【課題】ストッパ部の破損を防止することで、耐久性を向上させる加速度センサを得る。
【解決手段】錘部材３６に下向きの振動が加えられ、錘部材３６が下側に変位すると、錘部材３６の底面が底板９０に当って、錘部材３６は停止して下側の変位は阻止される。また、錘部材３６が上側に変位すると、周辺錘部３６Ｂがストッパ部２０に当って、錘部材３６は停止して上側の変位は阻止される。ストッパ部２０に当って錘部材３６の変位が阻止されるため、ストッパ部２０の強度が低いとストッパ部２０の破損が考えられる。しかし、ストッパ部２０の両側にストッパ部２０を補強する補強部２４が設けられていため、ストッパ部２０の破損を防止し、これにより、加速度センサ１００の耐久性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】重り部と第二のカバーとの間に働く静電引力を低減することのできる半導体加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】支持層１０の表面に埋込絶縁層１２と活性層１１とが順次積層して成るＳＯＩ基板を用いて形成され、内方に開口部２ａを有する矩形枠状の支持枠２、開口部２ａに配置される重り部３、支持枠２と重り部３とを一体に連結する撓み部４、で構成されるセンサ本体１と、撓み部４に設けられて重り部３への加速度の作用により撓み部４に生じる応力を検出するピエゾ抵抗５と、支持枠２の表面側に接合される第一のカバー６と、支持枠２の裏面側に接合される第二のカバー７と、を備え、重り部３における支持層１０と支持枠２における支持層１０とを電気的に接続する導電層８が撓み部４において形成され、撓み部４には空隙１４が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、力学量検出センサ素子内に配設されるメンブレンの破損を抑制でき、かつプロセス性能の低下を低減することが可能な力学量検出センサの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る力学量検出センサの製造方法は、重量部を支持する接続部等のメンブレンの形成を時に保護層、さらには支持基板を設けた状態でエッチングを行うことで、製造時におけるメンブレンの破損を低減することができる。よって量産性に優れた力学量検出センサの製造方法を提供できる。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスの簡略化を図れるとともにプロセス温度の低温化を図れ且つ接合工程の歩留りの向上を図れるウェハレベルパッケージ構造体およびセンサ装置を提供する。
【解決手段】ウェハレベルパッケージ構造体１００は、センサウェハ１０と第１のパッケージウェハ２０との封止用金属層１８，２８同士および電気接続用金属層１９，２９同士が常温接合されている。各封止用金属層１８，２８および各電気接続用金属層１９，２９は、それぞれ、絶縁膜１６，２３上において、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｚｒ、ＴｉＮ、ＴａＮの群から選択される材料により形成された下層と、表面のＲＭＳあらさが１．８ｎｍ以下に形成された上層のＡｕ膜との積層膜により構成されている。センサ装置は、ウェハレベルパッケージ構造体１００をセンサウェハ１０におけるセンサ基板（センサ本体）１のサイズに基づいて規定した所望のサイズに分割することで形成されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い３次元積層デバイスとその製造方法、及びその３次元積層デバイスの接合方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体ウェハ２〜５が積層一体化された後、各デバイスに固片化されて成る３次元積層デバイス１であって、隣り合って積層される半導体ウェハにおいて、一方の半導体ウェハの接合部が凸状６に形成され、他方の半導体ウェハの接合部が凹状７に形成され、一方の半導体ウェハの凸状の接合部６と、他方の半導体ウェハの凹状７の接合部とが直接接合されて積層されて成る。 （もっと読む）

