【課題】製造工程の増大が抑制され、且つ振動子間の静電容量が安定した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０の上面に形成された凹部１００内に自由端が延在し、半導体基板１０に固定端が固定された梁型の振動子２１、２２を備える半導体装置１の製造方法であって、半導体基板１０の上面の一部をエッチングして、振動子２１、２２の側面を露出させると同時に、振動子２２と半導体基板１０間の絶縁分離領域３０が形成される分離溝を形成するステップと、分離溝の表面を熱酸化して、分離溝を酸化膜で埋め込んだ絶縁分離領域３０を形成するステップと、振動子２１、２２の側面を熱酸化して、側面保護膜を形成するステップと、側面保護膜をマスクにした半導体基板１０のエッチングにより振動子２１、２２の下面を露出させて、半導体基板１０に形成された凹部１００内に配置された振動子２１、２２を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】多軸方向に関する検出が可能な小型のセンサ装置の製造コストを低減することができる製造方法を提供する。
【解決手段】連結部１１０によって互いに連結された第１および第２のセンサ素子１０１、１０２が基板１００上に形成される。第１および第２のセンサ素子１０１、１０２のそれぞれを支持する第１および第２の部分Ｐ１、Ｐ２に基板１００が分割される。この分割の後に、連結部１１０を曲げながら第１のセンサ素子１０１に対して第２のセンサ素子１０２の向きが変えられる。 （もっと読む）

【課題】 湾曲した半導体層と他部材の接触状態を長期間に亘って維持させる。
【解決手段】 半導体構造体１０は、第１半導体層１１と、第１半導体層１１に対向する第２半導体層１５と、第１半導体層１１と第２半導体層１５の間の一部に介在している中間層１２を備えている。第２半導体層１５は、中間層１２の端部より側方に延びている延長部１５ｄを有し、その延長部１５ｄが第１半導体層１１側に湾曲している。第２半導体層１５の延長部１５ｄの一部と第１半導体層１１の接触範囲において、第２半導体層１５に貫通孔１７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】可動部を面内方向に励振させるのにあたり、不要なメカノイズ成分の発生を有効に抑制できるようにする。
【解決手段】平板状の可動部１１と、前記可動部１１の端縁から離間して配される支持部１２と、前記可動部１１に一端が連結され、前記支持部１２に他端が連結されて、前記支持部１２に対して前記可動部１１を面内方向へ変位可能に支持する弾性支持体１３と、を備える微小電気機械装置（ＭＥＭＳ）において、前記弾性支持体１３を基板の厚さ方向に全て抜いて形成することで、面内垂直方向における中心位置が前記可動部１１の重心位置と合致するように構成する。 （もっと読む）

【課題】 機械電気変換素子のメンブレンの信頼性を向上させると共に寄生容量を低減する。
【解決手段】 本発明の機械電気変換素子は、第１の電極と第２の電極とを複数有し、前記第１の電極と前記第２の電極とは支持部によって形成された空隙を挟んで対向している。前記第１の電極同士は配線により電気的に接続されており、前記支持部の、前記配線と前記第２の電極との間に存在する領域の少なくとも一部に空洞が形成されている。 （もっと読む）

【課題】フィルムの均一性に優れ、高電圧での電荷注入が可能である多孔性樹脂フィルムよりなり、長期に渡り高い電荷状態を安定し、電気・電子入出力装置材料として優れた性能を持つエレクトレット化フィルムを提供する。
【解決手段】空孔を有する２軸延伸樹脂フィルムからなるコア層（Ａ）の少なくとも片面に１軸延伸樹脂フィルムからなる表面層（Ｂ）を備えた樹脂フィルム（ｉ）を、加圧条件下で非反応性ガスを浸透させ、次いで非加圧条件下で加熱処理を施した多孔性樹脂フィルム（ｉｉ）２１に、直流高電圧放電処理２２を施してエレクトレット化したことを特徴とするエレクトレット化フィルム（ｉｉｉ）。 （もっと読む）

【課題】複数の振動子を連成駆動させて１つの基準振動のみで３軸の角速度を検出するセンサを実現し、慣性センサの小型化を可能にする。
【解決手段】固定部３１と、前記固定部１３に弾性支持体３１〜３４を介して支持される第１振動子２１、第２振動子２２、第３振動子２３および第４振動子２４を有し、前記第１振動子２１および前記第３振動子２３はＸ軸上に該Ｘ軸の原点Ｏに対して対称な位置に配置され、前記第２振動子２２および前記第４振動子２４は前記Ｘ軸に直交するＹ軸上に前記Ｘ軸の原点Ｏと同位置のＹ軸の原点Ｏに対して対称な位置に配置され、前記第１振動子２１、前記第２振動子２２、前記第３振動子２３および前記第４振動子２４は隣り合う振動子間を弾性連結体４１〜４４により支持されている。 （もっと読む）

