【課題】本発明は、レベルが大きく異なる加速度を検出することができるとともに、小型かつ汎用性の高い加速度センサを提供する。
【解決手段】支持枠と、可撓性を有する第１の梁部を介して前記支持枠に保持される第１の錘部と、可撓性を有する第２の梁部を介して前記第１の錘部に保持される第２の錘部とを有し、前記第１の錘部は前記支持枠の内側に配置されるとともに前記第２の錘部は前記第１の錘部の内側に配置され、前記第１の梁部および第２の梁部に、それぞれ第１の加速度センサ部および第２の加速度センサ部が設けられた加速度センサことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 オフセット電圧補正後に過度の衝撃が加わっても新たなオフセット電圧の発生
が起こらない、小型で薄型の３軸加速度センサーを提供する。
【解決手段】 ピエゾ抵抗型加速度センサー素子の、可撓部のピエゾ抵抗素子形成面側に
、枠部から錘部に至る溝と溝底面上に金属配線を形成し、金属配線上面をピエゾ抵抗素子
上の電気絶縁層上面より凹ませることで、加速度センサーに過度な衝撃が加わり可撓部が
規制板に衝突しても金属配線の変形が起こらず、新たなオフセット電圧の発生を防げる。
溝底面の端部は２０度から８０度の仰角もしくは俯角を持つ傾斜面で、ピエゾ抵抗素子面
と電気絶縁層上面に繋がっている。 （もっと読む）

【課題】加速度センサにおいて，簡易の構成で，精度よく加速度検出素子の温度に対応するように出力に対して温度補償を可能とする。
【解決手段】半導体基板に一体に形成された錘部と，前記錘部を囲う支持辺と，一方端が前記錘部に結合し，他方端が前記支持辺に結合した可撓部と，前記可撓部の前記錘部と支持辺との結合部にピエゾ抵抗効果を有する加速度検出素子を有して構成される加速度センサであって，ＰＮ接合の順方向バイアス電圧の温度依存性を利用した少なくとも1個の半導体温度センサが，前記半導体基板に形成され，前記半導体温度センサにより求められる温度情報により前記加速度検出素子の出力に対し温度補償を行うように構成される。 （もっと読む）

【課題】外力検知センサの外力検出に対する信頼性を高める。
【解決手段】半導体から成る支持層３９と絶縁層４０と半導体から成る活性層４１とが積層一体化されているＳＯＩ基板３８の少なくとも周端縁部により構成される固定部３２と、固定部３２によって囲まれているＳＯＩ基板３８の領域にＳＯＩ基板３８を加工して形成され検知対象の外力によって可動する可動部３１，３３と、可動部３１，３３に加えられた外力の大きさが大きくなるにつれて大きくなる可動部の可動量を検出して外力の大きさを検知するための検知部３４とを有し、検知部３４は、ＳＯＩ基板３８における可動部形成領域の活性層４１に形成されている構成を備えた外力検知センサであって、ＳＯＩ基板３８における固定部形成領域の活性層４１には、ＳＯＩ基板３８の表面側から絶縁層４０に至る溝部２を、可動部形成領域を全周に渡って囲む形態で形成する。 （もっと読む）

【課題】性能の信頼性を高める。
【解決手段】半導体から成るベース３の表面の一部分に形成され応力変化に応じて電気抵抗の大きさが変化するピエゾ抵抗部２を有するピエゾ抵抗構造１であって、ベース３とピエゾ抵抗部２とのうちの一方はｐ型半導体と成し、他方はｎ型半導体と成している。ピエゾ抵抗部２の一端２Ｈ側が電圧印加手段の高電位側に、また、他端２Ｌ側が上記電圧印加手段の低電位側に、それぞれ電気的に接続されてピエゾ抵抗部２に電圧が印加されている状態において、ピエゾ抵抗部２とベース３とのＰＮ接合部分の空乏層Ｈの厚みＤを考慮して、ピエゾ抵抗部２の高電位側の端部２Ｈから低電位側の端部２Ｌにかけて電流導通路の実効断面積が等しくなるように連続的に又は段階的に幅又は厚みを変化させてピエゾ抵抗部２を形成する。 （もっと読む）

