【課題】耐衝撃性能が高く薄いＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】枠形の支持部Ｓの内側に位置する錘部Ｍと、支持部と錘部に連結され錘部の運動に伴って変形する可撓部Ｆと、前記錘部の運動範囲を制限するストッパ部とを備えるＭＥＭＳセンサの製造方法であって、ＳＯＩウエハのベース層をエッチングし、ベース層を前記支持部と錘部とに分断する溝Ｔを形成する工程と、該溝の内外にかかる位置において前記ＳＯＩ層を貫通し、かつ前記溝の外側において上昇ストッパ部３０ａが形成されるように、ＳＯＩウエハのＳＯＩ層および絶縁層をエッチングする工程と、前記上昇ストッパ部内にストッパ層を形成する工程と、前記ストッパ層と錘部との間に空隙Ｇ２が形成されるとともに、それにより前記錘部の運動範囲を制限する上昇ストッパ部としての機能が前記ストッパ層に顕在化するように前記絶縁層を等方性エッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】チャネル幅を大きくするソース・ドレイン構造を採用し、ドレイン電流の大きさを増加させる可動ゲート型電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】複数の直線状のソース電極１７と複数のドレイン電極１８とが略平行であって交互に配置される可動ゲート型電界効果トランジスタ１とした。ソース電極１７とドレイン電極１８との間に形成されるチャネル２１も複数となって、可動ゲート１５の長さと比較して、チャネル幅の全長が大幅に長くなり、大きなドレイン電流が取り出せるようになる。 （もっと読む）

【課題】センシング部を複数の基板で封止した半導体装置において、基板の平面方向に配線を設けたとしても、配線のレイアウトを簡略化することができる構造、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサ部１００とキャップ部３００との積層方向において配線部１２０、１２２が形成された階層とは異なる階層であるキャップ部３００の他面３０２にクロス配線３２２を配置している。また、第１貫通電極３０６によってクロス配線３２２と配線部１２０とを接続し、第２貫通電極３０７によってクロス配線３２２と配線部１２２とを接続している。このため、キャップ部３００の他面３０２にはクロス配線３２２を迂回させる構造がないので、クロス配線３２２のレイアウトを簡略化することができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサの可撓部の厚さを均一化する。
【解決手段】支持部と、錘部と、前記支持部と前記錘部とを連結し前記錘部の運動にともなって変形する可撓部と、が形成されている積層構造体を備え、前記積層構造体は、前記可撓部を構成し下面が平坦である単結晶シリコン層１０と、前記単結晶シリコン層上に積層され前記単結晶シリコン層と異質のＣＭＰストッパ層３０と、を含み、前記ストッパ層の下面と前記単結晶シリコン層の下面とは同一平面に含まれるか、前記ストッパ層の下面は前記単結晶シリコン層の下面から突出している、ＭＥＭＳセンサ。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性能が高く薄いＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】枠形の支持部と、前記支持部に結合している梁形の可撓部と、前記可撓部に結合し前記支持部に対して運動することによって前記可撓部を変形させる錘部と、前記錘部の運動範囲を制限するストッパ部とを備えるＭＥＭＳセンサの製造方法であって、単結晶シリコンからなるベース層の表面に導電型が前記ベース層と異なるエピタキシャル結晶層からなる犠牲層を形成し、前記犠牲層をエッチングすることによって前記犠牲層から前記ベース層を一部露出させ、前記犠牲層と前記ベース層の表面に導電型が前記ベース層と一致するエピタキシャル結晶層からなる非平坦層を形成し、前記ストッパ部と前記錘部との間に空隙を形成し、前記空隙を形成することによって、前記錘部の運動範囲を制限する前記ストッパ部としての機能を前記非平坦層に顕在化する、ことを含むＭＥＭＳセンサの製造方法。 （もっと読む）

【課題】感度を維持しつつ小型化が可能な加速度センサ素子を提供する。
【解決手段】下方に開口した凹部２１を有する重り部１１と、重り部１１を囲繞する枠状の固定部１３と、一方端が固定部１３に連結され、且つ他方端が重り部１１に連結される梁部１２と、梁部１２に設けられ、梁部１２の撓みに伴い抵抗値が変わる抵抗素子１５と、重り部１１の材料より比重の大きい材料からなり、且つ凹部２１に埋入される重り部材１１と、凹部２１の開口部を塞いだ状態で重り部１１に固着される蓋部材１６と、を有したセンサ素子２０とする。 （もっと読む）

【課題】キャップのハンドリングを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供することを第１の目的とし、半導体装置のサイズを小さくすることが可能な構造を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】予めキャップウェハ５０にトレンチ５３、絶縁膜２５ｂ、埋め込み電極５４を形成し、センサウェハ４０とキャップウェハ５０とを接合する。キャップウェハ５０に形成したイオン打ち込み層５５を劈開面として該劈開面よりもキャップウェハ５０の裏面５２側を引き剥がし、トレンチ５３を貫通孔２５ａとし、埋め込み電極５４を貫通電極２５ｃとする。これによると、キャップウェハ５０は薄くされておらず、貫通孔２５ａも設けられていないので、キャップウェハ５０のハンドリングを向上できる。また、キャップ部２０に貫通電極２５ｃを設けたことでセンサ部１０の一面１０ａの面方向のサイズを小さくできる。 （もっと読む）

