【課題】 シリコン基板上に可動電極およびこれに対向する固定電極を形成してなる容量式の角速度センサにおいて、犠牲層である埋め込み酸化膜の厚さを厚くすることなく、可動電極とシリコン基板との間の異物の混入による歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】 シリコン基板１１上に埋め込み酸化膜１３を介して積層されたＳＯＩ層１２に対して、可動電極３２、４０および固定電極６０、７０、８０を形成してなる角速度センサ１００において、可動電極２５とシリコン基板１１との連結部である検出梁リード５０の表面には圧縮応力を発生する圧縮応力層９０が形成され、この圧縮応力によって検出梁リード５０がシリコン基板１１から離れる方向へ反ることにより、可動電極３２、４０は、固定電極６０〜８０よりもシリコン基板１１から離れる方向へ位置した状態で固定電極６０〜８０とずれて対向している。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ抵抗素子を用いたセンサーにおいて、製造工程においてコストが高くなるという課題があった。
【解決手段】機械的に可動な可動子片に機械的変動を電気的変動に変換する素子と、くびれ部を有する錘部と、錘部を支える梁部と、錘部と梁部とが接する錘接続基部とを有する。その製造方法は、梁部と錘部との形成工程を融合し、３つの特性の異なるエッチング工程である、異方性の第２のエッチング工程と等方性の第３のエッチング工程と異方性の第４の異方性エッチング工程とを適切に用い、さらに材料の選択を行って、少ない工程で梁部と錘部を同時に形成でき、製造工程を簡略化できる。 （もっと読む）

【課題】フレーム部の一表面に直交する方向への重り部の変位量を制限するストッパ片の破損が起こりにくく耐衝撃性に優れた半導体加速度センサを提供する。
【解決手段】センサチップ１は、矩形枠状のフレーム部１１の開口窓内に配置される重り部１２がフレーム部１１の一表面側において撓み部１３を介してフレーム部１１に揺動自在に支持されている。重り部１２は、コア部１２ａと、コア部１２ａと一体に形成されコア部１２ａとフレーム部１１との間の空間に配置される付随部１２ｂとを有する。フレーム部１１は、上記一表面に直交する方向において付随部１２ｂと離間し上記一表面側への付随部１２ｂの変位量を制限する薄肉のストッパ片１５が各コーナー部１１ａそれぞれから一体に突設され、ストッパ片１５における付随部１２ｂとの対向面側においてストッパ片１５を補強する補強部１６が一体に突設されてなる。 （もっと読む）

【課題】 検知感度を悪化させないで、力伝達ブロックと半導体基板との接合強度を強固にする。
【解決手段】 半導体基板２２と力伝達ブロック３２を備えた力検知装置である。半導体基板２２の表面の一部の領域には、その領域が歪むと抵抗が変化するドープ領域２５が形成されている。力伝達ブロック３２は、ドープ領域２５とそのドープ領域２５を囲繞する囲繞領域３４において、半導体基板２２表面に接している。力伝達ブロック３２は、その囲繞領域３４の外周輪郭３３よりも外部に突出していない。さらに、半導体基板２２表面と直交する方向の力伝達ブロック３２の高さは、ドープ領域２５において高く、囲繞領域３４において低く調整されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体圧力センサの感度温度特性を極力抑える。
【解決手段】 圧力検出用のダイアフラム１２が形成された半導体基板１０と、半導体基板１０が接合されているガラスからなる台座１５と、ダイアフラム１２に形成され、ダイアフラム１２の歪みに伴うピエゾ抵抗効果に基づいて抵抗値が変化するゲージ抵抗１３とを備え、ゲージ抵抗１３の抵抗値変化に基づいてダイアフラム１２に印加された圧力に対応する圧力検出値を出力する圧力センサにおいて、温度変化によるゲージ抵抗１３の抵抗値の変化と、温度変化によるピエゾ抵抗効果に基づくゲージ抵抗１３の抵抗値変化割合の変化とに起因する圧力検出値の第１の変化と、温度変化による半導体基板１０と台座１５との間に生じる熱歪みに起因する圧力検出値の第２の変化との差が小さくなるように、台座１０の厚さおよび線膨張係数を調整して、圧力検出値の第２の変化を調整する。 （もっと読む）

【課題】 ピエゾ抵抗型半導体装置において、ダイヤフラムの形成領域を増加させることなしに、検出感度の向上及び出力の直線性の向上を図る。
【解決手段】
ダイヤフラム３と、ダイヤフラム３の外周に接続してダイヤフラム３を支持しダイヤフラム３よりも相対的に厚く形成された支持枠１と、ダイヤフラム３に垂直な方向の加速度や圧力を印加したことによるダイヤフラム３の変形により歪むことで発生する応力を検出するピエゾ抵抗型応力検出部４ａ，４ｂとを備えたピエゾ抵抗型半導体装置１０において、ピエゾ抵抗型応力検出部４ａに接する位置においてダイヤフラム３の少なくとも一部が除去されて溝９が形成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】 部品点数を削減しつつ、腐食防止を図ることができる圧力センサを提供する。
【解決手段】 ポリイミドアミド（ＰＥＡＩ）もしくはポリイミド（ＰＩＱ）などの有機系材料で構成される保護膜１４によって、少なくともＡｕ膜１３の表面および保護膜１１における開口部近傍を覆う。これにより、保護膜１４によって、Ａｕ膜１３の表面および保護膜１１における開口部近傍からの腐食媒体の通過を防ぐことが可能となる。したがって、Ａｌ膜１０が腐食媒体に触れることを防止することができ、Ａｌ膜１０が腐食されてしまうことを防止することが可能となる。このような圧力センサでは、メタルダイヤフラムやオイル、オイルをシールするためのＯリングといった部品が必要ないため、部品点数を削減しつつ、Ａｌ膜１０の腐食防止を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】小さなダイヤフラムサイズであっても高感度の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体圧力センサ１は、ダイヤフラム３が形成されたＳＯＩ基板２と、ＳＯＩ基板２上に設けられた４つのピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４とを有する。各ピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４のうち互いに対向する２つのピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４は、その全長をＬ、ダイヤフラム３の内側からエッジまで長さをＬeffとしたとき、０．５＜Ｌeff／Ｌ＜１なる関係を満たすように、ダイヤフラム３の内側と外側とに跨って配置されている。 （もっと読む）

