【課題】 寄生容量が小さく、ダイヤフラムと固定電極との間の空間が完全密閉されており、かつ固定電極と引出電極の接続の信頼性にも優れた静電容量型圧力センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 凹部２ａと配線引出溝７が一面２ｂ側に設けられたガラス基体２と、凹部２ａ内に配置された固定電極３と、一端８ａが固定電極３に接続されるとともに他端８ｂが配線引出溝７に配置されてなる引出電極８と、配線引出溝７の一部に充填されるとともにその上面５ａが一面２ｂと同一面を形成するガラス封止材５と、固定電極３と対向するようにガラス基体２の一面２ｂ側に配置されたＳｉからなるダイヤフラム基板４とを具備してなり、ダイヤフラム基板４と、ガラス基体２の一面２ｂ及びガラス封止材５の上面５ａとの間に、凹部２ａを囲む陽極接合部６が形成されていることを特徴とする静電容量型圧力センサ１を採用する。 （もっと読む）

【課題】 実装スペースを低減でき、実装基板等への接合強度に優れ、実装基板等からの外部応力による影響が少なく、構造の簡略化及びコストの低減を果たすことができる半導体センサ装置を提供する。
【解決手段】 可動部及び梁部２１を有する半導体センサが形成されている半導体基板２の片面にケース板３が接着剤層５を介して半導体基板２に積層されており、ケース板３の半導体基板２に貼り合わされている側とは反対側の面に複数の突起３ｂが設けられており、複数の突起３ｂの外表面に設けられた端子電極７が、半導体基板２に設けられるように、半導体センサを外部と電気的に接続するための外部接続用電極９に対し、ケース板３の側面において端子電極に連ねられるように設けられている接続電極８により電気的に接続されている、半導体センサ装置。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の一面側にセンシング部およびセンシング部の信号取り出し用のボンディングワイヤを形成してなる半導体加速度センサにおいて、半導体材料からなるカバーを用いることなく、半導体基板のサイズの増大を極力抑制しつつセンシング部を被覆する。
【解決手段】 半導体基板１０の一面側にセンシング部としての可動部２０および固定電極３１、４１を有する容量式の半導体加速度センサＳ１において、半導体基板１０の一面上に、該センシング部とは離間した状態で該センシング部を被覆しつつ該センシング部の周囲部にて半導体基板１０の一面に貼り付けられた樹脂フィルム１００を設け、半導体基板１０の一面のうち樹脂フィルム１００の貼り付け領域にパッド２５ａ、３０ａ、４０ａを設け、樹脂フィルム１００のうち該パッドに対応した部位にて、該パッドと該ボンディングワイヤとを電気的に接続する部分１１０を設けた。 （もっと読む）

【課題】 配線を単純化する。
【解決手段】 絶縁材料から構成される基板１００，３００の間に、中間部材２００を挟み込む。中間部材２００の一部をなす絶縁層２４２の一部上面に形成された導電層２４３により電極Ｅ０が形成され、基板１００の対向面には、電極Ｅ１〜Ｅ５が形成される。加速度や角速度に基づく力が重錘体２４１に作用すると、電極Ｅ０が変位し、対向電極との間の静電容量に変化が生じる。この静電容量の変化に基づいて加速度や角速度を検出する。電極Ｅ２は、配線Ｌ２により導電ブロック２２３ｃまで配線され、配線用端子Ｔ２を介して外部へ導通させる。電極Ｅ０は、導通ブロック２１３，配線用端子Ｔ０を介して外部へ導通させる。他の電極も同様に、図示されていない配線用端子を介して外部へ導通させる。 （もっと読む）