【課題】キャップ部の配線層とセンサ部との接合不良や導通不良が起こらないようにすることができる構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】キャップ部２０に第２配線層２５を形成し、該第２配線層２５を配線部２５ａと気密封止部２５ｂとにパターニングする。そして、配線部２５ａおよび気密封止部２５ｂに配線部２５ａおよび気密封止部２５ｂよりも硬く、高さが揃った複数の支柱部２７を設けた後、配線部２５ａおよび気密封止部２５ｂの各表面を平坦化する。これにより、各支柱部２７よりも配線部２５ａや気密封止部２５ｂが一方的に削れてしまうことを防止し、配線部２５ａおよび気密封止部２５ｂの各表面を均一に平坦化する。 （もっと読む）

【課題】錘部となるウエハが損傷しにくいＭＥＭＳセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】支持部と、一端が前記支持部と結合し可撓性を有する可撓部と、前記可撓部の他端に結合している連結部と、前記可撓部の変形を検出する検出部とを備える積層構造体を形成し、前記連結部の底面に結合する錘部となる領域に外接するウエハの対象領域に残部とは異質の異質領域を形成し、前記異質領域の内側にあって前記錘部となる前記残部の領域を前記連結部の底面に接合し、前記連結部に接合された前記ウエハから前記異質領域を除去する、ことを含む （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサの錘部の厚さを均一化する。
【解決手段】支持部と、環状の錘部と、前記錘部の内周面に結合し前記錘部を貫通し上端部が前記錘部の上面から突出している連結部と、前記連結部の上端部に一端が結合し、前記支持部に他端が結合し、空隙を挟んで底面が前記錘部の上面と対向し、前記錘部の運動に伴って変形する可撓部と、前記錘部の運動に伴う前記可撓部の変形を検出する検出手段と、を備え、前記錘部の底面の内側に露出している前記連結部の底面の表層と前記錘部の前記底面の表層とは互いに異なる材料からなる、ＭＥＭＳセンサ。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサの錘部の厚さを均一化する。
【解決手段】支持部と、一端が前記支持部と結合し可撓性を有する可撓部と、前記可撓部の他端に結合している連結部と、前記可撓部の変形を検出する検出部とを備える積層構造体を形成し、前記連結部の底面に結合する錘部となる領域に外接する環状溝を前記積層構造体とは別体のウエハの上面に異方性エッチングにより形成し、前記ウエハの上面に前記環状溝を埋める犠牲膜を形成し、前記ウエハの上面が露出するまで前記犠牲膜の表層を除去し、前記ウエハの前記犠牲膜で埋められた前記環状溝の内側領域を前記連結部の底面に接合し、少なくとも前記犠牲膜が露出するまで前記ウエハの底面を後退させることによって前記錘部の厚さを調整し、前記連結部に接合された前記ウエハから前記犠牲膜を除去する、ことを含むＭＥＭＳセンサの製造方法。 （もっと読む）

【課題】新たな外力付与方法を適用可能な半導体加速度センサを提供する。
【解決手段】半導体加速度センサ１は、重り部９、重り部９を囲繞する枠状の固定部１３、及び、一方端が重り部９に連結され、他方端が固定部１３に連結された梁部１１を有するセンサ素子３を有する。また、加速度センサ１は、固定部１３の開口方向の一方側においてセンサ素子３に対向する第１規制板５と、固定部１３の開口方向の他方側においてセンサ素子３に対向する第２規制板７とを有する。そして、第１規制板５には、第１規制板５とセンサ素子３との対向方向に見て、重り部９に重なり、重り部９よりも小さい孔部５ｈが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ダメージを生じさせることなく、安価かつ短時間に犠牲層を除去する犠牲層プロセスを採用し、量産性を向上させる可動ゲート型電界効果トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】第１犠牲層１５と、第２犠牲層１６と、を有する複合犠牲層の上に可動ゲートが形成される可動ゲート形成工程と、第２犠牲層１６がエッチング除去される第２犠牲層除去工程と、第１犠牲層１５がエッチング除去される第１犠牲層除去工程と、を備える可動ゲート型電界効果トランジスタの製造方法とした。 （もっと読む）

装置は基板上の入力装置を含む基板と、入力装置の領域の外で基板上に形成される少なくとも１つのピエゾ抵抗センサと、を含むかもしれない。装置は、基板上で形成されるディスプレイ、基板上で作られる少なくとも１つのピエゾ抵抗センサと加えられた力を計算して、計算された加えられた力に基づく力反応を起動させるプロセッサを含むかもしれない。方法は、表示装置に印加される力の変化を検出する一つ以上のピエゾ抵抗センサと関連した抵抗をモニターすること、一つ以上のピエゾ抵抗センサと関連した抵抗の変化を検出すること、抵抗の変化の検出に基づいて表示装置に印加される力を計算すること、計算された加えられた力に比例した力反応を起動させること、及び、表示装置によって力反応の結果を示すことを含むかもしれない。 （もっと読む）

