【課題】可動錘部の質量を効率的に増大させることができ、多層配線を使用するＣＭＯＳプロセスを用いて、自在かつ容易に製造することが可能なＭＥＭＳセンサー（例えば静電容量型加速度センサー）を提供すること。
【解決手段】連結部１３０Ａを介して支持部１１０に連結され、周囲に第１，第２空隙部１１１，１１２が形成されてＺ方向に移動する可動錘部１２０Ａを有するＭＥＭＳセンサー１００Ａは、可動錘部１２０Ａが、複数の導電層と、複数の導電層間に配置された層間絶縁層と、層間絶縁層に貫通形成された埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグと、を含む積層構造体を有する。プラグは、層間絶縁層と平行な二次元平面の少なくとも一軸方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。複数の導電層の一つが可動電極面を有する可動電極部１４０Ａとなり、これと対向する固定電極部１５０Ａが設けられる。 （もっと読む）

【課題】基板のダイシングされる部分にアンダーカットを発生させることなくセンサチップを製造するセンサチップの製造方法を提供する。
【解決手段】センサチップ１００の製造方法は、以下の工程を備えている。第１主表面１ａを有する基板１が準備される。第１主表面１ａ上に第１の膜２ａが形成される。第１の膜２ａ上に第１の膜２ａとは異なる材質からなる絶縁膜３（第１絶縁膜）が形成される。絶縁膜３（第１絶縁膜）上に導電性の抵抗部４が形成される。抵抗部４が形成されていない絶縁膜３（第１絶縁膜）の部分がエッチングされて開口部６が形成され第１の膜２ａが露出される。開口部６から露出された第１の膜２ａがエッチングされて基板１の第１主表面１ａが露出される。開口部６から露出された基板１の部分が切断される。 （もっと読む）

【課題】２枚の基板が一体化されたものに外力が加わっても、接合界面における密着力の低下を抑制することができる構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサ部１０とキャップ部２０との積層体に、センサ部１０とキャップ部２０との界面４０を貫く凹部４１を設け、この凹部４１内に封止部材として絶縁膜４２および封止用外周金属層４３を設ける。これによると、凹部４１に配置された封止部材４２、４３が盾となるので、凹部４１よりも内側の界面４０に外力が直接伝わらない。したがって、センサ部１０とキャップ部２０との密着力の低下が抑制される。 （もっと読む）

【課題】小型かつ高性能の圧力センサを提供する。
【解決手段】本発明の圧力センサ３０は、開口部１ａを有する第１半導体層１と、第１半導体層１上に形成され、ダイアフラム４となる凹部１２を有する第２半導体層３と、を有するセンサチップ１０と、開口部１ａに連通する圧力導入孔１７を有し、センサチップ１０に接合される台座１１と、を備える。第２半導体層３の凹部１２が、第１半導体層１の開口部１ａよりも大きくなっている。第１半導体層１の開口部１ａは、第２半導体層３側の開口径が、台座１１側の開口径よりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】 ＭＥＭＳチップとシリコン製キャップチップを接合したＭＥＭＳ組立体を樹脂
モールドすると、樹脂モールド時にワイヤーが動きシリコン製キャップチップの側面と接
触して、ノイズの発生や線間短絡の不具合がある。
【解決手段】 シリコン製キャップチップの側面をウェットエッチングで形成し、ウェッ
トエッチング面に絶縁性保護膜を形成することで、密着力の高い絶縁性保護膜が形成でき
、樹脂モールド時にワイヤーが動いてキャップチップ側面に接触しても、ノイズの発生や
線間短絡を防止できる。 （もっと読む）

