【課題】ダイシングに伴う収率の低下が抑制される加速度センサの製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板１０の主表面側に拡散抵抗配線１５を形成し、シリコン窒化膜１９ａを形成した後に、シリコン窒化膜１９ａ上に接合用金属層１７を形成するとともに、接合用金属層１７と上部キャップ３０との間に隙間が形成される部位とスクライブ線との間の所定位置にダイシング時の水流が隙間へ到達するのを防ぐための障壁１７ａを形成し、その後、第１のキャップを上記金属層を介して半導体基板に接合し、さらに第２のキャップを半導体基板の裏面側に接合する。 （もっと読む）

【課題】高い検出感度を得ることができるとともに梁部の破壊を防止することのできる物理量センサとその製造方法を提供する。
【解決手段】物理量センサ１は、枠形状の支持部１１と、錘部２０と、支持部１１と錘部２０と所定間隔をおいて連結する肉薄で可撓性の梁部３０とを有する。梁部３０上には、検出素子であるゲージ抵抗が配設されている。また、物理量センサ１は、支持部１１の錘部２０と向かい合う面Ｌに、衝撃緩和部４１が設けられている。物理量センサ１に過度な加速度が印加された場合には、錘部２０と支持部１１の面Ｌが衝突し、支持部１１に与えられた衝撃が梁部３０に向かう。しかし、物理量センサ１においては、衝撃緩和部４１によってその衝撃は吸収され、梁部３０に伝達される衝撃が軽減される。すなわち、本発明の物理量センサ１では、支持部１１と錘部２０の衝突による梁部３０の損傷を防ぐことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ等の被エッチング体を高い精度で加速度センサおよび角速度センサをドライエッチングするためのマスクパターンの補正方法を提供する。
【解決手段】補正前のマスクパターンを用いて、該被エッチング体面内に発生するテーパーの拡がり寸法の分布を測定し、該分布を二次曲線（Ｙ＝ＡＸ²＋Ｂ）として表してＡとＢを特定し、シリコン基板の中央から距離ｒの位置でのマスクパターンの開口幅のテーパー補正量ｔを行うとともに、チルト寸法の分布を測定して、該分布を直線（Ｙ＝ｋＸ）として表してｋ（ｋ＞０）を特定し、ＳＯＩウェーハの中央から位置ベクトルｒ（座標（ｘ，ｙ））でのマスクパターンの開口幅のＸ軸方向の補正量Ｃ_x、Ｙ軸方向の補正量Ｃ_yをチルト補正を行う。 （もっと読む）

【課題】 プローブテスト時の圧痕の影響を受けず、安定したワイヤーボンディング性を
有する半導体装置を実現する。
【解決手段】 電極を材質の異なった２層の金属膜から形成し、ワイヤーボンディング領
域とテスト領域を分離することで、ワイヤーボンディング領域はプローブ針の影響を受け
ず、また、高いワイヤー溶着強度が得られる半導体装置を提供することができた。 （もっと読む）

【課題】外部応力によるセンサ出力の変動を抑制できるセンサ装置を提供する。
【解決手段】ベース部材上にピエゾ抵抗素子を一面側に有する回路チップが固定され、回路チップ上に一面に可動部を有するセンサチップが固定されたセンサ装置であって、センサチップは、可動部を回路チップのピエゾ抵抗素子形成面に対向させた状態で、可動部を取り囲むように配置された複数のバンプを介して回路チップに固定されている。また、回路チップは、ピエゾ抵抗素子形成面の裏面を対向面として、ベース部材に第１の接着部材を介して固定され、ピエゾ抵抗素子形成面におけるバンプによって取り囲まれた領域内に、ピエゾ抵抗素子が形成されている。 （もっと読む）

【課題】超音波ボンディング時のワイヤーの接合不良およびセンサの破損を防ぐとともに、耐衝撃性に優れた物理量検出装置を提供する。
【解決手段】物理量検出装置２０は基板７上に搭載されたセンサ部１９を備える。センサ部１９は、錘部１が一対の梁部２を介して枠部３と接合し、枠部３の開口部に懸架される。また下蓋４が枠部３の下部と接合する。枠部３の上部にはパッド電極５が設けられ、基板７上に設けられた基板電極８と接続ワイヤー６を介して電気的に接続する。さらにセンサ部１９は、支持部材９により下蓋４の下側から基板７上で支持される。支持部材９はセンサ部１９または基板７のいずれか一方に固着された状態で、センサ部１９を基板７上で支持する。支持部材９に支持されたセンサ部１９は、弾性接着剤１０により基板７に対して固着されている。支持部材９は弾性接着剤１０より硬度の高い部材により構成される。 （もっと読む）

