【課題】ＭＥＭＳセンサの錘部の厚さを均一化する。
【解決手段】支持部と、一端が前記支持部と結合し可撓性を有する可撓部と、前記可撓部の他端に結合している連結部と、前記可撓部の変形を検出する検出部とを備える積層構造体を形成し、前記連結部の底面に結合する錘部となる領域に外接する環状溝を前記積層構造体とは別体のウエハの上面に異方性エッチングにより形成し、前記ウエハの上面に前記環状溝を埋める犠牲膜を形成し、前記ウエハの上面が露出するまで前記犠牲膜の表層を除去し、前記ウエハの前記犠牲膜で埋められた前記環状溝の内側領域を前記連結部の底面に接合し、少なくとも前記犠牲膜が露出するまで前記ウエハの底面を後退させることによって前記錘部の厚さを調整し、前記連結部に接合された前記ウエハから前記犠牲膜を除去する、ことを含むＭＥＭＳセンサの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体力学量センサについて、センサの構造の簡略化、チップサイズの低減を図る。
【解決手段】半導体力学量センサのうちキャップ部２０においてセンサ部１０と対向する一面に第１絶縁膜２２、第１配線層２３、第２絶縁膜２４、および第２配線層２５によって構成される配線構造を設け、他方、センサ部１０にセンサ構造体１５〜１７を設ける。そして、キャップ部２０とセンサ部１０とを接合することで、配線構造をセンサ構造体１５〜１７に接続しつつ、センサ構造体１５〜１７を封止する構造とする。第２絶縁膜２４における開口部２４ａは、センサ構造体１５〜１７と第２配線層２４とのコンタクト領域１４ａとは異なる位置にずらされている。 （もっと読む）

【課題】可撓部が変形する際に破断しにくく耐衝撃性能に優れたＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】支持部と、一端が前記支持部に結合している可撓性を有する膜であって、厚肉部と前記厚肉部との境界を区間端とし前記厚肉部から離れるにつれて厚さが漸減している漸減区間を有する薄肉部とが前記一端から離れる方向に配列されている可撓部と、前記薄肉部に形成され前記薄肉部に生ずる歪みを検出するための歪み検出手段と、を備えるＭＥＭＳセンサ。 （もっと読む）

【課題】 電極を形成した後に可動部を形成し、その後に電極を保護する保護膜を除去する場合において、既に形成されている可動部が損傷を受けることを抑制する技術を提供する。
【解決手段】 ベース層１４の上方に配置されている半導体層１０に、ベース層１４に対して移動不能に固定されている固定部と、ベース層１４に対して移動可能な可動部が形成されている半導体装置の製造方法において、固定部と可動部となる領域以外の半導体層１０を除去する半導体層除去工程を実施し、除去された半導体層１０に対応する位置の絶縁体層１２（中間層）と、可動部となる領域とベース層１４の間にある絶縁体層１２とを除去する中間層除去工程を実施し、半導体層除去工程によって半導体層１０に形成された空間内にレジストＰ１を充填するレジスト充填工程を実施する。その後に、電極８０を被覆している保護膜７を除去し、レジストＰ１を除去する。 （もっと読む）

【課題】錘部となるウエハが損傷しにくいＭＥＭＳセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】支持部と、一端が前記支持部と結合し可撓性を有する可撓部と、前記可撓部の他端に結合している連結部と、前記可撓部の変形を検出する検出部とを備える積層構造体を形成し、前記連結部の底面に結合する錘部となる領域に外接するウエハの対象領域に残部とは異質の異質領域を形成し、前記異質領域の内側にあって前記錘部となる前記残部の領域を前記連結部の底面に接合し、前記連結部に接合された前記ウエハから前記異質領域を除去する、ことを含む （もっと読む）

【課題】振動子を備えた半導体装置において、振動子のキャップ側と支持基板側とのダンピングの効果を均一にすることにより振動子の不要振動を低減する。
【解決手段】キャップ部２０は、第２シリコン層１２の面方向に振動子１６が移動する領域に対向する位置にダミーパターン２６を備えている。これによると、振動子１６とダミーパターン２６との間の間隔が、第２シリコン層１２と振動子１６との間の一定の間隔と同じになるので、振動子１６のキャップ部２０側の封止媒体４１によるダンピング効果と第２シリコン層１２側の封止媒体４１によるダンピング効果とを均一にすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体装置、特に静電容量型の物理量センサにおいて、シリコン残渣の発生を防止するレイアウト方法及びかかるレイアウトによって形成した静電容量型の物理量センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板を第１の深さにエッチングする第１エッチング領域と、前記半導体基板をエッチングとデポジション膜の形成とを繰り返して前記第１の深さより深い第２の深さにエッチングする第２エッチング領域と、を有し、前記第１エッチング領域が前記第２エッチング領域を内包する。 （もっと読む）