【課題】電極の形成時でのレジストの残渣を低減できる力学量センサおよび積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】積層体の製造方法が，基板上に，金属をそれぞれ含む第１，第２，および第３の導体層を順に形成するステップと，前記第３の導体層をパターニングするステップと，前記パターニングされた第３の導体層をマスクとして，前記第２の導体層をパターニングするステップと，前記パターニングされた第２の導体層をマスクとして，前記第１の導体層をパターニングするステップと，前記パターニングされた第３の導体層を除去するステップと，を具備する。 （もっと読む）

【課題】 最終的なパッケージ封止後であってもピエゾ抵抗素子のブリッジ回路の温度補償を容易に行うことができ高感度のセンサ機能を安定して発現するセンサを提供する。
【解決手段】 センサを、枠部と、この枠部から内側方向に突出する複数の梁部と、梁により支持される錘部と、梁部に配設されたピエゾ抵抗素子と、ピエゾ抵抗素子により構成されたブリッジ回路を有する検出部とを備えたものとし、ピエゾ抵抗素子を直交するＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の各軸方向の物理量を検出するように少なくとも４個づつ配設し、ブリッジ回路の４辺の少なくとも１つの辺にはピエゾ抵抗素子と直列に温度補償回路を接続し、この温度補償回路を、ピエゾ抵抗素子と直列に接続された少なくとも１個の温度補償用抵抗と、各温度補償用抵抗と並列に接続された調整用配線と、各調整用配線に接続された複数の調整用パッドからなるものとする。 （もっと読む）

【課題】小型であり、測定分解能が高いＭＥＭＳ加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】ＭＥＭＳ加速度センサ１０は加速度の測定対象物に固定される。測定対象物の動きは可動錘２０に伝えられ、可動錘２０は測定対象物の動きに応じて変位する。これによって、下側容量電極２４と上側容量電極２６との間の静電容量が変化するため、静電容量またはそれに応じた電気物理量を測定することにより測定対象物の加速度を測定することができる。可動錘２０には、上側円板面から下側円板面へと可動錘２０を貫く高密度部材穴３６を円板面の中心に設ける。高密度部材穴３６には、高密度部材穴３６以外の部分を形成する基本部材よりも密度が高い高密度部材３４が充填される。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラムの寸法精度を高めることが可能なトランスデューサ用基板の製造方法およびトランスデューサ用基板、並びにトランスデューサを提供する。
【解決手段】半導体基板１０の一表面側に形成するダイヤフラム２０（図１（ｆ））の仮想投影領域を取り囲む不純物ドーピング領域１３を半導体基板１０の上記一表面側に形成し（図１（ｂ））、半導体基板１０の上記一表面側にダイヤフラム２０の基礎となる薄膜１４を形成した後、半導体基板１０の他表面側にダイヤフラム２０の平面形状に応じてパターン設計した開孔部１５ａを有するマスク層１５を形成し（図１（ｄ））、その後、マスク層１５をエッチングマスクとするとともに薄膜１４をエッチングストッパ層として半導体基板１０を上記他表面側から薄膜１４に達する深さまでエッチングすることにより薄膜１４の一部からなるダイヤフラム２０を形成する（図１（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】静電容量型の力学量検出センサについてセンサ躯体の内部配線における配線接続不良をなくし、製品不良を抑制した力学量検出センサおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明に係る力学量検出センサは、静電容量型の力学量検出センサであって、半導体基板はフレーム内に配置され、上方支持基板と下方支持基板を連結する支柱を備え、該支柱の上端あるいは下端の少なくとも一方に、上方支持基板あるいは下方支持基板と支柱とを連結し、導電性材料からなる連結部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】３つすべての空間的方向で検出精度が改善され、なおかつ、コンパクトかつ簡単に製造可能なケーシング内に挿入できる加速度センサを提供すること。
【解決手段】質量体（１５）に設けられた第１の電極と、離隔して配置された第２の電極（３）とが、時間に依存する該質量体の位置変化を検出するための容量センサを構成し、該質量体の該容量センサに対向する側に少なくとも１つのばねエレメント（１２，１７）が設けられており、該質量体が静止位置から偏向した場合に該ばねエレメントは復元力を生成する加速度センサにおいて、該質量体が材料層（８）から輪郭分離されることによって得られ、少なくとも側面において該材料（１６）によって包囲されている加速度センサ。 （もっと読む）