【課題】製造に要する時間を短縮することができる、ＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】加速度センサ１では、基板２の表面上に設けられた支持部３により、基板２の表面に対して空間を挟んで対向する可動部１６を有するビーム１４が支持されている。可動部１６には、抵抗導体２５が形成されている。また、ビーム１４には、連結部３４を介して、錘３３が連結されている。この加速度センサ１は、基板２上に支持部３とビーム１４とを形成した後、錘３３の基体となるシリコン基板を金属材料からなる連結部３４を介して支持部３およびビーム１４に貼り合わせ、そのシリコン基板４４を選択的なエッチングにより錘３３を有する構造に加工することにより得ることができる。 （もっと読む）

【課題】小型で高性能な圧力センサを提供すること。
【解決手段】本発明にかかる圧力センサは、差圧用ダイアフラム４と、差圧用ダイアフラム４の外周部に設けられた静圧用ダイアフラム１７と、差圧用ダイアフラム４を挟んで配置された２つの静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂを有し、静圧用ダイアフラム１７の端部に形成された第１の静圧用ゲージペア１５と、差圧用ダイアフラム４を挟んで配置された２つの静圧用ゲージ１６ｃ、１６ｄを有し、静圧用ダイアフラム１７の中央部に形成された第２の静圧用ゲージペア１６と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】 圧力の作用により振動する振動部の厚さを、様々な厚さに高精度に制御することのできる圧力センサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 圧力センサ１において、シリコン基板４上に、ＢＯＸ層５を介して、活性層６を積層した構造のＳＯＩ基板２を形成する。ＳＯＩ基板２には、その厚さ方向一方側から他方側へ向かう方向にシリコン基板４およびＢＯＸ層５を一括して貫通する貫通孔８を形成する。これにより、活性層６における貫通孔８との対向部分に、ダイヤフラム９を形成する。ダイヤフラム９の上層部には、ダイヤフラム９とともに振動可能な可動電極１０を形成する。一方、封止基板３に、周辺部１５の裏面よりも上面側へ一段低く形成された凹部１６を形成する。凹部１６の底面には、固定電極１７を形成する。そして、固定電極１７と可動電極１０とが対向する姿勢で、封止基板３とＳＯＩ基板２とを接合する。 （もっと読む）

【課題】着電量バラツキが小さいプロセスを達成し、精密でばらつきの少ない高感度のエレクトレットコンデンサマイクロホンを実現できる製造方法およびエレクトレット化装置を提供する。
【解決手段】エレクトレット化対象の微小コンデンサマイクロホン４３ａが、放電電極５１と対向して設置される。次いで、微小コンデンサマイクロホン４３ａが備える固定電極と振動膜との間に所定の電位差を付与した状態で、当該固定電極と振動膜との間の誘電体膜に放電電極のコロナ放電により発生したイオンを入射させることにより、当該イオンに基づく電荷を当該誘電体膜に固定するエレクトレット化が実施される。このとき、エレクトレット化対象の微小コンデンサマイクロホンと放電電極との間には、所定の電位が付与されるとともに抵抗体を介して接地電位に接続された導電性のカバー５７が設置されており、イオンはカバー５７の開口部を通じて誘電体膜に到達する。 （もっと読む）

【課題】
製品基板への実装前後でセンサー出力のオフセット変化が小さい加速度センサーを実現する。
【解決手段】
可撓性を有し錘部を支持する複数の梁部と、前記錘部の周囲を囲みそれぞれの梁部と接続する支持枠部と、前記梁部の上に複数設けられたピエゾ抵抗素子と、を有する加速度センサー素子と、この加速度センサー素子を内部に設けた保護パッケージ部と、を備えた加速度センサーにおいて、前記梁部の幅よりも広い幅を有する前記枠側接続部を有し、前記支持枠部は、前記枠側接続部を介して前記梁部と接続する。樹脂製の保護パッケージおよびそれを実装する製品基板の熱変形により加速度センサー素子が受ける外力に対して、錘部に近いピエゾ抵抗素子と梁部に近いピエゾ抵抗素子の横方向応力の変化の差を低減し、オフセット出力の変化を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】十分なノイズシールド効果が得られなかった。
【解決手段】可撓部と、前記可撓部を支持する支持部と、前記可撓部の一方の面から突出する錘部と、前記可撓部の他方の面側の表面または前記表面近傍に形成され前記可撓部の変形または変位を検出する検出手段と、前記検出手段への配線部と、を有する固体素子と、前記固体素子の前記可撓部の他方の面側において前記支持部に接合され、導電性を有するスペーサと、前記固体素子の前記可撓部の他方の面側から見て、前記可撓部と前記支持部と前記錘部と前記検出手段と前記配線部とに重なる領域において、前記可撓部の他方の面と平行な方向に広がり、前記スペーサを介して接地されている導電層を有し前記スペーサに接合されている板状のストッパと、を備える。 （もっと読む）