【課題】ＭＥＭＳセンサの錘部の厚さを均一化する。
【解決手段】支持部と、環状の錘部と、前記錘部の内周面に結合し前記錘部を貫通し上端部が前記錘部の上面から突出している連結部と、前記連結部の上端部に一端が結合し、前記支持部に他端が結合し、空隙を挟んで底面が前記錘部の上面と対向し、前記錘部の運動に伴って変形する可撓部と、前記錘部の運動に伴う前記可撓部の変形を検出する検出手段と、を備え、前記錘部の底面の内側に露出している前記連結部の底面の表層と前記錘部の前記底面の表層とは互いに異なる材料からなる、ＭＥＭＳセンサ。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサの錘部の厚さを均一化する。
【解決手段】支持部と、一端が前記支持部と結合し可撓性を有する可撓部と、前記可撓部の他端に結合している連結部と、前記可撓部の変形を検出する検出部とを備える積層構造体を形成し、前記連結部の底面に結合する錘部となる領域に外接する環状溝を前記積層構造体とは別体のウエハの上面に異方性エッチングにより形成し、前記ウエハの上面に前記環状溝を埋める犠牲膜を形成し、前記ウエハの上面が露出するまで前記犠牲膜の表層を除去し、前記ウエハの前記犠牲膜で埋められた前記環状溝の内側領域を前記連結部の底面に接合し、少なくとも前記犠牲膜が露出するまで前記ウエハの底面を後退させることによって前記錘部の厚さを調整し、前記連結部に接合された前記ウエハから前記犠牲膜を除去する、ことを含むＭＥＭＳセンサの製造方法。 （もっと読む）

【課題】可撓部が変形する際に破断しにくく耐衝撃性能に優れたＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】支持部と、一端が前記支持部に結合している可撓性を有する膜であって、厚肉部と前記厚肉部との境界を区間端とし前記厚肉部から離れるにつれて厚さが漸減している漸減区間を有する薄肉部とが前記一端から離れる方向に配列されている可撓部と、前記薄肉部に形成され前記薄肉部に生ずる歪みを検出するための歪み検出手段と、を備えるＭＥＭＳセンサ。 （もっと読む）

【課題】錘部となるウエハが損傷しにくいＭＥＭＳセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】支持部と、一端が前記支持部と結合し可撓性を有する可撓部と、前記可撓部の他端に結合している連結部と、前記可撓部の変形を検出する検出部とを備える積層構造体を形成し、前記連結部の底面に結合する錘部となる領域に外接するウエハの対象領域に残部とは異質の異質領域を形成し、前記異質領域の内側にあって前記錘部となる前記残部の領域を前記連結部の底面に接合し、前記連結部に接合された前記ウエハから前記異質領域を除去する、ことを含む （もっと読む）

【課題】製造工程において枠部が破損しやすいという問題があった。
【解決手段】 可撓部と、前記可撓部の一端と結合し、前記可撓部とともに運動する錘部と、前記錘部を環状に囲み、前記可撓部の他端に内周が結合している枠部と、前記可撓部の変形または変位を検出する検出手段を含む回路要素と、を備え、前記枠部は、基板部と、非前記回路要素であって前記枠部を補強する補強部と、を含んで構成されている。 （もっと読む）

【課題】錘部の移動に伴ってこれに連結された可撓部が変形する構成の半導体センサにおいて、その厚みを変えることなく、可撓部の強度や柔軟性を容易に調整できるようにする。
【解決手段】一部が可撓部Ｆとして構成される薄肉部１２と、その主面１２ｄから突出して薄肉部１２と共に錘部Ｍを構成する厚肉の凸部１１Ｂと、可撓部Ｆの変形又は変位を検出する検出手段１２１とを備え、凸部１１Ｂに隣り合う薄肉部１２の主面１２ｄに、薄肉部１２及び凸部１１Ｂと異なる種類の異種材料からなる調整層１３が形成され、積層された薄肉部１２及び調整層１３により可撓部Ｆが構成されている半導体センサ１を提供する。 （もっと読む）

【課題】小型な構成であって複数の応力を同時に検知することが可能な半導体応力センサを提供することことを課題とする。
【解決手段】圧力を検知する第１の応力検知ウェハ部１、加速度を検知する検知する第２の応力検知ウェハ部２、ならびに貫通配線ウェハ部３が縦方向に積層配置されて形成され、第２の応力検知ウェハ部２には、第１の応力検知ウェハ部１で検知された圧力に応じた電気信号をセンサ外部に出力する引き出し配線２４ａが形成され、貫通配線ウェハ部３には、引き出し配線２４ａに接続されて第１の応力検知ウェハ部１で検知された圧力に対応した電気信号をセンサ外部に出力する引き出し配線２４ｂと、第２の応力検知ウェハ部２で検知された加速度に対応した電気信号をセンサ外部に出力する引き出し配線３１が形成されて構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板と実装基板との線膨張率差に起因して機能部に生じる応力をより緩和することができる半導体素子を提供することにある。
【解決手段】半導体素子１は、中央部に周部に比べて薄肉の撓み部１３が形成された半導体基板１０と、当該半導体基板１０の一表面側において撓み部１３に形成された回路部と、半導体基板１０の他表面側に設けられた外部接続電極１７と、半導体基板１０を厚み方向に貫通し上記回路部と外部接続電極１７との接続に用いられる貫通孔配線１８と、半導体基板１０の上記一表面側に設けられ貫通孔配線１８と上記回路部との接続用の接続部４３とを備え、さらに、半導体基板１０の上記他表面側において貫通孔配線１８よりも半導体基板１０の中央側に形成された第１の溝部３１と、半導体基板１０の上記一表面側において貫通孔配線１８よりも半導体基板１０の外周側に形成された第２の溝部３２とを備える。 （もっと読む）

