【課題】撮像画像の高画質化を実現することが可能な撮像装置、およびそのような撮像装置を備えた撮像表示システムを提供する。
【解決手段】撮像装置は、各々が光電変換素子と電界効果型のトランジスタとを含む複数の画素を有する撮像部と、トランジスタのオン動作およびオフ動作を切り替えることにより、画素内に蓄積された信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動を行う駆動部とを備える。リセット駆動を１フレーム期間内で間欠的に複数回行い、トランジスタのゲートに対し、１フレーム期間の１回目のリセット駆動時には第１の電圧、他の回のリセット駆動時には、第１の電圧よりも低い第２の電圧を印加してトランジスタのオン動作を行う。各画素において光電変換がなされ、信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動がなされ、入射光に基づく撮像画像が得られる。リセット駆動時に生じるチャージインジェクションを低減する。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の高画質化を実現することが可能な撮像装置、およびそのような撮像装置を備えた撮像表示システムを提供する。
【解決手段】撮像装置は、各々が光電変換素子を含む複数の画素を有する撮像部と、画素内に蓄積された信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動を行う駆動部とを備える。駆動部は、読み出された信号電荷を電圧に変換するチャージアンプ回路を有し、リセット駆動を１フレーム期間内で間欠的に複数回行い、かつ１フレーム期間内の各リセット駆動を、チャージアンプ回路におけるチャージアンプの帰還または仮想短絡現象を利用して行う。各画素において光電変換がなされ、信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動がなされ、入射光に基づく撮像画像が得られる。読み出し後の信号電荷の残留に起因するノイズを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 画素の容量値を調節することが可能で高いＳ／Ｎ比が得られる検出装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１００の上に配置されたトランジスタ１３０と、トランジスタ１３０の上に配置され、トランジスタ１３０と接続された変換素子１１０と、変換素子１１０と接続されたオーミックコンタクト部１５１と、オーミックコンタクト部１５１と接続された半導体部１５２と、絶縁層１０１を介して半導体部１５２及びオーミックコンタクト部１５１と対向して配置された導電体部１５４と、を基板１００と変換素子１１０との間に有して、トランジスタ１３０に対して変換素子１１０と並列に接続された容量素子１５０と、半導体部１５２にキャリアを蓄積させる第１電位と、半導体部１５２を空乏化させる第２電位と、を導電体部１５４に供給する電位供給手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で、放射線の照射に関する検出を行うことができる、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】画素２０が、ＴＦＴスイッチ４と、センサ部１０３と、ソースフォロア回路４０であるＴＦＴスイッチ４２と、を備えている。ＴＦＴスイッチ４２は、ゲート端子がセンサ部１０３に接続されており、一端が専用配線４４に接続されており、他端が放射線検出配線１２２に接続されている。放射線検出モードでは、センサ部１０３で発生した電荷により、ＴＦＴスイッチ４２がスイッチングされ、センサ部１０３で発生した電荷に応じた電荷が放射線検出配線１２２に出力される。すなわち、照射された放射線の線量に応じた電荷がＴＦＴスイッチ４２により放射線検出配線１２２に出力される。 （もっと読む）

【課題】 複数の撮影モードに対応可能な検出装置において、駆動配線と信号配線の容量を低減して、更なる高速動作性と更なる高Ｓ／Ｎ比とを両立する。
【解決手段】 変換素子１２０と、第１チャネル領域と第２チャネル領域とを含む半導体層１３１と、第１ゲート電極１３４と、第２ゲート電極１３５と、を含むトランジスタ１３０と、第１ゲート電極１３４と接続された第１駆動配線１４１と、第２ゲート電極１３５と接続された第２駆動配線１４１と、第１導通電圧を第１駆動配線１４１に供給する第１導通電圧供給部１７１と、第２導通電圧を第２駆動配線１４２に供給するための第２導通電圧供給部１７２と、第２駆動配線１４２と第１導通電圧供給部１７１との間の第１の接続と、第２駆動配線１４２と第２導通電圧供給部１７２との間の第２の接続と、のいずれかを選択する選択部１７４と、を含む検出装置。 （もっと読む）

【課題】光電変換部での飽和の可能性を低減して光電変換部の小型化を可能にし、全体としてのサイズの小型化を可能にする。
【解決手段】分離電極１４ａと蓄積電極１４ｂとが障壁制御電極１４ｃを挟んで配置される。分離電極１４ａと蓄積電極１４ｂと障壁制御電極１４ｃとに正極性の電圧が印加されてウェル１２にポテンシャル井戸が形成された状態で光照射による電子が集積される。その後、障壁制御電極１４ｃに印加された電圧に応じて形成されるポテンシャル障壁の高さが調節されることにより、規定した一定量の不要電荷が電荷分離部で分離される。電子の集積と不要電荷の分離とが複数回繰り返された後、蓄電電極１４ｂに対応して形成された電荷蓄積部に流れ込んだ有効電荷が受光出力として取り出される。 （もっと読む）

