【課題】無集光領域の縮小さらには解消を図る。
【解決手段】半導体基板上にマイクロレンズとするための樹脂層を形成し、樹脂層の上にフォトレジスト層を形成した後、同フォトレジスト層をフォトリソグラフィーによってパターンニングして、マトリクス状に相互に近接配置された平面視矩形の多数のフォトレジストパターンを形成する。ここで、フォトリソグラフィーに用いるマスクとしては、各フォトレジストパターンにそれぞれ対応する各マスクパターン１６が、各角部１８に、対角線方向で外側に延出するサブアイランドパターン２０を備えたマスク１４を用いる。その後、フォトレジストパターンを熱溶融させて凸面状の転写用マイクロレンズパターンとし、全面ドライエッチングを行って、転写用マイクロレンズパターンを転写してマイクロレンズを形成する。 （もっと読む）

【課題】異なる機能を有する素子を積層して形成した半導体装置、又は固体撮像装置において、上下の素子間にシールド層を容易に形成することができる製製造方法を提供する。また、これにより、上下の素子間に発生する電磁波の影響やクロストークの影響を低減された半導体装置又は固体撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像素子２２は、第１の半導体基板２７と、第１配線層３０と、該第１配線層３０上部に形成された第１金属層３１とを備え、第１の半導体基板２７の裏面側が受光面とされた画素領域が形成されている。ロジック素子２６は、第２の半導体基板４５と、第２配線層４８と、該第２配線層４８上部に形成された第２金属層３２とを備え、画素領域で得られた画素信号を処理する信号処理回路が形成されている。これらの撮像素子２２及びロジック素子２６は、第１金属層３１と第２金属層３２とが接合されるように、互いに積層されている。 （もっと読む）

【課題】十分な感度と耐熱性が得られ、高速応答性を示す光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、前記一対の電極に挟持された光電変換層を有する光電変換素子であって、該光電変換層が少なくとも１つの有機材料を含み、
該一対の電極の一方の電極と、該光電変換層との間に少なくとも１層の電子ブロッキング層を備え、該電子ブロッキング層の少なくとも１層が、フラーレン又はフラーレン誘導体を含む混合層である光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の低減と、フォトダイオードの開口率を向上させることができる光電変換装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体からなる領域１０２を有する隣接する一対のフォトダイオードの間に設けられた第２導電型の半導体からなるチャネルストップ層１０５と、前記チャネルストップ層１０５の上に設けられた素子分離用絶縁膜１０３と、前記フォトダイオードの表面に設けられ前記素子分離用絶縁膜より薄い絶縁膜１０４と、を有する光電変換装置において、前記フォトダイオードと前記絶縁膜１０４との界面と、前記チャネルストップ層１０５と前記素子分離用絶縁膜１０３との界面が、同一レベルの平面上にあり、前記第１導電型の半導体領域１０２と前記チャネルストップ層１０５とが互いに接している。 （もっと読む）

【課題】斜め入射光が遮光用導電層で遮光されることによる感度低下を低減でき、ワイヤボンディング耐性の劣化を抑制でき、固体撮像装置の厚みが大きくなることを抑制できる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、イメージ領域ＩＡとパッド配置領域ＰＡとを有する固体撮像装置であって、主表面ＭＳを有する半導体基板ＳＢと、イメージ領域ＩＡ内において半導体基板の主表面ＭＳに形成されたフォトダイオードＰＤと、主表面ＭＳ上に形成されており、イメージ領域ＩＡ内において上面に溝ＴＨを有する層間絶縁膜ＩＬ４と、溝ＴＨ内を埋め込むように形成された遮光用導電層ＳＨＬと、イメージ領域ＩＡの外であってパッド配置領域内ＰＡにおいて層間絶縁膜ＩＬ４の上面に接して形成されたパッド用導電層ＰＡＤとを備えている （もっと読む）

【課題】撮像素子をプリント配線基板にフリップチップ実装する場合において、撮像素子とプリント配線基板との接着部分における剥離を抑制することができる撮像モジュールを提供する。
【解決手段】光を受光して電気信号を発生する受光部２ａが表面に形成され、該表面の周縁部に複数の突起電極が設けられると共に、上記表面の周縁部よりも内周側に有機膜２３が設けられた固体撮像素子２と、該固体撮像素子２と対向して配置され、受光部２ａと対向する領域に形成された開口部３ａを有し、上記複数の突起電極とそれぞれ接続する複数の電極パッドが設けられたプリント配線基板３と、上記有機膜２３が設けられた領域よりも外周側で上記周縁部とプリント配線基板との間に介在し、固体撮像素子２とプリント配線基板３とを固着する接着剤４とを備える。 （もっと読む）

