【課題】単一のシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ウェハからＭＥＭＳ装置を製造する方法の提供。
【解決手段】ＳＯＩウェハ２０は、シリコン（Ｓｉ）ハンドル層２８、Ｓｉ機構層２４、およびＳｉハンドル層とＳｉ機構層との間に位置する絶縁層２６を含む。Ｓｉ機構層から活動部品をエッチングする工程を含む。その後、露出されたＳｉ機構層の表面にボロンがドープされる。次に、Ｓｉ機構層のエッチングされた活動部品の近くの絶縁層の一部が取り除かれ、エッチングされた活動部品の近くのＳｉハンドル層が、エッチングされる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ構造体に対して外部空間からの圧力や振動信号を直接受信できるように構成し、かつ、ＭＥＭＳ構造体と集積回路とを形成した半導体チップをバンプ電極でモジュール基板にフェイスダウン実装することにより、小型化を実現できる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板１の一方の面に集積回路が形成され、半導体基板１の他方の面にＭＥＭＳ構造体が形成されている。そして、集積回路上に形成されているバンプ電極ＢＰによって実装基板にフリップチップ接続する構造となっている。このとき、トランスデューサは外部空間に向いた状態で配置できる。このため、トランスデューサが外部空間と直接対話する機能を損なうことなく、半導体装置を小型化することができる。なお、集積回路とＭＥＭＳ構造体とは半導体基板１を貫通する貫通電極２０ａ、２０ｂにより電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１つの懸架膜を備えた素子を製造する方法である。
【解決手段】少なくとも１つの懸架膜を備えた素子を製造する方法であって、該方法は少なくとも、第１犠牲層および該第１犠牲層に堆積された第２層を貫通し、該第１犠牲層の少なくとも一部および第２層の少なくとも一部を完全に囲繞するトレンチを形成し、該トレンチの全体または一部に、少なくとも１種類のエッチング剤に対する耐性を有する少なくとも１種類の材料を充填し、該第１犠牲層の一部を、第２層に設けられた少なくとも１つの開口部を介してエッチング剤でエッチングする工程を含み、該第２層の一部は、懸架膜の少なくとも一部を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 感度が高く、周波数特性に優れたコンデンサマイクロホン及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 コンデンサマイクロホンは、音波が通過する複数の穴を有する絶縁膜と、絶縁膜によって保持され、音波が通過する複数の穴を有する固定電極と、固定電極の裏面の中心部に設けられる固定部と、固定電極と平行に配置され、固定部により中心部のみが固定電極に固定され、固定電極を通過した音波を受けて振動し、振動の振幅が中心から外周に近づくにしたがって増加するダイアフラム電極とを具備し、音波を固定電極とダイアフラム電極との間の容量変化に変換して電気信号として検出する。 （もっと読む）

