【課題】良好な磁場安定性と長期間に亘る通電安定性とを得る。
【解決手段】銅マトリックス１３の内部にＮｂ−Ｔｉ合金からなる多数本の超電導フィラメント１１が内蔵された永久電流用の超電導線材において、超電導フィラメントの周囲に動作環境下で超電導性を有さないＮｂ−Ｔａ合金１２ａが被覆されている。前記Ｎｂ−Ｔａ合金は、Ｔａを１０質量％以上５０質量％以下含有し、温度４．２Ｋにおける動作磁場の環境下で超電導性を有さない。また、前記Ｎｂ−Ｔａ合金は、ビッカース硬さが前記超電導フィラメントの１．０倍以上１．５倍以下である。 （もっと読む）

【課題】クエンチ部への過電圧印加を抑制してその負担を軽減し、信頼性の高い超電導限流器を提供する。
【解決手段】限流コイル１１を構成する第１及び第２コイル１２，１３は、複数のコイル部１２ａ〜１２ｄ，１３ａ〜１３ｄがそれぞれ直列に接続されるとともに無誘導巻きで対となる各コイル部１２ａ〜１２ｄ，１３ａ〜１３ｄ毎に並列に接続され、その並列接続される組が複数組で構成される。 （もっと読む）

【課題】冷却液体中に発生する気泡に起因する超電導コイルと容器との短絡を防止できる超電導コイル装置を提供する。
【解決手段】超電導コイル１０と、超電導コイル１０及び超電導コイル１０の超電導状態を維持する冷却液体２０を収納する容器３０と、超電導コイル１０の上面及び側面を覆って、容器３０内の冷却液体２０中に配置された導電性材料からなるシールド４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数台の超電導限流器のうちいずれかの１台が機能を喪失したとしても、通常通りの系統連係を継続できる、信頼性の高い超電導限流システムを提供する。
【解決手段】超電導限流システム８は１つ若しくは複数の超電導限流装置９を有し、この超電導限流装置９は、第１の超電導限流器１１ａとこれと並列に配置された第１の並列遮断器１０ａと、第２の超電導限流器１１ｂとこれと並列に配置された第２の並列遮断器１０ｂを、直列に接続した構成となっている。また、超電導限流器端子引出し部１２ａ、１２ｂ、１２ｃの電圧値及び電流値が制御装置１４に取り込まれ、この制御装置１４によって超電導限流器１１ａ、１１ｂの抵抗値を算出し、この抵抗値に基づいて、前記第１、第２の並列遮断器１０ａ、１０ｂの開閉動作を制御するように構成する。 （もっと読む）

【課題】限流装置を簡単にする。
【解決手段】互いに同心状に配置され、その間に真空断熱部３が備わる２本の金属管１，２から成り、冷媒が通る空間を取り囲むクライオスタットＫＲ内に配置された、超伝導材料から構成された複数のコンポーネント４，５，６を使用する限流装置である。該複数のコンポーネントは、それぞれ、互いに絶縁され、互いに同心状に配置された、希土類をベースとした超伝導材料ＲｅＢＣＯから構成される３個の相導体７，８，９を含む。ｎ個のコンポーネントが該クライオスタットＫＲ内に配置されており、該コンポーネントの相導体は、各コンポーネント、すなわち第１のコンポーネントの内側相導体７が第２のコンポーネントの中心相導体８に接続され、該中心相導体８が第３のコンポーネントの外側相導体９に接続されるように、周期的に電気的に接続されており、ｎが３または３の倍数である。 （もっと読む）

磁気共鳴画像（ＭＲＩ）装置内の磁石を試験し或いは電源を入れるとき、抵抗モードと超電導モードとの間で巻線（１２）を切り換えるスイッチ（１０）が設けられる。スイッチ（１０）は、ボビン（１４）の周りに巻回される巻線（１２）を収容するハウジング（２６）と、巻線（１２）を冷却する冷媒を収容する内部冷媒キャビティ（１６）とを含む。バッフル（２０）が内部冷却キャビティ（１６）を外部冷媒貯槽（１８）から分離する。バッフルは、巻線を冷却するよう内部キャビティ（１６）内への液体冷媒の流入を許容する小さい孔を有する。高温で、内部キャビティ（１６）内の冷媒は気化し、巻線にその温度及び抵抗を更に増大させる。巻線（１２）への熱の還元後、巻線は十分に冷却し、液体冷媒の流入を許容し、それによって、巻線（１２）に超電導動作モードを回復する。
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【課題】クエンチ時、特に、局所的なクエンチ時の耐久性に優れた酸化物超電導体通電素子を提供する。
【解決手段】酸化物超電導体と、該酸化物超電導体の両端に電気的に接合された電極端子と、該酸化物超電導体に導電性樹脂により接着された支持体とから少なくとも構成されてなることを特徴とする酸化物超電導体通電素子である。 （もっと読む）

