説明

Fターム[4M118CA32]の内容

固体撮像素子 (108,909) | 受光部構造 (13,175) | 保護構造 (2,346) | 保護膜 (2,225)

Fターム[4M118CA32]の下位に属するFターム

Fターム[4M118CA32]に分類される特許

161 - 180 / 1,754


【課題】半導体チップ全体の厚みを抑制しつつ、トランジスタからのホットキャリアによる発光の悪影響を抑制し、かつ工程数の削減を可能にした固体撮像装置を提供する。
【解決手段】2つ以上の半導体チップ部22、26が接合され、少なくとも第1の半導体チップ部22に画素アレイと多層配線層37が形成され、第2の半導体チップ部26にロジック回路と多層配線層59が形成される。両多層配線層37、59が向かい合って電気的に接続されて接合される。第1及び第2の半導体チップ部22、26の接合付近に、一方又は双方の接続される配線と同じ層の導電膜により形成された遮光層68が形成される。裏面照射型に構成される。 (もっと読む)


【課題】波長が0.7μmから3μm程度までの近赤外〜赤外域に、高感度で、高品位の受光信号を得ることができる受光装置等を提供する。
【解決手段】InP基板1の裏面において、画素に対応する領域ごとに位置するマイクロレンズ21を備え、マイクロレンズが、波長0.7μm〜3μmの光に対する透過率のレンジが25%以下で、かつ該透過率が70%以上である樹脂材料で形成されている。 (もっと読む)


【課題】画素部の周辺回路におけるトランジスタ特性の劣化を抑制することが可能な放射線撮像装置および放射線撮像表示システムを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置1は、基板11上に、フォトダイオードを有する画素部10Aと、基板11上の画素部10Aの周辺領域に配設され、画素部10Aを駆動する回路部10Bと、画素部10A上に設けられ、放射線の波長をフォトダイオードの感度域の波長に変換するシンチレータ層22とを備える。回路部10Bは、シンチレータ層22の端部22aに非対向の領域に設けられている。シンチレータ層22の端部22aから水分が侵入してイオン化が生じた場合であっても、回路部10Bにおけるトランジスタ(特にDC駆動される領域のトランジスタ)において、上記イオン化による固定電荷の蓄積が抑制される。 (もっと読む)


【課題】画素トランジスタにおける被曝量を軽減することが可能な放射線撮像装置を提供する。
【解決手段】放射線撮像装置1は、画素部12において、第1基板11上に、画素トランジスタおよびフォトダイオードを含む光電変換部111、絶縁膜112、保護膜113、第2基板114、レンズアレイ115、平坦化膜116およびシンチレータ層117がこの順に設けられている。放射線は、シンチレータ層117において波長変換された後、第2基板114を透過して第1基板11に設けられた光電変換部111へ到達する。波長変換後の光が、フォトダイオードにおいて受光され、その受光量に対応する電気信号が取得される。第2基板114が放射線遮蔽機能を有することにより、波長変換されずにシンチレータ層117を透過した放射線が第1基板11へ到達しにくくなる。 (もっと読む)


【課題】各受光素子の出力信号のゲインを調整しつつ、コストが嵩むことが抑制された光センサを提供する。
【解決手段】受光量に応じた電荷を蓄積する複数の受光素子と、全ての受光素子それぞれの受光面に入射する光の入射角度が異なるように、光の入射角度を規定する規定部と、全ての受光素子それぞれと共通して電気的に接続された共通配線と、対応する受光素子と共通配線との間に設けられた転送スイッチと、各受光素子に対して設けられ、受光素子に蓄積された電荷をリセットするリセット部と、転送スイッチの開閉、及び、リセット部の駆動を制御する制御部と、を有し、制御部が、転送スイッチの開閉とリセット部の駆動を調整することで、各受光素子から共通配線に出力される電荷の量を調整する。 (もっと読む)


【課題】センサ基板と回路基板とを電極間で張り合わせてなる構成において電極間の接合面積を確保することが可能な3次元構造の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換部21が配列形成されたセンサ基板2と、光電変換部21を駆動する回路が形成されセンサ基板2に対して積層された回路基板7と、センサ基板2における回路基板7側の界面に引き出されたセンサ側電極45と、回路基板7におけるセンサ基板2側の界面に引き出された回路側電極65とを備え、センサ側電極45と回路側電極65とは、凹型電極に凸型電極を嵌め合わせた状態で接合されていることを特徴とする固体撮像素子1である。 (もっと読む)