【課題】簡単な方法で、半導体材料のみからなる錘部に比べて同じサイズで錘部の重量を大きくする。
【解決手段】半導体センサ１は、錘部１５と、錘部１５の周囲に錘部１５とは間隔をもって設けられた支持部１１と、錘部１５を支持するために一端が錘部１５に接続され他端が支持部１１に接続されている可撓部１３を備えている。可撓部１３の第１半導体層５に複数のピエゾ抵抗体１９が形成されている。錘部１５は、半導体材料からなる錘部半導体層５，９と、金属粒子を含有している感光性樹脂からなる錘部感光性樹脂層１７ａを備えている。錘部感光性樹脂層１７ａは、金属粒子を含有していることによって、その比重が錘部半導体層５，９の比重よりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】センサ感度が低下することなく、製造工程の簡略化と歩留まりの低下の防止とを実現することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、第１の厚さを有する第１の領域と、第１の領域の周辺に画成され第１の厚さよりも厚い第２の厚さを有する第２の領域と、第２の領域の周辺に画成され第２の厚さよりも厚い第３の厚さを有する第３の領域と、を有するパッケージであって、第３の領域にパッケージの外部と電気的に接続される接続パッドを有するパッケージと、第１の錘部と、第１の錘部を離間して囲む固定部と、第１の錘部と固定部とを連結する可撓性を有する梁部と、を有するセンサチップであって、固定部がパッケージの第２の領域に配置されるセンサチップと、固定部及び梁部と離間され、第１の錘部に接着層を介して接続される第２の錘部とを有する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】センサ基板の残留応力が少なくて所望のセンサ特性を有するセンサ素子の製造歩留まりを高めることができるセンサ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】センサ基板１と各パッケージ用基板２，３との互いの接合面それぞれを清浄・活性化する活性化工程と、活性化工程の後でセンサ基板１と各パッケージ用基板２，３とを互いの接合面を突き合せて接合する接合工程とを備え、接合工程では、センサ基板１と第２のパッケージ用基板３とをＳｉ−Ｓｉ、Ｓｉ−ＳｉＯ_２、ＳｉＯ_２−ＳｉＯ_２、Ｓｉ−Ｓｉ_３Ｎ_４、Ｓｉ_３Ｎ_４−Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２−Ｓｉ_３Ｎ_４の群から選択される１組の組み合わせの常温接合により接合し、その後、センサ基板１の第１の電気接続用金属層１９と第１のパッケージ用基板２の第２の電気接続用金属層２９とを常温接合するとともに、センサ基板１と第１のパッケージ用基板２との封止用金属層１８，２８同士を常温接合する。 （もっと読む）

【課題】小型化しながらも外部回路と接続するためのパッド電極のレイアウトの自由度を高めることができ且つセンサ基板の残留応力を少なくできるセンサ装置を提供する。
【解決手段】センサ基板１は、第１の封止用金属層１８および第１の電気接続用金属層１９が形成される。電極形成基板２の一面にはセンサ基板１のセンシング部Ｄｓの可動部の変位を許容する変位用凹所２１が形成され、変位用凹所２１の周部には、第１の封止用金属層１８に常温接合される第２の封止用金属層２８と、第１の電気接続用金属層１９に常温接合される第２の電気接続用金属層２９が配置され、電極形成基板２の他面にはパッド電極２５が配置される。各パッド電極２５に対応する部位にはそれぞれ貫通孔配線２４が形成され、少なくとも一部の貫通孔配線２４の一端は、変位用凹所２１の内底面に位置し、当該一端と第２の電気接続用金属層２９との間は中間配線２６により接続される。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ部側からの外部応力や残留応力に起因したセンサ部のセンサ特性の劣化を防止することが可能なチップサイズパッケージを提供する。
【解決手段】センサ部Ｅ１の周りを取り囲んでＩＣ部Ｅ２が形成されＩＣ部を取り囲んで接合用領域部Ｅ３が形成されたセンサ基板１と、貫通孔配線形成基板（第１のパッケージ用基板）２と、カバー基板（第１のパッケージ用基板）３を備える。センサ基板１は、接合用領域部Ｅ３の表面に第１の封止用金属層１８と第１の電気接続用金属層１９とが近接して形成され、貫通孔配線形成基板２は、第２の封止用金属層２８と第２の電気接続用金属層２９とが近接して形成され、センサ基板１と貫通孔配線形成基板２とは、封止用金属層１８，２８同士の活性化された接合表面同士が常温接合されるとともに、電気接続用金属層１９，２９同士の活性化された接合表面同士が常温接合されている。 （もっと読む）