【課題】低温電気絶縁の問題を回避でき、かつ、限流動作設定条件を自由に調整・制御できると共に、超電導状態から常電導状態に転移して限流動作が行われた後、超電導体を常電導状態から超電導状態に短時間で復帰させることもできる変圧器型超電導限流器を提供することが課題である。
【解決手段】電力系統に接続された線材が巻回されて常電導状態の変圧器１次側と、超電導体線材で構成された複数のワンターン環状線材からなり、一のワンターン環状線材における隣り合う他のワンターン環状線材に対する接続点までの距離が、略同距離となるよう互い違いにミアンダ構造に接続した複数のワンターン環状線材からなる変圧器２次側とからなり、１次側の異常電流による２次側の超電導状態から常電導状態への転移で生じた１次側インピーダンスで、限流動作を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】超伝導磁石回路においてクエンチから保護するために、超伝導スイッチシステムを作動させる方法を提供する。
【解決手段】磁石回路40と、メイン超伝導スイッチ1と、低い抵抗の接続部によりこれに並列に接続された補助超伝導スイッチ2とを備えている。最初の磁石通電手続きでは、回路内に超伝導流れを確立したのちにメインおよび補助スイッチ1、2が閉じられて、さらなる電力入力なしに、回路内で電流が持続するようにされる。メインスイッチ1がクエンチすると、電流は、抵抗性の接続部を通って補助スイッチ2に移動することになる。メインスイッチ1が超伝導状態に回復されると、抵抗性の接続部を介した電圧低下により、電流がメインスイッチ1に戻されることになる。補助スイッチ2を通る超伝導電流が確立されることを確認するためメインスイッチ1を開く事前調節手続きが、磁石通電手続きの一部として実施される。 （もっと読む）

【課題】配線部分を含めた全体の抵抗値を低減させた半導体スイッチ及び永久電流スイッチシステムを提供する。
【解決手段】第１電流配線１０及び第２電流配線２０を常電導材配線５０（断面５×０．５ｍｍの銅線）及びそれに並列配置された超電導材配線６０（Ｂｉ２２２３高温超電導線）で構成する。また、制御配線３０は、常電導材配線５０と同じ銅線である。ＭＯＳ−ＦＥＴ４０は、常温におけるオン抵抗１．８ｍΩ、液体窒素温度におけるオン抵抗０．５ｍΩのＭＯＳ−ＦＥＴである。ＭＯＳ−ＦＥＴ４０のＳ端子４２を第１電流配線１０に、また、Ｄ端子４４を第２電流配線２０に各々ハンダ付けで接続する。この際、Ｓ端子４２の端部及びＤ端子４４の端部が各々第１電流配線１０及び第２電流配線２０を構成する常電導材配線５０と超電導材配線６０の両方に接触するように接続する。同様に、Ｇ端子４６を制御配線３０にハンダ付けで接続する。 （もっと読む）

【課題】電流リップルが少ない、かつ、磁場減衰が抑制された超電導マグネットを提供することを目的とする。
磁場減衰を抑制した超電導マグネットを提供する。
【解決手段】超電導コイルと、前記超電導コイルの両端に接続された該超電導コイルを駆動する電源回路と、前記超電導コイルの前記電源回路との接続部間に、直列に接続された永久電流スイッチ及び前記電源回路に前記超電導コイルの電流減衰を補償する電流を流すための補償抵抗体とを具備する超電導マグネットを使用する。 （もっと読む）

【課題】スイッチングの速さとオン時の抵抗値の低さとを両立させた永久電流スイッチシステムを提供する。
【解決手段】指令信号を受け、オン／オフ作動を行うＭＯＳ−ＦＥＴから構成されるバイパススイッチ３０を熱式永久電流スイッチ２０に並列に接続する。そして、制御装置６０から熱式永久電流スイッチ２０及びバイパススイッチ３０に指令信号を出力することにより熱式永久電流スイッチ２０及びバイパススイッチ３０のオン／オフ制御を行う。ＭＯＳ−ＦＥＴは、熱式永久電流スイッチ２０よりもスイッチング速度が速く、かつ、並列化されたり冷却されたりすると抵抗値が低下する。したがって、熱式永久電流スイッチ２０をオンすると共にバイパススイッチ３０をオンすると、熱式永久電流スイッチ２０の抵抗値がゼロになるまでの間、超電導コイル１０を流れる電流はバイパススイッチ３０の方を流れるので、スイッチング速度が速くなる。 （もっと読む）

【課題】二硼化マグネシウムを用いた永久電流スイッチにおいて、コンパクトかつ熱的な安定性に優れるスイッチ用超電導積層体とその製造方法を提供すること。
【解決手段】二硼化マグネシウム超電導体とそれを被覆する金属被覆を含み、該超電導体の一部が露出した平角又はテープ状超電導線材を、複数個積層して、隣接する線材の露出した上記超電導体が接続されるように積層・一体化した超電導積層体を回路内に備えたことを特徴とする永久電流スイッチ。 （もっと読む）