【課題】製造工程の増大が抑制され、且つ振動子間の静電容量が安定した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０の上面に形成された凹部１００内に自由端が延在し、半導体基板１０に固定端が固定された梁型の振動子２１、２２を備える半導体装置１の製造方法であって、半導体基板１０の上面の一部をエッチングして、振動子２１、２２の側面を露出させると同時に、振動子２２と半導体基板１０間の絶縁分離領域３０が形成される分離溝を形成するステップと、分離溝の表面を熱酸化して、分離溝を酸化膜で埋め込んだ絶縁分離領域３０を形成するステップと、振動子２１、２２の側面を熱酸化して、側面保護膜を形成するステップと、側面保護膜をマスクにした半導体基板１０のエッチングにより振動子２１、２２の下面を露出させて、半導体基板１０に形成された凹部１００内に配置された振動子２１、２２を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】製造工程において枠部が破損しやすいという問題があった。
【解決手段】 可撓部と、前記可撓部の一端と結合し、前記可撓部とともに運動する錘部と、前記錘部を環状に囲み、前記可撓部の他端に内周が結合している枠部と、前記可撓部の変形または変位を検出する検出手段を含む回路要素と、を備え、前記枠部は、基板部と、非前記回路要素であって前記枠部を補強する補強部と、を含んで構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、封止空間内の内部圧力を制御して錘部の振動周波数ｆｚを所望のピーク幅に調整可能にする封止型デバイス及び物理量センサを提供する。
【解決手段】物理量センサは、フレーム部と、フレーム部の内側に配置された錘部と、錘部とフレーム部とを接続する可撓部と、を備えた半導体基板と、フレーム部の一方の側に接合された第１基板と、フレーム部の他方の側に接合された第２基板と、第１基板上に設けられ、錘部と対向する第１電極と、第２基板上に設けられ、錘部と対向する第２電極と、第１基板上又は第２基板上に形成され、第１基板及び第２基板の接合により封止された半導体基板内の封止空間内部を所望の圧力に設定する内部圧力調整部材と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ハンドリングなどの外乱からの影響を受けてもダイヤフラム部が破損する恐れがなく、かつ圧力を高感度で検出する。
【解決手段】半導体基板２の表面に対しエッチングを行うことにより形成されたダイヤフラム部３を有する半導体圧力センサ１において、ダイヤフラム部３の端部５付近を当該ダイヤフラム部３の中心部４よりも薄くなるようトレンチ形状に成形する。 （もっと読む）

【課題】 湾曲した半導体層と他部材の接触状態を長期間に亘って維持させる。
【解決手段】 半導体構造体１０は、第１半導体層１１と、第１半導体層１１に対向する第２半導体層１５と、第１半導体層１１と第２半導体層１５の間の一部に介在している中間層１２を備えている。第２半導体層１５は、中間層１２の端部より側方に延びている延長部１５ｄを有し、その延長部１５ｄが第１半導体層１１側に湾曲している。第２半導体層１５の延長部１５ｄの一部と第１半導体層１１の接触範囲において、第２半導体層１５に貫通孔１７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】単一の半導体基板に半導体圧力センサを形成することで半導体圧力センサの低背化を達成することを課題とする。
【解決手段】半導体の基板１０１に形成されたエッチング用開口部２０５を介して半導体の基板１０１が選択的にエッチング除去されて中空に形成されたチャンバー部１０５と、チャンバー部１０５の上部に形成されて圧力を受けて検知するダイヤフラム部１０７と、エッチング用開口部２０５を閉塞してチャンバー部を封止する封止部１０６とで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 小型化を図りつつ感度向上を図ることができるマイクロフォンの提供。
【解決手段】マイクロフォンは、ベース基板３１に形成された空所３１１上に架け渡されている第１の梁２３と、弾性部材２３ｂを介して第１の梁２３により弾性支持され、空所３１１内にてベース基板面に対して垂直に配置されている振動板２１と、ベース基板３１の空所３１１上に架け渡されている第２の梁２４と、第２の梁２４により支持され、空所３１１内にて振動板２１に隙間を介して対向配置されている固定電極２２とを、ベース基板３１に複数配置した。そのため、振動板２１および固定電極２２の面積を従来よりも大きくすることが可能となり、マイクロフォンの小型化を図りつつ、感度向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】多くの製造時間を要することなく２方向間の検出感度を同じにする。
【解決手段】加速度センサは、矩形形状の可動電極４，５と、可動電極４，５の対向する２辺の略中央に接続して可動電極４，５を揺動自在に支持する一対のビーム部６ａ，６ｂ及びビーム部７ａ，７ｂと、一対のビーム部６ａ，６ｂ及びビーム部７ａ，７ｂを結ぶ直線を境界線とした可動電極４，５の表面のそれぞれ一方側及び他方側に対し所定間隔をあけて対向配置された固定電極と、一対のビーム部６ａ，６ｂ及びビーム部７ａ，７ｂを結ぶ直線を境界線とした可動電極４，５の裏面のそれぞれ一方側及び他方側に形成された凹部１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ（１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ）及び凹部１２（１４）を備える。このよな構成によれば、可動電極４，５の厚みを厚くすることなくｘ方向及びｚ方向の加速度の検出感度を同じにすることができる。 （もっと読む）

