【課題】超伝導電極層としてＭｇＢ₂、接合部にＩｎＧａＡｓチャネル層を用い、第三電極を用いて超伝導電流を制御する半導体結合超伝導三端子素子において、超伝導電極層の成長時のＭｇのＩｎＧａＡｓチャネル層への拡散を抑制し、接合特性を改善した半導体結合超伝導三端子素子を提供することにある。
【解決手段】超伝導電流のチャネル層となるＩｎＧａＡｓ層とソース電極となる第１のＭｇＢ₂超伝導電極層及びドレイン電極となる第２のＭｇＢ₂超伝導電極層とその二つの超伝導電極間のＩｎＧａＡｓ層中に流れる超伝導電流を制御する第三電極とを有する半導体結合超伝導三端子素子において、ＭｇＢ₂超伝導電極層１，２とＩｎＧａＡｓチャネル層６との層間にＡｕ層６が挿入された。 （もっと読む）

各層が酸素アニオンによって取り囲まれたカチオンのネットワークを含む積層された第１の層および第２の層を含む材料を含む超伝導体。本発明によれば、この材料は、イルメナイト結晶構造およびＡＢＸ_３型の基本組成を有し、式中、ＡおよびＢは、この第１の層および第２の層のカチオン部位を主に占める元素であり、これに対応して、元素ＡおよびＢのうちの少なくとも１つは遷移金属であり、Ｘは、アニオン部位を主に占めるアニオン元素である。 （もっと読む）

【課題】ホウ化マグネシウム超伝導体の微細パターンの作製方法において、超伝導特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】結晶基板１０１の上に、電子線レジストからなる微細パターン１０２を形成する（図１（ａ））。次に、微細パターン１０２の上に、室温においてアモルファス状炭素１０３及びアモルファス状珪素１０４を蒸着する（図１（ｂ））。その後、電子線レジストの微細パターン１０２をリフトオフして、炭素および珪素からなる微細パターン１０６を形成する（図１（ｃ））。次に、微細パターン１０６を設けた基板１０１の上にホウ化マグネシウム１０５を蒸着する（図１（ｅ））。ここで、蒸着時の基板温度は２８０℃であることが好ましい。最後に、ホウ化マグネシウム１０５が形成された基板１０１の超音波洗浄を行うことにより微細パターン１０６をリフトオフして、ホウ化マグネシウム１０５の微細パターンを得る（図１（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】高温超伝導体である高度に層状化された異方性ＢＳＣＣＯ単結晶を利用した本来的に存在する多重積層された固有ジョセフソン接合を用いて、特に１乃至５ＴＨｚ周波数帯域の単色的でありコヒーレントの強力且つ連続的な電磁波を生成する実用的なＴＨｚ帯域電磁波発振装置を提供する。
【解決手段】
多重積層型固有ジョセフソン接合を有する超伝導体ＢＳＣＣＯ構造の単結晶体により形成され、前記単結晶体が発振するテラヘルツ帯域電磁波の基本波の高次調波を利用することを特徴とする。ここで前記基本波の周波数は０．６４８ＴＨｚであり、前記高次調波は４次調波であって、２．５８９ＴＨｚである。 （もっと読む）

【課題】Rashbaスピン軌道相互作用とキャリア経路の分岐により、キャリアスピン上向き下向きを制御することを可能とし、さらにスピン偏極度に依存して、ドレイン電流が流れる超伝導接合を用いることにより、ドレイン電流の大きさをゲート電極で制御するスピントランジスタを実現する。
【解決手段】強磁性体電極（ソース）１０１と、超伝導体電極（ドレイン）１０２と、第１ゲート電極１０３と、第２ゲート電極１０４と、ゲートコンタクト層１０５と、２次元電子ガスが形成されているチャネル層１０６と、スペーサ層１０７と、キャリア供給層１０８と、バッファ層１０９と、基板１１０とを備えて、Rashbaスピン軌道相互作用とキャリア経路の分岐により、キャリアスピン上向き下向きを制御することを可能とするゲート電極と、超伝導体により形成されたドレイン電極を用いることにより、スピン偏極度によりドレイン電流が制御可能である。 （もっと読む）

【課題】バルクレベルで超伝導状態となる新規な材料系を提供する。
【解決手段】超伝導薄膜１０１は、アモルファス状態の炭素よりなる基質１１１と、基質１１１の中に局所的に形成されたｓｐ²混成軌道による結合（ｓｐ²結合）の部分からなる微細な複数のナノグラファイト（超伝導領域）１１２と、基質１１１の中に局所的に形成されたｓｐ³混成軌道による結合（ｓｐ³結合）の部分からなる微細な複数のナノダイアモンド１１３とを備える。隣り合うナノグラファイト１１２は、超伝導近接効果を示す距離離間して形成されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁バリア層の形成を不要とする、新規なジョセフソン接合及びジョセフソン接合デバイスを提供する。
【解決手段】ジョセフソン接合１は、超伝導体層２と超伝導体層２の中央部２Ｃ上に積層した強磁性層３とを備える。強磁性層３は導電性又は絶縁性の強磁性層とすることができ、絶縁層を介して積層される導電性強磁性層としてもよい。超伝導体層２を高温超伝導体層とすれば、大きなＩ_ｃＲ_Ｎ積を有するジョセフソン接合１とすることができる。このジョセフソン接合１は、各種のジョセフソンデバイスの接合として使用することができる。 （もっと読む）

【課題】
損傷が起きる可能性が小さく、容易な金属材料層等の製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明の一つの側面は、基板上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層をパターニングすることによってレジストパターンを形成する工程と、前記基板上及び前記レジストパターン上に有機金属溶液を配置する工程と、前記有機金属溶液の溶媒を除去する溶媒除去工程と、前記溶媒除去工程の後に前記レジストパターンを除去するリフトオフ工程とを有する金属材料層の製造方法にある。本構成によれば、損傷が起きる可能性が小さく、容易な金属材料層等の製造方法が得られる。 （もっと読む）

【課題】 特に、同調可能な又は調整可能な特性を有する薄層型超伝導体，その超伝導体の製造方法及びそのような部品を有するデバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】 その部品は、交互に積層された電気的絶縁材料の薄層と超伝導材料の薄層とにより成るスタックと、超伝導層の少なくとも二つの間に抵抗接続を構成するための同調手段とを有している。この部品のインダクタンスは、その接続の抵抗を修正することにより調整することができる。 （もっと読む）

物理的特性（例えば、電気的な特性及び超伝導性）だけでなく、制御された直径及び制御された化学特性（例えば、組成、添加剤添加）を備えた、例えばナノチューブ及びナノワイヤーのようなホウ素を基礎とするナノ構造体の成長のための製造方法が記載されている。そのホウ素ナノ構造体は、ほぼ４ナノメーター未満の均一な細孔直径である細孔を有する、金属が置換したMCM−４１鋳型上で成長し、このホウ素ナノ構造体には、Ｉａ族及びＩＩａ族の電子供与性の元素を、そのナノ構造体の成長過程及び成長後に添加することができる。予備的な磁気的な感受性測定試験のデータは、マグネシウムを添加されたホウ素ナノ構造体が、絶対温度１００Ｋのオーダーの超伝導遷移温度を有することを示唆した。

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