【課題】 出力が２倍に出来、信号増加によるＳ／Ｎ比が向上された振動式圧力センサを実現する。
【解決手段】 測定圧が加えられる測定ダイアフラムと、この測定ダイアフラムに設けられた半導体よりなる振動梁とを具備する振動式圧力センサにおいて、
互いに平行に配置された第１，第２の振動梁と前記第１の振動梁と第２の振動梁とを連結する少なくとも１個の連結梁部とを有する振動梁本体と、前記第１の振動梁と第２の振動梁の軸方向の少なくとも一側面側に設けられ導電体よりなる駆動振動梁部と、前記第１の振動梁と第２の振動梁の軸方向の他側面側にそれぞれ設けられた第１，第２の導電体よりなる検出振動梁部とを具備したことを特徴とする振動式圧力センサである。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ抵抗型圧力センサにおけるダイヤフラムの形成領域を増加させることなしに、検出感度の向上を図る。
【解決手段】半導体基板を用いるピエゾ抵抗型圧力センサにおいて、ダイヤフラムｓの辺の中央付近からダイヤフラムの中心に向かって支持枠の一部分を突出部１０として突出させる。突出部１０を設けたことによって、突出部１０の先端近傍に応力集中位置が形成される。この応力集中位置に、ピエゾ抵抗（拡散抵抗）からなるピエゾ抵抗型圧力検出部４ａ，４ｂを配置する。 （もっと読む）

【課題】非常に小型の半導体圧力センサーにおいて、ダイヤフラムに対して十分に強い強度を確保しつつ、高感度を達成する。
【解決手段】被測定圧力を受けて変位可能なダイヤフラム１が、ｎ型シリコン単結晶領域２とその表裏に形成された絶縁膜によって形成されている。ｎ型シリコン単結晶領域２には、ダイヤフラム１の部分において、歪み検出素子として機能する拡散抵抗層７が形成されている。ｎ型シリコン単結晶領域２の、拡散抵抗層７が形成された表面上の絶縁膜であるＳｉＯ膜４とＳｉＮ膜５の合計膜厚は、裏面上の絶縁膜であるＳｉＯＮ膜３の膜厚より薄い。 （もっと読む）

【課題】小さなダイヤフラムサイズであっても高感度の半導体圧力センサを提供する。
【解決手段】半導体圧力センサ１は、ダイヤフラム３が形成されたＳＯＩ基板２と、ＳＯＩ基板２上に設けられた４つのピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４とを有する。各ピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４のうち互いに対向する２つのピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４は、ダイヤフラム３のエッジから中心へ向かう方向と平行な部分の、ダイヤフラム３の内側でのダイヤフラム３のエッジからの距離ＬX≦２０μｍとなるように、ダイヤフラム３の内側と外側とに跨って、かつ、ダイヤフラム３のエッジから中心へ向かう向きと平行に配置されている。 （もっと読む）

耐衝撃性が高く、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸ピエゾ抵抗素子の出力の差が小さく、小型で高感度、高出力の半導体型３軸加速度センサを提供する。 可撓腕が可撓幅広部と可撓平行部で構成され、可撓幅広部に最大応力部があり、最大応力部にピエゾ抵抗素子の一端が来るように可撓腕上面上にピエゾ抵抗素子を設ける。可撓腕の幅中心線の近傍にＺ軸ピエゾ抵抗素子、幅中心線から離れてＸ軸／Ｙ軸ピエゾ抵抗素子を設ける。また、最大応力部から可撓腕の長さ方向にＺ軸ピエゾ抵抗素子をずらすことで、Ｘ軸とＹ軸、Ｚ軸ピエゾ抵抗素子間の出力差を小さくする。 （もっと読む）

【課題】測定精度の長期安定性を保証することができる静電容量型圧力センサ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明の静電容量型圧力センサは、圧力に応じて変形する上部電極が形成された第１の基板と、下部電極が形成された第２の基板とが誘電体膜を介して対向配置され、ダイアフラムの押圧により変化する第１の基板と第２の基板とで形成される静電容量の変化に応じて圧力を検出する静電容量型圧力センサであって、下部電極が、第２の基板に形成された溝を導電性材料で埋めて形成され、かつ形成された下部電極の表面が第２の基板の表面と同じ高さを有することで第１の基板と第２の基板の接合性を高めることができるので、測定精度の長期安定性を保証することができる静電容量型圧力センサを提供することができる。 （もっと読む）