板３と、梁部１３の撓み量に基づいて力学量に応じた信号を出力する検出素子１７とを備え、平面視において、第１の基板２および第２の基板３が、少なくとも枠体１１の内縁１１ａにおける梁部１３との接続部分が支持部２１の開口縁２１ａの外側に位置すると共に、少なくとも変位部１２の外縁１２ａにおける梁部１３との接続部分が錘部２２の外縁２２ａの内側に位置するよう構成した。 （もっと読む）

【課題】検出素子に対する配線の引き回しが簡易である力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】本発明の力学量検出センサは、枠体と、変位部と、前記枠体に対し前記変位部を揺動可能に支持する梁部とを有する第１の半導体基板と；前記枠体に接続された支持部と、前記変位部に接続された錘部とが形成されており、前記第１の半導体基板に絶縁層を介して積層された第２の半導体基板と；上部電極と、下部電極と、前記上部電極及び下部電極間に挟持された圧電薄膜とで構成され、前記梁部の撓み量に基づいて力学量に応じた信号を出力する検出素子とを備え、前記下部電極が前記第１の基板と電気的に導通されており、前記変位部が第１のコンタクトホールを介して前記錘部と電気的に導通されており、前記枠体の一つの電極パッドが第２のコンタクトホールを介して前記支持部と電気的に導通されており、前記錘部、前記変位部、前記梁部、前記下部電極、前記枠体及び前記支持部が導通されてアースとなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】センサを大型化することなく、支持部と錘部とのスティッキングを抑制することができる力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】開口部２３を有する支持部２１と、支持部２１の開口部２３の内側に位置し、支持部２１の内側面２８に対向する外側面２７を有する錘部２２と、支持部２１の各内側面２８と錘部２２の各外側面２７との間にそれぞれ位置し、錘部２２を揺動自在に支持する複数の梁部１３と、複数の梁部１３の撓み量に基づいて力学量に応じた信号を出力する複数の検出素子１７とを備え、平面視において、錘部２２の各外側面２７と支持部２１の各内側面２８との間隔が、それぞれ錘部２２の外側面２７と支持部２１の内側面２８との間に位置する梁部１３の揺動時の支点となる位置から離間方向に広くなるように形成した。 （もっと読む）

【課題】高感度であり、かつ、他軸感度比率が小さく、正確に力学量を検出することができる力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】本発明の力学量検出センサは、枠体と、前記枠体の内側に位置する変位部と、前記枠体に対し前記変位部を揺動可能に支持する梁部とが形成された第１の半導体基板と、開口部を有し、前記枠体に接続された支持部と、前記開口部内で前記変位部に接続された錘部とが形成されており、前記第１の半導体基板に絶縁層を介して積層された第２の半導体基板と、前記第１の半導体基板上に設けられており、前記梁部の撓み量に基づいて力学量に応じた信号を出力する検出素子とを備え、前記梁は、一端が前記枠体に固定され、他端が前記変位部に固定されると共に、前記変位部の外周面との間に所定の間隔をとって前記変位部の外周面に沿って延設されており、前記梁の他端が相対的に太いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 小型化可能で、特性のばらつきが少ない高精度なＭＥＭＳを製造する。
【解決手段】 単結晶シリコンからなる基板の第一の主面の環状領域に複数の凹部を形成し、前記基板を非酸化性雰囲気中で熱処理することによって、前記複数の凹部から前記基板内に環状の空洞を形成するとともに、前記空洞によって隔てられた薄肉部と厚肉部と、前記空洞に囲まれ前記薄肉部と前記厚肉部とを連結している支柱部とを形成し、前記第一の主面の裏面に相当する前記基板の第二の主面から、前記空洞に到達する環状溝を形成することによって、前記環状溝の外側に位置し前記薄肉部と結合する枠部と前記環状溝の内側に位置し前記支柱部に結合する錘部とに前記厚肉部を分割する、ことを含む。 （もっと読む）