【課題】光電変換部とは反対側の面に配線を設けた構成においてノイズの発生を防止して画像品質の向上を図ることが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】配線層21と、配線層21上に設けられた半導体層31からなる電荷蓄積部35と、半導体層31上に設けられた光電変換膜41とを備え、電荷蓄積部35における光電変換膜41との界面には、電荷蓄積部35とは逆導電型の第2ピニング層P2が一部を開口して設けられた固体撮像素子1a。 (もっと読む)


【課題】放射線の検出感度を維持しつつ、電線と電極部との剥離を抑制できる。
【解決手段】検出可能領域上に充填される第1充填材444は、原子番号9以下の元素で構成されているので、原子番号9を超える元素で構成される場合に比して、放射線の透過性がよい。このため、検出可能領域において、放射線の検出感度が維持できる。また、バイアス電極401と電線とが接続される接続部は、弾性を有する第2充填材445が充填されているため、硬化性を有する充填材に比して、延長電極部431と高電圧線432との密着性が保て、高電圧線432と延長電極部431との剥離を抑制できる。このように、本実施形態では、延長電極部431と高電圧線432とが接続される接続部と検出可能領域とで充填材を使い分けることにより、放射線の検出感度を維持しつつ、高電圧線432と電極部との剥離を抑制する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、固体撮像デバイスを用いた映像センサの実装工程において、映像センサの受光部側に、表面保護用粘着テープを貼り合せた状態で、170℃以上に加熱することで映像センサの端子部を基板側と半田接続リフロー後に粘着テープを剥がした後の受光部表面において、テープを貼り合せていた部分の外周部の糊残りを大幅に低減させる。
【解決手段】固体撮像デバイスを用いた映像センサの実装工程において、映像センサの受光部側に用いる表面保護用粘着テープであって、基材と粘着剤層からなる粘着テープにおける粘着テープの切断端部の糊バリが粘着剤層表面からの高さが3μm以下であることを特徴とする表面保護用粘着テープとする。 (もっと読む)


【課題】イメージセンサの対応する画素同士のアライメントを正確に行うことができるイメージセンシング装置を得る。
【解決手段】光信号を受光して信号を出力する複数個の受光素子と、受光素子の面上に複数積層された光学層とを含むイメージセンシング装置において、複数積層された光学層は、それぞれ異なる光学的機能を有している。 (もっと読む)


【課題】メモリ効果による課題、遅延効果による課題、およびスイッチングノイズによる課題を解決することができる固体撮像装置、および固体撮像装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】制御部6は、読出用スイッチSWを接続状態とすることによりフォトダイオードPDの電荷を積分回路Sに出力させたのち、読出用スイッチSWを非接続状態とする。その後、積分回路Sから保持回路Hへ電圧値を出力させる。上記した出力動作を実施した後に、積分用容量素子C21に保持された電荷を放電させるとともに、読出用スイッチSWを接続状態にしてフォトダイオードPDに保持された電荷を放電させる動作、および保持回路Hに保持された電圧値を順次に出力させる動作を並行して実施する。 (もっと読む)


【課題】被曝量による閾値電圧のシフトを抑制するが可能なトランジスタを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置1は、フォトダイオードとトランジスタ111Bとを含む光電変換層を有する。トランジスタ111Bは、基板11上に、第1ゲート電極120A、第1ゲート絶縁膜129、半導体層126、第2ゲート絶縁膜130および第2ゲート電極120Bをこの順に有し、第1ゲート絶縁膜129および第2ゲート絶縁膜130におけるSiO2膜の総和が65nm以下となっている。トランジスタが被曝すると、ゲート絶縁膜におけるSiO2膜に正孔がチャージされ、閾値電圧がシフトし易くなるが、上記のようなSiO2膜厚の最適化により、閾値電圧シフトが効果的に抑制される。 (もっと読む)


【課題】光導波路の形成による暗電流等のノイズ成分の増加を抑制することである。
【解決手段】光導波路を有する撮像装置の製造方法において、光電変換素子2上に高屈折率領域3を形成した後に、高屈折率領域3を埋め込む絶縁層4を形成する。 (もっと読む)