【課題】加速度センサや角速度センサのようにバルクマイクロマシニング技術により形成したＭＥＭＳセンサとＬＳＩ回路からなる半導体装置の小型化や薄型化と、高感度化を両立しつつ、ＭＥＭＳセンサとＬＳＩ回路からなる半導体装置の実装構造を簡易化する。
【解決手段】ＳＯＩ基板のシリコン層１０２上にＭＩＳＦＥＴや配線を有する集積回路を形成し、ＳＯＩ基板の基板層１００を加工して、構造体１２５を含むＭＥＭＳセンサを形成している。すなわち、ＳＯＩ基板の両面を使用して、１つのＳＯＩ基板に集積回路とＭＥＭＳセンサを搭載する。そして、集積回路とＭＥＭＳセンサとは、ＳＯＩ基板の内部に設けられている貫通電極１２１によって電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械装置の特性向上（例えば、リニアリティの向上）を図る。
【解決手段】微小電気機械装置を、半導体層(1)と、半導体層の上部に形成された空洞(15a）と、空洞上に形成されたゲート電極(17)と、空洞の下部に位置する半導体層中に形成され、離間して配置されたソース領域(13s)およびドレイン領域(13d)と、ソース領域およびドレイン領域間として規定されるチャネル領域であって、空洞の第１の領域において第１のチャネル長（Da1）を有し、空洞の第１の領域より外側に位置する第２の領域において第１のチャネル長より短い第２のチャネル長(Da2)を有するチャネル領域と、を有し、ゲート電極は、半導体層方向に可動に構成され、ゲート電極上に加わる力を、チャネル領域に流れる電流によりにより検出するように構成する。このように、チャネル長を、空洞のより外側において短くしたので、検出精度の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械装置の特性向上および製造工程の簡略化を図る。
【解決手段】微小電気機械装置を、半導体層(1)と、前記半導体層中のチャネル領域の両側に形成されたソース、ドレイン領域(13)と、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜(19)と、前記ゲート絶縁膜上に形成された空洞(15a)と、前記空洞上に形成されたゲート電極(17)と、を有し、前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜と接触するよう可動に構成され、前記ゲート電極上に加わる力を、前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜との接触面積により検出するように構成する。このように、上記接触面積によりゲート電極上に加わる力を検出することができる。また、一時的なＦＥＴ構造を利用することにより、装置および製造工程の簡略化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】構成の煩雑化を回避しつつ、ＳｉマイクなどのＭＥＭＳセンサと半導体素子とを１チップに収めることができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２に形成されたソース領域３およびドレイン領域４と、半導体基板２上に形成されたゲート電極６とは、ＭＯＳＦＥＴを構成する。また、半導体基板２上には、下電極１５および上電極１６を備えるＭＥＭＳセンサ１２が設けられている。そして、ゲート電極６と下電極１５とが同一層に形成され、ソース配線８と上電極１６とが同一層に形成されている。これにより、構成の煩雑化を回避しつつ、ＭＥＭＳセンサ１２とＭＯＳＦＥＴとを１チップに収めることができる。 （もっと読む）

【課題】ダイシングに伴う収率の低下が抑制される加速度センサの製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板１０の主表面側に拡散抵抗配線１５を形成し、シリコン窒化膜１９ａを形成した後に、シリコン窒化膜１９ａ上に接合用金属層１７を形成するとともに、接合用金属層１７と上部キャップ３０との間に隙間が形成される部位とスクライブ線との間の所定位置にダイシング時の水流が隙間へ到達するのを防ぐための障壁１７ａを形成し、その後、第１のキャップを上記金属層を介して半導体基板に接合し、さらに第２のキャップを半導体基板の裏面側に接合する。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械装置の特性向上を図る。
【解決手段】微小電気機械装置を、半導体層(1)と、前記半導体層の上部に形成された空洞(15a)と、前記空洞上に形成されたゲート電極(17)と、前記空洞の下部に位置する前記半導体層中に形成された複数のソース、ドレイン対(13sa,13da等）と、を有し、前記ゲート電極は、前半導体層方向に可動に構成され、前記複数のソース、ドレイン対間は、それぞれ独立してソース、ドレイン間電流を測定可能に構成され、前記複数のソース、ドレイン対のいずれか１つを選択し、選択されたソース領域およびドレイン対間に流れる電流により、前記ゲート電極上に加わる力を検出するように構成する。かかる構成によれば、複数のソース、ドレイン対のうち、ゲート電極に加わる力に対するソース、ドレイン対間に流れる電流特性が線形的なものを選択することができ、検出精度の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】十分な位置精度が確保できる半導体圧力センサの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板３の第１の面に開口する凹部４を形成し、シリコン基板３の第１の面とシリコン基板１を絶縁膜２を介して貼り合わせる。そして、シリコン基板３の第２の面を研磨して凹部４の底部にダイヤフラム６を形成し、ダイヤフラム６を含むシリコン基板３の第２の面に絶縁膜９を形成する。その後、凹部４及び該凹部４と同時にシリコン基板３の第１の面に開口するように形成したアライメント用凹部のいずれか１つを用いてＩＲアライナにより位置合わせをした後に、シリコン基板３の第２の面にアライメントマーク用凹部１８を有する絶縁膜を形成し、このアライメントマーク用凹部１８を用いて、ゲージ抵抗、ゲージ抵抗用コンタクトホールおよびゲージ抵抗用配線の少なくとも１つを形成する。 （もっと読む）