【課題】導波路構造を有しシェーディングが抑制された固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】各マイクロレンズ１２の中心位置と各カラーフィルタ１０の中心位置と各導波路１５の入口中心位置と遮光層６の各開口部の中心位置とを、対応する受光素子３の中心よりも有効撮像領域の中央部方向にシフトさせるシフト量を、カメラレンズの射出瞳中心から各マイクロレンズの中心位置に入射した主光線が、境界両側の材質の屈折率の違いに対応して屈折し受光素子の中心に至る光路をとるものと想定して求められる前記光線の光路上の位置と、受光素子の中心に対応する位置との差から得られる想定シフト量に、収差補正係数ａ1を乗じた値と収差補正係数ａ2を乗じた値を求め、収差補正係数ａ1と前記収差補正係数ａ2を０．３９〜１．２６の範囲内で、ａ1＜ａ2の関係とする。 （もっと読む）

【課題】オンチップレンズが精度良く形成され、組み立て時における歩留まりの向上が図られた固体撮像装置を提供する。さらに、その固体撮像装置を用いた電気機器を提供する。
【解決手段】裏面照射型の固体撮像装置において、基板１２の表面側の配線層１３に形成された表面電極パッド部１５を基板の裏面側に引き出す際、基板１２の表面側に、オンチップレンズ層２１を形成した後、表面電極パッド部１５が露出する貫通孔２２を形成する。そして、オンチップレンズ層２１上に裏面電極パッド部２４を形成すると共に、貫通孔内に裏面電極パッド部２４と表面電極パッド部１５を接続する貫通電極層２３を形成する。その後、オンチップレンズ層２１表面に、凸形状を形成することでオンチップレンズ２１ａを形成する。これにより、オンチップレンズ層２１の塗布ムラや、裏面電極パッド部２４形成時の飛散メタルによる欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】プロセスバラつきが低減され、白点の発生が低減された固体撮像装置を提供することを目的とする。さらに、その固体撮像装置を用いた電気機器を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１２を貫通する貫通孔３１に、ゲート絶縁膜２４を介して縦型ゲート電極２８が形成された固体撮像装置において、基板１２裏面側の貫通孔３１端部のゲート絶縁膜２４を所望の深さまで積極的に除去し、その代替として負の固定電荷を有する膜からなる電荷固定膜１７を形成する。電荷固定膜１７により、貫通孔３１の形成時に、貫通孔３１底部側で発生した欠陥に起因する異常キャリアを吸収することができるので、白点の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置のオンチップマイクロレンズの表面反射に起因したゴーストの発生を低減し、感度特性の向上を図る。
【解決手段】半導体基板１２に形成され光電変換部ＰＤと該光電変換部の信号電荷を読み出す手段からなる複数の画素と、画素上のカラーフィルタ２６と、有機膜によるオンチップマイクロレンズ２７を]有する。さらに、オンチップマイクロレンズ２７の表面上に、オンチップマイクロレンズより屈折率の高い第１の無機膜３１と、その上のオンチップマイクロレンズ及び第１の無機膜より屈折率の低い第２の無機膜とからなる反射防止膜３３が形成される。少なくとも第２の無機膜３２は、隣り合う第２の無機膜の境界に非レンズ領域を存在させない状態で形成される。 （もっと読む）

【課題】少なくとも暗電流の抑制を図ることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】基板の第１面側に配線層を有し、基板の第２面側から光を受光する固体撮像装置であって、基板に形成された受光部と、基板の第２面側に形成された第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の前記基板と反対側の面に形成された第２の絶縁膜とを備える。第１の絶縁膜は、ハフニウム、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、チタン、イットリウム、及び、ランタノイドから選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む酸化物絶縁膜からなる。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型の固体撮像装置において、隣接画素間の混色（クロストーク）を抑制することを目的とする。
【解決手段】複数の画素を配列してなり、画素毎に撮像信号を生成する撮像領域と、該画素を構成する回路素子を駆動する駆動回路とを備えた固体撮像装置１００において、画素は、半導体基板１０１の裏面側領域に形成され、入射光を光電変換する光電変換部１０２と、該半導体基板の表面側に形成され、該入射光の光電変換により得られた光電変換信号を該光電変換部から該撮像信号として読み出す信号処理回路とを有し、該半導体基板の裏面上の隣接する画素の境界部分に、光反射性部材からなる隆起部１１２が選択的に形成され、該半導体基板の裏面上に絶縁膜１１３ａが、該隆起部による段差が反映されて、該入射光を該光電変換部に集光する凹レンズが形成されるよう形成されている。 （もっと読む）

【課題】不良有効画素の特定がより容易である半導体装置を提供する。
【解決手段】主表面を有する半導体基板ＳＵＢと、半導体基板ＳＵＢ内に、平面視において主表面に沿った方向に互いに間隔を隔ててアレイ状に配置された光電変換素子ＰＤと、光電変換素子ＰＤ上に、平面視における光電変換素子ＰＤの座標を示す座標表示マークＡＤＭと、平面視において光電変換素子ＰＤが配置される領域と重なる位置に形成される遮光メタル層ＳＭＬとを備える。上記座標表示マークＡＤＭは、平面視において前記遮光メタル層ＳＭＬの内部に配置される。 （もっと読む）