【課題】可動子がある側の構造をシンプルに設計できて、感度を向上することができるセンサを提供することである。
【解決手段】センサは、可動に支持された可動子101と、可動子101に対して間隔を隔てて設けられた対向部材103との相対位置関係を検出する。センサでは、対向部材103が、可動子101に対向する対向部分、または対向部分に隣接する隣接部分に、不純物イオン導入部105を有する。不純物イオン導入部105の少なくとも一部が、可動子101と対向する面側と反対側の面に形成され、反対側の面から電気配線が取り出されている。 （もっと読む）

【課題】圧力変換器の製造方法を提供する。
【解決手段】１つまたは複数の溝を第１基板の第１面に形成エッチングする。溝は、耐エッチング性とされる。次いで、キャビティを第１基板の第２の、反対側の面に形成し、それによって、フレームによって支持され、１つまたは複数の中空ボスがメンブランに剛性を与えるダイアフラムを画定する。この方法から、剛性の大きなボス得られる。この方法によるボスは、より低コストの工程技術を使用して形成可能とされる。このボスは、剛性の等しい中実構造より軽量である。ｇ感度のより低い圧力変換器が提供される。任意の幅および剛性のボスを生産することが可能とされる。ボスの形態を所望により変える能力が与えられる。 （もっと読む）

【課題】加速度強度が異なる加速度を検出する素子をひとつのチップに備えることで、一つの慣性センサで２つ以上の加速度範囲に対応した加速度検出を可能にする。
【解決手段】同一基板（ＳＯＩ基板２０）に加速度強度が異なる加速度を検出する慣性センサ素子３１を少なくとも２つ以上有することを特徴とする。その製造方法は、同一基板（ＳＯＩ基板２０）に慣性センサ素子３１を少なくとも２つ以上形成する慣性センサ１の製造方法であって、前記各慣性センサ素子３１を加速度強度が異なる加速度を検出するもので弾性支持体４２に変位自在に支持された質量部４３を有する慣性センサ素子３１で形成し、前記各慣性センサ素子３１を同一工程で形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ構造体と半導体基板との間の寄生容量を低減させるＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に絶縁層を介して形成された固定電極２０と可動電極２６とを有するＭＥＭＳ構造体３０が備えられたＭＥＭＳデバイス１であって、固定電極２０の下方の半導体基板１０にウェル１３が形成されており、固定電極２０に正の電圧が印加されウェル１３がｐ型ウェルである。そして、ウェル１３が空乏状態となるようにウェル１３には電圧が印加されている。この電圧はウェル１３が空乏状態を維持する電圧となっている。 （もっと読む）

【課題】静電容量式加速度センサにおいて、可動電極を支持する部材の強度を確保し、個体ごとの加速度検出精度のばらつきを抑える。
【解決手段】静電容量式加速度センサ１は、固定電極２ａ、２ｂを有した固定部材３と、可動部材４とを備える。可動部材４は、固定部材３に接合されるアンカ部４１と、可動電極として機能する錘部４３とを有する。アンカ部４１は、該アンカ部４１を残すようにその周辺のＳＯＩウェハのシリコン活性層４ｃ及び酸化膜層４ｂをエッチング除去することにより凸状に形成される。エッチングの際、ＲＩＥによりＳＯＩウェハは垂直な方向にのみエッチングされる。従って、アンカ部４１の強度を確保できる。さらに、反応ガスを選択することにより上記の２層を厚さ分だけエッチング除去できるので、固定電極２ａ、２ｂと可動電極との距離のばらつき、すなわち静電容量のばらつきを防止でき、個体ごとの加速度検出精度のばらつきを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】製造時間の短縮及び製造コストの低減を図る。
【解決手段】基板１０上の空間Ｓに配置されたＭＥＭＳ構造体３０と、基板上の絶縁膜と配線の積層構造と、配線上の表面保護膜と、表面保護膜の開口部により配線の一部が露出してなる接続パッドとを有するＭＥＭＳ素子の製造方法であり、少なくとも一部が犠牲層１１上に形成された態様でＭＥＭＳ構造体が形成される工程と、ＭＥＭＳ構造体上及びそれ以外の他の位置に絶縁膜１３，１５が形成される工程と、他の位置の絶縁膜上に配線１４，１６が形成される工程と、配線上に表面保護膜１７，１８を形成する保護膜形成工程と、表面保護膜を部分的に除去して接続パッドを形成すると同時にＭＥＭＳ構造体の上方に開口凹部Ｐを形成する開口工程と、開口凹部を通して犠牲層が除去されることによりＭＥＭＳ構造体がリリースされるリリース工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ抵抗素子から半導体層へと流れるリーク電流を防止する。
【解決手段】ｎ型の半導体から構成されており、測定すべき外力を受けて変形し、かつ電気的に浮遊した変形部１６ａと、ｐ型の部分として変形部に形成され、変形部の変形量に応じて電気抵抗の大きさが変化する複数のピエゾ抵抗素子Ｒ_１〜Ｒ_４と、ｎ^＋型の領域として、ピエゾ抵抗素子の周囲を囲むガードリングＧ_１〜Ｇ_４とを備え、ガードリングを介して変形部に、ピエゾ抵抗素子に対する印加電圧と同符号であり、かつ印加電圧よりも絶対値が大きい電圧が印加されている。 （もっと読む）

