【課題】高解像度化した画素を有する撮像素子を提供する。
【解決手段】本発明の撮像素子１０は、Ｘ，Ｙ軸平面上に正方又は六方配置された各感光部１０１から蓄積電荷に相当する信号をＺ軸方向に並列に抽出して出力する積層素子１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄと、この積層素子における感光部１０１を有する素子１００ａに対して設けられ、それぞれの感光部１０１に対して一部の領域を遮光するための当該感光部１０１の面積よりも小さい面積を有する１つの遮光部１１０を、当該感光部１０１の領域の範囲内で走査することにより各感光部１０１を所定の分割数で分割し、当該分割した各領域における遮光による蓄積電荷の変化量によって画素を形成する液晶素子１０６とを備える。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する電位保持機能の高い固体撮
像素子を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いて薄膜トランジスタのオフ電流を１×１０^−１３Ａ以
下とし、該薄膜トランジスタを固体撮像素子のリセットトランジスタ及び転送トランジス
タの両方に用いることで信号電荷蓄積部の電位が一定に保たれ、ダイナミックレンジを向
上させることができる。また、周辺回路に相補型金属酸化物半導体素子が作製可能なシリ
コン半導体を用いることで高速かつ低消費電力の半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】シンチレータで発生した長波長成分の光による放射線画像のボケを抑制しながら、長波長成分の光を有効利用する。
【解決手段】制御部６４は、シンチレータ３７により放射線から変換された光の長波長成分９０ｂが反射層２５を透過して放射線検知用光検出部２６に検出されたときに、センサパネル２３の光電変換部をリセットして電荷蓄積モードに移行させる。シンチレータ３７で発生した光の短波長成分９０ａは、柱状結晶３９内を全反射しながら反射層２５に向けて進行し、反射層２５により反射されてセンサパネル２３に向かうので、センサパネル２３の検出光量が増加する。シンチレータ３７で発生した光の長波長成分９０ｂは、反射層２５を透過してセンサパネル２３には反射されないので、放射線画像のボケを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 熱型光検出器の検出感度を向上させること。
【解決手段】 熱型光検出器は、基板１０と、基板との間に空洞部が形成されるように支持される支持部材２１５と、支持部材に支持される熱検出素子２３０と、熱検出素子上に設けられ、入射する光に対して光反射特性を有する材料で構成され、かつ、平面視で、支持部材の領域に入射する光の一部が支持部材２１５側に進入することを可能とするパターンを有する集熱部ＦＬと、集熱部と熱検出素子とを接続する接続部ＣＮと、を備える熱伝達部材２６０と、熱伝達部材と支持部材との間において、熱伝達部材に接して形成されている第１光吸収層２７０と、熱伝達部材上において、熱伝達部材と接して形成されている第２光吸収層２７２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、動作電圧を低減させる高感度光電変換膜を用いた撮像デバイス及びこれを用いた撮像管を提供することを目的とする。
【解決手段】透光性基板１０と、
該透光性基板の一方の面に形成された導電膜１１と、
該導電膜側に設けられた光電変換層２２と、
該光電変換層の光電変換作用により生成された信号電荷を読み出す電荷読み出し手段３０と、を有する撮像デバイス４０であって、
前記光電変換層は、塩素を含有することを特徴とする撮像デバイス。 （もっと読む）

【課題】 光電変換領域の面積を減少させることなく、画素ごとに高度な信号処理が可能となる。また信号処理回路の遮光性能が向上する。
【解決手段】 本発明は、画素構成要素における光電変換部及び、転送トランジスタ、電荷保持部の少なくとも一部が第１の半導体基板に配され、増幅トランジスタ、リセットトランジスタ以外の信号処理回路及び、複数の画素からの信号が読み出される複数の共通出力線が第２の半導体基板に配されている。 （もっと読む）

【課題】有機光電変換層を備える光電変換素子の光電変換効率を動作初期から長期間高く維持できるようにする。
【解決手段】第１電極１１と第２電極１５との間に、有機光電変換色素と、フラーレン又はフラーレン誘導体と、フラーレン重合体とを混合して含む有機光電変換層１２を備える。好適には、有機光電変換層１２は、有機光電変換色素と、フラーレン又はフラーレン誘導体と、フラーレン重合体とをバルクヘテロ構造で備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の受光面側に形成された光電変換部を有する固体撮像装置において、画素の微細化を損なうことなく転送効率が向上された固体撮像装置、及びその製造方法を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】半導体基板内に、縦方向に積層された接続部２１、電位障壁層２２、電荷蓄積層２３からなる縦型転送路５０を形成する。半導体基板１７の裏面側には、下部電極３１及び上部電極３３に挟持された光電変換部３２が形成されており、下部電極３１と接続部２１は、コンタクトプラグ２９により電気的に接続されている。これにより、光電変換部で生成された信号電荷は、コンタクトプラグ２９を介して接続部２１に読み出され、電荷蓄積層２３に縦方向にオーバーフローされる。 （もっと読む）