【課題】多くの製造時間を要することなく２方向間の検出感度を同じにする。
【解決手段】加速度センサは、矩形形状の可動電極４，５と、可動電極４，５の対向する２辺の略中央に接続して可動電極４，５を揺動自在に支持する一対のビーム部６ａ，６ｂ及びビーム部７ａ，７ｂと、一対のビーム部６ａ，６ｂ及びビーム部７ａ，７ｂを結ぶ直線を境界線とした可動電極４，５の表面のそれぞれ一方側及び他方側に対し所定間隔をあけて対向配置された固定電極と、一対のビーム部６ａ，６ｂ及びビーム部７ａ，７ｂを結ぶ直線を境界線とした可動電極４，５の裏面のそれぞれ一方側及び他方側に形成された凹部１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ（１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ）及び凹部１２（１４）と、凹部１２（１４）内に埋め込まれた金属材料１７を備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明によれば、製造工程で発生する不良を低減することができる物理量センサおよびその製造方法を提供することができる。
【解決手段】 本発明に係る物理量センサは、第１基板と第２基板の間に半導体膜、絶縁膜、および半導体基板が順に積層された積層基板を配置した構造を有する物理量センサであって、積層基板は可動部を含むセンサ構造体と、柱状配線と、を含み、第１基板は、貫通孔と、前記貫通孔内に配置され、前記第１基板を貫通して導通をとる貫通配線部と、を備え、柱状配線部は、半導体膜と絶縁膜とを貫通する凹部と、凹部内に配置され、柱状配線部の上下の導通をとる導通部と、を備え、第１基板と積層基板とは、貫通孔が柱状配線部上に位置し、かつ貫通孔と凹部とが重ならないように配置されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的はセンサ特性の低下を抑え、かつ簡単な構成で加速度センサの耐衝撃性を向上させることにある。。
【解決手段】 本発明に係る加速度センサは、フレーム部と、前記フレーム部の内側に位置する錘部と、前記フレーム部と前記錘部とを接続する可撓部と、前記可撓部及び／又は前記フレーム部に配置された複数の歪検出部と、前記フレーム部上に配置された複数の電極パッドと、前記可撓部及び前記フレーム部上に配置され、前記歪検出部同士の間または前記歪検出部と前記電極パッドとの間を接続する配線部と、を備え、前記歪検出部と前記電極パッドの間を接続する配線部のいずれかは、第１の折返し部と第２の折返し部とを含む複数回の折返し形状を有し、前記第１の折返し部は前記フレーム部上に位置し、前記第２の折返し部は前記可撓部上に位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダメージを生じさせることなく、安価かつ短時間に犠牲層を除去する犠牲層プロセスを採用し、量産性を向上させる可動ゲート型電界効果トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】第１犠牲層１５と、第２犠牲層１６と、を有する複合犠牲層の上に可動ゲートが形成される可動ゲート形成工程と、第２犠牲層１６がエッチング除去される第２犠牲層除去工程と、第１犠牲層１５がエッチング除去される第１犠牲層除去工程と、を備える可動ゲート型電界効果トランジスタの製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来に比べて、簡単な構造にて、センサの薄型化と電気的安定性等とともに質量部の質量を効果的に大きくすることが可能なＭＥＭＳセンサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 シリコンで形成され高さ方向にて対向配置された第１の基板１及び第２の基板２を有し、前記第１の基板１には、質量部４及び、前記質量部４と接続されるアンカ部５が形成されており、前記アンカ部５は、前記第２の基板２に固定支持されており、前記質量部４と前記第２の基板２の間には空間６が設けられており、前記質量部４の内部には、前記シリコンよりも比重が大きい金属７が埋め込まれている。 （もっと読む）