【課題】入射光の反射防止のための微細凹凸構造を画素毎に作り分けるに際し、半導体基板にダメージを与えることなく、低コストで高い信頼性と再現性を得る。
【解決手段】単結晶からなる半導体基板の表面に、半導体基板に対してエッチング選択比を有する保護膜を形成する第１の工程と、保護膜上に、所定のピッチで配置されるドット形状のレジストパターンを形成する第２の工程と、第２の工程により形成されたレジストパターンをマスクとするウェットエッチングにより、保護膜を選択的に除去する第３の工程と、第３の工程により選択的に除去された後に残存する保護膜をマスクとするウェットエッチングにより、半導体基板をエッチング加工することで、半導体基板の表面に所定のピッチで配列される凹凸構造を形成する第４の工程と、第４の工程により凹凸構造を形成した後、半導体基板上に残存する保護膜を除去する第５の工程とを含む固体撮像素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて、検査が行い易く、かつ精度よく放射線を検知することができる、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】画素２０は、センサ部１０３Ａとセンサ部１０３Ｂとを備えている。画像取得用画素２０Ａでは、センサ部１０３Ａとセンサ部１０３Ｂとが接続配線３２により接続されており、センサ部１０３Ａで発生した電荷及びセンサ部１０３Ｂで発生した電荷がＴＦＴスイッチ４により読み出されて信号配線３に出力される。放射線検知用画素２０Ｂでは、センサ部１０３Ａで発生した電荷がＴＦＴスイッチ４により読み出されて信号配線３に出力される。また、放射線検知用画素２０Ｂでは、センサ部１０３Ｂと信号配線３とが直接、接続配線３４により接続されており、センサ部１０３Ｂで発生した電荷はそのまま信号配線３に出力される。 （もっと読む）

【課題】 オンチップレンズとフォトダイオードとの間で発生する混色を低減できるようにする。
【解決手段】 撮像素子は、光を受光するフォトダイオード部と、フォトダイオード部の少なくとも一部と対向する第１のカラーフィルタと、第１のカラーフィルタと対向する第２のカラーフィルタとを含む第１の単位画素を備え、第１のカラーフィルタと第２のカラーフィルタとは離間している。本技術は、撮像素子または撮像装置に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】高感度かつ高い波長分解能を有する可視・近赤外線用の分光・撮像デバイスを実現することが可能で、空間解像度の高い２次元分光マッピングを可能にする固体撮像素子および撮像システムを提供する。
【解決手段】２次元画素アレイと、２次元画素アレイの画素領域に対向するように配置され、検出すべき波長よりも短い周期的な微細パターンを有する分光機能を備えた複数種類のフィルタと、を有し、各フィルタは、２次元画素アレイの各画素の光電変換素子よりも大きく、隣接する複数の光電変換素子群に対して１種類のフィルタが配置されたて一つのユニットを形成し、複数種類のフィルタは、隣接するユニット群に対して配置されてフィルタバンクを形成し、フィルタバンクが２次元画素アレイの画素領域に対向するように、ＮｘＭユニット（但し、Ｎ，Ｍは１以上の整数）配置されている。 （もっと読む）

【課題】周辺領域に配線を設けた裏面照射型の固体撮像装置において、画素領域における絶縁膜の薄膜化を図ることにより光電変換部での受光特性の向上を図る。
【解決手段】光電変換部２０が配列形成された画素領域４を有するセンサ基板２と、センサ基板２の受光面Ａとは逆の表面側に設けられた駆動回路と、センサ基板２における受光面Ａ上に設けられ、画素領域４の膜厚が周辺領域７の膜厚よりも薄い段差構造を有する絶縁層１４と、受光面Ａ側における周辺領域７に設けられた配線８と、絶縁層１４上に光電変換部２０に対応して設けられたオンチップレンズ１９とを備えた固体撮像装置１-1である。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高く、光電流／暗電流のＳ／Ｎ比の良好であり、且つ、応答速度の速い光電変換素子を提供する
【解決手段】一対の電極（２０，４０）と、一対の電極（２０，４０）に挟持された少なくとも光電変換層３２を含む受光層３０を有する光電変換素子１は、受光層３０の少なくとも一部の層が、フラーレン又はフラーレン誘導体を主成分とする複数の粒子又は該複数の粒子が成形されてなる成形体であり、複数の粒子のＤ５０％で表される平均粒径が５０μm〜３００μmであるの光電変換素子用蒸着材料を用いて蒸着されたフラーレン又はフラーレン誘導体を含むものである。 （もっと読む）

