【課題】安価且つ簡単に、振動板の機械的強度が確保されたコンデンサ型マイクロホンを製造する方法を提供する。
【解決手段】振動板Ｍと背極板Ｂとの間にスペーサ部材Ｓが配置されるコンデンサ部Ｃを備えるコンデンサ型マイクロホンの製造方法であって、単結晶シリコンからなる基板１の一方の表面にイオン注入を行って基板１の一方の表面に犠牲層２を形成する工程と、犠牲層２上に単結晶シリコン層３を堆積させる工程と、基板１の複数の箇所を基板１の他方の表面から犠牲層２までエッチングして基板１に複数の孔７を形成する工程と、複数の孔７を介して犠牲層２の一部をエッチングして基板１と単結晶シリコン層３との間に空間８を設けることで、単結晶シリコン層３からなる振動板Ｍと、複数の孔７を有する基板１からなる背極板Ｂと、残された犠牲層２からなるスペーサ部材Ｓとを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 高感度と高耐衝撃性の両方を同時に満たすことができる、小型で薄型の３軸加
速度センサーを提供する。
【解決手段】 ＩＣ規制板をケース上内底面に固着し、加速度センサー素子をＩＣ規制板
下面とケース下内底間に、硬質プラスチック球を混練したシリコンゴム系接着剤で接着す
る構造とすることで、加速度センサーのケース側からケース蓋側に過度の衝撃が加わって
も、梁部の損傷を防ぐことができる。ＩＣ規制板と支持枠部の接着剤の量を最小限にする
ことで、接着応力により発生するノイズを抑えることができ、高感度と高耐衝撃性の両方
を同時に満たすことができた。 （もっと読む）

【課題】接合リーク電流の低減を図った加速度センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】加速度センサが、開口を有する固定部と、この開口内に配置され、かつ前記固定部に対して変位する変位部と、前記固定部と前記変位部とを接続する接続部と、を有し、かつ平板状の第１の半導体材料から一体的に構成される第１の構造体と、前記変位部に接合される重量部と、前記重量部を囲んで配置され、かつ前記固定部に接合される台座と、を有し、第２の半導体材料から構成され、ゲッタリング層を備え、かつ前記第１の構造体に積層して配置される第２の構造体と、前記接続部に配置されるピエゾ抵抗素子と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】検出感度を向上させる。
【解決手段】上面の輪郭が略矩形状である四角枠状のフレーム部１２と、１又は２以上の機能素子１７を有している４つの梁部１６であって、第１側面及び第２側面に、主面及び主面１９ａに連接して、互いに対向している２つの側面１９ｂからなるくびれ部１９を有する梁部と、梁部によって、フレーム部の内側の領域に、可動に支持されており、中心部、及び中心部の周側に形成されている４つの角部それぞれに１つずつ接続されていて、フレーム部及び梁部とは非接触として設けられている突出部１４ｂを具えている可動部１４とを具えている。 （もっと読む）

【課題】配線の欠陥の低減を図った加速度センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】加速度センサが，拡散層から構成されるピエゾ抵抗素子と，拡散層を被覆する第１の絶縁層と，第１の絶縁層を貫通して前記拡散層に接続される層間接続導体と，絶縁層上に配置されて層間接続導体に接続される配線と，を有し，かつＡｌとＮｄとを含む導体部と，導体部を被覆する第２の絶縁層と，を具備する。 （もっと読む）

【課題】メンブレンが薄くなり過ぎて割れてしまうことを防止できる物理量センサの製造方法を提供する。
【解決手段】熱式流量センサを形成するために用いるＳＯＩ基板の埋め込み層をＳｉＯ₂の一層のみによって構成せずに、シリコン基板１０の表面１０ｂに配置したシリコン窒化膜１１も備えた構成とする。これにより、シリコン基板１０をエッチングする際に、シリコン窒化膜１１がエッチングストッパとして機能し、シリコン酸化膜１２が除去されないようにすることができる。このため、シリコン酸化膜１２がエッチングされることによるメンブレンの薄厚化を防止することができ、メンブレンが薄くなり過ぎて割れてしまうことを防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明はＳＯＩ基板を用いた半導体センサ及びその製造方法に関し、上部基板と支持基板との安定した電気的接続を図ることを課題とする。
【解決手段】半導体材料（Ｓｉ）よりなる支持基板１１と上部基板１３とが、絶縁材よりなる犠牲層１２介して接合された構造を有する半導体センサにおいて、上部基板１３前記に形成された貫通孔１７と、犠牲層１２の一部が除去されることにより形成された除去部１８と、貫通孔１７及び除去部１８内に埋め込まれると共に、支持基板１１及び上部基板１３にオーミック接合された導電性部材１６導電性部材とを設ける。 （もっと読む）

