【課題】簡便な方法で高感度の圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力センサ１は、半導体基板２を加工してダイヤフラム構造を形成した圧力センサであって、半導体基板２が貫通した貫通部４を１箇所以上ダイヤフラム部３に形成し、半導体基板２が貫通していない薄板部にピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４によるブリッジ回路を形成し、無機または有機材料５ａ〜５ｃにより貫通部４を密閉している。 （もっと読む）

【課題】センシング部を複数の基板で封止した半導体装置において、基板の平面方向に配線を設けたとしても、配線のレイアウトを簡略化することができる構造、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】キャップ部３００は、センサ部１００に設けられた第１固定部と第２固定部とを電気的に接続したクロス配線部３２３を備え、クロス配線部３２３はキャップ部３００の一面３０１に配置されたクロス配線３２２を備えている。また、キャップ部３００は、キャップ部３００を貫通し、一端がクロス配線３２２に電気的に接続され、他端がキャップ部３００の他面３０２に配置された貫通電極３４４を備えている。これにより、貫通電極３４４を介してクロス配線３２２の電位、すなわち、センサ部１００の第１固定部および第２固定部の電位をキャップ部３００の他面３０２に取り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体加速度センサに製造上の加工バラツキが生じたとしても他軸感度を抑制して加速度の検出精度を向上させる手段を提供する。
【解決手段】外枠部と、外枠部の中心部に配置された重錘部と、外枠部と重錘部とを接続する少なくとも一対の可撓部を有し、一対の可撓部は一の可撓部の外枠部と重錘部との延在方向に他の可撓部が配置される半導体加速度センサであって、Ｙ軸可撓部のＹ軸上に一直線状に、Ｙ軸可撓部の一方の外枠部側から重錘部側に向かって第１のＹ軸抵抗素子、第１のＺ軸抵抗素子、第２のＺ軸抵抗素子、第２のＹ軸抵抗素子の順にこれらを並べて配置し、Ｙ軸可撓部の他方の重錘部側から外枠部側に向かって第３のＹ軸抵抗素子、第３のＺ軸抵抗素子、第４のＺ軸抵抗素子、第４のＹ軸抵抗素子の順にこれらを並べて配置する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラムの厚さのばらつきを抑制することのできる圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】異方性エッチングによって第１凹部１３が形成された一面１１を有する第１基板１０と、第１凹部１３が密閉空間となるように第１基板１０の一面１１に接合された一面２１を有する第２基板２０と、を備え、第１凹部１３を測定媒体の圧力に応じて変形可能な側面を有するものとする。そして、第１基板１０に、側面の変形に応じて抵抗値が変化するゲージ抵抗４０を設ける。 （もっと読む）

【課題】薄膜メンブレン構造体において、ヒータを含むセンサを搭載する際に、薄膜メンブレンの熱絶縁性をさらに向上させながら、薄膜メンブレンの保持性をさらに向上させることである。
【解決手段】薄膜メンブレン構造体１０は、薄膜メンブレン２０と、薄膜メンブレン２０を保持する保持基板３０とを備える。保持基板３０は、薄膜メンブレン２０の上下面のいずれか一方側の面を保持面として保持面の周縁部を保持する周壁部と、薄膜メンブレン２０の周縁部の内側である内側部の少なくとも１箇所で薄膜メンブレンの保持面を保持する内側保持部と、周壁部と内側保持部とを接続しながら薄膜メンブレンの保持面との間に空隙３１を有する接続部とを含む。 （もっと読む）

【課題】力学量を正確に検出しつつ、センサ面積が大型化しない構造の力学量センサを提供する。
【解決手段】第１力学量検出手段（例えば容量式加速度センサ２０）を有する第１基板２１（シリコン製センサ基板）と、第２力学量検出手段（例えばピエゾ式圧力センサ３０）を有するとともに、第１基板に当接する第２基板（シリコン製センサ基板）とを備え、第１基板に、第２基板が対向して当接することにより封止空間３７が形成され、この封止空間内に第１力学量検出手段を封止することで、第１力学量検出手段を保護する。 （もっと読む）

