【課題】重り部の凹部が形成された部分の変形を抑制する。
【解決手段】一対のビーム部６ａ，６ｂ及び７ａ，７ｂで回動自在に支持された重り部４，５に凹部１１，１３が形成されている。そして、凹部１１，１３の内壁面及び底壁面と結合され且つ互いに交差する複数（２つ）の補強壁１６が凹部１１，１３内に設けられ、しかも、複数の補強壁１６が互いに交差している。故に、ｘ軸方向、ｙ軸方向、ｚ軸方向のあらゆる方向から加わる応力に対して重り部４，５の凹部１１，１３が形成された部分の変形を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】高精度にエッチングすることができるとともに複数の基板をエッチングする際のエッチングのバラツキを低減することのできる加速度センサの製造方法及びその製造方法で製造された加速度センサを提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板の上下両面において各固定電極２０ａ〜２０ｄと各可動電極４０，４１との間の距離を規定する深さ寸法の第１の凹所１０１ａ、及び各可動電極４０，４１の変位スペースを確保するための第２の凹所１０１ｂに該当する箇所を除いた箇所にマスク材料１００を形成する工程と、第１の凹所１０１ａ及び第２の凹所１０１ｂに該当する箇所に不純物をドーピングして高濃度不純物層１０４を形成する工程と、高濃度不純物層１０４を選択エッチングにより除去する工程を経て第１の凹所１０１ａ及び第２の凹所１０１ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】小型化が容易な加速度センサを提供する。
【解決手段】上カバー２ａの下面にシリコン基板からなる電極ブロック８が接合される。電極ブロック８は、センサチップ１のフレーム部３と接合される枠部８０と、第１及び第２の固定電極８１ａ，８１ｂ、８２ａ，８２ｂとを有している。そして、貫通孔２０を通して上カバー２ａの上面側に露出する第１及び第２の固定電極８１ａ，８１ｂ、８２ａ，８２ｂが検出電圧を取り出すための電極部８３ａ，８３ｂ、８４ａ，８４ｂとなる。その結果、従来例のように電極部を設けるための専用のスペースが不要となって容易に小型化が図れる。 （もっと読む）

【課題】電極面積を精度よく調整することを可能とする。
【解決手段】固定電極２０ａ，…は、相対的に面積が大きい主電極ＭＰと、主電極ＭＰよりも充分に面積が小さい複数の補助電極ＳＰと、補助電極ＳＰよりも幅細であって主電極ＭＰと各補助電極ＳＰを電気的に接続する複数の導電部ＢＰとを有している。従来例のように固定電極に形成される溝の幅や長さで電極面積を調整するのではなく、導電部ＢＰを切断して主電極ＭＰから電気的に切り離される補助電極ＳＰの個数によって電極面積を調整するので、電極面積を精度よく調整することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ダイアフラムが破損しにくく、しかもセンサ感度のばらつきも小さな半導体センサを提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板２２とＳｉ薄膜２４をＳｉＯ_２膜２３を介して貼り合わせたＳＯＩ基板の下面に凹部２６を形成する。Ｓｉ薄膜２４の一部が感圧領域であるダイアフラム２５となっている。凹部２６の上面外周部においては、ＳｉＯ_２膜２３がダイアフラム２５の下面外周部を覆っており、凹部２６の上面の外周部を除く領域ではダイアフラム２５の下面が露出している。ダイアフラム２５の下面外周部を覆っているＳｉＯ_２膜２３（補強部２３ａ）は、下面にテーパーを有しており、ダイアフラム２５の外周側からダイアフラム２５の中心部へ向かうに従って、次第に膜厚が薄くなっている。 （もっと読む）

【課題】被覆体の縁部が基板の一面から剥がれることを防止することができるセンサ装置の製造方法を提供する
【解決手段】基板１０１の一面上の複数の触覚センサ２００を取り囲むように、基板１０１の一面上にエラストマからなる枠部材１１１を接着剤により接着する。複数の触覚センサ２００を被覆するように、基板１０１上の枠部材１１１の内側の空間に流動性のエラストマを充填し、硬化させる。それにより、枠部材１１１の内側に複数の触覚センサ２００を被覆するエラストマからなる被覆層１１２が形成される。枠部材１１１と被覆層１１２とは被覆体１１０として一体化される。 （もっと読む）

【課題】広い検出レンジを得ることができると共に、小さな力学量を検出するときの検出精度（分解能）の低下を抑制することができる力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】力学量検出センサ１０は、基板２０、錘部３０、検出回路９０、可撓部６０、及び固定部７０を備える。錘部３０は、印加される力学量に応じて基板２０に対して変位可能に支持される。検出回路９０は、錘部３０の変位を検出して力学量を検出する。可撓部６０は、錘部３０に一体に設けられ、基板２０から離間して形成される。固定部７０は、基板２０の所定位置に設けられる。力学量検出センサ１０は、錘部３０が所定量変位したとき、可撓部６０の所定部位Ｐ１が固定部７０に当接する。 （もっと読む）

