【課題】従来の領域分割基板と較べて部分領域を引き出し導電領域として利用した場合の抵抗値が小さく、導電性、半導電性または絶縁性の任意の基板材料を用いることができ、適用制限の少ない領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０の第１表面Ｓ１から第２表面Ｓ２に亘って、当該基板３０を貫通するように形成されたトレンチ３１ａによって、当該基板３０が複数の部分領域Ｃｅに分割され、トレンチ３１ａによって形成された部分領域Ｃｅの側壁に、第１表面Ｓ１の側から第２表面Ｓ２の側に亘って、当該基板３０より高い導電率を有する導電層３５が形成され、導電層３５を介して、トレンチ３１ａ内に絶縁体３１ｂが埋め込まれてなる領域分割基板Ａ１０とする。 （もっと読む）

メンブレン（２）はキャリア基板（３）上に配置され、キャリア基板（３）内の開口（３２）上に延在する。圧力センサ（１）は、媒体との直接的な接触からメンブレン（２）を保護するために保護層（４）を有する。保護層（４）は開口（３２）内側の第１領域（２８）および開口（３２）外側の第２領域（２９）におけるメンブレン（２）を被覆する。さらに、保護層（４）がエッチング処理のためのエッチストップを形成する、圧力センサ（１）の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】水晶基板の結晶欠陥に起因する貫通孔を抑制した積層基板の製造方法、ダイアフラムの製造方法、圧力センサーの製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の積層基板４００の製造方法は、第１及び第２の水晶基板１００，２００を接合し基板間に接合層１０５を形成する工程と、前記第１又は／及び第２の水晶基板１００，２００を前記接合層１０５に向かってエッチングして薄肉部２０５を形成する工程と、からなることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体圧力センサ及びその製造方法に係り、Ｓｉ基板の開口部のダイヤフラム側壁すべてをその基板面に対して垂直な面とすることにある。
【解決手段】半導体圧力センサは、単結晶シリコン基板と、前記単結晶シリコン基板を裏面側からエッチングすることによって形成されたダイヤフラム及び４面のダイヤフラム側壁と、前記単結晶シリコン基板の表面側に形成されたリード導体及び歪ゲージ抵抗からなるブリッジ回路と、を備え、前記ダイヤフラムは、面方位が（１１０）面であり、かつ、平面形状が平行四辺形であり、前記ダイヤフラム側壁は、４面とも面方位が（１１１）面であり、かつ、２面ずつ互いに平行に向かい合っており、圧力印加に伴う前記ダイヤフラムの撓み量に応じて前記ブリッジ回路の出力値が変動することを利用して、前記ダイヤフラムに印加される被検出対象の圧力を検出する。 （もっと読む）

【課題】小型化を図りつつ高性能化が可能な静電容量型センサを提供する。
【解決手段】可動電極１５，１５と固定電極２５，２５とで構成される２つのコンデンサを有するセンサ部Ｅ１と、センサ部Ｅ１と空間的に分離して配置されセンサ部Ｅ１と協働するＩＣ部Ｅ２と、センサ部Ｅ１およびＩＣ部Ｅ２を厚さ方向の両側から封止するための第１のカバー基板２および第２のカバー基板３とを備える。各カバー基板２，３は、低誘電率基板であるガラス基板２０，３０を用いて形成され、センサ部Ｅ１とＩＣ部Ｅ２とは、第１のカバー基板２に形成されセンサ部Ｅ１に電気的に接続された第１貫通配線２１と、第１のカバー基板２に形成されＩＣ部Ｅ２に電気的に接続された第２貫通配線２２と、第１のカバー基板２におけるセンサ部Ｅ１およびＩＣ部Ｅ２とは反対側の表面に設けられ第１貫通配線２１と第２貫通配線２２とを繋ぐ表面配線２６とで電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】断線の無い良好な配線パターンを形成することにより安価で信頼性の高い半導体容量式加速度センサ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による半導体容量式加速度センサの製造方法は、ガラス板２の接続孔３の加工をサンドブラスト法で行った上でガラス板２を半導体基板１に接合し、その後、ガラス板２の表面上に金属膜３３を形成して配線する半導体容量式加速度センサの製造方法であって、接続孔３のオーバハング部２８があるガラス板２の第２面２７とは反対側の第１面２６を半導体基板１に接合することを特徴とする。 （もっと読む）

