【課題】低背小型化しても実装後の検出感度を高く維持することができる加速度センサ装置を提供する。
【解決手段】重り部１１と、重り部１１を囲繞する枠状の固定部１３と、一方端が固定部１３に連結され、且つ他方端が重り部１１に連結される梁部１２と、梁部１２に設けられる抵抗素子１５と、を有するセンサ素子２０と、センサ素子２０が載置される基板１と、固定部１３の下面と基板１の上面との間に複数箇所に分かれた状態で介在され、センサ素子２０と基板１とを複数箇所で接合する接着剤８と、を備え、固定部１３の下面には、接着剤８が付着する領域を囲むようにして溝部７が設けられている （もっと読む）

【課題】カバー板を備えた半導体センサの製造方法において、ウェハ状態でカバーウェハを搭載した後にカバーウェハを加工して電極パッドを露出させる際にカバーウェハの詳細な位置合わせを必要とせず、かつ、配線パターン及び電極パッドの損傷及びカバーウェハの残渣物の発生を防止する。
【解決手段】複数の半導体センサ領域を備え半導体センサ領域にセンサ部２８及び電極パッド１６が形成された半導体ウェハ２ｄ上に少なくとも電極パッド１６に対応する位置に凹部２４ｂをもつカバーウェハ２４ａを搭載する（Ａ）。カバーウェハ２４ａの半導体ウェハ２ｄとは反対側の面を研削又は研磨することによりカバーウェハ２４ａの厚みを薄くするとともに凹部２４ｂの底部を開口させて電極パッド１６を露出させる（Ｂ）。半導体センサ領域を半導体ウェハ２ｄから切り出して半導体センサ１を固片化する（Ｃ） （もっと読む）

【課題】ピエゾ抵抗部とそのコンタクトホールとのアライメント精度を向上させる。
【解決手段】半導体層の表面に絶縁層を形成し、前記絶縁層に複数のコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールが形成された前記絶縁層の表面に通孔を有する保護膜を形成し、前記通孔から露出している前記絶縁層を貫通させて前記半導体層に不純物を注入することにより複数の前記コンタクトホールの間にピエゾ抵抗部を形成する、ことを含むＭＥＭＳ製造方法。 （もっと読む）

【課題】感度が高く感度の温度依存性が低いＭＥＭＳを提供する。
【解決手段】シリコンウエハの２つの主面の一方側からの加工により、可撓部と前記可撓部の変形または変位を検出するための検出手段とを形成し、前記シリコンウエハの２つの前記主面の他方に所定の金属材料に比べて前記シリコンウエハに熱膨張係数が近い連結材料からなる第二ウエハを直接接合し、前記第二ウエハをエッチングすることにより環状の間隙を形成するとともに前記間隙に囲まれ前記連結材料からなる連結部を形成し、前記間隙に表れる前記シリコンウエハの前記他方の主面と前記第二ウエハの端面とに犠牲膜を形成し、前記連結部および前記犠牲膜の表面に前記金属材料を堆積させることにより前記金属材料からなる錘部を形成する、ことを含むＭＥＭＳ製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明によれば製造コストを抑え、かつ信頼性の高い物理量センサ及びその製造方法を提供することができる。
【解決手段】 本発明に係る物理量センサの製造方法は、半導体基板上に開口を有するマスクを形成する工程と、前記開口により露出した前記半導体基板に、熱拡散法により複数のピエゾ抵抗素子を形成する工程と、前記ピエゾ抵抗素子を形成した後、前記マスクを除去する工程と、前記半導体基板上に、前記ピエゾ抵抗素子の少なくとも一部を覆う絶縁層を形成する工程と、前記ピエゾ抵抗素子の形成領域内における前記絶縁層を開孔してコンタクトホールを形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単一の応力センサを備える半導体装置において、検出できる応力の範囲を広げる。
【解決手段】中空かつ上面が開放された形状の外郭部ＢＤと、外郭部ＢＤ内に配置された厚肉の錘部ＷＧと、外郭部ＢＤ内において錘部ＷＧを梁状に支えるように、外郭部ＢＤと錘部ＷＧとを連結する薄肉の可撓部ＤＦと、錘部ＷＧと可撓部ＤＦとの境界または外郭部ＢＤと可撓部ＤＦとの境界に配置されたピエゾ素子ＰＤ１と、錘部ＷＧの表面に配置され、外部からの給電により帯電される第１電極板ＥＰ１と、外郭部ＢＤの内部に配置され、外部からの給電により帯電される第２電極板ＥＰ２とを有する半導体装置であって、外郭部ＢＤと錘部ＷＧと可撓部ＤＦとは同一の半導体基板１からなる一体的な部材であり、第１電極板ＥＰ１と第２電極板ＥＰ２とは同一面内に無く、各電極板ＥＰ１，ＥＰ２が互いに対向するようにして配置されている。 （もっと読む）

