【課題】距離検出画素の開口率を高めることができ、高いＳＮ比により距離検出精度を向上させることが可能となる固体撮像素子等を提供する。
【解決手段】半導体中に、第１の光電変換部と第２の光電変換部とによる少なくとも２つの光電変換部を有する画素を備えた固体撮像素子であって、
前記第１の光電変換部は、前記第２の光電変換部よりも高い不純物濃度を有し、前記第２の光電変換部で発生した電荷を前記第１の光電変換部に転送可能に構成され、
前記第１の光電変換部と前記第２の光電変換部の電荷量を、共通して検出する１つの信号検出手段を有する。 （もっと読む）

【課題】開口率を著しく向上することが可能な光検出装置を提供すること。
【解決手段】光検出装置１は、半導体基板１Ｎを有する半導体光検出素子１０Ａと、半導体光検出素子１０に対向配置される搭載基板２０とを備える。半導体光検出素子１０Ａは、ガイガーモードで動作すると共に半導体基板１Ｎ内に形成された複数のアバランシェフォトダイオードＡＰＤと、それぞれのアバランシェフォトダイオードＡＰＤに対して電気的に接続されると共に半導体基板１Ｎの主面１Ｎｂ側に配置された電極Ｅ７とを含む。搭載基板２０は、電極Ｅ７毎に対応して主面２０ａ側に配置された複数の電極Ｅ９と、それぞれの電極Ｅ９に対して電気的に接続されると共に主面２０ａ側に配置されたクエンチング抵抗Ｒ１とを含む。電極Ｅ７と電極Ｅ９とが、バンプ電極ＢＥを介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】大容量なメモリ用シフトレジスタを提供する。
【解決手段】メモリ用シフトレジスタは、基板１０１と、基板１０１上に形成され、基板１０１の主面に垂直な軸Ｌの周りを回転する螺旋形状を有するチャネル層１１１とを備える。さらに、メモリ用シフトレジスタは、基板１０１上に形成され、軸Ｌに平行な方向に延びており、チャネル層１１１内の電荷を転送するために使用される３本以上の制御電極１１２１，１１２２，１１２３を備える。 （もっと読む）

【課題】 受光面における配置位置によらず画素に照射される光量を精度よく計測できるようにする。
【解決手段】 イメージセンサは、光が照射される画素群からなる有効画素領域と、遮光された画素群からなるオプティカルブラック領域とを有し、イメージセンサが光量計測に用いられる場合、有効画素領域は、光量計測に用いられる計測用領域と、オフセットまたはノイズ成分の値の演算に用いられる、遮光された遮光領域とを有するように区分される。本技術は、光量計測に用いられるイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】電源のオン／オフ時に過大な電圧が外部へ出力されることを防止することのできる固体撮像装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】実施形態の固体撮像装置は、キャパシタ１が、ＣＣＤから出力された信号の交流成分を通過させて、アンプ２へ入力し、クランプパルスにより導通が制御されるクランプゲート３が、導通時に、アンプ２の動作基準点となる直流基準電圧ＶＲＥＦをアンプ２へ出力する。この固体撮像装置は、クランプゲート３へ、ＣＣＤの有効信号出力期間は、第１の直流基準電圧が入力され、電源電圧の立ち上り期間および／または立ち下り期間は、第２の直流基準電圧が入力される。 （もっと読む）

【課題】体格の増大が抑制された光センサを提供する。
【解決手段】複数の受光部（６０）を有する光センサであって、受光部（６０）は、半導体基板（１０）に形成された受光素子（２０）と透光用の開口部（５０）を有し、受光素子（２０）の形成面（１０ａ）上に透光膜（３０）を介して遮光膜（４０）が形成され、該遮光膜（４０）に開口部（５０）が形成されており、受光部（６０）として、形成面（１０ａ）に直交する光によって形成面（１０ａ）に投影した開口部（５１，５２）の投影部位と受光素子（２１，２２）との距離が互いに等しく、投影部位から受光素子（２１，２２）に向かう向きが互いに逆向きの関係にある、対を成す受光部（６１，６２）を有し、対を成す受光部（６１，６２）は、形成面（１０ａ）に沿い、投影部位と受光素子（２１，２２）とを結ぶ方向に直交する方向にて、並んでいる。 （もっと読む）