【課題】センサチップの平面形状が小型化されても各軸力間の検知バランスを良好に保持し、印加外力が連結部に応力集中するのを防止してチップ破損を防止し、また各歪み検出素子のひずみ検出量の設計誤差を生じにくくできる力覚センサ用チップを提供する。
【解決手段】力覚センサ用チップ１は、多軸力センサ機能を有する力覚センサ用チップであって、外力作用領域部４Ａを有する作用部４、この作用部を支持する支持部３、作用部と支持部を連結する連結部５Ａ〜５Ｄを備えるベース部材２と、連結部内、または連結部と作用部との境界に設けられた歪み抵抗素子Ｓxa1〜Ｓxa3，Ｓxb1〜Ｓxb3，Ｓya1〜Ｓya3，Ｓyb1〜Ｓyb3とを備え、さらに、ベース部材は、薄く形成された薄化領域２０を有し、薄化領域の境界は支持部および作用部に配されるように構成される。 （もっと読む）

【課題】受圧面であるダイヤフラムを可動電極により構成して、構造の簡単化と検出精度の向上を図る。
【解決手段】容量式圧力センサは、ダイヤフラムを構成する可動電極３と、キャビティ４と、固定電極８と、第１、第２の引き出し電極７，９とを有している。可動電極３は、シリコン基板１に埋設された不純物層からなり、ダイヤフラム部分がシリコン基板１の開口部２から露出している。固定電極８は、キャビティ箇所に接合されてキャビティ４を封止する不純物層からなる。第１の引き出し電極７は、シリコン基板１の裏面に形成され、可動電極３と電気的に接続されている。第２の引き出し電極９は、固定電極８の裏面側に形成され、この固定電極８と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】熱式流量センサと同一チップに圧力センサもしくは加速度センサを好適に形成する。
【解決手段】半導体層１４のうち、熱式流量センサＳ１のヒータ１５ａ、１５ｂを形成するための部分をＮ型シリコンで構成し、圧力センサＳ２のゲージ抵抗１８ａ〜１８ｄを形成するための部分をＰ型シリコンで構成する。これにより、熱式流量センサＳ１に関しては、ヒータ１５ａ、１５ｂはピエゾ抵抗効果による影響をほとんど受けないで済むため、好適な流量検出を行うことが可能となる。また、圧力センサＳ２に関しては、ゲージ抵抗１８ａ〜１８ｄはピエゾ抵抗効果を十分に発揮して抵抗値を変化させるため、好適に圧力検出を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】従来の電気機械変換器は、錘部と可撓部とを有しているが、感度を高くするために可撓部を細く、または薄く構成すると、強い加速度を受けた際に容易に破損するという問題があった。
【解決手段】本発明の電気変換器は、固定部と作用部との間を可撓部で接続する構成であり、作用部には錘部を有している。錘部は、低比重の材料からなる第１の錘と、この第１の錘よりも比重の重い材料からなる第２の錘とを有している。第１の錘は作用部に接して設けており、第２の錘はこの第１の錘に接して設けるとともに作用部とは離間している。このような構成にすることで、錘部の総重量が軽くても、錘部の重心を作用部の回転軸から離間して生じさせることができるため、検出感度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】外部電界の影響（表面電界効果）による抵抗値変動の少ないピエゾ抵抗素子及びその製造方法を提供することを第一の課題とする。また、ブレイクダウン耐圧が高く、リーク電流が小さいピエゾ抵抗素子及びその製造方法を提供することを第２の課題とする。
【解決手段】ピエゾ抵抗素子を製造する方法において、半導体基板に溝を形成する工程と；溝の内部に半導体基板と異なる導電型の抵抗層を形成する工程と；抵抗層の上部に半導体基板と同じ導電型のシリコン層を形成する工程とを含むことを特徴とする。また、本発明の第２の態様に係るピエゾ抵抗素子は、半導体基板内に形成された一対のコンタクト領域と；半導体基板と異なる導電型であり、半導体基板の一対のコンタクト領域の間に形成された溝の内部に形成された抵抗層と；半導体基板と同じ導電型であり、抵抗層の上に形成されたシリコン層とを備えたこと特徴とする。 （もっと読む）

