【課題】各画素の受光部に対応して設けられるレンズ同士の境界部分に遮光部を設けるに際し、遮光部をセルフアラインで形成することができ、レンズと遮光部とのパターン合わせ精度を向上することができ、微細化や画素数の増大に容易に対応することができる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本開示の固体撮像素子の製造方法は、半導体基板上の撮像領域に配列される複数の画素の各画素の前記受光部に対応して設けられ、前記受光部に対して光を集光するレンズを形成する工程と、前記レンズ上に、遮光性を有する材料により成膜することで、遮光層を形成する工程と、互いに隣り合う前記レンズの境界部分に前記遮光性を有する材料を残すように前記遮光層をエッチングすることで、前記レンズの境界部分に、前記遮光性を有する材料からなる遮光部を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】撮影によって得られた放射線画像の画像ムラの発生を抑制することのできる放射線検出器、放射線画像撮影装置、放射線画像撮影システムおよび配線容量調整方法を得る。
【解決手段】複数の信号配線３の少なくとも１つに接続された調整素子（コンデンサ５）により、当該複数の信号配線３の各々の配線容量の差が小さくなるように調整する。 （もっと読む）

【課題】 変換素子の不純物半導体層への有機材料の混入を低減し、且つ、変換素子の電極の剥離を低減し得る検出装置を提供する。
【解決手段】 複数の画素１１を基板１００の上に有し、画素１１が、スイッチ素子１３と、スイッチ素子１３の上に配置され画素毎に分離されスイッチ素子１３と接合された透明導電性酸化物からなる電極１２２の上に設けられた不純物半導体層１２３を含む変換素子１２と、を有し、複数のスイッチ素子１３を覆うように複数のスイッチ素子１３と複数の電極１２２との間に設けられた有機材料からなる層間絶縁層１２０を有する検出装置の製造方法であって、層間絶縁層１２０に接する複数の電極１２２の間において層間絶縁層１２０を覆うように配置された無機材料からなる絶縁部材１２１を形成する工程と、絶縁部材１２１と複数の電極１２２とを覆うように不純物半導体膜１２３’を成膜する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子に設けるマイクロレンズの高透過率化を目的としてマイクロレンズ表面に形成する反射防止膜に、クラックによる欠陥が発生しない、高感度の固体撮像素子の構造を提供すること。
【解決手段】半導体基板２上に複数の光電変換素子３を平面配置した固体撮像素子画素部の受光面側に、光電変換素子の各々に１対１に対応してマイクロレンズ７を受光有効領域Ａに備えた固体撮像素子１において、受光有効領域に隣接する周辺領域Ｂに、受光有効領域を取り囲むように複数の凸状体７２をマイクロレンズと同一の材料で設け、マイクロレンズと凸状体の表面を均一に覆う反射防止膜８を形成した。 （もっと読む）

【課題】画素間に遮光パターンを有する色再現性の良好なカラー固体撮像素子に使用するための画素剥がれのない良好な形状のオンチップカラーフィルタを提供すること。
【解決手段】半導体基板上に複数の光電変換素子を平面配置した固体撮像素子画素部の受光面側表面に、遮光パターンと複数色の着色透明パターンとを色別に順次平面配置するカラーフィルタ形成工程において、初期遮光パターンを、着色透明パターンの１色目の画素部になる箇所が開口部となるように黒色材料により形成する工程、１色目の着色透明材料を塗布して硬化する工程、１色目の画素部になる箇所を全て含む領域を選択的に覆うようにエッチングレジストパターンを形成する工程、エッチングレジストパターンの開口部に露出する１色目の着色透明材料とその下層の黒色材料とを除去する工程、を含む各工程を順に実施する。 （もっと読む）

【課題】後の工程で形成される光電変換層を広く形成することができ、センサの受光面積（開口率）を上げることができる、インテリジェント化された新規な半導体装置を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】イメージセンサは、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有するトランジスタを有し、トランジスタの上方に絶縁膜を有し、絶縁膜の上方にフォトダイオードを有する。トランジスタはフォトダイオードと重なる位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】光電変換層に対して位置合わせずれの小さい色フィルタを備えた固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０内に形成され、入射光を電気信号に変換する光電変換層１５と、半導体基板１０の表面に形成され、光電変換層１５から出力された電気信号を処理する回路と、半導体基板１０の裏面に光電変換層１５に対応するように配置された赤、緑、青フィルタ２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂとを備える。赤フィルタ２３Ｒは、半導体基板１０を通過する光を透過する。半導体基板１０の裏面に対して垂直な断面において、赤フィルタ２３Ｒの下面の長さはその上面の長さより長く、緑フィルタ２３Ｇの下面の長さはその上面の長さより短い。 （もっと読む）