【課題】グローバルシャッタ動作が可能で、かつ、高品位な画像を得やすい固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１９に形成された光電変換素子であるフォトダイオード１と、薄膜トランジスタで構成されたパストランジスタ６と蓄積容量７とで構成され、フォトダイオード１で生成された信号電荷を、パストランジスタ６を介して蓄積容量７に蓄積するメモリ回路と、半導体基板１９に形成された電界効果トランジスタである出力トランジスタ９で構成され、蓄積容量７に蓄積された信号電荷に応じた信号電圧を出力する出力回路とを各々備えた複数の画素回路１１が二次元状に配置されてなり、パストランジスタ６を構成する半導体薄膜３１のバンドギャップが、半導体基板１９のバンドギャップよりも大きい。 （もっと読む）

ＣＭＯＳ製造プロセスとナノワイヤ製造プロセスとを結合してアクティブピクセル配列としてイメージングデバイスを形成する。配列内のピクセルはナノワイヤを囲む単一または複数のフォトゲートを含む。フォトゲートは、ナノワイヤのポテンシャルプロファイルを制御し、光生成電荷のナノワイヤ内の蓄積と、信号読み出しのための電荷の転送を可能とする。各ピクセルは、リセットトランジスタ、電荷転送スイッチトランジスタ、ソースフォロワー増幅器、およびピクセルセレクトトランジスタを含む読み出し回路を備えても良い。ナノワイヤは一般に、ナノワイヤの先端に衝突する光エネルギーを受けるためにバルク半導体基板上で垂直ロッドとして構成される。ナノワイヤは、光検出器、または光線をバルク基板に導くように設定された導波管、のいずれかとして機能するよう設定しても良い。ここでの実施形態では、ナノワイヤフォトゲートおよび基板フォトゲートの存在によって波長の異なる光を検出することができる。

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【課題】検出感度が高く、大面積化が可能な赤外線検出素子、赤外線検出装置及び赤外線検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】遠赤外線〜中赤外線を透過し、近赤外線〜可視光を反射する反射部１と、反射部１を透過した遠赤外線〜中赤外線により電子が励起されて、光電流が生成される量子ドット構造を多重に積層した光電流生成部２と、光電流生成部２で生成された光電流の電子が注入されて、正孔と再結合させることにより、近赤外線〜可視光を放出する量子井戸構造を多重に積層した発光部３と、発光部３から放出された近赤外線〜可視光を検出すると共に、発光部３から放出されて、反射部１で反射された近赤外線〜可視光を検出する光検出部４とを有し、反射部１、光電流生成部２及び発光部３を、半導体の基板上に積層したIII−Ｖ族化合物半導体から構成する。 （もっと読む）

【課題】色分離に優れ、偽色がなく、Ｂ・Ｒ光用光電変換部の開口率を向上させた単板式のカラーイメージセンサを提供する。
【解決手段】第１イメージセンサ１０と第２イメージセンサ２０とを含み、前記第２イメージセンサ２０に前記第１イメージセンサ１０が重ねられるカラーイメージセンサであって、前記第１イメージセンサ１０は、有機材料で構成され、撮像光のうちのＧ成分を光電変換する第１光電変換層１３と、前記第１光電変換層１３の上に配設される透明薄膜トランジスタで構成され、前記第１光電変換層１３で生成される撮像信号を読み出す透明読み出し回路１２と、前記透明読み出し回路１２の上に配設され、被写体からの撮像光が入射するガラス基板とを含み、前記第２イメージセンサ２０は、前記第１イメージセンサ１０を透過した撮像光のうちのＢ・Ｒ成分を光電変換し、当該光電変換によって得られる撮像信号を読み出すＢ・Ｒ成分用のイメージセンサ。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上部のイメージ感知部とリードアウト回路の接続のためにウェハアラインメントを必要とせず、リードアウト回路の配線とイメージ感知部のオーミックコンタクトを得ることができるイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるイメージセンサは第１基板１００に形成されたリードアウト回路１２０と、前記リードアウト回路１２０と電気的に接続されて前記第１基板１００上に形成された配線１５０と、前記配線１５０上に形成されたイメージ感知部２１０と、前記イメージ感知部２１０と前記配線１５０が電気的に接続されるようにピクセル境界に形成されたビアプラグ２５０と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 冷却機構なしで暗電流を減らし、受光感度を波長１．８μｍ以上に拡大したＩｎＰ系フォトダイオードを用いて、食品の品質を高感度で検査することができる食品品質検査装置等を提供する。
【解決手段】 受光層３がＩＩＩ−Ｖ族半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素を受光層内に選択拡散して形成したものであり、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、食品品質検査装置は、波長３μｍ以下の水の吸収帯に含まれる、少なくとも１つの波長の光を受光して、検査をすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】共焦点顕微鏡は、レーザが試料の表面を走査する時に個別の地点が標本抽出されるように、光のレベルを迅速に標本抽出する。
【解決手段】入射放射線を電荷発生によって感知する型式のセンサ装置は、入射放射線によって内部で電荷が発生する基板を有している。複数の電極は、基板の撮像区域を覆う様に配置され、供給される直流電圧と選択的に接続させて、電場が前記撮像区域に亘って作り出され、多数の電極に亘る電荷を前記撮像区域から出力まで掃引することができるようになっている。電極の１つに印加される電圧は、前記撮像区域内に電荷に対する障壁を設けるようなレベルの電圧である。而して、センサは、障壁電圧レベルによって画定される可変試料区域を有している。 （もっと読む）