【課題】スイッチ素子であるＴＦＴに裏面光の入射を抑え、光電変換素子に裏面からの光を効率よく照射可能な構成とする。
【解決手段】絶縁基板の第１面上に配置された第１の電極と、該第１の電極上に配置された第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された半導体層と、により構成された電磁波を電気信号に変換する変換素子と、該変換素子に接続されたスイッチ素子と、を有する画素が複数設けられた電磁波検出装置であって、前記第１の電極は前記絶縁基板の前記第１面と対向する第２面側に配置された光源から発せられた光を透過する光透過性導電材料によって構成され、且つ、前記スイッチ素子は前記光源からの前記光が前記スイッチ素子へ入射することを防ぐ遮光部材を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 信号電荷の収集効率を向上する。
【解決手段】 半導体基板の表面１０００の第１区域１００１の下に設けられた第１半導体領域１３１と、表面１０００の第２区域１００２の下に設けられ、接続部３００に接続された第２半導体領域１３２と、表面１０００の第１区域１００１と第２区域１００２との間の第３区域１００３の下に設けられた第３半導体領域１３３とを有するエネルギー線変換装置の製造方法において、
第１半導体領域１３１及び第３半導体領域１３１を、第１区域１００１及び第３区域１００３を覆い、且つ、第３区域１００３を覆う部分２０３の厚さが第１区域１００１を覆う部分２０１の厚さよりも薄い緩衝膜２００を介して、半導体基板１００にイオン注入を行うことによって形成する。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドおよびシールド構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体装置の正面と背面に対応する正面と背面を有する装置基板と、装置基板の正面上に形成される金属層部と、半導体装置の背面に設置され、金属層部と電気的に接続するボンディングパッドと、装置基板の背面上に設置されるシールド構造と、を含み、シールド構造とボンディングパッドは異なる厚さを有する。 （もっと読む）

【課題】 裏面照射型イメージセンサ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 イメージセンサデバイスは、表面及び表面と対向する裏面を有する基板、この基板に配置され、裏面を通過して基板に入射する放射波を検出するように動作可能である放射線検出領域、基板の表面の上に配置された相互接続構造、基板の裏面の上に配置され、基板に引張応力を与える材料層、及び材料層の少なくとも一部の上に配置された放射線遮蔽デバイスを含む。 （もっと読む）

【課題】 高性能な平面型の検出装置をマスク枚数の増加に伴うコストアップや歩留まりの低下をすることなく提供する。
【解決手段】 基板１００上に成膜された第１導電膜から第１電極１２１及び制御電極１３１を形成する第１の工程と、第１の工程の後に絶縁膜と半導体膜とを順次に成膜する第２の工程と、前記第２の工程の後に不純物半導体膜と第２導電膜とを順次に成膜し第２導電膜から共通電極配線１４と第１導電部材１３７とを形成する第３の工程と、第３の工程の後に成膜された透明導電性酸化物から第２電極１２５及び第２導電部材１３８とを、不純物半導体膜から不純物半導体層１２４及び不純物半導体層１３３とを、を同一のマスクを用いて形成する第４の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 例えば、変換素子の感度を向上させることができることを課題とする。
【解決手段】 放射線撮像装置は、絶縁性基板１００上に、放射線を電荷に変換する変換素子１０１と変換素子１０１に接続されたスイッチング素子１０２とを含む画素がマトリクス状に配置された画素領域を有する。変換素子１０１は、上部電極層１１９と、下部電極層１１５と、上部電極層１１９と下部電極層１１５との間に配置された半導体層１１７とを有する。上部電極層１１９は、少なくとも半導体層１１７が配置された領域内に間隙２００を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、ピクセル、ピクセル配列及びピクセル配列を含む画像センサーに関する。
【解決手段】本発明の実施形態によるピクセルは、光電変換部と、光電変換部で変換された電荷を蓄積するためのコンデンサと、コンデンサに接続されてコンデンサの電位に応じてキャパシタンスが変化する可変コンデンサと、コンデンサの電位を出力するためのスイッチング素子と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子で発生した光電子の転送の際に、光電変換素子に残留する光電子数を軽減させるとともに、光電子の転送の高速化を図る固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光を検知して光電子を発生する光電変換素子を有する単位画素と、前記単位画素を駆動する画素駆動部と、を備え、前記光電変換素子は、フォトゲート構造により形成され、前記画素駆動部は、３値の電圧のうち、いずれかの電圧を前記光電変換素子のフォトゲートに印加させることで、前記光電子の発生、転送を行い、前記３値の電圧は、少なくとも、第１電圧と、前記第１電圧より高い第２電圧と、前記第１電圧より大きく且つ前記第２電圧より小さい第３電圧とを有する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子が発生した光電子を４方向に振り分けて読み出すことができるとともに、リセットノイズを正確に除去することができる単位画素及び固体撮像装置並びに単位画素の信号加算方法を提供する。
【解決手段】光を検知して光電子に変換する光電変換素子を有する受光装置を備える単位画素であって、前記受光装置は、前記光電変換素子に発生した前記光電子を転送するための第１転送部と、前記光電変換素子により発生した前記光電子を一時的に保持する光電子保持部と、前記光電子保持部が保持した前記光電子を転送するための第２転送部と、転送された前記光電子を保持して該転送された前記光電子を電圧に変換させるための浮遊拡散層とを含む複数の光電子振分部を有し、前記単位画素は、前記浮遊拡散層の電位を基準電位にリセットするためのリセット用トランジスタと、前記光電変換素子に発生した前記光電子を排出する光電子排出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】画素の駆動精度を低下させることなく、高速に連続してグローバルシャッタ動作を行う固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子を有する単位画素が１次元又は２次元に配列された画素アレイと、前記単位画素に与えられる信号電圧を選択的に切り換える切換スイッチと、第１信号電圧、第１信号電圧より高い第２信号電圧、及びその第３信号電圧を、前記切換スイッチを切り換えて選択的に前記単位画素に印加して前記単位画素を駆動する画素駆動部とを備え、前記画素駆動部は、前記第１信号電圧と前記第２信号電圧とを交互に前記複数の単位画素に印加するとともに、前記第１信号電圧から前記第２信号電圧に切り換える際、及び、前記第２信号電圧から前記第１信号電圧に切り換える際に、前記単位画素に前記第３信号電圧を経由して印加することで、複数の前記単位画素の前記光電変換素子に発生する前記光電子の蓄積、保持、転送、リセット、排出のいずれかを一斉に行う。 （もっと読む）

