【課題】 ソースフォロアアンプ全段として、適応的に帯域を広げたり狭めたり、消費電流を増やしたり減らしたりすることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、入力信号を駆動するドライブトランジスタＤ１と、ドライブトランジスタＤ１に接続されるロードトランジスタＬ１とからなるソースフォロアアンプを有し、ロードトランジスタＬ１のゲートには、可変のバイアス電圧が印加される。また、半導体装置１は、さらにドライブトランジスタＤ１の出力を駆動するための終段のロードトランジスタＬ２と、ドライブトランジスタＤ２に接続される負荷回路（ロードトランジスタＬ２）とからなる終段の第２ソースフォロアアンプを有し、ロードトランジスタＬ２のゲートには、ロードトランジスタＬ２の抵抗値を変えるための可変のバイアス電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】交換レンズ方式のデジタルカメラシステムにおいて、高解像度の画像を得ること。
【解決手段】入射光をその光量に応じて電気信号に変換する光電変換素子２０１と、入射面に配設されたマイクロレンズ２０９と、前記光電変換素子と前記マイクロレンズの間に配設された光導波路２０３と、前記光導波路の周囲に配設された層間絶縁層２０８とを有する固体撮像素子を有する撮像装置であって、撮像光学系の射出瞳から前記光電変換素子までの距離をＬ、前記イメージセンサの中心から、前記イメージセンサ上の前記固体撮像素子の位置までの距離をＨ、前記光電変換素子から前記マイクロレンズの頂点までの高さをＤ、前記イメージセンサにおける、前記複数の固体撮像素子の間隔をＰ、前記光導波路の屈折率をＮ_Ｈ、前記層間絶縁層の屈折率をＮ_Ｌとした場合に、前記距離Ｈに位置する固体撮像素子が、


但し、０＜ａ＜１を満たす。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像素子に対する更なる高画質化及び低コスト化の要求に応えることを可能にする半導体受光素子を提供する。
【解決手段】 半導体基板と、エピタキシャル成長法及び気相成長法により半導体基板上に形成されたエピタキシャル層１とを有し、エピタキシャル層１は、第１のｐｎ接合部２と、第１の絶縁層３と、第２のｐｎ接合部４と、第２の絶縁層５と、第３のｐｎ接合部６とが順次積層されてなり、第１のｐｎ接合部２、第２のｐｎ接合部４及び第３のｐｎ接合部６は、結晶構造あるいは膜組成を変化させることでそれぞれ異なる禁制帯幅を有する構成となっている。 （もっと読む）

【課題】正確かつ安定性が高い品質の光を照射することができ、しかも構成が簡単で効率もよいカラー撮像素子検査用の光源装置を提供する。
【解決手段】 互いに異なる色の光を発する複数のＬＥＤ１と、各ＬＥＤ１に接続され、混合される前の各色の光を光混合部３に伝達する多数の第１メイン光ファイバ２と、各ＬＥＤ１に前記第１メイン光ファイバ２とともに接続され、混合される前の各色の光をそれぞれ導入される複数のサブ光ファイバ６と、前記各サブ光ファイバ６から導出される光の強度をそれぞれ検出する受光素子７と、前記受光素子７で検出された各ＬＥＤ１に対応する光の強度が、予め定めたそれぞれの目標値となるように、前記各ＬＥＤ１への供給電力をそれぞれ制御する供給電力制御部８とを備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】 高い光電変換効率を有し、かつ画素の高集積化が可能で、しかも素子を組合わせても偽色を生じない光電変換要素、それを用いた高感度、高画質で偽色の無い画像を再生できるカラーセンサー及びカラー撮像システムを提供すること。また、その製造方法を提供すること。
【解決手段】 少なくとも色素を付着させた半導体膜、正孔輸送膜および電極により構成される光電変換要素において、該半導体膜が他の物質とともに共蒸着された後、該他の物質を除去することによりポーラス状とされた半導体膜であることを特徴とする光電変換要素と上記半導体膜製造法、及びこの要素を用いたカラーセンサー並びにカラー撮像システム。 （もっと読む）

カメラモジュールを組み立てるプロセスは、基板（１０）を位置決めダイ（７０）上に配置するステップと、レンズアセンブリ（３０）を平行な光線（９０）で照射するステップと、凸レンズ（３３）を有するレンズアセンブリ（３０）を軸方向に移動するステップと、位置決めダイ（７０）に収容される光センサ（８０）を用いてスポット孔（７５）を通過する光の光強度を測定するステップと、得られた光強度曲線に基づいてレンズアセンブリ（３０）の最適な軸方向位置を決定するステップと、レンズアセンブリ（３０）を前記最適な軸方向位置に移動するステップと、位置決めダイ（７０）を取り外すステップと、画像センサチップを基板（１０）の下面（１２）に取り付けるステップとを有する。
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【課題】 複合的な工程エラーが発生しても、どこの工程でエラーが発生したかを正確に予測できるイメージ素子のモニタリングパターン、及びそれを利用した工程モニタリング方法を提供する。
【解決手段】 メイン不純物領域、及びメイン不純物領域からそれぞれ等間隔に離隔されるように設置される複数のサブ不純物領域を備えるイメージ素子のモニタリングパターンであり、サブ不純物領域は、メイン不純物領域の四方にそれぞれ形成され、望ましくは、メイン不純物領域は、四角形の形状を有し、サブ不純物領域は、メイン不純物領域の各辺と対応する位置にそれぞれ形成される。 （もっと読む）