【課題】 １画素内に構成される複数の光電変換部を感度を持たない領域により分離した場合に、該領域による画素の感度低下や、入射角特性の劣化を低減すること。
【解決手段】 撮像素子（１０３）は、複数の画素を有し、前記複数の画素の内の少なくとも一部の画素が、それぞれ、複数の光電変換部（４０２ａ、４０２ｂ）と、マイクロレンズ（４４２）と、複数の光電変換部と前記マイクロレンズとの間に形成され、複数の光電変換部にそれぞれ対応するように一体的に構成された複数の層内レンズ（４４５ａ、４４５ｂ）とを有し、複数の層内レンズは、複数の層内レンズへの入射光を、それぞれ対応する複数の光電変換部に入射させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光導波路の材料とそれを取り囲む絶縁膜との間に作用する熱応力により、プロセス欠陥が生じうる。
【解決手段】光導波路の材料を堆積させる工程と、堆積された前記材料に光または放射線を照射することによって前記材料をアニールするアニール工程により、前記堆積工程および前記アニール工程を経て前記光電変換部に光を導く光導波路を形成する。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサのカラーフィルターの膜厚のばらつきを低減する。
【解決手段】イメージセンサ構造体は、シリコン基板５１上に配列で形成された複数のイメージセンサと、複数のイメージセンサをダイシングして分離するときに切断される、隣り合うイメージセンサの間のスクライブラインと、から構成される。複数のイメージセンサのそれぞれは、シリコン基板５１上に形成された拡散層５２から構成される複数の光電変換素子と、複数の光電変換素子を囲んで、イメージセンサそれぞれの外周に沿って導体で形成されたガード配線８１と、を備える。そして、スクライブライン部５３に、ガード配線８１と同一のプロセスで同層に形成されたダミー配線８２が形成される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程におい
て、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。酸素ドープ処
理されたゲート絶縁膜、熱処理による脱水化または脱水素化処理された酸化物半導体膜を
有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジ
スタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることが
できる。 （もっと読む）

【課題】 遮光膜を有する固体撮像装置の光学特性を維持しつつ、歩留まりを向上させる製造方法を提供すること。
【解決手段】 画素部と周辺回路部とを有する固体撮像装置の製造方法であって、画素部と周辺回路部に第１の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜を形成する工程と、光電変換部の第２の絶縁膜をエッチングする工程とを有する。そして、固体撮像装置の製造方法は、光電変換部のエッチングされた第２の絶縁膜と周辺回路部の第２の絶縁膜の上に金属膜を形成する工程と、周辺回路部の金属膜を除去し光電変換部に金属膜から遮光膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 高い遮光性能を有する遮光膜を有する固体撮像装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 光電変換部と、電荷保持部と、複数のトランジスタと、を含む画素を有する固体撮像装置において、光電変換部と、電荷保持部と、複数のトランジスタとの上部に配される第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の開口に配され、複数のトランジスタのソースあるいはドレインに配置された導電体と、第１の絶縁膜に配され、電荷保持部の上に配された遮光膜を有する。 （もっと読む）

【課題】 焦点検出の精度を向上させる。
【解決手段】 それぞれが光電変換素子を含む複数の焦点検出用の画素と、光電変換素子で生じた信号を読み出すための複数の配線層とを有する光電変換装置は、複数の配線層の最下層の配線層の下面に比べて、光電変換素子の受光面を含み受光面に平行な面に近接した下面を有し、光電変換素子の一部の上を覆う遮光膜を含む。 （もっと読む）