最大化された双方向の対称的な減衰のために最適化されて数千Ｇを超える加速度範囲に対応するプルーフマスを備えた新たな高Ｇ範囲減衰加速度センサを提案する。この高Ｇ範囲加速度センサは、最大限の双方向の対称的な減衰を達成するために、プルーフマスの質量を最小にする一方でその表面積を最大化するように設計される。このような高Ｇ範囲減衰加速度センサは、極めて高い頻度での減衰（すなわちリンギングの抑制）が望まれるあらゆる用途に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】高い感度で外力を検出することができるＭＥＭＳ装置を提供する。
【解決手段】基板５０と、基板５０上に配置された第１の支持部５１及び第２の支持部５２と、第１可動電極１１を有し、第１可動電極１１から離間した位置において第１の支持部５１に固定され、外力により変位する第１の可動部１０と、第１可動電極１１と対向して配置された第２可動電極２１を有し、第２可動電極２１から離間した位置において第２の支持部５２に固定され、外力により変位する第２の可動部２０とを備え、第１可動電極１１と第２可動電極２１との対向位置Ａと第１の可動部１０の重心位置Ｃ１との間において第１の可動部１０が第１の支持部５１に固定され、第２の可動部２０の重心位置Ｃ２を挟んで対向位置Ａと対向する位置において第２の可動部２０が第２の支持部５２に固定されている。 （もっと読む）

【課題】基板と垂直なＺ方向に変位する可動錘部の質量を増大させることができ、ＣＭＯＳプロセスを用いて自在かつ容易に製造可能なＭＥＭＳセンサーを提供すること。
【解決手段】連結部１３０Ａを介して支持部１１０に連結されてＺ方向に移動する可動錘部１２０Ａを有するＭＥＭＳセンサー１００Ａは、可動錘部が、複数の導電層と、複数の導電層間に配置された複数の層間絶縁層と、複数の層間絶縁層の各層に貫通形成された埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグと、を含む積層構造体を有し、各層に形成されたプラグは、層間絶縁層と平行な二次元平面の少なくとも一軸方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。可動電極部１４０Ａは積層構造体にて形成され、これと対向する固定電極部１５０Ａとの間の対向面積が可動錘部のＺ方向変位に応じて変化する。 （もっと読む）

【課題】 容量型機械電気変換素子において、大面積かつ狭電極間隔（ギャップ）の犠牲層エッチング速度を高速かつ安定にでき、アレイ素子の生産性（均一性、歩留まり）を向上する。
【解決手段】 基板と、該基板上に配置された支持部によって基板と所定の間隔を保って保持される振動膜から形成されるキャビティと、表面がキャビティに露出した第１の電極と、キャビティに面する表面が絶縁膜で覆われた第２の電極とを有し、第１の電極は基板の表面または振動膜の下表面に設けられ、第２の電極は第１の電極と対向して振動膜の表面または基板表面に設けられた容量型機械電気変換素子であって、
第１の電極の表面にその第１の電極を形成する物質の酸化膜からなる微粒子が配置され、この微粒子の直径が２ｎｍから２００ｎｍの範囲であることを特徴とする容量型機械電気変換素子、およびその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】力学量の検出を行う感知部を有するセンサチップを、基板に搭載したものを、封止部材により封止してなるセンサ装置において、封止部材によってセンサチップに発生する応力を極力低減する。
【解決手段】感知部１１を表面に有するセンサチップ１０を、基板２０の一面側に搭載した後、センサチップ１０および基板２０を封止部材３０により被覆して封止するセンサ装置の製造方法であって、基板２０の一面側にセンサチップ１０を搭載するとともに、センサチップ１０の表面に揮発性を有する樹脂５０を配置して、当該表面を樹脂５０で被覆した後、これらセンサチップ１０および基板２０を封止部材３０によって封止し、その後、封止部材３０を硬化するとともに、樹脂５０を加熱して揮発させてセンサチップ１０の表面のうち封止部材３０で被覆されている部位と封止部材３０との間に空隙４０を設ける。 （もっと読む）

