【課題】 可動錘部の質量の増大による検出感度の向上を、Ｑ値をほぼ一定に維持しつつ達成すること。
【解決手段】 基板上に形成された多層構造を加工して形成されるＭＥＭＳセンサーは、弾性変形部１３０によって固定枠部１１０に連結され、周囲に空洞部１１１，１１３が形成されている可動錘部１２０と、固定枠部に固定された固定電極部１５０（１５０ａ，１５０ｂ）と、可動錘部に接続され、固定電極部に対向して配置される可動電極部１４０（１４０ａ，１４０ｂ）と、を有する容量部１４５（１４５ａ，１４５ｂ）と、固定枠部に固定されたダミー固定電極部１５３（１５３ａ，１５３ｂ）と、可動錘部に接続され、ダミー固定電極部に対向して配置されるダミー可動電極部（１４３ａ，１４３ｂ）と、を有し、検出信号を出力しないダミー容量部１４７（１４７ａ，１４７ｂ）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】断線の無い良好な配線パターンを形成することにより安価で信頼性の高い半導体容量式加速度センサ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による半導体容量式加速度センサの製造方法は、ガラス板２の接続孔３の加工をサンドブラスト法で行った上でガラス板２を半導体基板１に接合し、その後、ガラス板２の表面上に金属膜３３を形成して配線する半導体容量式加速度センサの製造方法であって、接続孔３のオーバハング部２８があるガラス板２の第２面２７とは反対側の第１面２６を半導体基板１に接合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＭＥＭＳセンサーを小型化すること。
【解決手段】 ＭＥＭＳセンサーは、固定枠部１１０と、弾性変形部１３０を介して固定枠部１１０に連結され、周囲に空洞部が形成された可動錘部１２０と、固定枠部１１０に固定され、容量素子（Ｃ１，Ｃ２）の一方の電極を構成する少なくとも一つの固定電極部１５０と、可動錘部１２０と一体的に移動し、かつ固定電極部１５０と対向して設けられる、容量素子の他方の電極を構成する少なくとも一つの可動電極部１４０と、可動錘部１２０に設けられ、容量素子（Ｃ１，Ｃ２）からの信号を増幅する増幅回路を有する検出回路２４と、を含む。 （もっと読む）

【課題】錘部の損傷を抑制することのできる静電容量式センサを得るとともに、突起の形成工程の簡素化を図ることのできる静電容量式センサの製造方法を得る。
【解決手段】絶縁基板２と、この絶縁基板２に接合されたシリコン基板４と、を備え、当該シリコン基板４に錘部５および当該錘部５をばね部６を介して支持する支持部１６が形成されるとともに、錘部５と絶縁基板２との間にギャップ７が形成された静電容量式センサ１において、錘部５の絶縁基板２との対向面５ａの少なくとも周辺部に、絶縁基板２に対向する先端部が先細りとなるピラミッド状の突起１２を設けた。 （もっと読む）