【課題】新たな外力付与方法を適用可能な半導体加速度センサを提供する。
【解決手段】半導体加速度センサ１は、重り部９、重り部９を囲繞する枠状の固定部１３、及び、一方端が重り部９に連結され、他方端が固定部１３に連結された梁部１１を有するセンサ素子３を有する。また、加速度センサ１は、固定部１３の開口方向の一方側においてセンサ素子３に対向する第１規制板５と、固定部１３の開口方向の他方側においてセンサ素子３に対向する第２規制板７とを有する。そして、第１規制板５には、第１規制板５とセンサ素子３との対向方向に見て、重り部９に重なり、重り部９よりも小さい孔部５ｈが形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造に要する時間を短縮することができる、ＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】加速度センサ１では、基板２の表面上に設けられた支持部３により、基板２の表面に対して空間を挟んで対向する可動部１６を有するビーム１４が支持されている。可動部１６には、抵抗導体２５が形成されている。また、ビーム１４には、連結部３４を介して、錘３３が連結されている。この加速度センサ１は、基板２上に支持部３とビーム１４とを形成した後、錘３３の基体となるシリコン基板を金属材料からなる連結部３４を介して支持部３およびビーム１４に貼り合わせ、そのシリコン基板４４を選択的なエッチングにより錘３３を有する構造に加工することにより得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 加速度センサ素子自体が大型化することなく、加速度の検出感度を向上させることができる加速度センサ素子および該加速度センサ素子を提供する。
【解決手段】 加速度センサ素子１０は、錘部１１と、一方端が錘部１１に連結される梁部１３と、梁部の他方端と連結する固定部１２と、梁部１３に設けられる抵抗素子１４とを備えている。加速度センサ素子１０においては、錘部１１は、固定部１２の第１切り欠き部１２ｂの内壁面の上辺を含んで固定部１２の上面に直交する仮想平面Ｓの外側まで延出された部分であり、固定部１２において平面視したときの幅が小さい領域部分である第２切り欠き部１２ａまで延出した部分である延出部１１ｄを有するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 加速度の検出感度の低下、オフセット電圧の増加、温度ドリフトの悪化などが発生して電気的特性が劣化するのを抑制することができる加速度センサ装置を提供する。
【解決手段】 加速度センサ装置５０は、加速度センサ素子１０と、加速度センサ素子１０が実装される実装面を有する基板２１と、加速度センサ素子１０と基板２１とを接続する接着剤４１とを備える。加速度センサ素子１０は、錘部１１と、錘部１１を囲繞する枠状の枠部１２と、枠部１２の下面に設けられる凸部１２ａと、一方端が錘部１１に、他方端が枠部１２にそれぞれ接続され、かつ可撓性を有する梁部１３と、梁部１３に設けられる抵抗素子１４とを有する。そして、前記接着剤４１は、前記凸部１２ａの下面と前記基板２１の実装面との間に介在され、加速度センサ素子１０と基板２１とを接続するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサによる物理量の検出精度を高める。
【解決手段】ＭＥＭＳセンサの製造方法は、支持部と、支持部に一端が結合し支持部よりも薄い梁部と、梁部の他端に結合し梁部よりも厚い錘部と、梁部に設けられ梁部の歪みを検出する歪み検出手段と、を備えるＭＥＭＳセンサの製造方法であって、基板の表面上に膜を積層することによって膜によって構成される歪み検出手段と基板とを含む積層構造体を形成し、第一の通孔が形成されている第一の保護膜と第二の通孔が形成されている第二の保護膜とを基板の裏面上に形成し、第一の通孔から露出している積層構造体を貫通するまでエッチングすることによって、梁部の側面と錘部の側面の梁部から離間している部分とを形成し、第二の通孔から露出している基板をエッチングすることによって梁部の厚さを調整するとともに錘部の側面の基板からなる残部を形成する、ことを含む。 （もっと読む）