【課題】出力ムラの発生を抑制し、低スミアの固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板に設けられた受光部と、半導体基板に設けられた転送チャネルと、受光部を垂直方向に挟むように配置され、水平方向に延びるように設けられた第１の転送電極と、転送チャネルの上に配置され、隣接する前記第１の転送電極間に挟まれるように配置された第２の転送電極と、第１の転送電極の上に配置され、複数の第２のコンタクトを介して第１の転送電極と接続する第２の遮光膜と、第２の転送電極の上に配置され、複数の第１のコンタクトを介して第２の転送電極と接続する第１の遮光膜とを有し、第１の遮光膜には、第１の転送電極の上において、第１の開口部と第２の開口部が設けられており、第１の開口部には、第２のコンタクトが配置されており、第２の開口部には、第２のコンタクトが配置されていないことを特徴とする固体撮像素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】装置の信頼性や、製品の歩留まりなどを向上させる。
【解決手段】第１の開口と第２の開口との内部に金属材料を埋め込んで第１プラグと第２プラグとを設けると共に、第１プラグと第２プラグとの間を接続する接続配線を設けることで、接続導電層を形成する。そして、接続導電層において接続配線の上面を被覆するようにパッシベーション膜を形成する。このパッシベーション膜の形成工程では、高密度プラズマＣＶＤ法などのように埋め込み性に優れた成膜法で、ＳｉＯ_２などの絶縁膜を成膜することによって、パッシベーション膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】異なる屈折率を有するマイクロレンズが画素毎に精度良く形成された固体撮像装置を提供することを目的とする。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】マイクロレンズの形成時において、まず始めに、無機材料からなる無機マイクロレンズ２１を形成する。その後、有機材料からなる有機マイクロレンズ層２２ａを形成したのち、熱リフローすることで有機マイクロレンズ層２２ａを変形させ、半球状の有機マイクロレンズ２２を形成する。これにより、始めに形成されるマイクロレンズが、無機材料で形成されるため、レンズ特性を維持した状態で、有機マイクロレンズ２２を形成できる。これにより、屈折率の異なるマイクロレンズを精度良く形成できる。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の画像品質などの各特性を向上する。
【解決手段】イメージセンサチップ１００の撮像領域ＰＡと、信号処理チップ２００とが対面する間に、他の配線層よりも厚い配線層Ｈ３１を設ける。この配線層Ｈ３１を介して熱を外部へ放出させて、イメージセンサチップ１００において、撮像領域ＰＡで温度が上昇することを抑制し、暗電流の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッド構造を有する裏面照射型センサーとその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は半導体構造を提供する。半導体構造は、正面と背面を有する装置基板;装置基板の正面上に設置される相互接続構造;および、相互接続構造に接続されるボンディングパッドを含む。ボンディングパッドは、誘電材料層中の凹部領域;凹部領域間に挿入される誘電材料層の誘電体メサ; および、凹部領域中と誘電体メサ上に設置される金属層を含む。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子などの半導体装置を微細化するとともに、半導体装置中のシャント配線を薄くすると、高速駆動時の転送効率が低下してしまう。また、電荷転送部への遮光性が低下してしまう。
【解決手段】受光部及び電荷転送部を有する半導体基板と、電荷転送部上に配置された転送電極と、転送電極上に配置され、転送電極と接続する第１の金属膜とを有し、第１の金属膜は、グレインサイズの小さい金属層とグレインサイズの大きい金属層とをそれぞれ１層以上有することを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】裏面照射センサーの共注入システムを提供する。
【解決手段】イメージセンシングシステムと方法が開示される。実施例は、画素領域を有する基板を含み、基板は表面と裏面を有する。共注入工程は、基板表面に沿って位置する感光素子の反対にある基板裏面に沿って実行される。共注入工程は、プレアモルファス領域を形成する第一プレアモルファス化注入工程を利用する。その後、ドーパントが注入され、プレアモルファス領域は、感光領域中のドーパントの拡散やテーリングを抑制または減少させる。反射防止層、カラーフィルターおよびマイクロレンズも、共注入領域上に形成される。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の画質の向上を図る。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板１０内に設けられ、光が照射される複数の第１の光電変換部を有する第１の領域２と、半導体基板１０内に設けられ、第１の領域２に隣接する第２の領域３と、受光面に対して垂直方向において第１の領域２と重なる位置に配置され、第１の光電変換部にそれぞれ対応する複数の第１のレンズ９と、記第１の領域２と第１のレンズ９との間において２つの領域２，３との境界部の段差に隣接し、第１の領域２に対応する第２のレンズ７Ａと、を含む。 （もっと読む）