【課題】加速度センサ等のリーク検査を高速且つ安価に行うことが可能なセンサ用リーク検査装置およびセンサのリーク検査方法を提供する。
【解決手段】センサ用リーク検査装置１００は、筺体の移動・振動に基づいて内部の慣性体が偏倚することで所定の電気的信号を出力するセンサ２００のリーク検査装置であって、センサ２００を密閉状態で収容する密閉容器１１０と、密閉容器１１０の内圧を変化させる圧力変更装置１２０と、密閉容器１１０内のセンサ２００の出力を検出する検出装置１４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】センサー部の梁部への衝撃の伝達を軽減して、梁部の破損を防ぐ電気機械変換器の構造と、この構造を実現する製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の電気機械変換器の構造は、錘部１２と、錘部１２と第１の間隔２２をおいて梁部３２で連結された第１の支持部２０と、第１の支持部２０と第２の間隔２６所定間隔をおいて連結部３０で連結された第２の支持部２４とを有し、梁部３２上にピエゾ抵抗素子２８が配設される。連結部３０は、積層された第１の絶縁膜１６と第２の絶縁膜１８により構成される。この構造によって、第２の支持部２４に外部から応力が加わっても連結部３０で吸収するために梁部３２への応力が伝達しにくくなる。これにより、衝撃の伝達を軽減して、梁部３２の破損を防ぐことが可能となる。また、連結部３０を構成する積層材料の材質、膜厚を変更することで、連結部３０を所望の応力緩和特性に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】複雑でない生産性に優れた構造のセンサーパッケージとその製造方法とを提供する。
【解決手段】一面側を平坦面にして長手方向の一方側を薄肉部とし、他方側に厚肉部を設けた端子部を複数、薄肉部を内側として平坦面を揃えて配し、センサーチップのアクティブ面上に空隙を設けて再配線され、その外側領域にセンサーチップに接続する複数の接続用端子を有し、且つ、センサーチップの非アクティブ面側を絶縁板材で覆っている構造のセンサー部材を、前記接続用の端子において前記端子群の端子部の前記平坦な一面にバンプ接続し、ＡＳＩＣをその端子面側で前記端子群の端子部の薄肉部の前記平坦な一面側と対向する他方の薄肉部面にバンプ接続して前記端子部の厚さ内に収めており、各端子部の厚肉部の前記平坦な一面側と対向する側の厚肉部面を、外部回路と接続するための外部端子面として該外部端子面を露出するようにして各部を封止している。 （もっと読む）

【課題】高い検出感度を得ることができるとともに梁部の破壊を防止することのできる物理量センサとその製造方法を提供する。
【解決手段】物理量センサ１は、枠形状の支持部１０と、所定間隔をおいて支持部１０の内側に肉薄で可撓性の梁部３０で懸架された錘部２０とを有する。梁部３０上には、検出素子であるゲージ抵抗が配設されている。また、物理量センサ１は、錘部２０の支持部１０と向かい合う面Ｌから、梁部３０との接合部Ｋまでの間に、衝撃緩和部４１が設けられている。物理量センサ１に過度な加速度が印加された場合には、錘部２０の面Ｌと支持部１０が衝突し、錘部２０に与えられた衝撃が梁部３０に向かう。しかし、物理量センサ１においては、衝撃緩和部４１によってその衝撃は吸収され、梁部３０に伝達される衝撃が軽減される。すなわち、本発明の物理量センサ１では、錘部２０と支持部１０の衝突による梁部３０の損傷を防ぐことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】小型化を図ることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置５０は、ＭＥＭＳ技術を用いて形成されたシリコンからなるセンサ素子１０と、センサ素子１０を収納するパッケージ２０とを備えている。そして、センサ素子１０は、枠体部１１と、枠体部１１の内側に配置される重り部１２と、重り部１２を枠体部１１に揺動可能に支持する撓み部１３とを含んでいる。また、重り部１２の上面領域１ｄおよび枠体部１１の上面領域１ｅには、センサ素子１０と電気的に接続される集積回路１５（１５ａ、１５ｂ）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】静電気力の影響による錘部の変位を抑え、正確な物理量の検出を可能とする物理量検出装置を提供する。
