【課題】構造体のリリース工程で配線への損傷を与えることがなく、耐湿性が良好で信頼
性の向上した、ＭＥＭＳ素子およびＭＥＭＳ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０に可動電極１５および固定電極１６ａ，１６ｂから構成され
る構造体１８が形成され、構造体１８の周辺部に配線２１が層間絶縁膜２０，２２を介し
て積層されたＭＥＭＳ素子１において、構造体１８に対向する層間絶縁膜２０，２２の側
壁２４，２５および層間絶縁膜２２の表面にシリコンナイトライド膜３０が形成されてい
る。 （もっと読む）

【課題】 熱応力の影響が少なく検出精度が良好で、かつ生産性の高いセンサを提供することにある。
【解決手段】 矩形のセンサチップ１１１は、その四辺を構成するフレームの内フレーム１１７Ａの一辺のみが基板と接着して固定しており、センサチップ１１１の残りの三辺は基板と離れていて自由に動くことができ、接着剤１２１の硬化収縮や基板１１２とセンサチップ１１１の線膨張係数差によって発生する応力を緩和することができる。また、センサチップ１１１に設けた出力用の電極パッド１２２は基板１１２と固定されたフレーム１１７Ａ上に設置されており、ワイヤーボンディング時にワイヤーの接合強度が弱くなることもない。 （もっと読む）

【課題】センサ感度を高く維持したままで小型化・薄型化可能な３軸加速度センサモジュールおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の３軸加速度センサモジュール１００は、重錘体２２と、重錘体２２を自由下垂状態に支持する重錘体支持部１５と、重錘体２２及び重錘体支持部１５と所定間隔をおいて外側に設けられた枠２３と、枠２３と重錘体支持部１５とを連結するよう設けられ、それぞれに所定数のピエゾ抵抗素子１３が設けられた複数の可撓性の梁とを備える３軸加速度センサ１をセンサ駆動ＩＣ４０とともにパッケージ３０内にモジュール化してなる。パッケージ３０の底面には、３軸加速度センサ１が通過可能な貫通孔３２が備えられ、３軸加速度センサ１の底面は、貫通孔３２を通してセンサ駆動ＩＣ４０に直接接合されるとともに、センサ駆動ＩＣ４０がパッケージ３０の底面３１に接合されている。 （もっと読む）

【課題】 光が半導体基板の凹部側に照射された場合でも、正確な圧力を検出することができるダイヤフラム型の半導体圧力センサを提供する。
【解決手段】 一面にピエゾ抵抗素子５が設けられ、他面に凹部１２が設けられた半導体基板４を用いるダイヤフラム型の半導体圧力センサであって、半導体基板４には、少なくとも凹部１２の底面部１２ａに遮光特性を有する保護膜１３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】センサ感度を高く維持したままで薄型化することができ、製造工程数も少なく、簡単な構成の３軸加速度センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の３軸加速度センサ１は、重錘体２２と、重錘体２２を自由下垂状態に支持する重錘体支持部１５と、重錘体２２および重錘体支持部１５と所定間隔をおいて外側に設けられた枠２３と、枠２３と重錘体支持部１５とを連結するように設けられ、それぞれに所定数のピエゾ抵抗素子１３が設けられた複数の可撓性の梁とを備えている。この３軸加速度センサ１では、重錘体２２は、シリコンより比重が大きい材料、例えば、パイレックスガラスから構成されるとともに、その表面が平坦なパッケージ３０の底部上に
３軸加速度センサ本体を設置した状態において、重錘体２２とパッケージ３０の底部との間には、所定長のギャップを有している。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内でのレイアウトを容易にし、なおかつ検出感度が良好な加速度センサチップ。
【解決手段】加速度センサチップ１０は、フレーム体部１２ｃ、突起部１２ｄを有するフレーム部１２と、合計４つの梁部１６により可動に支持されている中心錘部１４ａ、４つの直方体形状の突出錘部１４ｂを有している可動構造体１４と、突出錘部とは非接触として、当該突出錘部上に延在させて設けられている複数のストッパ１９とを具えている。 （もっと読む）

【課題】ダイアフラムの受けた振動を電気信号に変換する変換部をより容易且つ強靱に固定することのできる半導体センサを提供する。
【解決手段】外部から伝搬された音波を直接受圧して振動可能に配設されるダイアフラム１１と、そのダイアフラム１１の振動を電気信号に変換する平行平板型コンデンサを構成する可動電極１３および固定電極１４とを、半導体基板１０上の異なる部位に形成する。そしてダイアフラム１１と可動電極１３とを、半導体基板１０の上面から離間した状態で配設された振動伝達部材１５によって連結する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ダイアフラム式のセンサチップに対して貫通穴を有するガラス台座が接合され、貫通穴がゲル部材により封止されてなる圧力センサにおいて、ゲル部材の注入性を適切に向上させる。
【解決手段】 裏面１２側の凹部１３の形成に伴い表面１１側にダイアフラム１４が形成されたセンサチップ１０に対して、貫通穴２１を有するガラス台座２０をセンサチップ１０の裏面１２側に接合し、貫通穴２１をゲル部材３０により封止してなる圧力センサ１００において、貫通穴２１におけるセンサチップ１０側の開口部２１ａの径を、センサチップ１０における凹部１３の開口径よりも小さいものとし、貫通穴２１を、センサチップ１０とは反対側の開口部２１ｂからセンサチップ１０側の開口部２１ａへ行くにつれて拡径したテーパ状の穴としている。 （もっと読む）

