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Fターム[4M112DA08]の内容

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Fターム[4M112DA08]に分類される特許

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【課題】温度依存性を小さくできるとともに、製造が容易なピエゾ抵抗体等を提供する。
【解決手段】半導体材料に外力が作用したときの抵抗値の変化を利用するピエゾ抵抗体である。半導体材料として、表面の終端の少なくとも一部が水素終端とされたp型半導体特性を持つダイヤモンドを用いることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板を貫通するトレンチによって複数の部分領域に分割されてなる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法であって、部分領域の側壁に導電層を形成するメリットだけを享受して、該導電層の形成に伴う悪影響を排除することのできる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板30の第1表面S1から第2表面S2に亘って、当該基板30を貫通するように形成されたトレンチ31aによって、当該基板30が複数の部分領域Ce,Cea〜Ced,Cek,Celに分割され、前記複数の部分領域のうち、一部の部分領域Cea〜Cedの側壁に、第1表面S1の側から第2表面S2の側に亘って、当該基板30より高い導電率を有する導電層35が形成され、トレンチ31aに絶縁体31bが埋め込まれてなる領域分割基板A20とする。 (もっと読む)


【課題】上方から見た平面積を小さくすることができ、しかも、音響センサのバックチャンバの容積をより大きくすることのできるマイクロフォンを提供する。
【解決手段】回路基板43の上面にインターポーザ52を実装し、その上面に音響センサ51を実装する。信号処理回路53は、インターポーザ52に設けられた空間70に納められて回路基板43に実装される。音響センサ51は、インターポーザ52に設けた配線構造を通じて回路基板43に接続される。音響センサ51やインターポーザ52などは、回路基板43の上面に被せたカバー42によって覆われる。カバー42には、音響センサ51のフロントチャンバと対向する位置に音導入孔48が開口されている。インターポーザ52には、音響センサ51のダイアフラム56よりも下方の空間を、カバー42内でインターポーザ52よりも外の空間とを音響的に連通させるための通気用切欠71が形成されている。 (もっと読む)


【課題】第1収容空間に異物が導入されることを抑制することができる加速度角速度センサ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
加速度検出部1および角速度検出部2が形成されたセンサ部10と蓋部20とを用意する準備工程と、センサ部10と蓋部20とを減圧空間で接合し、加速度検出部1および加熱されることによりガスを放出するガス放出材24a、50を第1収容空間3に収容すると共に、角速度検出部2を第2収容空間4に収容する接合工程と、ガス放出材24a、50からガスを放出させることにより、第1収容空間3の圧力を第2収容空間4の圧力より高くする内圧変動工程とを行う。 (もっと読む)


【課題】製造効率の低下を抑制した機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサー及び電子機器を提供する。
【解決手段】第1基板12と、前記第1基板12上に設けられ、且つ、素子部を有する第2基板50と、を備え、前記第1基板12と前記第2基板50との間には内部空間68が設けられ、前記第1基板12および前記第2基板50の互いに対向する面の少なくとも一方には、前記内部空間68と外部とを連通する排気溝24が設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高感度化、製造効率の改善、低コスト化、高信頼性化の少なくとも1つを実現した機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の機能素子1は、絶縁基板2と、可動部33と、可動部33に設けられた可動電極指361〜365と、絶縁基板2上に設けられ、且つ、可動電極指361〜365に対向して配置された固定電極指381〜388と、を含み、固定電極指381〜388は、可動電極指361〜365の一方の側に配置された第1固定電極指382、384、386、388と、他方の側に配置された第2固定電極指381、383、385、387と、を含み、第1固定電極指と第2固定電極指とは、互いに離間して配置されている。 (もっと読む)


【課題】高感度化を図ることができる物理量センサー素子および物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の物理量センサー素子1は、支持基板3と、支持基板3上に互いに離間して設けられた第1固定電極41および第2固定電極42と、第1固定電極41に対して第1間隙を介して対向するとともに、第2固定電極42に対して第2間隙を介して対向する可動電極22と、支持基板3に対して固定的に設けられた固定部21と、固定部21に対して可動電極22を回動可能に連結する連結部23、24とを有し、可動電極22には、可動電極22の回動に際し第1間隙および第2間隙のうちの少なくとも一方の間隙に存在する気体の流動抵抗を低減する複数の流路が形成されている。 (もっと読む)


【課題】優れた検出感度を有する物理量センサー素子および物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の物理量センサー素子1は、基部31と、基部31からY軸方向に延出し、Z軸方向を法線とする板面を有する梁部34と、梁部34の先端部に設けられた質量部35と、梁部34の板面上に第1電極層421、圧電体層422および第2電極層423がこの順で積層され、梁部34のZ軸方向での曲げ変形を検出する検出素子42とを有し、梁部34は、Z軸方向からみたときに、基端側から先端側に向けて幅が漸減する形状をなす。 (もっと読む)


【課題】封止用基板で封止されたタイプにおいて静電気の影響を小さくすることができるウエハ、ウエハの製造方法および静電容量式加速度センサの製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハ1は、ウエハキャリア(導電性部材)10に保持されるウエハ1であって、半導体基板2と、半導体基板2の一方表面と他方表面とを挟むように配置され、かつ絶縁性を有する1対の封止用基板3と、一方表面の側および他方表面の側の少なくともいずれかのウエハ1の外縁部1aに配置され、半導体基板2と電気的に接続され、封止用基板3上の少なくとも一部に配置され、かつウエハキャリア(導電性部材)10と電気的に接続するための導電層4とを備えている。 (もっと読む)