【課題】センサー部の梁部への衝撃の伝達を軽減して、梁部の破損を防ぐ電気機械変換器の構造と、この構造を実現する製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の電気機械変換器の構造は、錘部１２と、錘部１２と第１の間隔２２をおいて梁部３２で連結された第１の支持部２０と、第１の支持部２０と第２の間隔２６所定間隔をおいて連結部３０で連結された第２の支持部２４とを有し、梁部３２上にピエゾ抵抗素子２８が配設される。連結部３０は、積層された第１の絶縁膜１６と第２の絶縁膜１８により構成される。この構造によって、第２の支持部２４に外部から応力が加わっても連結部３０で吸収するために梁部３２への応力が伝達しにくくなる。これにより、衝撃の伝達を軽減して、梁部３２の破損を防ぐことが可能となる。また、連結部３０を構成する積層材料の材質、膜厚を変更することで、連結部３０を所望の応力緩和特性に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】小型化された構造においても温度ヒステリシスの低減が可能な圧力検出装置を提供する。
【解決手段】受圧部にかかる圧力を電気信号に変えて検出する圧力検出素子において、基板と、基板の裏面に設けられ、その底部が受圧部となる凹部と、受圧部に設けられた歪センサ部と、基板に設けられ、歪センサ部に接続された拡散配線と、基板の表面上に設けられ、拡散配線と接続された金属膜とを含み、受圧部が、基板の表面に垂直な対称中心軸に対して対称な形状からなり、対称中心軸から受圧部の端部までの最短距離Ｌと、受圧部の端部から金属膜までの最短距離Ｓとの間に、以下の式（１）：
Ｌ／Ｓ≦３．５ （１）
の関係が成立する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、配線パターンの断線を防止することのできる半導体圧力センサ及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】ダイアフラム１１の上面１１Ａと直交する面と貫通部３１−１，３１−２，３２−１，３２−２，３３−１，３３−２，３４−１，３４−２の側面３１−１Ａ，３１−２Ａ，３２−１Ａ，３２−２Ａ，３３−１Ａ，３３−２Ａ，３４−１Ａ，３４−２Ａの上端との交点Ｅ_１，Ｆ_１，Ｇ_１，Ｈ_１と、ダイアフラム１１の上面１１Ａと直交する面と貫通部３１−１，３１−２，３２−１，３２−２，３３−１，３３−２，３４−１，３４−２の側面３１−１Ａ，３１−２Ａ，３２−１Ａ，３２−２Ａ，３３−１Ａ，３３−２Ａ，３４−１Ａ，３４−２Ａの下端との交点Ｅ_２，Ｆ_２，Ｇ_２，Ｈ_２とを結ぶ直線Ｅ〜Ｈの長さの値が絶縁膜１９の厚さＭ１の値の√２倍よりも大きくなるようにした。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成、ダイヤフラム部の厚さの制御等も容易で、高歩留まり、低コスト、かつ温度依存性が低く、高感度の半導体圧力センサを提供する。
【解決手段】複数のショットキーバリアダイオードが半導体基板１７に、分散して形成されている。各ショットキーバリアダイオードＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４は、バリア膜、電極、半導体基板で構成されている。バリア膜１、３、５、７と半導体基板１７とを接触させることで、半導体基板１７側の接触面に空乏層が生じ、ショットキー障壁が発生する。このショットキー接合部分が、半導体基板１７におけるダイヤフラム領域１８に含まれており、圧力を感知する領域となる。 （もっと読む）