【課題】センサ基板とパッケージ用基板との接合時に発生する残留応力の低減が可能なセンサエレメントを提供する。
【解決手段】センサ基板１は、一表面側に、枠状の第１の封止用金属層１８が形成され、センシング部と電気的に接続された第１の電気接続用金属層１９が形成されている、第１のパッケージ用基板たる貫通孔配線形成基板２は、センサ基板１側の表面に、枠状の第２の封止用金属層２８が形成され、貫通孔配線２４と電気的に接続された第２の電気接続用金属層２９が形成されている。センサ基板１と貫通孔配線形成基板２とは、封止用金属層１８，２８同士および電気接続用金属層１９，２９同士それぞれに関して活性化された接合表面同士が常温接合され、センサ基板１と第２のパッケージ用基板たるカバー基板３とは、活性化された接合表面同士が、Ｓｉ−Ｓｉの組み合わせで常温接合されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた電子部品、その製造方法、電子部品を用いた加速度センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に形成される絶縁層２８と、絶縁層２８上に形成され、外部端子と電気的に接続されるパッド２４と、を含む電子部品であって、パッド２４の底面に対応する基板１０および絶縁層２８の領域の少なくとも一つに形成される空洞２６が設けられている電子部品である。 （もっと読む）

【課題】 初期オフセットずれおよびオフセット変動の小さい３軸加速度センサーを小さ
い面積に低コストで製造する。
【解決手段】 第１層から第２層にかけて形成された枠部および錘部と、第１層に形成さ
れ、錘部を枠部内に支持する、対を成す梁２対からなる梁部と、梁部に設けられた半導体
ピエゾ抵抗素子と、それらを接続する配線を有する３軸加速度センサーであって、梁部の
枠部および錘部との接続部付近において、梁部の両側に、梁部の接続端よりも梁部中央に
向けて突き出した枠側突出部および錘側突出部を、少なくとも第２層の第１層との接続面
と反対の面において形成されるようにする。梁部の両端のエッチング溝形状が一致するた
め、接続部形状が一致させやすく、応力による出力変動を小さくできる。 （もっと読む）

【課題】良好な耐衝撃性を有し、小型化が可能なセンサ装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】錘部１２と、錘部１２を囲うように配置された枠部１０と、枠部１０上に第１絶縁層１４を介して設けられた支持部２４と、錘部１２上に第２絶縁層１８を介して設けられた質量部２６と、支持部２４と質量部２６とを接続している梁部１６と、支持部２４の枠部１０上面と対向する面３６、枠部１０の支持部２４底面と対向する面３８、及び第１絶縁層１４の錘部１２側の側面２０、により区画された第１凹部３０と、質量部２６の錘部１２上面と対向する面４０、錘部１２の質量部２６底面と対向する面４２、及び第２絶縁層１８の枠部１０側の側面２２、により区画された第２凹部３２と、を有し、第１凹部３０の深さ３４、及び第２凹部３２の深さ３５が、枠部１０の幅の３．３％以上５．０％以下である。 （もっと読む）