【課題】 静電容量を含むＭＥＭＳセンサーにおいて、可動電極部の面積、可動電極部のダンピング係数、可動錘部の質量、バネ特性の設計に関して、ＭＥＭＳセンサーの設計の自由度を向上させること。
【解決手段】 基板上に形成される多層の積層構造体を加工して製造されるＭＥＭＳセンサーにおいて、可動錘部１２０は、積層構造体からなる第１可動錘部１２０Ａの下方に位置し、基板の材料にて形成される第２可動錘部１２０Ｂを含み、可動電極部１４０は、積層構造体からなる第１可動電極部１４０Ａの下方に位置し、基板の材料にて形成される第２可動電極部１４０Ｂを含み、弾性変形部１３０は、積層構造体からなる第１弾性変形部１３０Ａの下方に位置し、基板の材料にて形成される第２弾性変形部１３０Ｂを含む。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性に優れた加速度センサーを得ること。
【解決手段】固定電極４１と可動電極２１との間の距離が変化するＸ軸方向の加速度印加時において、固定電極４１と可動電極２１との間隙７０に存在する気体の流れは、対向面に形成された一方向に向かって延びる凸部４３によって一方向への流れが発生する。この気体の流れによるスクイーズフィルムダンピングにより、大きな減衰定数ｃを得ることができる。したがって、可動部２０と支持体１０との間隔を狭くすることなく、固定電極４１と可動電極２１との間隙７０の構造によって減衰定数ｃの調節を可能にでき、可動部２０と支持体１０との衝突破壊が低減した耐衝撃性の優れた加速度センサー１００を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、加速度センサ全体の大きさの増大を抑制しつつ、電極部を臨む開口部を上基板に形成することができる加速度センサの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る加速度センサの製造方法では、第二基板２０は、次の（Ａ）から（Ｅ）の工程により作成される。（Ａ）ガラスを構成要素として含み、第一基板１より厚さの薄い第一の層２０Ｄを用意する。（Ｂ）ガラスを構成要素として含み、第一の層２０Ｄよりも横幅の狭い、第二の層２０Ｕを用意する。（Ｃ）サンドブラスト加工処理により、第一の層２０Ｄに開口部２０ａを形成する。（Ｄ）工程（Ｃ）の後に、第一の層２０Ｄ上面におけるセンサ部の上方となる位置に、第二の層２０Ｕを配設する。（Ｅ）工程（Ｄ）の後、加熱による溶融接合または陽極接合により、第一の層２０Ｄと第二の層２０Ｕとを接合する。 （もっと読む）