【課題】 部品点数を減らして小型化を図ることができ、しかも複数の端子電極と実装用回路基板上の接続用電極との間に偏った力が発生するのを防止して正確な力検出を行うことができる半導体力センサ及び半導体力センサモジュールを提供する。
【解決手段】 センサ素子３の表面上に、変換部１３の回路１５に形成された複数の端子電極１７の他に、表面実装用回路基板上にセンサ素子３を表面実装する際に利用される複数の実装用電極１９Ａ，１９Ｂを設ける。複数の実装用電極１９Ａ，１９Ｂは、球体５を通してダイアフラム部９に力が加わった際に、複数の端子電極１７と実装用回路基板Ｃ上の複数の接続用電極Ｃ１との間に加わる力が軽減される位置に設ける。 （もっと読む）

【課題】錘部を支持する支持部に影響を与えずに各ピエゾ抵抗素子を機械的に完全に素子分離してリーク電流を防止すること。
【解決手段】第１の基板１１及び第２の基板１２と、環状の錘部１３と、該錘部１３の略中心に設けられた支柱部１４と、該支柱部１４に一端側１５ａが固定されると共に錘部１３を吊り下げ状態で支持する支持部１５と、支持部１５の他端１５ｂ側を固定する固定部１７と、支柱部１４に電圧を印加可能な入力電極１８と、支持部１５に設けられたピエゾ抵抗素子１９と、該ピエゾ抵抗素子１９の抵抗変化を取り出す出力電極２０とを備え、支持部１５と錘部１３との間、並びに、支柱部１４及び固定部１７には、支持部１５を電気的に独立させる絶縁層３１が設けられ、第１の基板１１及び第２の基板１２が、入力電極１８と出力電極２０との間、及び、支柱部１４と固定部１７との間とを電気的に絶縁状態とされている加速度センサ１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ抵抗素子とコンタクトホール内の配線との電気的接続箇所における剥離や分離等のコンタクト不良を防止する。
【解決手段】ピエゾ抵抗型３軸加速度センサは、錘部と、この錘部の周辺に配置された台座部５１と、この台座部５１上に固定された周辺固定部４２と、錘部を周辺固定部４２に可撓的に連結する梁部４４とを備えている。梁部４４と周辺固定部４２との境界線Ｐ１１を跨ぐ位置に、一方のピエゾ抵抗素子４５−１が設けられ、梁部４４と錘部との境界線を跨ぐ位置に、他方のピエゾ抵抗素子が設けられている。各ピエゾ抵抗素子４５−１の両端部には、接合部４６−１，４６−２がそれぞれ形成され、この接合部４６−１，４６−２と、この上層に複数個直列に配列されたコンタクトホール４７ａ内の配線４８とが、電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ＸＹＺの３軸の出力差を小さくして省電力化を図る。
【解決手段】ピエゾ抵抗型３軸加速度センサは、外枠部１１と、この外枠部１１内に配置された質量部１３と、この重量部１３を可撓的に支持する梁部材１４−１ａ，１４−１ｂ，１４−２ａ，１４−２ｂと、この梁部材１４−１ａ，１４−１ｂ，１４−２ａ，１４−２ｂ上に形成されたＸ、Ｙ、Ｚ軸用ピエゾ抵抗体１５−１ａ，１５−１ｂ〜１５−６ａ，１５−６ｂとを備えている。Ｚ軸用ピエゾ抵抗体１５−５ａ，１５−５ｂ，１５−６ａ，１５−６ｂの長さＬ２は、Ｘ軸用ピエゾ抵抗体１５−１ａ，１５−１ｂ，１５−２ａ，１５−２ｂ及びＹ軸用ピエゾ抵抗体１５−３ａ，１５−３ｂ，１５−４ａ，１５−４ｂの長さＬ１よりも長くして、感度を低下させている。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＳＦＥＴ構造を用いた、小型で、検出感度が高いＭＥＭＳ素子と、ＣＭＯＳ製造プロセスによる安価なＭＥＭＳ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＭＥＭＳ素子１０は、Ｓｉ基板２０にＭＯＳＦＥＴを形成する工程を用いて製造されるＭＥＭＳ素子であって、ＭＯＳＦＥＴを構成するソース領域３２とドレイン領域３１とゲート酸化膜６５とゲート酸化膜６５の表面に形成されるゲート電極５０と、を備え、ゲート酸化膜６５をエッチング工程により除去し、ゲート電極５０とＳｉ基板２０との間に第１の空隙を開設し、ゲート電極５０が外力によって変形し、第１の空隙７０の大きさが変化することで発生するゲート容量の変化をドレイン電流の変化として検出する。また、このＭＥＭＳ素子１０は、ＣＭＯＳ製造プロセスによって製造される。 （もっと読む）