ＭＥＭＳ装置１００が提供され、同装置１００は側壁１３８を有するハンドル層１０８と、同ハンドル層１０８を覆うキャップ１３２と、を含み、同キャップ１３２は側壁１３８を有し、かつ導電性材料１３６が同キャップの側壁１３８及び同ハンドル層の側壁１３８の少なくとも一部に堆積され、それにより同ハンドル層１０８と同キャップ１３２とが電気的に接続される。ハンドル層１０８と同ハンドル層１０８を覆うキャップ１３２とからなる基板３００からＭＥＭＳ装置をウェハレベルにて製造する方法も提供される。同方法は、第一の側壁１３８を形成するためにキャップ１３２と基板３００の少なくとも一部とを貫通する第一の切断部を形成する工程と、同第一の側壁１３８に導電性材料１３６を堆積させて、同キャップ１３２と同基板３００とを電気的に接続させる工程と、を含む。
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【課題】
熱応力による可動電極と固定電極部のねじれ、回転等の動きを緩和する。
【解決手段】
一組の支持部２３_１，２３_２と、固定電極部２４と固定電極用パッド２６ａ，２６ｂを含む結線用固定電極部３２ａ，３２ｂと、可動電極用パッド２６ｃを含む結線用可動電極部３１とが重り部２１の変位方向における枠体２８の中心線に対してそれぞれ対称となる平板形状に形成しかつ配置することで、熱応力による可動電極２１ａ等のねじれ、回転等の動きを緩和して温度特性の改善を図る。 （もっと読む）

【課題】製造工程での歩留まりが良く、かつ生産性も良好な加速度センサおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＸＹＺ座標系におけるＸＹ平面に沿って配置され加速度に応じて変位する質量部１２を複数の梁部１４を介して周囲の支持部１３に支持する可動基板１１と、この可動基板１１における支持部１３と接合され、かつ可動基板１１における質量部１２と所定間隔を有する固定電極１６を上面に設けた固定基板１５とを備え、前記質量部１２と梁部１４の双方の固定電極１６と対向する側に所定間隔で突起１７を設けるとともに、前記固定電極１６の端部１８を固定基板１５の側面から露出させるように構成したものである。 （もっと読む）

【課題】センサ感度を高く維持したままで小型化・薄型化可能な３軸加速度センサモジュールおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の３軸加速度センサモジュール１００は、重錘体２２と、重錘体２２を自由下垂状態に支持する重錘体支持部１５と、重錘体２２及び重錘体支持部１５と所定間隔をおいて外側に設けられた枠２３と、枠２３と重錘体支持部１５とを連結するよう設けられ、それぞれに所定数のピエゾ抵抗素子１３が設けられた複数の可撓性の梁とを備える３軸加速度センサ１をセンサ駆動ＩＣ４０とともにパッケージ３０内にモジュール化してなる。パッケージ３０の底面には、３軸加速度センサ１が通過可能な貫通孔３２が備えられ、３軸加速度センサ１の底面は、貫通孔３２を通してセンサ駆動ＩＣ４０に直接接合されるとともに、センサ駆動ＩＣ４０がパッケージ３０の底面３１に接合されている。 （もっと読む）