【課題】製造工程数の増大、ボイドによる感度低下、及び光利用効率の低下を防ぐことが可能な固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板1内に形成された光電変換部(PD)2と、PD2の上方に形成されたカラーフィルタ7と、カラーフィルタ7上方に形成されたマイクロレンズ8と、マイクロレンズ8とPD2との間に形成され、マイクロレンズ8で集光された光をPD2に導く光導波部9とを有する画素部を複数有する固体撮像素子の製造方法であって、光導波部9を形成する工程は、基板1上方に、PD2上方に凹部5Kを有する絶縁膜5を形成する第一の工程と、絶縁膜5上に、絶縁膜5よりも屈折率が高くかつPD2上方に凹部5K内にまで達する凹部6Kを有する高屈折率材料膜6を形成する第二の工程と、高屈折率材料膜6上に、高屈折率材料膜6よりも屈折率が低くかつ凹部6Kを埋めるカラーフィルタ7を形成する第三の工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】ワイヤグリッド偏光子を備えた信頼性に優れる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換部が形成された光電変換素子を準備する工程と、光電変換素子の表面に絶縁層26を形成する工程とを有する。また、支持基体34上にワイヤグリッド偏光子30を形成する工程を有する。そして、光電変換素子表面の絶縁層26上に、支持基体34のワイヤグリッド偏光子30形成面を接合する工程と、ワイヤグリッド偏光子30から支持基体34を除去する工程とにより、固体撮像装置を製造する。 (もっと読む)


【課題】複数画素共有の互いに寄った受光部を持つ固体撮像素子において、受光感度およびシェーディングをより改善する。
【解決手段】マイクロレンズ14と受光部3との間の層間絶縁膜9に光導波路を構成する断面平行四辺形状のライトパイプ10が形成され、ライトパイプ10は、下端面が受光部3の上方位置で平面視で受光部3の中央部を含むように開口し、上端面がマイクロレンズ14の下方位置で平面視でマイクロレンズ14の中央部を含むように開口して、上下の各端面領域が平面視で互いに領域がずれて異なっている。 (もっと読む)


【課題】 撮像素子のマイクロレンズの集光位置をより好ましく調整する。
【解決手段】 撮像素子モジュールは、複数の画素と、各々の画素上に配置されたマイクロレンズと、マイクロレンズの位置を光軸方向に調整するレンズ調整部とを備える。 (もっと読む)


【課題】デバイスのカラー信号処理を新たなカラーフィルタ配列に対応するように変更せず、色ノイズを減らして色再現性の向上を図る。
【解決手段】ベイヤ色配列の緑(G)色層の膜厚を薄くすると共に短波長側に広がって急峻で堀が深い分光特性を持つ緑(G)色層とし、その薄くした緑(G1)色層上に膜厚の薄い黄(Y1)色層を重ねて新たに加えることにより、緑(G)色層の緑(G)の分光特性がCIE色度図上でy軸値が0.45以上0.60以下になっている。 (もっと読む)


【課題】縦方向と横方向の曲率に対して最適なレンズ形状とすることにより、平面視で縦方向と横方向の長さが異なる照射対象に対しても中央部分に確実に集光させて集光効率を向上させる。
【解決手段】平坦化膜上に感光性レジスト膜を成膜する感光性レジスト膜成膜工程と、透過率階調マスクを用いて照射光量を平面的に制御して、感光性レジスト膜をレンズ形状に形成するレンズ形状形成工程とを有し、レンズ形状を、マイクロレンズ37として、平面視縦方向および横方向のうちの少なくともいずれかの方向に端部同士が重なりを有したアレイ状に形成する。平面視外形が円形のレンズ形状から、縦方向および横方向の少なくともいずれかの方向に重なりを有したアレイ状に形成する。 (もっと読む)


【課題】画素毎のバンプが増加してもフリップチップボンディングを適切に行うことができる赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】複数の画素が配列した赤外線イメージセンサ100と、赤外線イメージセンサ100から信号を読み出す読み出し回路300と、赤外線イメージセンサ100と読み出し回路300との間に設けられた中継部材200と、が設けられている。複数の画素の各々には、互いに相違する波長の赤外線を吸収する複数の吸収層106、110と、複数の吸収層にバイアスを印加するバイアスバンプ159と、複数の吸収層毎に設けられた出力バンプ157、158と、が設けられている。出力バンプは、読み出し回路に設けられた入力バンプ302、303に接続され、バイアスバンプは、読み出し回路に設けられたバイアス供給バンプ304に、中継部材に設けられた中継配線207を介して接続されている。 (もっと読む)


161 - 180 / 1,754