【課題】安定したボンディングが可能な電極パッドが形成された固体撮像装置、及びその製造方法を提供する。また、その固体撮像装置を用いた、電子機器を提供する。
【解決手段】基板１２の表面側に形成された配線層１３に下地電極パッド部２４を形成し、基板１２の裏面側から表面側にかけて、下地電極パッド部２４に達する開口部２３を形成する。そしてこの開口部２３に、埋め込み電極パッド層２１を形成する。そして、埋め込み電極パッド層２１表面を外部端子との接続に用いる。開口部２３内が埋め込み電極パッド層２１に埋め込まれるので、基板１２の裏面側で、開口部２３による段差が低減される。また、埋め込み電極パッド層２１表面が外部端子との接続に用いられるため、外部端子とのボンディングが容易となる。 （もっと読む）

【課題】放射線の照射により発生するラグを放射線検出素子内から速やかに除去することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、検出部Ｐ上に二次元状に配列された複数の放射線検出素子７と、各放射線検出素子７にバイアス電圧Ｖbiasを印加するバイアス電源１４と、少なくともバイアス電源１４から各放射線検出素子７に印加するバイアス電圧Ｖbiasを制御する制御手段２２を備え、制御手段２２は、各放射線検出素子７のリセット処理の際に各放射線検出素子７に印加するバイアス電圧Ｖbiasを、少なくとも各放射線検出素子７から画像データＤを読み出す画像データＤの読み出し処理の際に各放射線検出素子７に印加するバイアス電圧Ｖbias_０よりも低い電圧に可変させる。 （もっと読む）

【課題】 更なる小画素ピッチ化及び多画素化が求められる検出装置、特に、積層型の検出装置において、信号線容量の更なる低減による低ノイズ化及び駆動線の時定数の更なる低減による高速駆動化が可能な検出装置を提供する。
【解決手段】 放射線又は光を電荷に変換する変換素子１０４と、スイッチ素子１０５と、を含み、行方向及び列方向に配列された複数の画素１０２と、行方向の複数のスイッチ素子１０５に接続された駆動線１０７と、列方向の複数のスイッチ素子１０５に接続された信号線１０８と、を有し、変換素子１０４がスイッチ素子１０５の上方に配置された検出装置であって、信号線１０８は、変換素子１０４の下方に配置されたスイッチ素子の主電極の最上位表面１０５よりも下方に配置された駆動線１０７の最上位表面よりも下層の絶縁部材に埋め込んで形成された導電層２０２からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置の信頼性の向上、製造効率の向上を実現する。
【解決手段】反射防止膜１５０などの被覆膜の上面において、パッド電極１１１Ｐの接続面の部分が開口し、その接続面以外の部分を被覆するように、レジストパターンＲＰを形成する。レジストパターンＲＰをマスクとして用いると共に、カーボン系無機膜３００をエッチングストッパー膜として用いて、その被覆膜についてエッチング処理を実施し、カーボン系無機膜３００の上面にて接続面に対応する面を露出させる。レジストパターンＲＰとカーボン系無機膜３００にて接続面に対応する部分とについてアッシング処理を実施し、両者を同時に除去する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子に適用した場合に光電変換素子として機能し、高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示し、かつ蒸着時に分解が起こらない化合物を提供すること。
【解決手段】紫外可視吸収スペクトルにおいて４００ｎｍ以上７２０ｎｍ未満に吸収極大を有し、その吸収極大波長のモル吸光係数が１００００ｍｏｌ^-1・ｌ・ｃｍ^-1以上で、融点と蒸着温度の差（融点−蒸着温度）の差が３１℃以上である特定構造の化合物。 （もっと読む）

【課題】ワイヤグリッド型偏光子技術に基づく、構成、構造が簡素な偏光素子を備えた固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、光電変換素子６１、及び、光電変換素子６１の光入射側に設けられた偏光素子７０を備えた固体撮像素子４１を複数、有し、偏光方位が異なる２種類以上の偏光素子７０を備え、各偏光素子は、光電変換素子側から、ストライプ状の反射層７１、反射層７１上に形成された絶縁層７２、及び、絶縁層７２上に離間された状態で形成された複数の断片７３’から成る光吸収層７３の積層構造を有する。 （もっと読む）

【課題】開口率を低下させることなく広ダイナミックレンジを実現することができ、高照度下においても撮像可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２０の表面に形成された画素部が二次元状に配列された撮像領域２Ａを有する固体撮像装置であって、撮像領域２Ａは、２行２列の画素部からなる画素ブロックを配列単位として構成され、当該画素ブロックは赤色信号を検出する赤色画素１１Ｒと、青色信号を検出する青色画素１１Ｂと、第１の輝度信号を検出する白色画素１１Ｗ１と、第２の輝度信号を検出する白色画素１１Ｗ２とで構成されており、白色画素１１Ｗ２の受光面上部には、可視光線領域の光透過率を低減させる光減衰フィルタが設けられている。 （もっと読む）