【課題】錘部がその周囲にスティッキングするのを抑制することのできる静電容量式センサおよびその製造方法を得る。
【解決手段】シリコン基板４を、スリット１７内に形成された連結部１８によって錘部５、ばね部６および支持部１６を連結させた状態で絶縁基板２に陽極接合し、絶縁基板２にシリコン基板４を陽極接合した後に連結部を除去することで静電容量式センサ１を形成した。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板を用いた半導体装置を製造する際に、エッチング速度を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶シリコン基板１１０に対してレーザー光Ｌを照射して、そのレーザー光Ｌの焦点を移動させることによって、少なくとも一部が単結晶シリコン基板１１０の表面に露出するように単結晶シリコン基板１１０の内部を部分的に多結晶化して改質部１５０を形成する改質工程と、改質工程にて単結晶シリコン基板１１０を多結晶化した部位をエッチャントにて連続的にエッチングするエッチング工程とを備える半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】構造を複雑にすることなく、基板の電位を安定にすることが可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】上面に凹部１００が形成された、単一の結晶構造体の半導体基板１０と、凹部１００内に配置され、下面に下面絶縁膜５０が配置された可動電極２１を有し、可動電極２１より離間した位置において半導体基板１０に固定された梁型の可動部２０と、可動電極２１に対向して凹部１００内に配置され、半導体基板１０に固定された梁型の固定電極３０と、可動部２０及び固定電極３０と半導体基板１０との間に配置され、可動電極２１及び固定電極３０と半導体基板１０とを電気的に分離する分離絶縁膜４０と、半導体基板１０に接続するコンタクト電極６３とを備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁分離領域に起因するＭＥＭＳ素子の感度の制限が抑制される半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】上面に凹部１００が形成された半導体基板１０と、凹部１００を囲むように半導体基板１０上に配置された支持体７０と、凹部１００上方に配置された可動電極２１を有し、可動電極２１より離間した位置において支持体７０に固定された梁型の可動部２０と、可動電極２１に対向して凹部１００上方に配置され、支持体７０に固定された梁型の固定電極３０と、半導体からなる分離柱４０１とその分離柱４０１の側面に配置された分離絶縁膜４０２を有し、可動電極２１及び固定電極３０と支持体７０間にそれぞれ配置され、可動電極２１及び固定電極３０と支持体７０とを電気的に分離する絶縁分離領域４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 特に、絶縁層の幅寸法Ｔ１と金属層の幅寸法Ｔ２を制御してアンカ部に応力が加わったときのセンサ部の変位量を小さくし、検出精度を向上させることが可能なＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 第１部材１１と、第２部材１２と、第１部材１１と第２部材１２との間に位置する中間部材１３と、中間部材１３に形成されたアンカ部１４及びアンカ部に接続されたセンサ部１５と、第１部材１１とアンカ部１４間に介在する絶縁層１６と、第２部材１２とアンカ部１４間に介在する金属層１７と、を有する。金属層１７の外周側面はアンカ部１４の外周側面よりも内側に後退している。絶縁層１６の幅寸法をＴ１、金属層１７の幅寸法をＴ２としたとき、Ｔ１／Ｔ２は、１．５以上で３．３以下の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】基板と蓋との位置合わせを高い精度で行うことが可能な、可動部を有する半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】外力により変位する、少なくとも上面及び側面に絶縁膜が形成された半導体からなる第１の可動部２１及び第２の可動部２２が表面に形成された基板１０と、封止された貫通孔８１を有し、第１の可動部２１及び第２の可動部２２との間に空間３００を形成するように基板１０上に配置された絶縁膜からなる蓋８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 少ない工程で製造できる１軸加速度センサを提供する。
【解決手段】 支持部（Ｓ）と、平行する二つの面に内周面が開口している凹部（５０）が形成され前記凹部内に重心を有する錘部（Ｍ）と、一端が前記支持部と結合し他端が前記凹部の底面に結合している板ばね形の可撓部（Ｆ）と、前記可撓部の長手方向の両端近傍でかつ前記可撓部の短手方向の両端近傍に少なくとも２つずつ互いに前記可撓部の厚さ方向に離間して設けられる歪み検出素子（Ｐ１〜Ｐ４）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】振動子エレメントの両端に溝部を設けた静電容量型超音波振動子において、全体に占めるセル領域の面積比率を低下させず、かつ発生させる超音波の出力低下のない静電容量型超音波振動子を提供する。
【解決手段】シリコン基板と、該シリコン基板の上面に配設された第１の電極と、該第１の電極と対向し所定の空隙を隔てて配設された第２の電極と、該第２の電極を支持するメンブレンとからなる振動子セルから構成され、駆動制御信号を入出力する最小単位である振動子エレメントと、前記シリコン基板の背面に電極パッドを介して接合したフレキシブルプリント基板とから構成される静電容量型超音波振動子において、隣接する前記振動子エレメント間に溝部が設けられ、該溝部に導電膜が形成されていることにより、上記課題の解決を図る。 （もっと読む）

【課題】振動子と半導体基板間の短絡が防止され、且つ製造工程の増大を抑制できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】上面に凹部１００が形成され、凹部１００の底面１０１に半導体層が露出した半導体基板１０と、凹部１００内に配置され、且つ側面及び下面に絶縁膜が配置された梁型の可動電極２１を有し、可動電極２１より離間した位置において半導体基板１０に固定された振動子２０と、可動電極２１に対向して凹部１００内に配置され、可動電極２１と電気的に分離されて半導体基板１０に固定された梁型の固定電極３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 加速度センサにおいて、検出対象の加速度に対する応答性を改善する。
【解決手段】 支持部と、前記支持部に一端が結合している板ばね形の可撓部と、前記可撓部の他端が結合している錘部と、前記可撓部の歪みを検出する歪み検出手段と、を備え、前記錘部に、前記可撓部の厚さ方向と平行でない面を有する凹部および凸部が形成され、前記支持部に、前記錘部に形成された凹部の内側において当該凹部と対向する凸部と、前記錘部に形成された凸部と内側において対向する凹部とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁層に達する溝により、半導体層に可動部が区画されるとともに、溝を通じて可動部直下の絶縁層が除去されてなる半導体力学量センサにおいて、可動部直下に設ける突起部の突起先端と可動部との厚み方向の間隔ばらつきを抑制すること。
【解決手段】単結晶シリコンからなり、表面が（１００）面の半導体基板の表面上に、絶縁層を介して、半導体基板よりも不純物濃度の高いＰ導電型のシリコンからなる半導体層が配置された基板を準備する。半導体層を異方性エッチングし、絶縁層に達する溝を形成して可動部を区画する。溝を通じて絶縁層をエッチングし、溝を半導体基板に達するものとするとともに、横方向において可動部直下における絶縁層の幅を可動部の幅よりも狭くする。上記溝を通じて半導体基板をアルカリエッチングし、突起先端が絶縁層と接する突起部を、可動部直下における半導体基板の表面に形成する。可動部直下に位置する絶縁層を除去する。 （もっと読む）

