【目的】センサそのものでゼロ点温度ドリフトを補償できる可動ゲート電界効果トランジスタ型の加速度および角加速度センサを提供する。
【構成】加速度および角加速度の一方または両方に対して変位量が異なる可動ゲート電極の長手方向における複数の領域に対応させて、それぞれのチャンネル領域が配備され、それぞれの可動ゲート電界効果トランジスタが構成されている。図1では、可動ゲート電極として中央部を固定部43でシリコン基板１のゲート酸化膜13上に固定された一対の片持ち梁（左可動部41および右可動部42）をなす可動電極4cを有し、これの長手方向に4つ可動ゲート電界効果トランジスタ（それぞれに固定電極6および７、固定電極6aおよび7a、固定電極6bおよび7b、固定電極6cおよび7cが対応）が配備されている。 （もっと読む）

【課題】感度を維持しつつ小型化が可能な加速度センサ素子を提供する。
【解決手段】センサ素子２０は、凹部１１ａを有する重り部１１と、重り部１１を囲繞する枠状の固定部１３と、一方端が固定部１３に連結され、且つ他方端が重り部１１に連結される梁部１２と、梁部１２に設けられる抵抗素子１５と、重り部１１の材料より比重の大きい材料からなり、且つ凹部１１ａに埋入される重り部材２２とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳの可撓部の撓み検出精度を高める。
【解決手段】ｘ軸、ｙ軸およびｚ軸を直交座標系の３軸とするとき、支持部と、前記支持部からｘ方向に突出しｚ方向に薄い膜状の可撓部と、前記可撓部の突端に結合している錘部Ｗと、前記可撓部と前記支持部との境界に対して近傍のｘ区間である検出区間にあるｘｙ領域であってｙ方向において前記可撓部の中心に対して近傍のｘｙ領域である検出領域に設けられ前記可撓部の突端のｚ方向の変位に応じた歪みを検出するための歪み検出手段と、を備え、前記検出区間にあって前記検出領域より外側の両方にある領域における前記可撓部のｙｚ断面は、それぞれ、前記検出領域から相対的に遠い方の半分の部分の断面積が残部の断面積よりも広い形態である、ＭＥＭＳ。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板のハンドリング時や加工時にメンブレンが破損する確率を低下し、ハンドリング部材を被処理基板から迅速に除去する。
【解決手段】 本発明において、ハンドリング部材には、素子と固定する面に、素子と固定された状態で外部と連通する流路の一部を構成する溝が形成される。被処理基板とハンドリング部材との固定工程において、振動膜支持部のエッジ方向と、ハンドリング部材の溝のエッジ方向とが交差するように、ハンドリング部材を固定する。 （もっと読む）

【課題】 本発明によれば、通電による出力特性変動を抑えたセンサ及びその製造方法を提供することができる。
【解決手段】 本発明に係るセンサは、錘部と、前記錘部の周囲に位置するフレーム部と、前記フレーム部と前記錘部とを連結するダイアフラム状あるいは梁状の可撓部と、前記可撓部及び／又は前記フレーム部に配設され、少なくとも１軸方向の物理量を検出するための歪検出部と、前記可撓部及び前記フレーム部上に、ブリッジ回路を構成するように前記歪検出部を接続する配線部と、を備え、前記配線部を介して前記歪検出部と接続された複数の外部接続パッドと、前記配線部を介して前記歪検出部と接続されるとともに外部接続に用いないダミーパッドと、を前記フレーム部上に配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 最終的なパッケージ封止後であってもピエゾ抵抗素子のブリッジ回路の温度補償を容易に行うことができ高感度のセンサ機能を安定して発現するセンサを提供する。
【解決手段】 センサを、枠部と、この枠部から内側方向に突出する複数の梁部と、梁により支持される錘部と、梁部に配設されたピエゾ抵抗素子と、ピエゾ抵抗素子により構成されたブリッジ回路を有する検出部とを備えたものとし、ピエゾ抵抗素子を直交するＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の各軸方向の物理量を検出するように少なくとも４個づつ配設し、ブリッジ回路の４辺の少なくとも１つの辺にはピエゾ抵抗素子と直列に温度補償回路を接続し、この温度補償回路を、ピエゾ抵抗素子と直列に接続された少なくとも１個の温度補償用抵抗と、各温度補償用抵抗と並列に接続された調整用配線と、各調整用配線に接続された複数の調整用パッドからなるものとする。 （もっと読む）