【課題】静電容量を含むＭＥＭＳセンサーにおいて、可動電極部の面積と可動錘部の質量の設計に関して、さらに好ましくはバネ特性の設計に関して、ＭＥＭＳセンサーの設計の自由度を向上させること。
【解決手段】基板上に形成される多層の積層構造体を加工して製造されるＭＥＭＳセンサーは、基板に形成された固定枠部１１０と、弾性変形部１３０を介して固定枠部に連結され、周囲に空洞部が形成された可動錘部１２０と、固定枠部より空洞部に向けて突出形成された固定電極部１５０と、可動錘部と一体的に移動し、固定電極部と対向する可動電極部１４０と、を有し、可動錘部１２０は、多層の積層構造体により形成される第１可動錘部１２０Ａと、第１可動錘部の下方に位置し、前記基板の材料にて形成される第２可動錘部１２０Ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサーの感度の検出に影響を与える可動錘の質量と、容量電極のダンピング係数、弾性変形部のバネ特性等の設計の自由度を向上させる。
【解決手段】多層配線構造を加工して形成されるＭＥＭＳセンサーは、弾性変形部１３０によって固定枠部１１０に連結され、周囲に空洞部が形成されている可動錘部１２０と、固定枠部１１０に固定された固定電極部１５０と、可動錘部１２０に接続され、固定電極部１５０に対向して配置される可動電極部１４０とを含む容量電極部１４５と、可動錘部１２０の質量、可動電極部１４０のダンピング係数および弾性変形部１３０におけるバネ特性の少なくとも一つを調整するための調整層ＣＢＬ（ＣＢＬ１〜ＣＢＬ３）とを含み、調整層ＣＢＬは、多層配線構造の構成要素である、少なくとも一層の絶縁層を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、外部回路に設けられた接続端子の機能や配置に応じて、センサ内部の配線パターンの設計や製造工程を変更せずに、配線パターンを容易に変更可能にするセンサデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施の形態に係るセンサデバイスは、基板の素子形成領域に形成された複数のセンサ素子と、素子配置領域を除く基板上に形成された複数の接続パッドと、基板上に形成され複数のセンサ素子と電気的に接続された複数の第１配線と、基板上に形成され複数の接続パッドと電気的に接続された複数の第２配線と、第１配線及び第２配線が形成された層と異なる層に複数の第１配線及び複数の第２配線と交差するように形成された複数の第３配線と、複数の第１配線及び複数の第２配線と複数の第３配線との間に形成され、複数の第１配線及び複数の第２配線と複数の第３配線とが交差する位置に複数の貫通孔が形成された絶縁層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】プロセスの簡略化および静電引力の対策をともに行って、安価でありかつ高性能な半導体センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の長方形状のソース部・ドレイン部の中央を分断するように溝部１７を設け、この溝部１７の両側の側壁１７ａ，１７ｂに第１，第２の半導体層１３，１４を形成するという簡易プロセスで製造可能な構造を採用した。この構造では第１，第２の半導体層１３，１４が底面方向に薄く、可動ゲート電極１５の底面方向の厚みも減らして溝部１７の底面方向隙間１７ｆを確保し、可動ゲート電極１５に対する底面方向への静電引力の影響を受けにくくしている。また、可動ゲート電極１５に対する側壁間方向の静電引力も相殺している。従って可動ゲート電極１５への不要な力を除去して感度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 特に、剥離応力を分散し最大剥離応力を低下させることが出来るＭＥＭＳセンサの製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 第１シリコン基板１０の表面１０ａ側に有底の凹部１１を形成し、このとき、前記凹部１１の側壁１４に、開口側縁部１１ａから凹部１１の底面１１ｂ方向に向けて前記凹部１１の幅寸法を広げる方向へ後退する後退領域１４ａを設ける。続いて、第１シリコン基板１０の表面、あるいは前記第２基板の表面の少なくとも一方に酸化絶縁層を形成する。続いて、前記第１シリコン基板１０の表面と前記第２シリコン基板の表面とを接合し、前記凹部１１を閉鎖空間とした状態で、熱処理を施す。側壁１４の第２シリコン基板との接合側に後退領域１４ａを設けたことで、熱処理を施したときに凹部１１の縁部付近に加わる剥離応力を分散でき、最大剥離応力を低減できる。 （もっと読む）

【課題】プロセスの簡略化および静電引力の対策をともに行って、安価でありかつ高性能な半導体センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の三層の半導体層の中央を分断する溝を設けて第１，第２の半導体層１３，１４を形成するという簡易プロセスで製造可能な構造を採用した。さらに空間部１７の底方向隙間１７ｆを確保し、可動ゲート電極１５に対する底方向への静電引力の影響を受けにくくしている。また、可動ゲート電極１５に対する側壁間方向の静電引力も相殺している。従って、可動ゲート電極１５への不要な力を除去して感度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】可動錘部の質量を効率的に増大させることができ、また、物理量を高精度で検出可能であり、また、多層配線を使用するＣＭＯＳプロセスを用いて、自在かつ容易に製造することが可能なＭＥＭＳセンサー（例えば静電容量型加速度センサー）を提供する。
【解決手段】弾性変形部１３０を介して固定枠部１１０に連結され、周囲に空洞部１１１，１１２が形成された可動錘部１２０を有するＭＥＭＳセンサー１００Ａにおいて、可動錘部１２０は、複数の導電層１２１Ａ〜１２１Ｄと、複数の導電層間に配置された複数の層間絶縁層１２２Ａ〜１２２Ｃと、複数の層間絶縁層の各層に貫通形成された所定の埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグ１２３Ａ〜１２３Ｃと、を含む積層構造体を有し、各層に形成されたプラグは、一または複数の長手方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。 （もっと読む）