【課題】透過光量が大きく、赤、緑、及び青の着色画素を含むカラーフィルタを固体撮像素子に用いたときに、ノイズが低く、色再現性が良好な固体撮像素子を実現するカラーフィルタを提供する。
【解決手段】赤色画素、緑色画素、および青色画素を含むカラーフィルタにおいて、前記赤色画素における４００ｎｍの透過率が１５％以下、６５０ｎｍの透過率が９０％以上であり、前記緑色画素の４５０ｎｍの透過率が５％以下、５００〜６００ｎｍの波長範囲のいずれかの透過率が９０％以上であり、且つ、前記青色画素の４５０ｎｍの透過率が８５％以上、５００ｎｍの透過率が１０％以上５０％以下、７００ｎｍの透過率が１０％以下であるカラーフィルタ。 （もっと読む）

【課題】 小型化、薄型化を実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、画素に表示部とセンサ部とを有し、表示部とセンサ部の各々の制御を、同一の走査線駆動回路で行う。第１の期間においては、前記走査線駆動回路は、表示部が有する第１の選択信号線の走査を行い、第２の期間においては、前記走査線駆動回路は、センサ部が有する第２の選択信号線の走査を行う。表示部にビデオ信号を入力するための第１の信号線と、センサ部から、対象物の画像情報を有する信号を出力するための第２の信号線とは、別々に設けられることで、相互の信号へのスイッチングノイズ等の影響を最小限とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタ及びその作製方法を提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、該チャネル形成領域を挟むように設けられ、チャネル形成領域よりも低抵抗な領域であるソース領域及びドレイン領域と、を含み、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域はそれぞれ結晶性領域を含む酸化物半導体層を有する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】画素を微細化した場合にも、高速転送と高歩留りを実現することができるシャント配線構造を用いた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１には、複数の受光部１１が行列状に形成され、複数の受光部１１の行間にＹ方向に延伸形成された垂直電荷転送部１３と、半導体基板１上において、複数の受光部１１の列間にＸ方向に延伸形成された複数の第１転送電極３ａと、垂直電荷転送部１３上において、複数の第１転送電極３ａの各間に形成された複数の第２転送電極３ｂと、第１転送電極３ａ上においてＸ方向に延伸形成された第１シャント配線７と、第２転送電極３ｂ上にＸ方向に延伸形成された第２シャント配線５とを備える。第２シャント配線５は、Ｙ方向に隣接する受光部１１間において、第１転送電極３ａのＹ方向の側方に対し、絶縁膜４を介して形成されている。 （もっと読む）

【課題】撮影によって得られた放射線画像の画像ムラの発生を抑制することのできる放射線検出器、放射線画像撮影装置、放射線画像撮影システムおよび配線容量調整方法を得る。
【解決手段】複数の信号配線３の少なくとも１つに接続された調整素子（コンデンサ５）により、当該複数の信号配線３の各々の配線容量の差が小さくなるように調整する。 （もっと読む）

【課題】 変換素子の不純物半導体層への有機材料の混入を低減し、且つ、変換素子の電極の剥離を低減し得る検出装置を提供する。
【解決手段】 複数の画素１１を基板１００の上に有し、画素１１が、スイッチ素子１３と、スイッチ素子１３の上に配置され画素毎に分離されスイッチ素子１３と接合された透明導電性酸化物からなる電極１２２の上に設けられた不純物半導体層１２３を含む変換素子１２と、を有し、複数のスイッチ素子１３を覆うように複数のスイッチ素子１３と複数の電極１２２との間に設けられた有機材料からなる層間絶縁層１２０を有する検出装置の製造方法であって、層間絶縁層１２０に接する複数の電極１２２の間において層間絶縁層１２０を覆うように配置された無機材料からなる絶縁部材１２１を形成する工程と、絶縁部材１２１と複数の電極１２２とを覆うように不純物半導体膜１２３’を成膜する工程と、を有する。 （もっと読む）