【課題】種々の物理量を検出する半導体センサにおいて、良好な温度特性を確保できる技術を提供する。
【解決手段】半導体センサ１００は、素子側基板２と封止側基板８を備えている。素子側基板２の表面の一部にはセンシング機能を有するＭＥＭＳ構造体２２が形成されている。封止側基板８の裏面には、ＭＥＭＳ構造体２２を収容する凹所１３が形成されている。素子側基板２の表面には封止側基板８の裏面が接合されており、素子側基板２と封止側基板８の間に凹所１３に対応する封止空間１１が形成されている。封止空間１９１内にはＭＥＭＳ構造体２２が封止されている。封止側基板８には、凹所１３の開口面８ｂと凹所１３の底面８ａとの間に応力吸収部１４が形成されている。封止側基板８と素子側基板２との間に熱応力が発生すると、応力吸収部１４に熱応力が吸収され、素子側基板２に加わる応力が低減される。 （もっと読む）

【課題】 強い衝撃を受けても破損しにくい加速度センサを提供する。
【解決手段】 枠部（Ｓ）と、前記枠部の内側に一端が結合している板ばね形の可撓部（Ｆ）と、前記可撓部の他端が結合している錘部（Ｍ）と、前記可撓部の歪みを検出する第一歪み検出手段（Ｐ１〜Ｐ４）と、前記枠部および前記可撓部および前記錘部のいずれかに設けられ前記錘部が予め設計された所定範囲より大きく変位することを抑制するダンパであって、前記錘部の運動方向に撓む板ばね形のダンパ（４０，４１）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ周縁部にフォトレジストを形成することなく半導体ウェハ周縁部の半導体層に不純物イオンが注入されるのを防止し、電解エッチング処理の際に半導体ウェハの表面側と裏面側で電気的に短絡するのを防止する。
【解決手段】半導体ウェハ１の周縁部に、後工程のイオン注入工程でＮ型領域５に注入されるＰ型不純物イオンが突き抜けない程度の膜厚で周縁部絶縁膜１３を形成する。半導体ウェハ１の主表面上にＰ型不純物イオンの注入領域を画定するためにフォトレジスト１７を形成する。イオン注入法により、フォトレジスト１７及び周縁部絶縁膜１３をマスクにして半導体ウェハ１のＮ型領域５の所定の領域にＰ型不純物イオンを注入してＰ型領域１９を形成する。フォトレジスト１７を除去し、半導体ウェハ１の主表面に配線処理を行なった後、半導体ウェハ１のＰ型シリコン基板３に対して電解エッチング処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】ダイアフラムの耐圧限界が高い半導体圧力センサを得る。
【解決手段】ＳＯＩ基板１０の第２のシリコン基板１２にキャビティー２０が形成され、第１のシリコン基板１４によってダイアフラム２１が形成され、前記キャビティー２０を形成する第２のシリコン基板１２にベース基板３１が接合される半導体圧力センサであって、前記キャビティー２０を形成する前記第２のシリコン基板１２とベース基板３１との接合界面に、テーパ面１３ｂを形成して隙間を設けた。 （もっと読む）

【課題】重り部の強度を維持しつつ梁部を長くすることが可能な加速度センサ素子を提供する。
【解決手段】加速度センサ素子１は、開口部１３が形成された固定部３と、開口部１３内に配置される重り部７と、一方端が重り部７に連結され、他方端が固定部３に連結される梁部５と、梁部５に設けられ、梁部５の変形に伴って抵抗値が変化する抵抗素子９とを有する。重り部７は、梁部５の一方端が連結される主部１５と、主部１５に連結され、梁部５の重り部７側の端部よりも固定部３側に突出する付属部１７とを有する。付属部１７（非重なり部１９）は、開口部１３の開口方向に見て梁部５と重ならない位置において主部１５に連結されている。さらに、付属部１７（重なり部２１）は、梁部５よりも第２主面Ｓｂ側、且つ、開口方向に見て梁部５と重なる位置において主部１５に連結されている。 （もっと読む）