【課題】全体の温度が変化し、電極と半導体基板との間に熱応力が発生しても、この熱応力がピエゾ抵抗にまで伝達せず、その結果ピエゾ抵抗からの電気信号の誤差を低減する半導体感歪センサを得る。
【解決手段】薄肉部１ａおよびこの薄肉部１ａの外側に設けられこの薄肉部１ａよりも厚い外枠部１ｂを有した半導体基板１と、薄肉部１ａに設けられたピエゾ抵抗２と、外枠部１ｂに設けられ、ピエゾ抵抗２と配線３を介して電気的に接続され、ピエゾ抵抗２からの電気信号を外部に伝達する電極４とを備えた半導体感歪センサにおいて、外枠部１ｂには、電極４の周囲に沿って凹部１ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】小型で信頼性の高いセンサーユニットと、その簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】センサーユニット１は、センサー２と、能動素子内蔵モジュール５とを備えたものであり、センサー２はＳＯＩ基板１１からなり、枠部材２１と、この枠部材を貫通する複数の貫通電極２７と、枠部材２１から内側方向に突出する複数の梁２２と、梁により支持される錘２３と、梁に配設されたピエゾ抵抗素子１６と、このピエゾ抵抗素子に接続された配線１８とを有し、錘２３との間に所定の間隙を形成するように能動素子内蔵モジュール５がセンサー２の枠部材２１に接合され、能動素子内蔵モジュール５は、能動素子４５を内蔵して能動素子よりも外側の領域に複数の貫通電極３３を有する基板３１と、貫通電極と接続するように基板に配設された配線３４とを有し、この配線３４はセンサー２の貫通電極２７に接合されたものとする。 （もっと読む）

【課題】ガラス層を介して力覚センサ用チップと減衰装置とを陽極接合する際の接合劣化を防止する。
【解決手段】伝達された外力Ｆを歪み抵抗素子で検出する力覚センサ用チップ２と、力覚センサ用チップ２を固定するとともに外力Ｆを減衰して力覚センサ用チップに伝達する減衰装置３と、を備え、力覚センサ用チップ２と減衰装置３とがガラス層を介して接合された力覚センサの製造方法であって、（ａ）ガラス層として、力覚センサ用チップ２にガラス薄膜１０を成膜する工程と、（ｂ）力覚センサ用チップ２側に負電圧をかけ、減衰装置３側に正電圧をかけて、力覚センサ用チップ２に成膜されたガラス薄膜１０と減衰装置３とを陽極接合により接合する工程と、を含むことを特徴とする。また、ガラス薄膜１０を蒸着法またはスパッタリング法により成膜する。 （もっと読む）