【課題】 抵抗素子、配線および接続電極における抵抗値の管理を容易に行うことができる加速度検出装置を提供する。
【解決手段】 基板１１の第１領域１２の第１領域１２を囲繞する第２領域１３との間に設けられ、可撓性を有する第３領域１４に、第１および第３抵抗素子Ｒ１，Ｒ３と、第２および第４抵抗素子Ｒ２，Ｒ４と、第１領域１２を挟んで配置する。スイッチ部３によって、第１抵抗素子Ｒ１と第２抵抗素子Ｒ２とを電気的に接続し、かつ第３抵抗素子Ｒ３と第４抵抗素子Ｒ４とを電気的に接続する第１接続状態と、第１抵抗素子Ｒ１と第４抵抗素子Ｒ４とを電気的に接続し、かつ第２抵抗素子Ｒ２と第３抵抗素子Ｒ３とを電気的に接続する第２接続状態とを選択的に切り替える。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、配線とピエゾ抵抗素子間において安定した電気的なコンタクトを有する小型な加速度センサを提供することにある。
【解決手段】 本発明に係る加速度センサは、開口を有するフレーム部と、フレーム部の開口内に配置された錘部と、フレーム部と錘部とを接続する少なくとも一対の梁部と、梁部に形成され、かつ梁部の一端がフレーム部と接続する領域と、梁部の他端が錘部と接続する領域のそれぞれに配置された検出部と、検出部の両端に形成された接合部と、梁部上に形成され、検出部の少なくとも一部を覆う絶縁層と、接合部の形成領域内における絶縁層を開孔して形成された、少なくとも１つのコンタクトホールと、コンタクトホールを介して接合部と電気的に接続する配線と、を備え、接合部の幅が検出部の幅よりも大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ抵抗部の上に圧電層を備えるＭＥＭＳの電気的特性を向上させる。
【解決手段】半導体層に不純物を注入することにより前記半導体層にピエゾ抵抗部を形成し、前記半導体層の表面に結合している絶縁層の表面の平坦な領域に下層電極となる導電層を形成し、前記下層電極となる導電層の表面の平坦な領域に圧電層を形成し、前記圧電層の表面に上層電極となる導電層を形成し、前記下層電極となる導電層と前記圧電層と前記上層電極となる導電層とをエッチングすることにより圧電素子を形成する、ことを含むＭＥＭＳ製造方法。
。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、配線とピエゾ抵抗素子間における電気的なコンタクト不良を防ぎ、かつ小型な加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る加速度センサは、開口を有するフレーム部と、フレーム部の開口内に配置された錘部と、フレーム部と錘部とを接続する少なくとも一対の梁部と、梁部に形成され、かつ梁部の一端がフレーム部と接続する領域と、梁部の他端が錘部と接続する領域のそれぞれに配置された検出部と、検出部の少なくとも一方の端部から延伸して形成された複数の端子部と、梁部上であって、検出部の少なくとも一部を覆う絶縁層と、絶縁層を開孔して形成された、少なくとも１つののコンタクトホールと、コンタクトホールを介して端子部と電気的に接続する配線と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】錘部、梁部及びピエゾ抵抗素子の破損や特性変化を防止し、加速度センサ装置の信頼性を向上する。
【解決手段】加速度センサ装置は、錘部１１、この錘部１１の周囲に離間して配置された台座部１２、及び、錘部１１と台座部１２とを可撓的に接続する複数の梁部１３を有する加速度センサチップ１０と、錘部１１の変位を規制するために加速度センサチップ１０上に設けられるストッパ板２０とを備えている。ストッパ板２０は、梁部１３に対向する位置に凹部２５を有しているので、梁部１３に衝撃を与えることなく錘部１１の変位を制限することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】加速度センサパッケージの薄型化を図ると共に、加速度センサチップの可撓部の破損を防止する手段を提供する。
【解決手段】加速度センサパッケージが、縁部に複数のパッドが形成されたパッド形成面を有する加速度センサチップと、接続端子が形成された端子形成面を有する制御チップと、加速度センサチップおよび制御チップを収容する収容凹部と、収容凹部の底面のパッドに対応する位置に配置された底面端子とを有するケース体と、を備え、加速度センサチップのパッドを、ケース体の底面端子に電気的に接続すると共に、加速度センサチップのパッド形成面と反対側の裏面に、制御チップの端子形成面と反対側の裏面を接合する。 （もっと読む）