【課題】エッチングパターンの形状または大きさによらずに、正確に制御された深さの凹部を形成することができる半導体基板のエッチング方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板３をエッチングするに際し、まず、それぞれ独立に区画されたエッチング領域８７に対向する位置に同一パターンの開口８８を多数有するレジスト５９をマスクとして、異方性の深掘り反応性イオンエッチングする。これにより、半導体基板３の表面部に、深さがほぼ等しく揃った凹部８９が多数形成される。次いで、多数の凹部８９を区画する半導体基板３の側壁９０を、半導体基板３の表面に平行な横方向にエッチングして除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体圧力センサ及びその製造方法に係り、ダイヤフラム上でのシリコン酸化膜による段差部分への応力集中を低減することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の開口部に形成されるダイヤフラムと、ダイヤフラム上に配置され、該ダイヤフラムの撓みに応じた検出信号を出力する歪ゲージと、を備える半導体圧力センサにおいて、ダイヤフラム上におけるシリコン酸化膜による段差部を、該段差部側面の面外方向が、該ダイヤフラムの段差部位において生じる最大応力の方向との間で垂直関係にありかつダイヤフラム面との間で平行関係にあるように形成する。 （もっと読む）

【課題】２方向の加速度を精度よく感知することができ、小型化及び製造コストの低減化を可能とする２軸加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、平板状の錘部、この錘部の側面を囲う枠部、上記錘部の側面と枠部の内面とを連結する１又は複数の梁部、及び上記梁部に付設される歪み感知手段を備える平板状の２軸加速度センサであって、上記梁部の厚さが幅より大きく、上記１又は複数の梁部が、厚さ方向と垂直な直交２方向の正負それぞれの加速度に対する撓みパターンの組合せが異なる少なくとも２つの変形領域を有し、上記歪み感知手段として、上記各変形領域の両端側かつその幅方向両側近傍に二対のピエゾ抵抗素子が配設されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、ＭＥＭＳ素子を固体撮像装置と同一のチップ上に設けて装置の実装面積を縮小して装置の小型化を実現する。
【解決手段】画素ごとに区分されたフォトダイオードがマトリクス状に配置された受光面を有する固体撮像素子部（Ｒ５）を有するデバイス基板１０上に、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子（１６ａ，１６ｂ，１７ａ，１７ｂ，ＤＦ）を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】寸法が小型であるばかりでなく、実効的に大量に製造され得る高感度圧力センサを製造する方法を提供する。
【解決手段】センサ、及びセンサを製造する方法が開示され、この方法は一実施形態では、エッチングされた半導体基材ウェーハ（３００）を、シリコン積載絶縁体型ウェーハを含むエッチングされた第一のデバイス・ウェーハに接着し、次いでこの接着体をシリコン積載絶縁体型ウェーハを含む第二のデバイス・ウェーハに接着して通気孔付き懸吊構造を形成し、この構造の曲げが、埋め込まれた感知素子（１４０）によって感知されて差圧を測定する。一実施形態では、センサに埋め込まれた相互接続路（４００）によって、他のデバイスとの相互接続性を確保しつつデバイスの滑らかなパッケージ形状を容易にする。 （もっと読む）

【課題】力学量センサを小型化すること。
【解決手段】ＳＯＩ基板２０と、ＳＯＩ基板に支持されており、加速度の印加に応じてＳＯＩ基板の基板面と平行に変位する可動部２と、可動部のうち変位方向に沿った両側面から櫛歯状に突出形成された複数の可動片４ａ〜４ｉと、隣接する可動片との間に空間が形成されるように各可動片間に固定して配置されており、相互に絶縁された複数の固定片６ａ〜６ｉと、相互に隣接する可動片および固定片の各組により、電源Ｅに並列接続された複数のスイッチＳ１〜Ｓ７が構成されており、加速度の印加に応じて可動部が変位したときに相互に接触する可動片および固定片の組数が加速度の大きさに応じて異なり、かつ、上記組数に応じて異なる電圧を発生するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】寸法が小型であるばかりでなく、実効的に大量に製造され得る高感度圧力センサを製造する方法を提供する。
【解決手段】センサ及びセンサを製造する方法が開示され、このセンサは一実施形態では、エッチングされた半導体基材ウェーハ（３００）を、シリコン積載絶縁体型ウェーハを含むエッチングされたデバイス・ウェーハ（１００）に接着して懸吊構造を形成し、この構造の曲げが、埋め込まれた感知素子（１４０）によって決定されて絶対圧を測定する。センサに埋め込まれた相互接続路（４００）によって、他のデバイスとの相互接続性を確保しつつデバイスの滑らかなパッケージ形状を容易にする。 （もっと読む）