【課題】集光効率が高く、かつ画素間のクロストークが少ないイメージセンサ及びその製造方法並びに検査装置を提供する。
【解決手段】複数の受光素子を備え、入射した光を電気信号に変換する光源変換部と、各受光素子の直上域に配置され、その直下に位置する受光素子に向けて光を集光する複数のレンズと、このレンズ上に形成され、光透過材料からなる絶縁層とを備えるイメージセンサにおいて、絶縁層の表面に、受光素子毎にそれぞれ離間して形成され、その中心が、各受光素子の受光部の中心とその直上に配置されたレンズの中心とを結んだ線の延長線上に位置する検出領域を設ける。そして、検出対象の試料を、少なくともこの検出領域に固定する。 （もっと読む）

【課題】小型化可能な光学センサー及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】光学センサーは、半導体基板１０に位置するフォトダイオード用の不純物領域３１、３２と、フォトダイオードの受光領域に対する入射光の波長を制限するための光バンドパスフィルター６１、６２と、フォトダイオードの受光領域に対する入射光の入射角度を制限するための角度制限フィルター４１、４２と、を含む。光バンドパスフィルター６１、６２は、フォトダイオード用の不純物領域３１、３２と角度制限フィルター４１、４２の間に位置し、角度制限フィルター４１、４２は、半導体プロセスによって形成された遮光物質（光吸収物質または光反射物質）によって形成される。 （もっと読む）

【課題】ダイナミックレンジをより拡張することができるようにする。
【解決手段】
画素は、受光した光に応じた電荷を発生するフォトダイオードと、所定の容量を有し、フォトダイオードから転送されてくる電荷を蓄積するフローティングディフュージョンと、フローティングディフュージョンの容量に付加される付加容量と、フローティングディフュージョンと付加容量との接続を切り替える薄膜トランジスタとを備える。そして、付加容量および薄膜トランジスタは、フォトダイオードが形成されるシリコン基板から層間絶縁膜を介して配置される配線層中に形成される。本技術は、例えば、撮像装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】 小型化、薄型化を実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、画素に表示部とセンサ部とを有し、表示部とセンサ部の各々の制御を、同一の走査線駆動回路で行う。第１の期間においては、前記走査線駆動回路は、表示部が有する第１の選択信号線の走査を行い、第２の期間においては、前記走査線駆動回路は、センサ部が有する第２の選択信号線の走査を行う。表示部にビデオ信号を入力するための第１の信号線と、センサ部から、対象物の画像情報を有する信号を出力するための第２の信号線とは、別々に設けられることで、相互の信号へのスイッチングノイズ等の影響を最小限とする。 （もっと読む）

【課題】光の左右比の検出精度の低下が抑制された光センサ、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板（１０）に受光素子（２０）が形成され、受光素子（２０）の形成面（１０ａ）上に、透光膜（３０）を介して遮光膜（４０）が形成され、遮光膜（４０）に透光用の開口部（５０）が形成された光センサであって、仮想直線（ＶＬ）を介して線対称の関係にある一対の受光素子（２１，２２）及び一対の開口部（５１，５２）を有し、形成面（１０ａ）に直交する高さ方向に沿う光を、開口部（５１，５２）を介して受光素子（２１，２２）に照射した際に、一対の受光素子（２１，２２）から出力される出力信号に基づいて、高さ方向に沿う光が開口部（５１，５２）を介して受光素子（２１，２２）に入射した際に出力される一対の受光素子（２１，２２）の出力信号が互いに一致するように、各出力信号を補正する。 （もっと読む）

【課題】局所的な太陽光やスポット光などの強烈光を受光したときに起こるＯＢ画素領域の信号レベル（黒基準信号）のズレを防止する。
【解決手段】ＯＢ画素領域３，４に対応した水平転送部ＨＣＣＤのみを電荷転送することにより、太陽光などの強烈光を受光した際に起こる余剰電荷の溢れ出しによる信号レベルの変動がクリーニングされて無信号化されて電荷検出部５に検出される。即ち、強烈光に影響されない真のＯＢ画素領域信号（黒基準信号）を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサのカラーフィルターの膜厚のばらつきを低減する。
【解決手段】イメージセンサ構造体は、シリコン基板５１上に配列で形成された複数のイメージセンサと、複数のイメージセンサをダイシングして分離するときに切断される、隣り合うイメージセンサの間のスクライブラインと、から構成される。複数のイメージセンサのそれぞれは、シリコン基板５１上に形成された拡散層５２から構成される複数の光電変換素子と、複数の光電変換素子を囲んで、イメージセンサそれぞれの外周に沿って導体で形成されたガード配線８１と、を備える。そして、スクライブライン部５３に、ガード配線８１と同一のプロセスで同層に形成されたダミー配線８２が形成される。 （もっと読む）