【課題】機械的応力が制御された弱い引張応力を持ち、かつ、導通化された薄膜構造体を形成するための方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ等の基板３２の上にポリシリコン薄膜からなる下層膜３５を形成した後、下層膜３５にＰ等の不純物をドープして熱拡散させることにより下層膜３５を導通化させる。ついで、下層膜３５の上に、成膜されただけで導通化されていないポリシリコン薄膜からなる上層膜３６を成膜する。上層膜３６は、下層膜３５の圧縮応力と同程度の引張応力を有しており、下層膜３５及び上層膜３６からなる薄膜構造体Ａは全体として弱い引張応力を有するように調整されている。 （もっと読む）

【課題】感度が高く製造コストが低いコンデンサマイクロホン及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固定電極と有するプレートと、可動電極を有し音波によって振動するダイヤフラムと、前記プレートと前記ダイヤフラムとを絶縁しながら支持し、前記固定電極と前記可動電極の間に空隙を形成しているスペーサとを備え、前記プレート、前記ダイヤフラムの少なくとも一方は、前記スペーサに近い近端部の比抵抗が前記スペーサから遠い中央部の比抵抗に比べて高い、半導体又は金属の単層膜である、コンデンサマイクロホン。 （もっと読む）

【課題】圧力変化を高精度に検出することが可能な圧力変化検出装置を提供する。
【解決手段】基板１０に、圧力検出孔１０Ｋを設ける。また、薄膜２０の一方の面を基板１０の裏面に固定させると共にその中央部分を圧力検出孔１０Ｋに対向させ、他方の面を支持体３０により支持させる。生体６０から圧力検出孔１０Ｋを通じて伝達される圧力により、薄膜２０の中央部分がその周辺部に対し、相対的に変位するようになる。また、検出対象と薄膜２０との距離が短くなると共に、基板１０の剛体的特性により、相対変位の検出精度が向上する。 （もっと読む）

【課題】 感度の高いコンデンサマイクロホン及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 音波によって振動するダイヤフラムと、前記ダイヤフラムに向かい合う面が前記ダイヤフラムの中央部に向かい合う部分に向かって凹んでいるバックプレートと、前記バックプレートから離間させた状態で前記ダイヤフラムを保持している保持部と、を備える、コンデンサマイクロホン （もっと読む）

【課題】ダイアフラム部の表面側と裏面側に加わる圧力を何れも感度よく検出できると共に、ダイアフラム部の中央付近にゲージ抵抗（感圧素子）を配置した場合にも感度の低下を抑制できる、半導体圧力センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体圧力センサは、半導体基板の一面に凹部を備え、該凹部の薄板化された領域をダイアフラム部とし、該ダイアフラム部に感圧素子を配してなる半導体圧力センサであって、前記感圧素子は複数個、前記ダイアフラム部の一面および他面にそれぞれ配置されており、かつ、該一面に配された感圧素子のうち少なくとも一つは、前記ダイアフラム部をなす半導体基板に設けた貫通電極を介して、該他面に配された感圧素子と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】構成要素として加速センサを備えている、回転レートセンサの低コスト化の実現と製造方法の簡単化を計ること。
【解決手段】第３のカバー層を第３の層上に被着し、第３のカバー層を回転レートセンサの揺動系と加速センサの櫛形構造部と導体路の形で構造化し、構造化された第３のカバー層上に第４のカバー層を被着し、前記第４のカバー層を回転レートセンサの揺動構造部の形で構造化し、引き続き第３の層と第２の層から揺動構造部を引き出し形成し、さらに第４のカバー層を除去し、第３の層から加速センサと導体路の構造部を引き出し形成し、加速センサの変位可能な質量体下方の第２の層を除去し、第２の層から導体路の構造部を引き出し形成し、第３の層から回転レートセンサの揺動構造部を引き出し形成し、最後に第３のカバー層を除去する。 （もっと読む）

【課題】金属配線の溶解を防止できる加速度センサチップの製造方法。
【解決手段】複数のチップ領域が区画される半導体基板２０を準備する工程と、機能素子１７を作り込む工程と、配線３６を形成する工程と、配線を覆う配線保護膜３７を形成する工程と、犠牲層２２及び第１半導体層２１により固定されている可動部１４を形成する工程と、第１半導体層の表面から第１半導体層の厚み内に収まる深さの溝部２８を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 内部応力が高精度に制御されたダイヤフラム及びその製造方法並びにそのダイヤフラムを用いたコンデンサマイクロホンを提供する。
【解決手段】 第一の薄膜を堆積により形成し、前記第一の薄膜と内部応力が異なる第二の薄膜を形成することにより前記第一の薄膜と前記第二の薄膜とを有する複層膜からなるダイヤフラムの内部応力を調整する、ことを含むダイヤフラムの製造方法。 （もっと読む）