デバイス・マイクロ構造体（２２）と、ハウジング（３０）と、微結晶粒ゲッタ層（４０）とを備えるマイクロデバイス組立体（２０）に関する。ハウジング（３０）は基体部分（３２）と、蓋（３４）とを有する。デバイス・マイクロ構造体（２２）は基体部分（３２）に取付けられ、蓋（３４）は基体部分（３２）に気密封止される。ハウジング（３０）は、デバイス・マイクロ構造体（２２）の周囲のキャビティ（３８）を区画形成する。微結晶粒ゲッタ層（４０）は、デバイス・マイクロ構造体（２２）の周囲のキャビティ（３８）における真空を維持するために蓋（３４）の内側面（４２）上にある。蓋（３４）は金属で作製されてもよく、少なくとも微結晶粒ゲッタ層（４０）が付着される領域には金属表面を有してもよい。微結晶粒ゲッタ層（４０）は、サブミクロンの結晶粒度を有する。マイクロデバイス組立体（２０）を作製する方法も提供する。
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【課題】腐食媒体がＡｕ膜と保護膜との界面からパッド側に浸入することを防止でき、パッドが腐食されることを防止できる圧力センサの製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｕ膜２４の下地となるＡｌ膜２３や第１保護膜２５および第２保護膜２６の密着力を変える処理を行う。これにより、密着力が低下させられた第２保護膜２６の上部に関してはＡｕ膜２４を剥離させることができ、密着力が確保されたＡｌ膜２３や第１保護膜２５の表面にのみＡｕ膜２４が形成されるようにすることができる。また、Ａｌ膜２３や第１保護膜２５に関しては密着力を変えることで、Ａｕ膜２４と高い密着力を持って接合された状態となる。このため、Ａｕ膜２４と第１保護膜２５との界面を通じて腐食媒体がパッド側に浸入することを防止でき、パッドが腐食されることを防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板とシリコン基板とを陽極接合するにあたって、ガラス基板の表層に偏析されるアルカリ金属によって発生してしまうリーク電流を抑止して、ノイズに対する検出信号の比率を向上させる。
【解決手段】 一対のガラス基板２０と、前記一対のガラス基板２０の間に挟まれた状態で陽極接合により接合されたシリコン基板２１と、前記シリコン基板２１と電気的に接続されると共に前記シリコン基板２１が接合された面とは逆側の前記一対の一方のガラス基板２０ｂの面５１に形成された複数の薄膜端子３６ａ等と、前記複数の薄膜端子３６ａ等が形成された面の該複数の薄膜端子３６ａ等間のそれぞれに形成された面切り欠き部６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】断線の無い良好な配線パターンを形成することにより安価で信頼性の高い半導体容量式加速度センサ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス板２の接続孔３の加工をサンドブラスト法で行った上でガラス板２を半導体基板１に接合し、その後、ガラス板２の表面上に金属膜３３を形成して配線する半導体容量式加速度センサの製造方法において、ガラス板２と半導体基板１との接合前に接続孔３のオーバハング部２８に金属膜３８を形成しておく。金属膜３８の存在により、オーバハング部２８に於ける配線の断線が防止される。 （もっと読む）

【課題】静電容量型半導体物理量センサ及びその製造方法において、絶縁基板と半導体基板とを陽極接合するときに絶縁基板側の固定電極と半導体基板側の可動電極とを同電位として放電が生じないようにし、接合ボイドの発生やセンサチップの大型化を招くことなく、高い接合強度と所望のセンサ特性を得る。
【解決手段】センサは、ガラス基板２とシリコン基板１の互いに対向する周辺領域（接合領域）を陽極接合のために接触させるとともに、両基板間に陽極接合電圧を印加して陽極接合させて一体化して成り、ガラス基板２の接合面側には固定電極７が設けられ、シリコン基板１の接合面側には可動電極が設けられており、陽極接合前に、固定電極７と可動電極とを短絡する放電対策用の同電位配線７０を、接合領域の内側でガラス基板２の接合面側に形成しておき、陽極接合後に、同電位配線７０を切断し、除去する。 （もっと読む）

【課題】塵や微小な異物等の侵入による不具合の発生を防止する。
【解決手段】枠体２８は縦横の外形寸法が支持基板１，２とほぼ同一である矩形枠状に形成される。枠体２８の裏面には支持基板２を接合するためのアルミからなる接合部２９が形成されている。したがって、接合部２９において枠体２８の裏面に支持基板１を接合するとともに支持基板２を枠体２８の表面に陽極接合すれば、２枚の支持基板１，２と枠体２８によって重り部２１、ばね部２２、支持部２３₁，２３₂、固定電極部２４、ストッパ２５、可動電極２１ａなどが全て密封されるため、微小な塵や異物等が内部に侵入することがなく、かかる異物等によって重り部２１の変位が阻害されるなどの不具合を防ぐことができて信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 小型で薄型であり、構造も単純で信頼性の高い静電容量型圧力センサを提供する。
【解決手段】 ダイヤフラム２を有する導電性シリコン基板３と固定電極８を有する絶縁性基板４とが重ね合わされて接合されるとともに、ダイヤフラム２と固定電極８との間に密閉室７が形成されてなり、絶縁性基板４の一部に導電性シリコン部材５が埋設され、導電性シリコン部材５の一部５ａが絶縁性基板４の密閉室７側に露出されて固定電極８を構成するとともに、導電性シリコン部材５の別の一部５ｂが絶縁性基板４の密閉室７と反対側に露出されて固定電極８の取出電極９を構成することを特徴とする静電容量型圧力センサ１を採用する。 （もっと読む）