【課題】低背小型化しても実装後の検出感度を高く維持することができる加速度センサ装置を提供する。
【解決手段】錘部１１と、錘部１１を囲繞する枠部１３と、一方端が錘部１１に連結され且つ他方端が枠部１３に連結された可撓性を有する梁部１２と、梁部１２に設けられる抵抗素子１５と、を有するセンサ素子２０と、センサ素子２０が搭載される基板１と、基板１の主面１Ａで、且つ枠部１３の直下領域に設けられる複数個の凸部７と、枠部１３の下面と凸部７の上面との間に介在され、センサ素子２０と基板１とを接続する接着剤８と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】低背小型化しても実装後の検出感度を高く維持することができる加速度センサ装置を提供する。
【解決手段】重り部１１と、重り部１１を囲繞する枠状の固定部１３と、固定部１３の下面に開口部７ａを有するようにして固定部１３に設けられる孔部７と、一方端が固定部１３に連結され、且つ他方端が重り部１１に連結される梁部１２と、梁部１２に設けられる抵抗素子１５と、を有するセンサ素子２０と、センサ素子２０が載置される主面１Ａを有する基板１と、基板１の主面１Ａと固定部下面の開口部７ａ周囲との間に介在され、一部が孔部７に埋入された状態でセンサ素子２０と基板１とを接合する接着剤８と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】製造が容易であり、フレームからの応力影響を抑制することのできる加速度センサを提供する
【解決手段】半導体基板からなるフレーム１と、フレーム１の内側に配置され加速度の作用により変位する錘部２と、錘部２を片持ち梁構造でフレーム１の内側面に連結するビーム３と、ビーム３に形成され錘部２に加速度が作用したときの錘部２の変位によりビーム３に生じる応力を抵抗値変化として検出するピエゾ抵抗４と、フレーム１に配置されピエゾ抵抗４からの信号を取り出す電極５と、を備える加速度センサにおいて、フレーム１とビーム３との間にビーム構造からなる応力緩和用ビーム６を形成するようになした。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ（Micro-electromechanical systems）チップ内部と周囲をゲル材料で充填、覆い安価な樹脂パッケージ化する。
【解決手段】ダイパッド部４１上に固定された加速度センサチップ５０における錘部５２は、この周囲が低弾性のゲル状の樹脂部材６１で覆われているが、外部から加わる加速度に対しては容易に変異するので、加速度を正確に検出できる。しかも、加速度検出に必要な部分以外は樹脂部材６２で樹脂封止されているので、通常の樹脂パッケージと同等の長期信頼性が得られる。 （もっと読む）

【課題】 設計自由度の高いセンサを提供する。
【解決手段】 枠体と、前記枠体の内側に前記枠体と間隔を空けて設けられた乗載体と、
可撓性を有し、前記乗載体を支持するように前記枠体と前記乗載体との間に設けられる梁部と、前記乗載体に設けられた重錘と、前記枠体の前記梁部との接続部に設けられ、前記乗載体の変位に起因する前記枠体の変位を検出する変位検出素子とを含んでセンサを構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に生じる応力を低減することが可能な半導体素子の実装構造を提供する。
【解決手段】半導体素子１は、当該半導体素子１の外周形状に基づいて規定した仮想三角形の３つの頂点に対応する３箇所で接着剤（例えば、弾性率が１ＭＰａ以下のシリコーン樹脂などのシリコーン系樹脂など）からなる接着部２により基板に固着されている。ここにおいて、半導体素子１は、基板３側とは反対側の表面側（上記一表面側）において全てのパッド１９が１辺に沿って配置されており、当該１辺の両端の２箇所と、当該１辺に平行な辺上の１箇所との３箇所とに頂点を有する仮想三角形の各頂点に接着部２が位置しており、各パッド１９にボンディングワイヤを安定してボンディングすることができる。 （もっと読む）

【課題】パッケージへの実装時や実装後の温度変化に起因したセンサ素子への応力を低減することが可能で、且つ、センサ素子の厚み方向の両側それぞれに所望のギャップ長を確保することが可能なセンサモジュールを提供する。
【解決手段】一面が開放された箱状のパッケージ３と、パッケージ３の内底面３ａに固着されたセンサ素子１と、センサ素子１よりも平面サイズが大きくセンサ素子１と協働する半導体素子２とを備える。センサ素子１は、第１の仮想三角形の３つの頂点に対応する３箇所において、球状の第１のスペーサ５２を混合した第１の第１のダイボンド材５１からなる第１の接着部５によりパッケージ３の内底面３ａに固着され、半導体素子２は、第２の仮想三角形の３つの頂点に対応する３箇所において、球状の第２のスペーサ６２を混合した第２のダイボンド材６１からなる第２の接着部６によりセンサ素子１に固着される。 （もっと読む）

【課題】ダイシングに伴う収率の低下が抑制される加速度センサの製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板１０の主表面側に拡散抵抗配線１５を形成し、シリコン窒化膜１９ａを形成した後に、シリコン窒化膜１９ａ上に接合用金属層１７を形成するとともに、接合用金属層１７と上部キャップ３０との間に隙間が形成される部位とスクライブ線との間の所定位置にダイシング時の水流が隙間へ到達するのを防ぐための障壁１７ａを形成し、その後、第１のキャップを上記金属層を介して半導体基板に接合し、さらに第２のキャップを半導体基板の裏面側に接合する。 （もっと読む）