【課題】 循環する流体に生じるコリオリ力を利用することによって、小型化が図られ、感度が向上し、かつ、耐衝撃性が高められた角速度センサを提供する。
【解決手段】 角速度センサは、電界共役流体（Electro-Conjugate Fluid＝ＥＣＦ）が循環する閉流路２と、ＥＣＦを循環させる駆動部としての正の電極および負の電極と、閉流路２の一部として設けられたダイヤフラム６および８と、ダイヤフラム６および８のひずみを検出するひずみ検出器１１および１３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高温の雰囲気内においても長期に亘り良好な検出精度を維持する圧力センサを提供する。
【解決手段】 抵抗素子３０は、支持基板１０上に形成した酸化膜２０上に形成されている。当該抵抗素子３０は、ピエゾ抵抗体３１、リード３２及び両パッド３３でもって構成されており、ピエゾ抵抗体３１及びリード３２は、半導体材料にボロンを注入して形成されている。ここで、当該ボロンの濃度は、ピエゾ抵抗体３１及びリード３２の各深さ方向において略一定となっている。 （もっと読む）

【課題】 歪み抵抗素子と同等の熱影響を受ける位置であって応力の影響を受けない位置に温度補償用抵抗素子を設け、高精度な応力検出を行える多軸力センサ用チップと多軸力センサを提供する。
【解決手段】 多軸力センサ用チップは、外力作用領域部４Ａと非変形領域部４ｂを有する作用部４と、作用部を支持する支持部３と、作用部と支持部を連結する連結部５Ａ〜５Ｄとを備える半導体基板２と、連結部の変形発生部に設けられる歪み抵抗素子Ｓxa1〜Ｓxa3，Ｓya1〜Ｓya3，Ｓxb1〜Ｓxb3，Ｓyb1〜Ｓyb3と、作用部の非変形領域部上に設けられる温度補償用抵抗素子１１とを備えるように構成される。 （もっと読む）

【課題】圧力センサ混載半導体装置の小型化、高機能化、高信頼化を推進する。
【解決手段】圧力センサ混載半導体装置は、第５層配線２２の一部を圧力検知部の下部電極２２ａとして用いる。下部電極２２ａ上に形成された酸化シリコン膜２４の一部は空洞２５となっている。酸化シリコン膜２４上に形成されたタングステンシリサイド膜２６上には窒化シリコン膜２８が形成されている。窒化シリコン膜２８は、孔２７を塞ぐと共に、外部から圧力センサ混載半導体装置への水分の浸入を抑える役割を有する。窒化シリコン膜２８／タングステンシリサイド膜２６の積層膜は、圧力センサのダイヤフラムを構成している。 （もっと読む）

【課題】 耐食性、耐熱性等の耐久性に優れ、構造が簡単で微細加工ができ、しかも安価に製造することができるダイアフラムチップとそれを用いた圧力センサ及びダイアフラムチップの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のダイアフラムチップ１５は、Ｓｉ基板１２の表面１２ａに断面矩形状の凹部１３が形成され、この凹部１３の上方かつ表面１２ａ上に、膜厚が０．０５μｍ以上かつ５０μｍ以下のＳｉＣ薄膜１４が形成され、このＳｉＣ薄膜１４の凹部１３上の領域がダイアフラム部１４ａとされたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ，Ｙ，Ｚ軸の出力差を減らすため、Ｚ軸の感度を下げてＸ，Ｙ軸の感度に合
わる方式では、感度を下げて使用することになり高感度化ができない。また、Ｘ，Ｙ，Ｚ
軸の出力差が大きいと、出力増幅率が異なる増幅器を各軸毎に準備する必要があるため高
価となる。
【解決手段】 ピエゾ抵抗素子が設けられた部位ｂの断面積、ピエゾ抵抗素子がない部位
ａの断面積の比ｂ／ａが１．１以上３．５未満、より好ましくは１．５以上２．５以下と
、可撓部のピエゾ抵抗素子がない部位の断面積を小さくすることで、Ｘ，Ｙ，Ｚ軸の感度
差を小さくすることができるとともに、耐衝撃性も確保できる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ゲートの動きをより精細に検出できる変形可能なゲートをもつＭＯＳトランジスタを提供することである。
【解決手段】半導体基板に形成された変形可能なゲートをもつＭＯＳトランジスタは、ソースからドレインへの第一の方向及びその第一の方向に対して垂直な第二の方向へ向かって伸びるチャネルエリアにより分けられたソース及びドレインエリアと、チャネルエリアの両側の基板の上に設けられたベアリングポイントの間で第二の方向へ向かって伸びるチャネルエリアの少なくとも上部に設けられた導電ゲートの梁とを含み、そのチャネルエリアでは、チャネルエリアの表面がくぼんでおり、前記梁がチャネルエリアに対して最大のたわみを有するとき、ゲートの梁の形と同様の形をチャネルエリアの表面が有する。 （もっと読む）