【課題】有機電界効果トランジスタ単体からなる圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力センサ１は、有機半導体からなるチャンネル５と、チャンネル５に接して設けられるゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３に接して設けられるゲート電極４と、チャンネル５に接して設けられるソース電極６及びドレイン電極７と、からなるトランジスタ構造を有し、チャンネルが圧力印加部５Ａとなる。有機電界効果トランジスタからなる簡単な構成にでき、有機材料から構成することができるので、大面積の圧力センサを容易に実現することができる。この圧力センサ１は、溶液法により製作することができるので低コストである。 （もっと読む）

本発明は、圧力に応じて変形可能な可撓性のある膜を有し、空所2を覆う圧力センサに関する。当該圧力センサは、可撓性のある膜の変形に応じた信号を生成する応力ゲージ21を有し、当該可撓性のある膜は、可撓性のあるモノリシックICの箔10である。この態様にて、半導体集積回路自体が可撓性のある膜として機能し、より複雑ではない製造プロセスに至る。
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【課題】低コストの圧力センサーを提供する。
【解決手段】本発明の圧力センサー１は、基板１０とこの基板１０上に設けられた有機トランジスタ１００とを備えている。有機トランジスタ１００は、有機半導体層４０と、有機半導体層４０に接触して設けられたソース領域３０及びドレイン領域６０と、有機半導体層４０内に設けられ、かつソース領域３０とドレイン領域６０との間のチャネルとなるチャネル領域４５と、チャネル領域４５に電界を印加可能なゲート電極５０と、チャネル領域４５とゲート電極５０との間に設けられたゲート絶縁膜２０と、を有している。有機トランジスタ１００は、チャネル領域４５及び／又はゲート絶縁膜２０を感圧部とし、感圧部で感圧した際に特性変化を生じることで感圧素子として機能する。 （もっと読む）

【課題】半導体からなるトランデューサ構造体とガラス基板との陽極接合の際に，重量部とガラス基板との付着を防止可能な角速度センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】角速度センサが，開口を有する固定部と，この開口内に配置され，かつ前記固定部に対して変位する変位部と，前記固定部と前記変位部とを接続する接続部とを有する第１の構造体と，前記変位部に接合される重量部と，前記固定部に接合される台座とを有し，前記第１の構造体に積層配置される第２の構造体と，前記重量部との対向面に配置される駆動用電極及び検出用電極を有し，前記台座に接続されて前記第２の構造体に積層配置される基体とを具備し，前記第２の構造体が，前記基体と対向する前記重量部の面上であって，前記駆動用電極及び検出用電極の配置されていない領域と対応する領域に配置され，前記駆動用電極及び検出用電極よりも厚さが大きい突起部を有する。 （もっと読む）

本発明は、前面および後面を備えた基板を有するマイクロメカニカル素子に関する。前面は機能構造を有し、該機能構造はコンタクト領域において後面と電気的に接触接続しており、基板はコンタクト領域において少なくとも１つのコンタクトホールを有し、該コンタクトホールは後面側から基板内へと延在している。さらに本発明は、マイクロメカニカル素子の製造方法に関する。
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【課題】可動電極とこれに対向する固定電極とを備え、加速度が印加されたときにこれら両電極間の検出間隔の変化に基づいて加速度を検出する加速度センサにおいて、可動および固定電極を構成する半導体基板以外のパッケージ部材を用いることなく、当該両電極を封止する構成を実現する。
【解決手段】厚さ方向の一面１０ａ、２０ａを互いに対向させて第１の半導体基板１０と第２の半導体基板２０とを重ね合わせ、第１の半導体基板１０の一面１０ａをパターニングして可動電極３０を形成し、第２の半導体基板２０の一面２０ａをパターニングして固定電極４０を形成し、両半導体基板１０、２０の間において、可動および固定電極３０、４０を検出間隔Ｋを介して対向させ、その周囲で両半導体基板１０、２０を接合し、この接合部５０により両電極３０、４０を両半導体基板１０、２０の間に封止している。 （もっと読む）

【課題】小型化しながらも外部回路と接続するためのパッド電極のレイアウトの自由度を高めることができ且つセンサ基板の残留応力を少なくできるセンサ装置を提供する。
【解決手段】センサ基板１は、第１の封止用金属層１８および第１の電気接続用金属層１９が形成される。電極形成基板２の一面にはセンサ基板１のセンシング部Ｄｓの可動部の変位を許容する変位用凹所２１が形成され、変位用凹所２１の周部には、第１の封止用金属層１８に常温接合される第２の封止用金属層２８と、第１の電気接続用金属層１９に常温接合される第２の電気接続用金属層２９が配置され、電極形成基板２の他面にはパッド電極２５が配置される。各パッド電極２５に対応する部位にはそれぞれ貫通孔配線２４が形成され、少なくとも一部の貫通孔配線２４の一端は、変位用凹所２１の内底面に位置し、当該一端と第２の電気接続用金属層２９との間は中間配線２６により接続される。 （もっと読む）