【課題】 高感度のセンサ機能を安定して発現するセンサと、このようなセンサを簡便に製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】 センサを、枠部と、この枠部から内側方向に突出する複数の梁部と、梁により支持される錘部と、梁部に配設されたピエゾ抵抗素子と、ピエゾ抵抗素子を被覆する絶縁層とを備えたものとし、ピエゾ抵抗素子は折り返し部を１個以上有し、この折り返し部に位置する絶縁層上には金属配線を配設するとともに、この金属配線を絶縁層に形成された２個以上のコンタクトホールを介して折り返し部に接続し、ピエゾ抵抗素子の両端部に位置する絶縁層にはコンタクトホールを設け、このコンタクトホールを介してブリッジ回路配線をピエゾ抵抗素子に接続形成する。 （もっと読む）

【課題】３次元のベクトルを測定するためのＭＥＭＳを小型化し製造コストを低減する。
【解決手段】ｘ軸、ｙ軸およびｚ軸を直交座標系の３軸とするとき、ｙ方向長さがｘ方向長さより短い支持部と、ｙ方向に並び互いに平行に前記支持部に対してｘ方向に架設されｙ方向長さがｘ方向長さより短い膜状の２つの梁部と、２つの前記梁部のそれぞれの中央に架設されている一体の錘部と、２つの前記梁部のそれぞれに複数設けられ、前記梁部の変形に応じた歪みを検出することにより前記錘部に作用する力に対応するベクトルのｘｙｚ成分を測定するための歪み検出手段と、を備え、前記錘部は、２つの前記梁部に架設されている結合部と、２つの前記梁部の間において前記結合部から互いに逆向きに突出する２つの凸部とを有するとともにｙ方向長さがｘ方向長さより短い、ＭＥＭＳ。 （もっと読む）

【課題】 規格化された高さのゲージ部を有する力検知素子を簡易に製造する方法を提供する。
【解決手段】 力検知素子１００は、基部層２と絶縁層４と半導体層６が積層された積層基板７を有している。一対の電極１０ａ、１０ｂ間を所定高さで伸びているゲージ部１４が、半導体層６に設けられている。力検知素子１００の製造方法は、ゲージ部１４の所定高さよりも厚い半導体層６を有する積層基板７を用意し、半導体層６の表面からゲージ部１４の所定高さだけエッチングして第１溝１５を形成し、第１溝１５の側方に凸状のゲージ部１４を形成する第１エッチング工程を備えている。 （もっと読む）

本発明は、基板背面からアクセスされる、マイクロメカニカル技術によるメンブラン構造体の特に容易かつ低コストの方法を提案する。この方法はｐ型ドーピングされたＳｉ基板（１）から出発し、以下のプロセスステップを有する：すなわち、基板表面の、連続している少なくとも１つの格子状領域（２）をｎ型ドーピングするステップ、ｎ型ドーピングされた格子構造（２）の下の基板領域（５）を多孔性にエッチングするステップ、ｎ型ドーピングされた格子構造（２）の下の基板領域（５）内に空洞（７）を形成するステップ、ｎ型ドーピングされた格子構造（２）上に、第１の単結晶シリコンエピタキシャル層（８）を成長させるステップ、とを有している。本願発明は次のような特徴を有している。すなわち、ｎ型ドーピングされた格子構造（２）の少なくとも１つの開口部（６）を、開口部が成長する第１のエピタキシャル層（８）によって封鎖されず、空洞（７）へのアクセス開口部（９）を形成するように定め；空洞壁部上に酸化物層（１０）を形成し；空洞（７）への背面アクセス部（１３）を設け、ここで空洞壁部上の酸化物層（１０）を、エッチングストップ層として用い；酸化物層（１０）を空洞（７）の領域内で除去し、空洞（７）上に形成されているメンブラン構造体（１４）への背面アクセス部（１３）を生じさせる、ことを特徴とする。
（もっと読む）