【課題】温度補償を高精度で行なうことができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の半導体圧力センサは、シリコン基板１と、シリコン基板１上に形成された第１のダイヤフラム２５および第１のゲージ抵抗７を有するアクティブゲージ抵抗形成部１０１と、基板１上に形成された第２のダイヤフラム２６および第２のゲージ抵抗７を有する温度補償用ダミーゲージ抵抗形成部１０２とを備えている。
アクティブゲージ抵抗形成部１０１の第１のダイヤフラム２５および温度補償用ダミーゲージ抵抗形成部１０２の第２のダイヤフラム２６が共通のポリシリコン膜５より形成されている。ポリシリコン膜５は基板１に接続するために基板１側に延びるアンカー部２１を有している。第１および第２のダイヤフラム２５、２６が互いに同一または対称の構造を有し、かつ第１および第２のゲージ抵抗７が互いに同一または対称の構造を有している。 （もっと読む）

【課題】 可動部と支持基板の固着が長期に亘って防止されるマイクロデバイスを提供する。
【解決手段】 マイクロデバイスは、支持基板と、支持基板に隙間を介して対向しているとともに、支持基板に対して相対変位可能に支持された可動部を備えている。支持基板と可動部の互いに対向する表面の少なくとも一方には、少なくとも一つの突起が設けられている。そして、各々の突起には、その突起が設けられた支持基板又は可動部の内部へ伸びる基礎部が、一体に設けられている。 （もっと読む）

【課題】各センサーの特性を発揮でき、長期的に特性の変動を抑え、小型化および低コスト化を実現する複合センサーを提供すること。
【解決手段】振動型角速度センサー素子７００，８００，９００が減圧封止されているため、振動型角速度センサー素子７００，８００，９００のＱ値を大きくでき、バイアスドリフト特性の優れた角速度を検出できる。また、加速度センサー素子１００は、ダンピング用構造体７６によるダンピング効果により、低いＱ値にでき、過渡応答性に優れた加速度を検出できる。また、パッケージ１３００内を複数の空間に区分する必要がない。したがって、各センサーの特性を発揮でき、長期的に特性の変動が抑えられた、小型化および低コスト化を実現する複合センサー１０００を得ることができる。 （もっと読む）

感知素子が加圧媒体から電気的及び物理的に隔離されたような圧力センサを提供する。絶対圧力センサは、真空又は零圧力にあって感知素子を包囲する基準空洞を有する。基準空洞は、微細加工ダイヤフラムを有するゲージウエハに、凹みキャップウエハを結合させることにより形成される。感知素子は、ダイヤフラムの第１の側部に配置される。加圧媒体は、感知素子が配置されている第１の側部とは反対側のダイヤフラムの第２の側部に接近する。ゲージウエハの構造的支持及び応力除去のために、スペーサーウエハを使用することができる。一実施形態では、感知素子から基準空洞の外へ電気接続を引き出すために、垂直ウエハ貫通導電性ビアが使用される。別の実施形態では、感知素子から基準空洞の外へ電気接続を引き出すために、ゲージウエハ上の周辺結合パッドが使用される。 （もっと読む）

【課題】検出感度が高く良好な接点を形成可能な接点デバイスの製造方法及び接点デバイスを提供すること。
【解決手段】導電性の基板上に立設された固定部材と、前記固定部材との間に接点を形成し得るように該固定部材から所定間隔をとって配置された可動部材とを形成するエッチング工程を含む接点デバイスの製造方法において、エッチング工程では、エッチングガスとデポジションガスとを共に用いて、エッチングと該エッチングにより形成される側壁の保護膜形成とを並行して行うことにより、スキャロッピングなどの凹凸のない平滑な接点を形成する。 （もっと読む）