【解決手段】物理量検出装置２０は、センサ部１９が基板７上に搭載された構成を備える。センサ部１９は、枠部３と錘部４と梁部５とを備える。錘部４は梁部５を介して枠部３と接合しており、枠部３の開口部に懸架されている。また、物理量検出装置２０では、錘部４の上方と下方に、導電性材料で構成された上蓋１と下蓋２とをシールド部材として備える。この上蓋１と下蓋２とは、基板７上の、グランドまたは電源電圧が印加される電源パターン８と電気的に接続される。このような構成を備えることにより、上蓋１と下蓋２とがシールド部材として錘部４を覆い、錘部４に対する外部からの静電界を効率よく遮断して、静電気力の影響による錘部４の変位を抑えることで、物理量測定装置２０による物理量の正確な検出を可能とする。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡素化するために樹脂封止型のパッケージ形態に構成した場合でも、信頼性の低下を抑制することが可能な半導体センサ装置を提供する。
【解決手段】枠体部１１と、枠体部１１の内側に配置される重り部１２と、重り部１２を枠体部１１に揺動可能に支持する撓み部１３とを含み、重り部１２の変位量に応じて物理量を検出するセンサ素子１０と、上面上に、接着層２を介してセンサ素子１０が固定されるリードフレーム１と、少なくとも、センサ素子１０を封止する樹脂封止層３０とを備え、センサ素子１０は、接着層２によって、リードフレーム１の上面から上方に所定の距離だけ離間するように固定されており、接着層２は、センサ素子１０の枠体部１１とリードフレーム１との間の領域に、平面的に見て、枠体部１１に沿った枠状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】貫通配線１６ａ〜１６ｃが基板１８から剥離することを抑制し、且つ貫通孔４４の内壁面に均一な膜厚の絶縁膜を膜厚制御性良く形成する。
【解決手段】シリコンからなる基板１８の表裏面を貫通孔４４が貫通し、貫通孔４４の内部に熱酸化膜４５を介して配線金属４７からなる貫通配線１６が充填され、基板１８の表面に緩衝膜１７が積層され、貫通配線１６は緩衝膜１７を貫通して緩衝膜１７上に延長されている貫通配線付基板を製造する方法であって、基板１８をエッチングして貫通孔４４を形成する第１の工程と、基板１８を加熱することにより第１の工程で形成された貫通孔４４の内壁に熱酸化膜４５を成膜する第２の工程と、第２の工程の後に基板１８の表面に緩衝膜材料４８を塗布及び熱硬化させて緩衝膜１７を形成する第３の工程と、第３の工程の後に貫通孔４４の内部に配線金属４７を充填して貫通配線１６ａ〜１６ｃを形成する第４の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 センサーチップに加わる外乱力に対して感度などの特性が変動しにくい加速度
センサーを実現する。
【解決手段】 支持枠部と可撓性の梁部を介して支持枠内に支持される錘部と、梁部に設
けられた半導体ピエゾ抵抗素子とそれらを接続する配線を有し、ピエゾ抵抗素子の抵抗変
化から加速度を検出する加速度センサーであって、梁部のピエゾ抵抗素子の形成部以外の
部分に応力緩衝部を形成する。応力緩衝部は梁部の略中央部に形成する。センサー素子に
外乱力がり梁部の長手方向に力が加わっても、応力緩衝部で外乱力を吸収する。梁部の長
手方向の応力が変化しにくいため、梁の変形しやすさも変化しにくくなり、外乱力の影響
による感度の変化を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】貫通配線１６ａ〜１６ｃが基板１８から剥離することを抑制し、且つ製造工程を簡略化する。