【課題】ピエゾ抵抗部とそのコンタクトホールとのアライメント精度を向上させる。
【解決手段】半導体層の表面に絶縁層を形成し、前記絶縁層に複数のコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールが形成された前記絶縁層の表面に通孔を有する保護膜を形成し、前記通孔から露出している前記絶縁層を貫通させて前記半導体層に不純物を注入することにより複数の前記コンタクトホールの間にピエゾ抵抗部を形成する、ことを含むＭＥＭＳ製造方法。 （もっと読む）

【課題】被測定圧力以外の圧力変動をもたらす応力を抑制することができ、圧力センサの出力特性変化が生じがたい圧力センサを提供すること。
【解決手段】半導体基板１１、半導体基板１１の一面１１ａにおいて、その中央域αの内部に一面１１ａと略平行して広がる第一空隙部１２、第一空隙部１２の一方の側に位置する薄板化されたダイアフラム部１３、ダイアフラム１３上に配された感圧素子１４、及び半導体基板１１の一面１１ａにおいて、ダイアフラム部１３を除いた外縁域βに配され、感圧素子１４と電気的に接続されたバンプ１５を少なくとも備えた圧力センサであって、半導体基板１１の内部において外縁域βの少なくとも一部に配され、半導体基板１１の一面１１ａに対して閉じた第二空隙部１６が配されている。 （もっと読む）

【課題】低背小型化しても実装後の検出感度を高く維持することができる加速度センサ装置を提供する。
【解決手段】重り部１１と、重り部１１を囲繞する枠状の固定部１３と、一方端が固定部１３に連結され、且つ他方端が重り部１１に連結される梁部１２と、梁部１２に設けられる抵抗素子１５と、を有するセンサ素子２０と、センサ素子２０が載置される基板１と、固定部１３の下面と基板１の上面との間に複数箇所に分かれた状態で介在され、センサ素子２０と基板１とを複数箇所で接合する接着剤８と、を備え、固定部１３の下面には、接着剤８が付着する領域を囲むようにして溝部７が設けられている （もっと読む）