【目的】半導体デバイスの製造工程における、洗浄及び乾燥処理による半導体デバイスに対する悪影響を防止することを目的としている。
【構成】半導体デバイスの製造方法であって、半導体ウエハを用意する準備工程と、前記半導体ウエハ上に半導体機能素子を形成する素子形成工程と、当該素子形成後の半導体ウエハにイソプロピルアルコールベーパによる乾燥処理を施す乾燥工程と、当該乾燥処理後の半導体ウエハを加熱する加熱工程と、当該加熱処理後の前記半導体体ウエハに発煙硝酸によるRA洗浄を施す洗浄工程と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】感度の低下を抑制しつつ薄肉化に寄与する半導体加速度センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体基板を用いて製造される半導体加速度センサにおいて、前記半導体基板によって成形される外枠と；前記半導体基板によって成形され、前記外枠に連結された複数の梁部と；前記半導体基板によって成形され、前記梁部に連結された第一錘部と；前記第一錘部の前記梁部と反対側の端面に連結された第二錘部とを備える。そして、前記第二錘部は、前記第一錘部よりも比重の大きな材質で成形されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造工程の煩雑化や構造の複雑化やコスト増加を回避しながら、耐久に対する信頼性を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】ｐ型とｎ型の何れか一方側に形成された半導体基板１３（１２）と、半導体基板１３の表面側領域に形成された前記ｐ型とｎ型のうちの他方側の配線パターン１７と、配線パターン１７を覆って半導体基板１３の表面上に積層形成されている絶縁層と２０、配線パターン１７の端部位置の上側の絶縁層部分に貫通形成されたコンタクトホール２１と、絶縁層２０上に、一端側をコンタクトホール２１を介して配線パターン１７の端部に接続させて形成されている導体パターン１８，１９とを有し、導体パターン１８．１９の下方側の半導体基板１３の表面側領域には、配線パターン１７と電気的に接続したダミーパターン２５を導体パターン１８，１９に対向して設ける。 （もっと読む）

【課題】電気ノイズや温度などの外乱の影響を抑制でき且つ高精度化が可能なセンサ装置を提供する。
【解決手段】センサチップ１の出力信号を信号処理する回路部Ｄｃが、第１のパッケージ用基板２におけるセンサチップ１との対向面側に形成されるとともに、第１のパッケージ用基板２に、センサチップ１および回路部Ｄｃと電気的に接続される貫通孔配線２４が形成されてなり、センサチップ１と第１のパッケージ用基板２とは、互いの対向面それぞれに形成されたパッド１９，２９の一方のパッド２９の表面に形成したバンプ９と他方のパッド１９とが常温バンプ接合により接合されている。回路部Ｄｃは、温度検出部、温度補償回路を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】基板の端部上に設けてあり、エッチングによる除去が可能な犠牲層と、犠牲層上にてその一端部が支持されており、曲げ変形可能な変形層と、変形層上に設けてあり、内部応力を有している応力層とを備える片持ち梁及び力センサにおいて、大掛りな装置を用いることなく、内部応力に比して靱性が高く破壊し難い応力層を形成することができ、また変形層に検出部を設けるときには、検出部と応力層との絶縁を考慮する必要のない片持ち梁及び力センサの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１、犠牲層２及び変形層３を順次積層してなる基礎部１０上にピエゾ抵抗素子４を設ける工程と、基礎部１０上に有機物を含む溶液を塗布し乾燥させて応力層５を設ける工程と、応力層５及び変形層３に、犠牲層２に至っておりエッチャントを流入させる流入凹部６を設ける工程と、流入凹部６に前記エッチャントを流入させて、犠牲層２の一部を除去する工程とを備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】過大な衝撃力による慣性センサの破損を防止する手段を提供する。
【解決手段】外枠の側壁からスリットを跨いで重錘部上に延在しシリコン薄膜層により形成された第１の係止片と、この第１の係止片の裏面と離間して対向する底面を有し重錘部上に形成された第１の凹部と、重錘部からスリットを跨いで外枠の側壁上に延在しシリコン薄膜層により形成された第２の係止片と、この第２の係止片の裏面と離間して対向する底面を有し外枠の側壁上に形成された第２の凹部と、外枠の側壁から重錘部に向かってスリット上に突出しシリコン薄膜層により形成された突出片とを設け、第１の係止片と突出片とを第２の凹部の両側にそれぞれ隣接させて配置すると共に、第２の係止片を第２の凹部の側面との間に隙間を介して配置してストッパ機構を形成し、このストッパ機構を可撓部の両側にそれぞれ設ける。 （もっと読む）