【課題】力学量を正確に検出しつつ、センサ面積が大型化しない構造の力学量センサを提供する。
【解決手段】第1力学量検出手段(例えば容量式加速度センサ20)を有する第1基板21(シリコン製センサ基板)と、第2力学量検出手段(例えばピエゾ式圧力センサ30)を有するとともに、第1基板に当接する第2基板(シリコン製センサ基板)とを備え、第1基板に、第2基板が対向して当接することにより封止空間37が形成され、この封止空間内に第1力学量検出手段を封止することで、第1力学量検出手段を保護する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、半導体圧力センサ及びその製造方法に係り、ダイヤフラム上でのシリコン酸化膜による段差部分への応力集中を低減することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の開口部に形成されるダイヤフラムと、ダイヤフラム上に配置され、該ダイヤフラムの撓みに応じた検出信号を出力する歪ゲージと、を備える半導体圧力センサにおいて、ダイヤフラム上におけるシリコン酸化膜による段差部を、該段差部側面の面外方向が、該ダイヤフラムの段差部位において生じる最大応力の方向との間で垂直関係にありかつダイヤフラム面との間で平行関係にあるように形成する。 (もっと読む)


【課題】キャビティ形成用の犠牲層の除去を比較的高速に且つ残渣を低減させて行うことができる容量型電気機械変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板4と所定の間隔を保って可動に保持される振動膜3により形成されるキャビティ9と、キャビティに面する表面が露出する電極8と、キャビティに面する表面が絶縁膜で覆われる電極1を有する容量型電気機械変換装置の製造方法である。基板上に犠牲層6を形成し、犠牲層の上に振動膜3を含む層を形成し、外部から犠牲層に通じるエッチング孔10を形成する。その後、キャビティに面する表面が露出する電極8を電解エッチング用の一方の電極として、外部に設けた電解エッチング液に接している他方の電極12との間で通電し、犠牲層を電解エッチングしてキャビティ9を形成する。エッチング孔10から犠牲層除去剤を導入し、電解エッチングによる犠牲層の残渣17を低減する。 (もっと読む)


【課題】基台が有する凹部の表面を被覆することのできるセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るセンサの例によるフローセンサは、一方の面にキャビティ25を有する基台20と、基台20の一方の面の上に設けられるセンサ薄膜30と、を備える。センサ薄膜30は、キャビティ25に通ずるスリット36を有している。キャビティ25の断面形状は、例えば舟形凹状であり、キャビティ25の表面Aは、原子層堆積法により形成された膜Xで被覆されている。 (もっと読む)


【課題】外力の大きさ及び方向、並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及び力学量センサの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、基板と、前記基板上に配置された複数の固定部と、前記複数の固定部にそれぞれ一端部が支持されて前記基板から離隔して各々が所定の間隙を空けて配置された複数の可動電極と、前記複数の可動電極の他端部に各々隣接して力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記複数の固定部に各々電気的に接続された複数の第1端子と、前記固定電極に電気的に接続された第2端子と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】小型で高性能な圧力センサを提供する。
【解決手段】センサチップ10と、センサチップ10の中央部に設けられた差圧用ダイアフラム4と、差圧用ダイアフラム4に設けられた差圧用ゲージ5と、差圧用ダイアフラム4の外周部に設けられた静圧用ダイアフラム17と、静圧用ダイアフラム17の端部に形成された第1の静圧用ゲージ16dと、静圧用ダイアフラム17の中央部に形成された第2の静圧用ゲージ15bと、を備えた圧力センサである。 (もっと読む)


【課題】めっき反応速度を調整することでめっき未着を防ぐことが可能な貫通孔配線基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】微小デバイスを構成する貫通孔配線基板の製造方法であって、基板40の両表面を貫通する貫通孔41を形成する工程と、貫通孔41の少なくとも内表面にNiめっきを成長させる工程と、を備え、貫通孔41の少なくとも内表面にNiめっきを成長させる工程では、Niめっきの析出レートを50nm/min未満にしてめっきを成長させる。 (もっと読む)


【課題】外力の大きさ及び方向並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、第1基板と、前記第1基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記第1基板から離隔して配置された可動電極と、前記可動電極の周囲に位置し力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記固定部に電気的に接続された第1端子と、前記固定電極に電気的に接続された第2端子と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】可動ゲート電極の変位を制御可能な可動ゲート型電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極17とドレイン電極18との上に導電シールド電極20が配置される可動ゲート型電界効果トランジスタ1とした。そして導電シールド電極20の電位を固定することとした。導電シールド電極20が配置されることにより、可動ゲート15とドレイン電極18またはソース電極17との間に発生する静電力を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】振動膜及び基板の間に介在する介在部材、該振動膜及び該基板の間の固定部分、該振動膜及び該基板の全体にて応力発生が抑制できると共に、犠牲層を形成する工程及び孔をあける工程を省くことができ、ガスエッチングに起因する振動膜の損傷のおそれがなく、高い再現性及び信頼性、かつ簡略化された工程にて製造することが可能な超音波振動子ユニット及び超音波プローブを提供する。
【解決手段】基板の一面側に設けられた基板側電極と、該基板側電極と一面が対向するように配置された振動膜と、該振動膜の他面に設けられた膜側電極とを備える超音波振動子を、基板上に複数設けた超音波振動子ユニットにおいて、基板側電極の一部が該基板の一面に露出するように、該基板側電極を該基板に埋設し、静電引力及び化学結合によって、該振動膜及び該基板の間に、金属性の介在部材を固定する。 (もっと読む)


本発明は、二重固体電極を有するMEMSマイクロフォンの改善された製造方法と、改善された性質を有するマイクロフォンを提供する。 (もっと読む)


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