【課題】感度が高く感度の温度依存性が低いＭＥＭＳを提供する。
【解決手段】シリコンウエハの２つの主面の一方側からの加工により、可撓部と前記可撓部の変形または変位を検出するための検出手段とを形成し、前記シリコンウエハの２つの前記主面の他方に所定の金属材料に比べて前記シリコンウエハに熱膨張係数が近い連結材料からなる第二ウエハを直接接合し、前記第二ウエハをエッチングすることにより環状の間隙を形成するとともに前記間隙に囲まれ前記連結材料からなる連結部を形成し、前記間隙に表れる前記シリコンウエハの前記他方の主面と前記第二ウエハの端面とに犠牲膜を形成し、前記連結部および前記犠牲膜の表面に前記金属材料を堆積させることにより前記金属材料からなる錘部を形成する、ことを含むＭＥＭＳ製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、配線とピエゾ抵抗素子間における電気的なコンタクト不良を防ぎ、かつ小型な加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る加速度センサは、開口を有するフレーム部と、フレーム部の開口内に配置された錘部と、フレーム部と錘部とを接続する少なくとも一対の梁部と、梁部に形成され、かつ梁部の一端がフレーム部と接続する領域と、梁部の他端が錘部と接続する領域のそれぞれに配置された検出部と、検出部の少なくとも一方の端部から延伸して形成された複数の端子部と、梁部上であって、検出部の少なくとも一部を覆う絶縁層と、絶縁層を開孔して形成された、少なくとも１つののコンタクトホールと、コンタクトホールを介して端子部と電気的に接続する配線と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ抵抗部の上に圧電層を備えるＭＥＭＳの電気的特性を向上させる。
【解決手段】半導体層に不純物を注入することにより前記半導体層にピエゾ抵抗部を形成し、前記半導体層の表面に結合している絶縁層の表面の平坦な領域に下層電極となる導電層を形成し、前記下層電極となる導電層の表面の平坦な領域に圧電層を形成し、前記圧電層の表面に上層電極となる導電層を形成し、前記下層電極となる導電層と前記圧電層と前記上層電極となる導電層とをエッチングすることにより圧電素子を形成する、ことを含むＭＥＭＳ製造方法。
。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、配線とピエゾ抵抗素子間において安定した電気的なコンタクトを有する小型な加速度センサを提供することにある。
【解決手段】 本発明に係る加速度センサは、開口を有するフレーム部と、フレーム部の開口内に配置された錘部と、フレーム部と錘部とを接続する少なくとも一対の梁部と、梁部に形成され、かつ梁部の一端がフレーム部と接続する領域と、梁部の他端が錘部と接続する領域のそれぞれに配置された検出部と、検出部の両端に形成された接合部と、梁部上に形成され、検出部の少なくとも一部を覆う絶縁層と、接合部の形成領域内における絶縁層を開孔して形成された、少なくとも１つのコンタクトホールと、コンタクトホールを介して接合部と電気的に接続する配線と、を備え、接合部の幅が検出部の幅よりも大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳの特性を均一化する。
【解決手段】梁部と錘部と接続部とを備え前記接続部によって前記梁部に前記錘部が接続されているＭＥＭＳの製造方法であって、バルク材からなり前記錘部となる基部の平坦面に形成され前記基部を残してエッチング可能な材料からなる犠牲層に、前記基部を露出させる通孔を形成し、前記犠牲層とともにエッチングされない材料の堆積によって前記通孔内に前記接続部の少なくとも表層を形成し、前記基部の前記通孔を囲む位置に前記犠牲層を露出させる環状溝を形成し、前記環状溝から露出している前記犠牲層を等方性エッチングによって除去することを含み、前記接続部の表層となる材料の堆積によって前記犠牲層の上において前記梁部と前記接続部と前記錘部とが一体となる。 （もっと読む）

【課題】低背小型化しても実装後の検出感度を高く維持することができる加速度センサ装置を提供する。
【解決手段】重り部１１と、重り部１１を囲繞する枠状の固定部１３と、固定部１３の下面に開口部７ａを有するようにして固定部１３に設けられる孔部７と、一方端が固定部１３に連結され、且つ他方端が重り部１１に連結される梁部１２と、梁部１２に設けられる抵抗素子１５と、を有するセンサ素子２０と、センサ素子２０が載置される主面１Ａを有する基板１と、基板１の主面１Ａと固定部下面の開口部７ａ周囲との間に介在され、一部が孔部７に埋入された状態でセンサ素子２０と基板１とを接合する接着剤８と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】基板平面方向と基板垂直方向それぞれに変位する梁のバネ特性が個々に所望の値に設定できるようにする。
【解決手段】垂直方向梁１１ａと水平方向梁１１ｂとを異なる厚みで形成する。具体的には、垂直方向梁１１ａに関しては、シリコン層３のうちの下方位置、つまり支持基板１側を除去する。これにより、垂直方向梁１１ａのバネ特性と水平方向梁１１ｂのバネ定数を異ならせることが可能となり、各梁１１ａ、１１ｂのバネ特性を個々に所望の値にできる。また、垂直方向梁１１ａの高さが埋込酸化膜２の厚みに依存しないものとなるため、バネ特性をより最適なものにすることが可能となる。このため、車両上下方向における加速度の検出を最適なバネ特性を有する垂直方向梁１１ａの変位に基づいて行えると共に、車両前後方向や車両左右方向における加速度の検出も最適なバネ特性を有する水平方向梁１１ｂの変位に基づいて行うことが可能となる。 （もっと読む）