【課題】検出感度を向上するとともに、低コスト化を実現することができるようにする。
【解決手段】イメージセンサにおいては、光電変換部の受光素子上に、中央部分に凹部（窪み）が形成された平凸形状の構造体が形成されている。構造体の凹部を除く表面には、光反射性の薄膜が形成されている。そして、構造体の凹部には、測定対象のゲル状、または液体状の試料が貯留されている。本開示は、例えば、試料を測定対象とする検査装置に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】 従来のＰＤ製造プロセスと同じ工程で大受光径ＰＤの帯域を拡大して、光受信部の高速化を図る。
【解決手段】 受光デバイスは、半導体基板の上方に形成された第１導電型の第１半導体層、前記第１半導体層上の光吸収層、および前記光吸収層上の第２導電型の第２半導体層の積層構造を有する光検出素子と、前記半導体基板の上方で、前記光検出素子に接続されるインダクタと、前記光検出素子で生成された電流を前記インダクタを介して取り出す出力電極と、前記光検出素子にバイアス電極を印加するバイアス印加用電極と、前記インタダクタの金属配線と交差して、前記光検出素子と、前記出力電極又は前記バイアス印加用電極との間を電気的に接続する交差配線と、を含む。 （もっと読む）

【課題】非接触にて、被写体の位置情報の取得を容易に行うことができる固体撮像装置、または半導体表示装置の提供。
【解決手段】第１入射方向から第１入射角を有する光が入射する複数の第１フォトセンサと、第１入射方向とは異なる第２入射方向から第２入射角を有する光が入射する複数の第２フォトセンサとを有し、複数の第１フォトセンサのうち、第１入射方向の上流側の一つの第１フォトセンサの方が、第１入射方向の下流側の他の一つの第１フォトセンサよりも、第１入射角が大きく、複数の第２フォトセンサのうち、第２入射方向の上流側の一つの第２フォトセンサの方が、第２入射方向の下流側の他の一つの第２フォトセンサよりも、第２入射角が大きい。 （もっと読む）

【課題】 焦点検出の精度を向上させる。
【解決手段】 それぞれが光電変換素子を含む複数の焦点検出用の画素と、光電変換素子で生じた信号を読み出すための複数の配線層とを有する光電変換装置は、複数の配線層の最下層の配線層の下面に比べて、光電変換素子の受光面を含み受光面に平行な面に近接した下面を有し、光電変換素子の一部の上を覆う遮光膜を含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ型撮像素子の受光効率を確保しつつ、転送電極からの光の透過の影響を小さくして精度良く焦点検出が可能な撮像素子を提供する。
【解決手段】撮影レンズからの光を光電変換して被写体の像を生成する撮影用画素と、前記撮影レンズの射出瞳の一部の領域を通る光を受光する第１の焦点検出用画素及び第２の焦点検出用画素と、を有する撮像素子であって、前記第１の焦点検出用画素及び前記第２の焦点検出用画素は、光電変換部と、前記光電変換部の少なくとも一部の領域を覆うように前記光電変換部の端部に設けられる電極部と、開口を有して前記光電変換部の前記少なくとも一部の領域とは異なる領域を覆う遮光部とを有し、前記第１の焦点検出用画素の電極部と前記第２の焦点検出用画素の電極部は、前記第１の焦点検出用画素と前記第２の焦点検出用画素の瞳分割方向において互いに反対側の前記光電変換部の端部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 近赤外の長波長領域まで受光でき、かつ画素ピッチを密にしても受光感度を確保できる、受光素子アレイ等を提供する。
【解決手段】 この受光素子アレイ１０は、近赤外波長領域に対応するバンドギャップエネルギを有する受光部Ｐが、複数、配列され、受光部は、選択拡散によって形成されたｐ型領域６の先端部にｐｎ接合１５を有し、受光部Ｐを区分けするように、ｎ型領域７が該受光部の間に位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 光電変換部の分割に伴い生じる低感度帯の影響を抑制すること。
【解決手段】 撮像素子は、第１の方向に第１の分割数に分割され、前記第１の方向と垂直な第２の方向に第２の分割数に分割された光電変換部をそれぞれが有する、複数の第１画素と、前記第１の方向に第３の分割数に分割され、前記第２の方向に第４の分割数に分割された光電変換部をそれぞれが有する、複数の第２画素とをそれぞれが備えた、複数の撮像画素群を含み、第１画素及び前記第２画素を構成する複数の光電変換部は、撮像光学系からの光束のうち分割された光束により形成された複数の像を光電変換して位相差の検出に用いられる焦点検出信号を出力する機能を備えており、第１の分割数と第３の分割数が互いに素の自然数であり、第２の分割数と第４の分割数が互いに素の自然数であることを特徴とする。 （もっと読む）