【課題】厚みが薄く、しかも、その厚みのばらつきが少ないダイヤフラムを備えた半導体圧力センサと、その製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１の第１主表面上には、ポリシリコン膜５５からなるダイヤフラム５が形成され、そのダイヤフラム５の上面には、４つのゲージ抵抗７が形成されている。シリコン基板１には、ダイヤフラム５の裏面を露出する貫通穴３０が形成されている。ダイヤフラム５とシリコン基板１との間には、ダイヤフラム５をシリコン基板１に据え付けるためのアンカー部２０が、貫通穴３０の第１主表面側の開口端を周方向から取り囲むように形成されている。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性に優れた加速度センサーを得ること。
【解決手段】固定電極４１と可動電極２１との間の距離が変化するＸ軸方向の加速度印加時において、固定電極４１と可動電極２１との間隙７０に存在する気体の流れは、対向面に形成された一方向に向かって延びる凸部４３によって一方向への流れが発生する。この気体の流れによるスクイーズフィルムダンピングにより、大きな減衰定数ｃを得ることができる。したがって、可動部２０と支持体１０との間隔を狭くすることなく、固定電極４１と可動電極２１との間隙７０の構造によって減衰定数ｃの調節を可能にでき、可動部２０と支持体１０との衝突破壊が低減した耐衝撃性の優れた加速度センサー１００を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】陽極接合の際、錘部がガラスストッパに接着せず、錘部がガラスストッパに接触した場合でも異物が発生しない微小デバイスを提供する。
【解決手段】可動部と、可動部の周囲に設けられ可動部を可動可能に支持するフレーム１１と、を有するシリコン基板１と、可動部との間にギャップ５、６を設けるようにシリコン基板１のフレーム１１に陽極接合されるガラス基板２、３と、を備える微小デバイスであって、フレーム１１に陽極接合されるガラス基板２、３の接合面２２、３２の面粗度はＲａ＝２ｎｍ以下であり、ガラス基板２、３のシリコン基板１側の表面において可動部に対向する対向面２３、３３の面粗度はＲａ＝０．２乃至０．５μｍであるようにした。 （もっと読む）

【課題】過大な加速度が印加された場合にビーム部を確実に保護する。
【解決手段】過大な加速度が印加された場合、重り部４，５は、先に回動軸の回りに回動して突起部１５ａ，１５ｂが上部固定板２ａや下部固定板２ｂに当接して回動が規制された後に縦方向や横方向に移動する。このとき、重り部４，５に設けられた突起部１５ａ，１５ｂが上部固定板２ａ及び下部固定板２ｂの凹所２４ａ，２４ｂ内に入り込み、凹所２４ａ，２４ｂの内底面に当接して回動が規制された後、凹所２４ａ，２４ｂの内側面に当接して縦方向や横方向の移動が規制される。その結果、過大な加速度が印加された場合でも重り部４，５の回動並びに縦方向又は横方向の移動に伴ってビーム部６ａ，６ｂ及び７ａ，７ｂに過度の応力がかかることを防いでビーム部６ａ，６ｂ及び７ａ，７ｂを確実に保護することができる。 （もっと読む）

【課題】重り部の凹部が形成された部分の変形を抑制する。
【解決手段】一対のビーム部６ａ，６ｂ及び７ａ，７ｂで回動自在に支持された重り部４，５に凹部１１，１３が形成されている。そして、凹部１１，１３の内壁面及び底壁面と結合され且つ互いに交差する複数（２つ）の補強壁１６が凹部１１，１３内に設けられ、しかも、複数の補強壁１６が互いに交差している。故に、ｘ軸方向、ｙ軸方向、ｚ軸方向のあらゆる方向から加わる応力に対して重り部４，５の凹部１１，１３が形成された部分の変形を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】高精度にエッチングすることができるとともに複数の基板をエッチングする際のエッチングのバラツキを低減することのできる加速度センサの製造方法及びその製造方法で製造された加速度センサを提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板の上下両面において各固定電極２０ａ〜２０ｄと各可動電極４０，４１との間の距離を規定する深さ寸法の第１の凹所１０１ａ、及び各可動電極４０，４１の変位スペースを確保するための第２の凹所１０１ｂに該当する箇所を除いた箇所にマスク材料１００を形成する工程と、第１の凹所１０１ａ及び第２の凹所１０１ｂに該当する箇所に不純物をドーピングして高濃度不純物層１０４を形成する工程と、高濃度不純物層１０４を選択エッチングにより除去する工程を経て第１の凹所１０１ａ及び第２の凹所１０１ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】小型化が容易な加速度センサを提供する。
【解決手段】上カバー２ａの下面にシリコン基板からなる電極ブロック８が接合される。電極ブロック８は、センサチップ１のフレーム部３と接合される枠部８０と、第１及び第２の固定電極８１ａ，８１ｂ、８２ａ，８２ｂとを有している。そして、貫通孔２０を通して上カバー２ａの上面側に露出する第１及び第２の固定電極８１ａ，８１ｂ、８２ａ，８２ｂが検出電圧を取り出すための電極部８３ａ，８３ｂ、８４ａ，８４ｂとなる。その結果、従来例のように電極部を設けるための専用のスペースが不要となって容易に小型化が図れる。 （もっと読む）

【課題】電極面積を精度よく調整することを可能とする。
【解決手段】固定電極２０ａ，…は、相対的に面積が大きい主電極ＭＰと、主電極ＭＰよりも充分に面積が小さい複数の補助電極ＳＰと、補助電極ＳＰよりも幅細であって主電極ＭＰと各補助電極ＳＰを電気的に接続する複数の導電部ＢＰとを有している。従来例のように固定電極に形成される溝の幅や長さで電極面積を調整するのではなく、導電部ＢＰを切断して主電極ＭＰから電気的に切り離される補助電極ＳＰの個数によって電極面積を調整するので、電極面積を精度よく調整することが可能となる。 （もっと読む）