【課題】光源の強度や環境光に依存しない信頼性の高い距離情報を取得することができる測距システムを提供する。
【解決手段】照射装置と固体撮像装置と演算部とを備える測距システムであって、前記固体撮像装置は、第１照射タイミングで照射された照射光の反射光を第１受光期間及び第２受光期間で受光するとともに、第２照射タイミングで照射された前記照射光の前記反射光を、第３受光期間及び第４受光期間でそれぞれ受光し、前記演算部は、前記第１受光期間〜前記第４受光期間で得られた光電子数を用いて、測距対象までの距離を算出し、前記第１受光期間及び前記第３受光期間は、前記反射光が前記固体撮像装置に到達してから該反射光の強度が最大になるまでの時間を含み、前記第２受光期間及び前記第４受光期間は、前記固体撮像装置に到達する前記反射光の強度が減少してから該反射光の前記固体撮像装置への到達が終了するまでの時間を含む。 （もっと読む）

【課題】信号配線、ゲート配線の寄生容量を低下させ、感度の向上、ノイズの減少を図る放射線検出装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に配置されたスイッチ素子と、スイッチ素子上に配置された放射線を電荷に変換する変換素子とを含み、スイッチ素子と変換素子とは接続されている画素を有し、画素は絶縁基板上に行列に二次元配列され、絶縁基板上に配置された行方向に配列された複数のスイッチ素子が共通に接続されるゲート配線と、列方向に配列された複数のスイッチ素子が共通に接続される信号配線と、を有し、スイッチ素子と変換素子の間に複数の絶縁層が配置され、ゲート配線又は信号配線の少なくとも一方が、複数の絶縁層に挟まれて配置されている。 （もっと読む）

【課題】不要なノイズ成分の発生を抑制し、高精度な距離検出を行なうことが可能な距離センサ及び距離画像センサを提供すること。
【解決手段】距離画像センサ１は、光入射面１ＢＫと表面１ＦＴとを有する半導体基板１Ａ、電極ＴＸ１，ＴＸ２、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２、及び半導体領域ＳＲ１を備える。半導体基板１Ａには、入射光に応じて電荷が発生する光感応領域が表面１ＦＴ側に設けられている。半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、光感応領域にて発生した電荷を蓄積する。電極ＴＸ１，ＴＸ２は、光感応領域にて発生した電荷を半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２に転送する。半導体領域ＳＲ１は、半導体基板１Ａにおける半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と光入射面１ＢＫとの間に位置すると共に、光入射面１ＢＫに直交する方向から見て、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２を覆うように形成されており、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と逆の導電型である。 （もっと読む）

【課題】チップサイズ・パッケージを持ち、容易に製造することができる固体イメージセンサである。
【解決手段】受光素子層（２０）の半導体基板（２１）に複数の画素領域に対応して素子形成領域を形成し、それら素子形成領域内に半導体受光素子（ＰＤ）を形成して、透光性絶縁膜（２５ａ）、（２５ｂ）、（２６）で覆う。絶縁膜（２６）上に、複数のマイクロレンズ（４３）を内蔵した光導入用キャビティ（４２）と、それを閉鎖する石英キャップ（５１）を持つ光導入層（４０）を形成する。半導体受光素子（ＰＤ）の出力電気信号は、半導体基板（２１）の埋込配線を介してその底面に取り出し、出力層（１０）またはインターポーザ（１０Ａ）を介して固体イメージセンサの外部に取り出す。 （もっと読む）