【課題】被覆体の縁部が基板の一面から剥がれることを防止することができるセンサ装置の製造方法を提供する
【解決手段】基板１０１の一面上の複数の触覚センサ２００を取り囲むように、基板１０１の一面上にエラストマからなる枠部材１１１を接着剤により接着する。複数の触覚センサ２００を被覆するように、基板１０１上の枠部材１１１の内側の空間に流動性のエラストマを充填し、硬化させる。それにより、枠部材１１１の内側に複数の触覚センサ２００を被覆するエラストマからなる被覆層１１２が形成される。枠部材１１１と被覆層１１２とは被覆体１１０として一体化される。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性に優れ、加速度の検出特性の低下が抑えられた加速度センサーを得ること。
【解決手段】固定電極４１および可動電極２１以外にダンピング用構造体８０を設けるので、固定電極４１と可動電極２１との電極間間隙７０を狭くすることなく、ダンピング用構造体８０によってダンピングの調整ができる。したがって、可動部２０と支持体１０との衝突破壊が低減して耐衝撃性に優れ、固定電極４１と可動電極２１との衝突を避けながら加速度の検出が可能な、加速度の検出特性の低下の少ない加速度センサー１００を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】小さい電圧で自己診断を行う加速度検出装置を提供する。
【解決手段】加速度検出装置１は、可撓部を有する基板５と、基板５に接続され、金属からなる導電部を有する重り部７と、を有し、可撓部の撓みに応じて加速度を検出する加速度検出素子３と、重り部７と所定の間隔を隔てて設けられた固定電極２０と、を備え、
貫通導体６を介して重り部７に電圧を印加することにより、重り部７と固定電極２０との間に静電引力が働くようにして自己診断をおこなう。 （もっと読む）

【課題】一構造あたり多軸方向の物理量検出に対応する場合であっても、ある検出軸の別の軸の変位がノイズとして混在するのを抑制して、検出結果のＳＮ比改善を図れるようにする。
【解決手段】第一の軸方向に沿って延びるように配された可堯性を有する第一の梁部３１と、前記第一の軸方向と直交する第二の軸方向に沿って延びるように配された可堯性を有する第二の梁部３２と、前記第一の梁部３１および前記第二の梁部３２によって少なくとも二以上の方向に変位可能に支持される錘部３３と、前記錘部３３の変位に基づいて当該錘部３３に作用する力学量を検出する検出部２１とを備える検出素子において、前記錘部３３は、前記第一の軸方向回りにおける回転し易さと前記第二の軸方向回りにおける回転し易さとに差が生じる態様で、前記第一の梁部３１および前記第二の梁部３２に支持されるようにする。 （もっと読む）

【課題】質量部の変位感度比率を均一化することにより、Ｚ軸方向の加速度が加わってもＸＹ軸方向の加速度検出精度が悪くなってしまうことのない多軸加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】ＸＹＺ座標系におけるＸＹ平面に沿って配置され加速度に応じて変位する質量部１２を複数の梁部１４を介して周囲の支持部１３に支持する可動基板１１と、この可動基板１１における支持部１３と接合され、かつ可動基板１１における質量部１２と所定間隔を有する固定電極１６を上面に設けた固定基板１５とを備え、前記複数の梁部１４を、支持部１３からＸ軸あるいはＹ軸と平行方向に延びた第１の梁部１７と、質量部１２に連結され、かつＸＹ軸と４５°方向に斜めに延びた第２の梁部１８とにより構成し、前記第２の梁部１８の長手方向と垂直な断面２次モーメントを第１の梁部１７の長手方向と垂直な断面２次モーメントより小さくしたものである。 （もっと読む）

【課題】ハウジング内に配置されるセンサチップの配線部を測定媒体に曝すことなくハウジングの配線部に容易かつ確実に接続し得るセンサ装置の製造方法およびセンサ装置を提供する。
【解決手段】中空部１１ａが形成される略円筒状のハウジング１１に対して、この中空部１１ａ内に環状凸部１５を形成するとともにこの環状凸部１５の第１環状面１５ｂに絶縁膜１６を介して各ハウジング側配線部１７を形成する。そして、センサチップ２０に対して、各配線２７の一部である露出配線部２７ａを一側面２０ｂのうち外縁を除く部位にて露出するように形成する。そして、センサチップ２０を、一側面２０ｂの外縁にて第２環状面１５ｃに接合してハウジング１１の中空部１１ａ内に配置する。そして、各露出配線部２７ａおよび各ハウジング側配線部１７を電気的に接続する電極３０を両配線部２７ａ，１７上にそれぞれ蒸着（堆積）させる。 （もっと読む）