簡易化された配線及び低減されたトランジスタカウントを有する垂直色フィルタピクセルセンサ（４２、２８、３６）が開示される。実施形態において、単一の線は、ＶＣＦピクセルセンサ（３０）で、参照電圧、ピクセルリセット電圧、及び列出力信号に対して使用される。もう１つの実施形態において、行リセット信号及び行有効信号は、ＶＣＦピクセルセンサ（３０）のアレーにおいて近傍の行との間で共有される線に亘って送信される。本発明はまた、ＶＣＦピクセルセンサのために最適化されたレイアウトを提供する。ＶＣＦピクセルセンサだけでなく、共有された行リセット、行有効、参照電圧、及び列出力線で、ソースフォロア電圧、ソースフォロア増幅器電圧、及び行有効信号は全て、共通線を共有する。これら結合された線の実施形態は、２つの行有効線だけでなく単一の列出力線で使用されることができる。
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【課題】イメージセンサーの面積を縮小するとともに微細で簡単なセンサー回路を達成し、製造プロセスが容易な高感度のイメージサンサーを提供する。
【解決手段】半導体集積回路製造プロセスによって、半導体基板上に、少なくとも２つの垂直に積層した感光性センサーを有する形成された垂直カラーフィルターセンサー群を作成する。本発明の他の特徴は、垂直カラーフィルターセンサー群、およびこのような垂直カラーフィルターセンサー群とそれらのアレイの製造方法である。幾つかの実施形態において、センサー群は読出し面を持つ固体材料のブロックである。少なくとも２つの垂直積層センサーはこのブロック中に形成され、トレンチコンタクトはセンサーの１つと読出し面との間に配置される。 （もっと読む）

【課題】 製造時間を短縮し、コストを下げ、歩留まりを向上させると同時に、従来と同等もしくはそれ以上の高画質化が実現される固体撮像装置、当該固体撮像装置から出力される電気信号から色信号を生成する信号処理装置等を提供する。
【解決手段】
受光した光を電気信号に変換する受光素子の上方に絶縁膜を挟んで形成された遮光膜に、当該受光素子が感度を有する波長範囲内における所定の波長以上の光は遮断され、当該所定の波長未満の光は通過する開口部を設ける。 （もっと読む）

【課題】高感度で高解像力、かつシェーディングが発生しない撮像素子を提供する。さらに、高い光電変換効率を持ち、繰り返し使用時の安定性に優れた撮像素子を提供する。
【解決手段】異なる波長の電磁波を吸収し、光電変換しうる複数の電磁波吸収層、各電磁波吸収層を挟む一対の電極、電荷伝送・電荷読み出し部位、及び該一対の電極の少なくとも一方と電荷伝送・電荷読み出し部位とを連結する複数のコンタクト部位から少なくとも構成される画素ユニットを有する撮像素子であって、画素サイズよりも上記画素ユニットが有する電極の内、両最外側の電極の最外表面間の長さの方が小さい多層積層多画素撮像素子。 （もっと読む）

複数の光学系（１０１〜１０４）に一対一に対応して、その各光軸上に、複数の撮像領域（１０５〜１０８）がそれぞれ配置されている。各撮像領域（１０５
〜１０８）は複数の画素を有している。撮像装置は、更に、撮像領域（１０５〜１０８）のそれぞれの原点を検出する原点検出手段と、原点を基準として各撮像領域（１０５〜１０８）に含まれる複数の画素の位置を特定する画素位置特定手段と、撮像領域（１０５〜１０８）のそれぞれが撮像した複数の画像を合成する合成手段とを備える。これにより、実装が容易で薄型の撮像装置を提供することができる。
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本発明は、電磁波の位相及び振幅を検出するための装置に関する。本装置は、当該電磁波に対して敏感である少なくとも２つの変調フォト・ゲート（１，２）から成っている。本装置は、また前記変調フォト・ゲートに対して関連付けられかつ感光性でない累算ゲート（４，５）から成り、そして累算ゲートが読出し装置に接続され、変調フォト・ゲートは変調装置に接続され得る変調フォト・ゲート（１，２）と累算ゲート（４，５）のための電気接続部を有している。前記変調装置はそれら変調フォト・ゲート（１，２）の当該電位を互いに増減させ、かつ所望の変調関数に対応して好ましくは一定の累算ゲート（４，５）の当該電位をも増減させる。本発明は、複数の変調フォト・ゲート（１，２）と累算ゲート（４，５）が、ＰＭＤピクセルをグループ形式で形成する長くて狭い平行ストリップの形態を採るように構成されている。 （もっと読む）