【課題】フィルファクターを高めながら、フォトダイオードの界面のダングリングボンドなどダメージを取除くことができるイメージセンサ及びその製造方法を提供する。また、フィルファクターを高めながら、電荷共有現象を発生させないイメージセンサ及びその製造方法を提供する。また、フォトダイオードとリードアウト回路の間にフォトチャージの円滑な移動通路を提供することで、暗電流ソースを最小化し、サチュレーション及び感度の低下を防止することができるイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】イメージセンサは、第１基板に形成された配線とリードアウト回路と、第１導電型伝導層と第２導電型伝導層を含んで前記配線と電気的に繋がったイメージ感知部と、及び前記イメージ感知部のピクセル境界に形成された第２導電型界面層を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】並列に出力する信号のチャンネル数が非常に多い場合であっても、従来よりも簡単な構造で、ＣＣＤチップとＡＦＥチップとを接続することが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】複数のフォトダイオード１１と、複数のフォトダイオード１１の各々で発生した電荷を転送する垂直電荷転送部１２と、垂直ＣＣＤ１１で転送された電荷に応じた信号に所定の信号処理を施す信号処理回路が内蔵されたＡＦＥチップ２とを備える固体撮像装置であって、垂直電荷転送部１２から転送されてきた電荷をその電荷量に応じた電圧に変換するＦＤＡ１３と、ＦＤＡ１３で変換された電圧を電流に変換するＶ−Ｉ変換トランジスタ１４と、Ｖ−Ｉ変換トランジスタ１４のドレイン−ソース電圧をＶ−Ｉ変換トランジスタ１４が３極管領域で動作するように一定に固定する電位固定回路２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】 高精度の距離検出を行うことが可能な裏面入射型測距センサ及び測距装置を提供する。
【解決手段】 裏面入射型測距センサ１は、二次元状に配列した複数の画素Ｐ（ｍ，ｎ）からなる撮像領域１Ｂを有する半導体基板１Ａを備えている。各画素Ｐ（ｍ，ｎ）からは、上述の距離情報を有する信号ｄ’（ｍ，ｎ）として２つの電荷量（Ｑ１，Ｑ２）が出力される。各画素Ｐ（ｍ，ｎ）は微小測距センサとして対象物Ｈまでの距離に応じた信号ｄ’（ｍ，ｎ）を出力するので、対象物Ｈからの反射光を、撮像領域１Ｂに結像すれば、対象物Ｈ上の各点までの距離情報の集合体としての対象物の距離画像を得ることができる。フォトゲート電極ＰＧ直下の領域は、電界集中領域１Ｇからなる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、可視域から遠赤外域の画像をリアルタイムで同時取得する場合において、同一光軸で可視画像と赤外画像を撮像し、かつ、高感度の赤外画像を取得できる撮像素子を提供する目的とする。
【解決手段】 可視光検出器と熱型赤外線検出器を同一基板上に配列配置し、可視光検出器は、フォトダイオードを光検出部とし、熱型赤外線検出器は、可視域から近赤外域の光を透過する赤外線吸収部と温度検出部と支持脚とを含む構成であって、赤外線吸収部は温度検出部と離間されて支持され、さらに温度検出部は前記支持脚のみによって半導体基板と接続される構造であり、赤外線吸収部が可視光検出器の上部を覆う構造を特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】各画素の第１電極に供給される電圧および第２電極に供給される電圧にばらつきが発生するのを抑制することが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】このＣＭＯＳイメージセンサ（撮像装置）１００は、フォトダイオード部４と、電子を衝突電離により増倍させるための電子増倍部３ｂと、電子増倍部３ｂと隣接する領域を所定の電位に調整する電界を発生させるための転送ゲート電極１３と、転送ゲート電極１３と隣接するように設けられ、電子増倍部３ｂにおいて電子が衝突電離する電界を発生させるための増倍ゲート電極１４と、第１層目配線により形成されるとともに、転送ゲート電極１３にクロック信号φ３を供給するための配線１９ｂと、第１層目配線とは異なる第４層目配線により形成されるとともに、増倍ゲート電極１４にクロック信号φ４を供給するための配線２２ａとを備えている。 （もっと読む）