【課題】 測定レンジの大きく異なる複数の３軸加速度センサーを小さい面積に低コスト
で製造する。また、複数のセンサーの加速度検出軸の向きを高精度に一致させる。
【解決手段】 枠部と、対を成す梁部２対を介して枠部に保持される錘部と、梁部に設け
られた半導体ピエゾ抵抗素子からなる第一３軸加速度センサー素子の枠部内に、第一３軸
加速度センサー素子より単位加速度あたりの出力電圧が小さい第二３軸加速度センサー素
子を形成する。枠部を共有するため小型化でき、フォトリソやエッチングなどの工程で一
つのチップに一括形成できるので製造コストが低く、かつ複数のセンサー素子の加速度検
出軸をフォトリソマスク精度で高精度に一致させることができる。 （もっと読む）

【課題】複雑ではない製造工程を用いて、感度の向上が実現された容量型センサを提供する。
【解決手段】一部が振動板Ｍとして機能する基板３と背極板Ｂとを互いに対向して備え、振動板Ｍとして機能する部分の基板３と背極板Ｂとの間を空間１１によって隔てる空間形成領域Ｘと、振動板Ｍとして機能しない部分の基板３と背極板Ｂとの間をスペーサ部材Ｓによって隔てるスペーサ形成領域Ｙとを設けてある容量型センサであって、スペーサ形成領域Ｙにおいて基板３と背極板Ｂとは全て互いに平行に対向し、空間形成領域Ｘにおいて基板３と背極板Ｂとは互いに平行に対向し、スペーサ形成領域Ｙにおける基板３と背極板Ｂとの間隔が、空間形成領域Ｘにおける基板３と背極板Ｂとの間隔よりも大きく形成されている。 （もっと読む）

【課題】外圧の大きさおよび方向を高感度で検出することができるとともに製造が容易な触覚センサ、およびその製造方法ならびに触覚センサユニットを提供することである。
【解決手段】触覚センサ１００は、カンチレバーＣＬおよびエラストマー層１０５を有する。カンチレバーＣＬは、ノンドープ層１０３ａおよびドープ層１０３ｂを有する。ドープ層１０３ｂの格子定数はノンドープ層１０３ａの格子定数より小さい。これにより、カンチレバーＣＬは湾曲している。ドープ層１０３ｂは、結晶シリコン膜にホウ素を添加することにより形成されている。エラストマー層１０５に外圧が加わることにより、カンチレバーＣＬが変形する。カンチレバーＣＬが変形することにより、ドープ層１０３ｂのピエゾ抵抗が変化する。したがって、ドープ層１０３ｂのピエゾ抵抗の変化を検出することにより、触覚センサ１００に作用する外圧の大きさおよび方向を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】電気信号の外部への取り出し構造の簡素化、チップ面積の増大の防止が図れるようにする。
【解決手段】半導体チップ１の第２面（裏面）側に配置した台座３を貫通するような貫通電極３３を設け、貫通電極３３をリードピン４１に電気的に接続することで、外部へセンシング部の電気信号を出力できる構成とする。これにより、半導体チップ１および台座３を細長形状とする必要がないため、構造体Ａを構成するための半導体チップ１のチップ面積の増大を招かないようにできる。 （もっと読む）

【課題】安価且つ簡単に、振動板の機械的強度が確保されたコンデンサ型マイクロホンを製造する方法を提供する。
【解決手段】コンデンサ型マイクロホンの製造方法であって、単結晶シリコンからなる基板１の一方の表面に第１キャビティ１ｂを形成する工程と、基板１の他方の表面の、第１キャビティ１ｂが形成される領域に対応する部分にイオン注入を行って犠牲層２を形成する工程と、犠牲層２上に単結晶シリコン層３を堆積させる工程と、単結晶シリコン層３に複数の孔７を形成する工程と、複数の孔７を介して犠牲層２の一部をエッチングして基板１と単結晶シリコン層３との間に空間８を設けることで、第１キャビティ１ｂが形成される領域に対応する部分の基板１からなる振動板Ｍと、複数の孔７を有する単結晶シリコン層３からなる背極板Ｂと、犠牲層２からなるスペーサ部材Ｓとを形成する工程とを含む。 （もっと読む）