【課題】 遮光性能を向上させた電荷保持部を有する固体撮像装置、及びそれを用いた撮像システムを提供する。
【解決手段】 半導体基板に配された光電変換部と、電荷保持部と、フローティングディフュージョン部と、半導体基板上に配され、光電変換部と電荷保持部との間に配された第１のゲート電極と、半導体基板上に配され、電荷保持部とフローティングディフュージョン部との間に配された第２のゲート電極と、を有する固体撮像装置において、電荷保持部の上と、少なくとも第１のゲート電極と第２のゲート電極のいずれかの上に配された第１の部分と、第１のゲート電極と第２のゲート電極との間に配され、前記半導体基板の表面側に前記第１部分から延在した第２の部分とによって構成される遮光部を有する。 （もっと読む）

【課題】結露に起因する画質低下を抑制することが可能な放射線撮像装置および放射線撮像表示システムを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置は、光電変換素子を有するセンサー基板１０と、センサー基板上に設けられた非イオン性層２０と、非イオン性層上に設けられると共に、放射線の波長を光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換部材３０とを備える。入射した放射線は、波長変換部材を通過後、光電変換素子１１１Ａにおいて受光され、その受光量に対応する電気信号（画像情報）が得られる。波長変換部材とセンサー基板１０との間に、結露によって水が溜まると、水に含まれるイオン成分と光電変換素子（光電変換素子の電極等）とのカップリングが生じ、暗電流が増加することがあるが、非イオン性層２０が設けられていることにより、そのようなカップリングが抑制され、暗電流が生じにくい。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドおよびシールド構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体装置の正面と背面に対応する正面と背面を有する装置基板と、装置基板の正面上に形成される金属層部と、半導体装置の背面に設置され、金属層部と電気的に接続するボンディングパッドと、装置基板の背面上に設置されるシールド構造と、を含み、シールド構造とボンディングパッドは異なる厚さを有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ型撮像素子の受光効率を確保しつつ、転送電極からの光の透過の影響を小さくして精度良く焦点検出が可能な撮像素子を提供する。
【解決手段】撮影レンズからの光を光電変換して被写体の像を生成する撮影用画素と、前記撮影レンズの射出瞳の一部の領域を通る光を受光する第１の焦点検出用画素及び第２の焦点検出用画素と、を有する撮像素子であって、前記第１の焦点検出用画素及び前記第２の焦点検出用画素は、光電変換部と、前記光電変換部の少なくとも一部の領域を覆うように前記光電変換部の端部に設けられる電極部と、開口を有して前記光電変換部の前記少なくとも一部の領域とは異なる領域を覆う遮光部とを有し、前記第１の焦点検出用画素の電極部と前記第２の焦点検出用画素の電極部は、前記第１の焦点検出用画素と前記第２の焦点検出用画素の瞳分割方向において互いに反対側の前記光電変換部の端部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 波長域１８００ｎｍ程度にまで受光感度を有し、微弱な光に対応して、暗電流を低くできる受光素子等を提供する。
【解決手段】 選択拡散によってｐｎ接合１５が形成され、受光層３は、第１の組成のＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ３ａと第２の組成のＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ３ｂとが交互に２対以上積層されてなり、第１の組成のＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ３ａはその吸収端波長が１．８μｍ〜１．７５μｍの間にあり、かつ第２の組成のＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ３ｂはそれより短く、ＩｎＰ窓層５と受光層３との間に、該ＩｎＰ窓層および受光層に接してＩｎＰに格子整合するＩｎ_０．５３Ｇａ_０．４７ＡｓまたはＩｎＡｌ_０．４８Ａｓ_０．５２の中間層４が位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】厚塗り適性があり、得られた膜の塗布均一性が良好で、段差追従性があり、且つ赤外線領域の遮光性に優れる遮光性組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）遮光性粒子及び遮光性染料のいずれか１種、（Ｂ）粒径分布における極大値を示す粒子径が１００ｎｍ〜３０００ｎｍの範囲にあるフィラー、及び（Ｃ）粒径分布における極大値を示す粒子径が５ｎｍ〜９０ｎｍの範囲にあるフィラーを含有する遮光性組成物であって、前記遮光性組成物中の前記フィラー（Ｂ）及び前記フィラー（Ｃ）の混合後におけるフィラー全体の粒径分布が、５ｎｍ〜９０ｎｍの範囲及び１００ｎｍ〜３０００ｎｍの範囲のそれぞれの範囲に極大値を有する遮光性組成物。 （もっと読む）