【課題】 第１シリコン基板上に支持された第２シリコン基板にトレンチを形成することにより、可動電極、固定電極、および梁部を形成してなる容量式半導体加速度センサにおいて、感度が、梁部の厚さや可動電極の厚さの加工ばらつきの影響を受けにくくする。
【解決手段】 第１シリコン基板１１上に支持された半導体層としての第２シリコン基板１２を有する半導体基板１０を備え、第２シリコン基板１２にトレンチ１４を形成することにより変位方向Ｘに変位可能な錘部２１および可動電極２４、可動電極２４と対向配置された固定電極３１、４１、および錘部２１を変位させるための梁部２２が形成されており、加速度印加時に可動電極２４と固定電極３１、４１との間の容量変化に基づいて印加加速度を検出するようにした半導体加速度センサ１００において、梁部２２の厚さが可動電極２４の厚さよりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】半導体部品の電気信号取り出し部構造とその製造方法において、製造上の歩留り向上を図ると共に、引き出し線の安定、かつ確実な導通を確保し、信頼性を高める。
【解決手段】半導体素子が設けられた基板２と、これに接合される絶縁性基板３１とを備え、この絶縁性基板３１には、半導体素子からの電気信号取り出しのための貫通孔４が形成される。この貫通孔４を形成するための除去加工に際して加工を行う側の面とは反対側に生じた絶縁性基板３１の欠け部９に導電性薄膜１１を形成しておき、この導電性薄膜１１の上からさらに電気信号取り出し用の引き出し線となる導電性薄膜５を形成して成る。両導電性薄膜５，１１の導通により該引き出し線に断線が生じることが防止される。 （もっと読む）

【課題】ダイアフラムと保持体との接合に関して、陽極接合以外の手段を見出し、更なる小型化を促進できるセンサを提供すること。
【解決手段】感応部３４、および少なくとも一部に設けられる導電部３２を有するダイアフラム３０と、このダイアフラム３０を保持する絶縁性の保持体２０とを備え、保持体２０の保持側端部２３に配線部２２１〜２２３を有するセンサ１は、保持体２０には、ダイアフラム３０と互いに接合される側の接合面２３に配線部２２１〜２２３と導通するとともに感応部３４を区画する導電性の接合用パターン２３１が形成され、接合用パターン２３１を挟んでダイアフラム３０と保持体２０とを接合した際に、感応部３４の変化を許容するギャップ部２６が形成されているとともに、当該接合用パターン２３１によりダイアフラム３０と配線部２２１〜２２３とが電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 可動電極と固定電極との間の容量変化に基づいて加速度検出を行うセンサチップと回路チップとを積層してなる容量式加速度センサ装置において、両チップの積層方向にて可動電極が変位して固定電極に乗り上げるのを防止する。
【解決手段】 可動電極２４とこれに対向する固定電極３１を有するセンサチップ１００は、両電極２４、３１と回路チップ２００とを対向させた状態で回路チップ２００に積層され、両チップ１００、２００は互いの対向面にてバンプ電極３００を介して電気的に接続されており、両チップ１００、２００の積層方向における可動電極２４の厚さをａ、可動電極２４と回路チップ２００とのギャップの距離をｂ、可動電極２４と第１シリコン基板１１の一面１３とのギャップの距離をｃとしたとき、距離ｂおよび距離ｃは厚さａよりも小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】 基板をエッチングすることにより基板からリリースされた可動部を形成してなる加速度センサの製造方法において、安価な構成にて可動部に付着する異物を適切に除去する。
【解決手段】 ＳＯＩ基板１０をエッチングすることによりこの基板１０からリリースされた可動部としての可動電極１６を形成してなる容量式加速度センサ１００の製造方法において、基板１０をエッチングして可動電極１６および固定電極１７を形成した後、基板１０を熱処理して基板１０に付着した異物Ｋを蒸発させるなどにより除去し、続いて、基板１０に配線部である電極部１８を描画や印刷などのドライプロセスにより形成する。 （もっと読む）