【課題】検出精度の高く生産性の高い加速度センサ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を加工して、基板の一主面側に比べて他主面側で水平方向における断面積が小さくなるように支持部に対向する内壁面が傾斜する傾斜領域を有する傾斜壁部を有する固定部を形成するＡ工程と、錘部材を傾斜壁部の傾斜領域に当接させた状態で支持部に固定するＢ工程と、傾斜壁部の傾斜領域の表面をエッチングにより除去して、錘部材と傾斜壁部との間に間隙を設けるＣ工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 小型化可能で、特性のばらつきが少ない高精度なＭＥＭＳを製造する。
【解決手段】 単結晶シリコンからなる基板の第一の主面の環状領域に複数の凹部を形成し、前記基板を非酸化性雰囲気中で熱処理することによって、前記複数の凹部から前記基板内に環状の空洞を形成するとともに、前記空洞によって隔てられた薄肉部と厚肉部と、前記空洞に囲まれ前記薄肉部と前記厚肉部とを連結している支柱部とを形成し、前記第一の主面の裏面に相当する前記基板の第二の主面から、前記空洞に到達する環状溝を形成することによって、前記環状溝の外側に位置し前記薄肉部と結合する枠部と前記環状溝の内側に位置し前記支柱部に結合する錘部とに前記厚肉部を分割する、ことを含む。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性に優れ、加速度の検出特性の低下が抑えられた加速度センサーを得ること。
【解決手段】固定電極４１および可動電極２１以外にダンピング用構造体８０を設けるので、固定電極４１と可動電極２１との電極間間隙７０を狭くすることなく、ダンピング用構造体８０によってダンピングの調整ができる。したがって、可動部２０と支持体１０との衝突破壊が低減して耐衝撃性に優れ、固定電極４１と可動電極２１との衝突を避けながら加速度の検出が可能な、加速度の検出特性の低下の少ない加速度センサー１００を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】耐湿性等の信頼性を向上させたコンデンサを提供する。
【解決手段】コンデンサは、半導体基板１００の貫通孔１２３を覆うように形成された第１の膜１０２と、第１の膜１０２の上方に第１の膜１０２と対向するように形成された第２の膜１１５とを備えている。第２の膜１１５は、半導体基板１００の貫通孔１２３上に位置する複数の第１の孔１２４と、複数の第１の孔１２４よりも開口面積が大きい少なくとも１つの第２の孔１２６とを有している。第２の孔１２６は、第１の膜１０２のうち貫通孔１２３に露出した部分よりも外側の部分と対向する領域のみに存在している。 （もっと読む）

【課題】気室容量を拡張することによって圧力センサの感度を高める。
【解決手段】背部気室となる空間を有する基板と、固定電極を形成しているプレートと、前記固定電極とともに静電容量を構成する可動電極を形成し、前記背部気室を隔て、圧力変化によって変位するダイヤフラムと、前記ダイヤフラムが前記基板から離間するように支持する絶縁部と、を備え、前記空間は、前記基板の底面に開口を有し前記ダイヤフラムを底とする柱形の主気室と、前記主気室と通じ、前記基板の前記底面に前記主気室の開口より狭い開口を有し前記主気室より浅い柱形の複数の副気室と、を有し、前記副気室は、前記主気室の周囲に配列され前記主気室に通じて前記空間を拡張している、圧力センサ。 （もっと読む）

【課題】検出精度を向上させることが可能な力学量検出素子、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】支持基板に対して振動可能な可動構造体と、前記可動構造体を駆動方向に振動させる駆動用電極と、前記可動構造体の変位を検出する検出用電極と、を有し、前記検出用電極により検出された変位に基づき力学量を検出する力学量検出素子であって、前記可動構造体は、少なくとも前記駆動用電極に対向する部位と、前記検出用電極に対向する部位とが電気的に絶縁されており、且つ該絶縁箇所において物理的には分離していないことを特徴とする、力学量検出素子。 （もっと読む）

【課題】安定したセンサ特性が得られる小型の差圧型圧力センサを、簡便な工程で効率よく、かつ安定して作製できる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧力センサの製造方法は、第一基板１１の中央域αに第一凹部１４ａを形成する工程、前記第一凹部１４ａの内底部に第二凹部１５ａを形成する工程、前記第一基板１１の第一凹部１４ａが形成された面に第二基板１２を貼り合わせ、該第二基板１２と略平行して広がる第一空隙部１４を形成する工程、前記第二基板１２を薄板化してダイアフラム部１６を形成する工程、前記ダイアフラム部１６に少なくとも感圧素子１７及び導電部を形成する工程、前記第一基板１１の外面をなす前記基体１３の他面側から該第一基板１１を薄板化し、前記第二凹部１５ａに繋がる開口部を形成して、前記第一空隙部１４と前記基体１３の外部とを連通する第二空隙部１５を作製する工程、を少なくとも有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体センサの小型化を達成すると共に、センサ素子からの信号を容易に外部へ取り出すことができる半導体センサを、簡易な工程で安定して製造する。
【解決手段】集積回路１２が複数配された一面を有する第一ウェハ基板１０を用い、該一面と反対側に位置する他面に、集積回路間と同様の間隔を設けて凹部１３ａを複数形成する。センサ回路２５と、該センサ回路に電気的に接続された第一導電部と、該第一導電部に一端が電気的に接続され他端が板厚方向に延設された第二導電部とからなる構造体が複数、集積回路間と同様の間隔を設けて、予め配置された第二ウェハ基板２０を用い、センサ回路と凹部とが個別に対向するように、第一ウェハ基板と第二ウェハ基板とを重ね合わせる。他面側から第二ウェハ基板を薄肉化し、第二導電部の他端を露呈させて貫通電極を形成する。第一ウェハ基板と第二ウェハ基板を、重ね合わせた状態を保ちつつダイシングする。 （もっと読む）