【課題】測定感度を低下させることなく、ピエゾ抵抗素子の熱変動に起因する通電変動を抑制することにより、高感度及び高精度の圧力測定を実現できるピエゾ抵抗式圧力センサを提供すること。
【解決手段】ピエゾ抵抗部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４はダイヤフラム３１と支持部３２との境界近傍のダイヤフラム３１上に配置されている。これにより、圧力を高感度で測定できる。各ピエゾ抵抗部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のピエゾ抵抗素子群配置領域の面積はすべて同じであるとともに前記領域の外形形状は同形状とされている。これにより、ピエゾ抵抗部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４間での温度分布を均一化できるので、ピエゾ抵抗素子の熱変動に起因する通電変動を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、他軸感度を発生せず、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸からなる３軸方向の加速度を正確に検出できる３軸加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の３軸加速度センサは、基板２１の略中央部に設けられた錘部２３と、梁状可撓部２５，２５′，２６，２６′と、歪抵抗素子Ｒx21，Ｒx22等とを備え、前記歪抵抗素子Ｒx21，Ｒx22等を形成した梁状可撓部２５，２５′，２６，２６′と錘部２３との連結端部の幅寸法よりも幅寸法の小さいくびれ部２７，２７′，２８，２８′を前記梁状可撓部２５，２５′，２６，２６′内に設けたものである。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラムの破壊耐圧を向上させることのできる半導体圧力センサを得ることを目的とする。
【解決手段】厚さ方向の一面に開口する凹部２が形成された第１半導体基板３と、第１半導体基板３の一面と相対して配置される第２半導体基板４と、第１半導体基板３と第２半導体基板４との間に介装され、凹部２と第２半導体基板４との間を連通する貫通穴５が形成された第１酸化シリコン膜６と、を備え、貫通穴５及び凹部２の開口と相対する側から見て、貫通穴５の縁部の少なくとも一部が、凹部２の開口縁部の内側に位置している。 （もっと読む）

【課題】ＸＹ軸方向の加速度の検出感度に優れた加速度センサを提供する。
【解決手段】支持枠１１と、支持枠１１に対して変位可能に設けられた錘部１２と支持枠１１と錘部１２と支持する可撓性を有する梁部１３と、梁部１３に、梁部１３の幅方向の中心線上を含んで設けられている空隙部１４と、梁部１３に設けられているひずみ抵抗検出部Ｒとを備える加速度センサ１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】小型で高性能な圧力センサを提供する。
【解決手段】センサチップ１０と、センサチップ１０の中央部に設けられた差圧用ダイアフラム４と、差圧用ダイアフラム４に設けられた差圧用ゲージ５と、差圧用ダイアフラム４の外周部に設けられた静圧用ダイアフラム１７と、静圧用ダイアフラム１７の端部に形成された第１の静圧用ゲージ１６ｄと、静圧用ダイアフラム１７の中央部に形成された第２の静圧用ゲージ１５ｂと、を備えた圧力センサである。 （もっと読む）

【課題】小型で高性能な圧力センサを提供する。
【解決手段】センサチップ１０と、センサチップ１０の中央部に設けられた差圧用ダイアフラム４と、差圧用ダイアフラム４の第１の端辺上に設けられ差圧用ダイアフラム４の中心に対する径方向に沿って形成された第１の差圧用ゲージ５ｃと、差圧用ダイアフラム４の第１の端辺上において第１の差圧用ゲージ５ｃの近傍に設けられ径方向と垂直な周方向に沿って形成された第２の差圧用ゲージ５ａと、差圧用ダイアフラム４の外側に設けられ差圧用ダイアフラム４の第１の端辺を除く他の端辺の何れかとセンサチップ１０の端部との間に配置された静圧用ダイアフラム１７と、を備える圧力センサである。 （もっと読む）

【課題】構造的制限を設けることなく、Ｘ、Ｙ、Ｚ軸の検出感度の差を小さくし、且つ、ドリフトが小さく、３軸間の信号出力の変動を低減する半導体加速度センサを提供すること。
【解決手段】本発明によると、半導体基板に、枠部と、錘部と、前記枠部と前記錘部との間に配置される可撓部と、前記可撓部に第１の方向に配置される複数のピエゾ抵抗素子と、前記第１の方向と直交する第２の方向に配置される複数のピエゾ抵抗素子と、前記複数のピエゾ抵抗素子をそれぞれ含む複数のブリッジ回路とを有し、前記ブリッジ回路に電圧を印加する高電位端及び低電位端のうちの何れか一方と、前記ブリッジ回路との間に第１の抵抗体を有する少なくとも１つの前記ブリッジ回路を備えることを特徴とする半導体加速度センサが提供される。 （もっと読む）