【課題】熱拡散法を用いて半導体に拡散される不純物の濃度を低濃度に制御しながら半導体素子を形成する。
【解決手段】開口を有するマスクを半導体基板に形成し、前記開口により露出する前記半導体基板を不純物源に曝して不純物拡散層を形成し、前記不純物拡散層の酸化により不純物含有酸化物層を形成し、前記不純物含有酸化物層の少なくとも一部を除去し、
前記不純物含有酸化物層の除去後の前記不純物拡散層の不純物を前記半導体基板の内部に拡散してピエゾ抵抗素子を形成する拡散領域を形成し、前記ピエゾ抵抗素子を含む可撓部と、前記可撓部に連結したフレーム部と、を形成して半導体センサを製造する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサによる物理量の検出精度を高める。
【解決手段】ＭＥＭＳセンサの製造方法は、支持部と、支持部に一端が結合し支持部よりも薄い梁部と、梁部の他端に結合し梁部よりも厚い錘部と、梁部に設けられ梁部の歪みを検出する歪み検出手段と、を備えるＭＥＭＳセンサの製造方法であって、基板の表面上に膜を積層することによって膜によって構成される歪み検出手段と基板とを含む積層構造体を形成し、第一の通孔が形成されている第一の保護膜を積層構造体の薄膜上に形成し、第一の通孔から露出している積層構造体を貫通するまでエッチングすることによって、梁部の側面と錘部の側面の梁部から離間している部分とを形成し、錘部の側面の梁部から離間している部分を覆い第二の通孔が形成されている第二の保護膜を基板の裏面上に形成し、第二の通孔から露出している基板をエッチングすることによって梁部の厚さを調整するとともに錘部の側面の基板からなる残部を形成する、ことを含む。 （もっと読む）

【課題】十分なノイズシールド効果が得られなかった。
【解決手段】可撓部と、前記可撓部を支持する支持部と、前記可撓部の一方の面から突出する錘部と、前記可撓部の他方の面側の表面または前記表面近傍に形成され前記可撓部の変形または変位を検出する検出手段と、前記検出手段への配線部と、を有する固体素子と、前記固体素子の前記可撓部の他方の面側において前記支持部に接合され、導電性を有するスペーサと、前記固体素子の前記可撓部の他方の面側から見て、前記可撓部と前記支持部と前記錘部と前記検出手段と前記配線部とに重なる領域において、前記可撓部の他方の面と平行な方向に広がり、前記スペーサを介して接地されている導電層を有し前記スペーサに接合されている板状のストッパと、を備える。 （もっと読む）

【課題】
製品基板への実装前後でセンサー出力のオフセット変化が小さい加速度センサーを実現する。
【解決手段】
支持枠部と支持枠部に可撓性を有する梁部を介して保持される錘部、梁部上に設けられたピエゾ抵抗素子とそれらをつなぐ配線を有し、ピエゾ抵抗素子の抵抗変化から少なくとも梁部の厚さ方向の加速度を検出できる加速度センサー素子を、保護パッケージ内に保持した加速度センサーであって、加速度センサー素子の梁部は、梁部の長手方向にかかる外力を吸収できる応力緩衝部と、支持枠部と応力緩衝部をつなぐ枠側梁部、錘部と応力緩衝部をつなぐ錘側梁部からなり、ピエゾ抵抗素子は枠側梁部および錘側梁部上に形成され、枠側梁部が錘側梁部よりも長くする。 （もっと読む）

【課題】製品間の特性のばらつきを抑えることが可能な加速度センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】加速度センサが、開口を有する固定部と、この開口内に配置され、かつ前記固定部に対して変位する変位部と、前記固定部と前記変位部とを接続する接続部と、を有する第１の構造体と、前記変位部に接合される重量部と、前記重量部を囲んで配置され、かつ前記固定部に接合される台座と、を有し、前記第１の構造体に積層して配置される第２の構造体と、前記接続部に配置され、不純物の濃度が少なくとも深さ方向において略一定であるピエゾ抵抗素子と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】感度を維持しつつ小型化が可能な加速度センサ素子を提供する。
【解決手段】センサ素子２０は、凹部１１ａを有する重り部１１と、重り部１１を囲繞する枠状の固定部１３と、一方端が固定部１３に連結され、且つ他方端が重り部１１に連結される梁部１２と、梁部１２に設けられる抵抗素子１５と、重り部１１の材料より比重の大きい材料からなり、且つ凹部１１ａに埋入される重り部材２２とを有する。 （もっと読む）

【課題】 センサチップの一方側に高精度でシリコンチップを貼合でき、さらに、貼合されたシリコンチップに対して、センサチップの他方側に貼合される封止チップを高精度に位置合わせすることのできる加速度センサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 センサチップ２の一方側にシリコンチップ３が接合されてなる加速度センサ１において、物理量の変化に応じて動作する可動部を有するセンサチップ２に、厚さ方向に貫通し、センサチップ２の上側から下側を視認可能な貫通溝１４を形成する。一方、シリコンチップ３には、センサチップ２の貫通溝１４に対向する部分に、アライメントマーク１６を形成する。 （もっと読む）