【課題】新規な構造にて高精度、高信頼性を図ることができる加速度センサを提供することにある。
【解決手段】絶縁物を表面に有する基板上に配置されたＳｉ層からエッチングにより形成された構造を有し、力学量により可動する可動電極部と、可動電極部に第１の溝部をはさんで対向する固定電極部とからなり、可動電極部と固定電極部がコンデンサ装置を形成する半導体力学量センサにおいて、可動電極部または固定電極部の少なくとも一つがＳｉ層からなる周辺部から第２の溝部により電気的に分離されており、可動電極部または固定電極部の少なくとも一つと周辺部との間における第２の溝部の側面が絶縁体により覆われるとともに、第２の溝部には充填体が充填されており、コンデンサ装置のためのリード線として働く配線層が第２の溝部を越えて可動電極部または固定電極よりなるコンデンサ装置の少なくとも一つの端子まで延びておりかつ該端子にて接触している。 （もっと読む）

【課題】可動電極とこれに対向する固定電極とを備え、加速度が印加されたときにこれら両電極間の検出間隔の変化に基づいて加速度を検出する加速度センサにおいて、可動および固定電極を構成する半導体基板以外のパッケージ部材を用いることなく、当該両電極を封止する構成を実現する。
【解決手段】厚さ方向の一面１０ａ、２０ａを互いに対向させて第１の半導体基板１０と第２の半導体基板２０とを重ね合わせ、第１の半導体基板１０の一面１０ａをパターニングして可動電極３０を形成し、第２の半導体基板２０の一面２０ａをパターニングして固定電極４０を形成し、両半導体基板１０、２０の間において、可動および固定電極３０、４０を検出間隔Ｋを介して対向させ、その周囲で両半導体基板１０、２０を接合し、この接合部５０により両電極３０、４０を両半導体基板１０、２０の間に封止している。 （もっと読む）

【課題】感度の低下を抑制しつつ薄肉化に寄与する半導体加速度センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体基板を用いて製造される半導体加速度センサにおいて、前記半導体基板によって成形される外枠と；前記半導体基板によって成形され、前記外枠に連結された複数の梁部と；前記半導体基板によって成形され、前記梁部に連結された第一錘部と；前記第一錘部の前記梁部と反対側の端面に連結された第二錘部とを備える。そして、前記第二錘部は、前記第一錘部よりも比重の大きな材質で成形されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 初期オフセットずれおよびオフセット変動の小さい３軸加速度センサーを小さ
い面積に低コストで製造する。
【解決手段】 第１層から第２層にかけて形成された枠部および錘部と、第１層に形成さ
れ、錘部を枠部内に支持する、対を成す梁２対からなる梁部と、梁部に設けられた半導体
ピエゾ抵抗素子と、それらを接続する配線を有する３軸加速度センサーであって、梁部の
枠部および錘部との接続部付近において、梁部の両側に、梁部の接続端よりも梁部中央に
向けて突き出した枠側突出部および錘側突出部を、少なくとも第２層の第１層との接続面
と反対の面において形成されるようにする。梁部の両端のエッチング溝形状が一致するた
め、接続部形状が一致させやすく、応力による出力変動を小さくできる。 （もっと読む）

【課題】センサ素子を小型化しつつ圧力起歪部の機械的強度を向上させた圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力センサが、単結晶シリコン基板と、単結晶シリコン基板を底面からエッチングして形成された凹部と、凹部の底面に露出した圧力起歪部と、圧力起歪部の上方の活性層に設けられた歪ゲージと、活性層上に、絶縁膜を挟んで形成された導電層とを含み、圧力起歪部に与えられた圧力を歪ゲージの抵抗変化として検出する。活性層の＜１１０＞方向に沿った、圧力起歪部の回転中心からの線上にある、圧力起歪部の縁部から絶縁膜までの距離Ｓと絶縁膜の段差Ｄ、または圧力起歪部の縁部から導電膜の縁部までの距離Ｓと導電膜の段差Ｄが、Ｓ／Ｄ≧８０の関係を満たす。 （もっと読む）