【解決手段】シリコンからなる基板１８の表裏面を貫通孔４４が貫通し、貫通孔４４の内部に絶縁膜３２ａを介して配線金属４７からなる貫通配線１６ａが充填され、基板１８の表面に緩衝膜１７が積層され、貫通配線１６は緩衝膜１７を貫通して緩衝膜１７上に延長されている貫通配線付基板２を製造する方法であって、基板１８の表面に緩衝膜材料を塗布する第１の工程と、緩衝膜材料を選択的に除去して開口４６を形成する第２の工程と、緩衝膜材料を熱硬化させて開口４６を有する緩衝膜１７を形成する第３の工程と、緩衝膜１７をエッチングマスクとして用いて緩衝膜１７の開口から表出する基板１８を選択的にエッチングし、貫通孔４４を形成する第４の工程と、貫通孔４４の内部に配線金属４７を充填して貫通配線１６を形成する第５の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 センサーチップに加わる外乱力に対して感度などの特性が変動しにくい加速度
センサーを実現する。
【解決手段】 支持枠部と可撓性の梁部を介して支持枠内に支持される錘部と、梁部に設
けられた半導体ピエゾ抵抗素子とそれらを接続する配線を有し、ピエゾ抵抗素子の抵抗変
化から加速度を検出する加速度センサーであって、梁部のピエゾ抵抗素子の形成部以外の
部分に応力緩衝部を形成する。応力緩衝部は梁部の略中央部に形成する。センサー素子に
外乱力がり梁部の長手方向に力が加わっても、応力緩衝部で外乱力を吸収する。梁部の長
手方向の応力が変化しにくいため、梁の変形しやすさも変化しにくくなり、外乱力の影響
による感度の変化を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】後工程に悪影響を及ぼすことなく、シリコン層（活性層）の厚さを選択的に調整可能なＳＯＩ基板を提供することを課題とする。また、検出感度の向上及びストッパ膜による保護機能の向上との両方の課題を達成可能な加速度センサを提供することを他の課題とする。
【解決手段】本発明は、第１の絶縁層を介して第１のシリコン基板と第２のシリコン基板とを接合した構造のＳＯＩ基板に適用される。そして、前記第１のシリコン基板は、部分的に厚さの薄い薄膜領域を有し；前記第１の絶縁層は、少なくとも前記第１のシリコン基板の前記薄膜領域内に形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体センサや制御ＩＣ等の部材をコンパクトに収め、製造が容易であり、安価な部材を用いて容易に製造可能な半導体センサモジュールを提供する。
【解決手段】引出用電極２９を備えた半導体センサ素子２５と、半導体センサ素子２５を収納するための貫通空間３８が形成された下層基板３４と、センサ素子２５を収納する貫通空間及び引出用電極２９が重ねられ接続される電極パッド３２が形成された中層基板２４を備える。半導体センサ素子２５の出力信号処理用の電子部品である制御ＩＣや、電止素子１４が実装された上層基板１２と、半導体センサモジュール１０を有する。各層の基板に所定の回路パターン１８とスルーホール２４、及び電極パッド２２，３２が形成され、それぞれ隣接する各基板１２，２４，３４に対向する位置に設けられた接続用の電極パッ同士が導電性の接合部材を介して電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】 感度の高い半導体力検出装置を提供する。
【解決手段】 梁状に加工した半導体薄膜、または、半導体薄膜と絶縁体薄膜あるいは金属薄膜を接合し、かつ梁状に加工した積層薄膜を備え、この半導体薄膜または積層薄膜によって形成される梁の弾性的な変形を検出することにより、この梁に加わった微小な力を検出するメカニカルな半導体力検出装置において、前記半導体薄膜、または前記積層薄膜を構成する前記半導体薄膜は、２次元の低次元量子構造として作用する、表面のフェルミ準位が拘束されたＩｎＡｓ薄膜であり、前記ＩｎＡｓ薄膜の膜厚が、当該ＩｎＡｓ薄膜に形成される量子準位が前記拘束された表面のフェルミ準位と一致する膜厚とした。 （もっと読む）